JPS6132575A - 半導体整流装置 - Google Patents

半導体整流装置

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Publication number
JPS6132575A
JPS6132575A JP15301484A JP15301484A JPS6132575A JP S6132575 A JPS6132575 A JP S6132575A JP 15301484 A JP15301484 A JP 15301484A JP 15301484 A JP15301484 A JP 15301484A JP S6132575 A JPS6132575 A JP S6132575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
pipe
section
semiconductor rectifier
external force
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15301484A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Fukazawa
徹 深沢
Tadashi Sakagami
阪上 正
Kazutoyo Narita
成田 一豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Minebea Power Semiconductor Device Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Haramachi Electronics Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15301484A priority Critical patent/JPS6132575A/ja
Publication of JPS6132575A publication Critical patent/JPS6132575A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/00
    • H10W76/136

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  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体整流装置に係シ、特に取シ付は端子部
に加わる機械的外力に対し、絶縁物シール部への応力緩
和と城シ付は端子部の作業性を^めた圧入型半導体整流
装置に関する。
r  又−RI4 /7−18JiiL  )従来の圧
入型半導体整流装置は、第2図に示す様に凹型金属ケー
ス2の底部フラット部にシリコンチップ1とリード線4
をろう材3A、3Bで接続し、その後、レジン5を注入
してからケース2の蓋としてガラスシール6の金属7ラ
ンジ7をケース1の7ランジ8′と溶接し封止している
。この時、リード4の先端部はガラスシール6のパイプ
10の中間で溶接し封止され、パイプ10は、端子とし
てプリント基板12などと接続する為、例えばU字型状
に形成される。更に正大型半導体装置の導電および熱伝
導の目的によシアルミニウムなどからなる金属製放熱板
9に予め形成された穴9A’に圧入し、一方U字型状端
子部として形成されたパイプ10は、プリント基板12
などに設けられた穴12Aにろう材で接続、固定される
。この際、放熱板9のフラット部に対し、第3図に示す
ようにケー71が傾いていると、プリント基板12と接
続する際に、パイプ10先端とプリント基板12の穴1
2Aの位置が合わなくなった時、版部≠X医バイブ10
へ外力をカロク婉正IIげれh′ならず、作業性が悪い
。又、これに伴なってガラスシール6とパイプ10の固
定部Aに機械的外力が集中し、ガラスシール6及びシリ
コンチップ1に破損を生じ逆方向耐圧劣化をまねき、半
導体整流装置としての機能を全く喪失するという欠点が
あった。
〔発明の目的〕
本発明の目的とするところは、半導体整流装置を取シ付
けした際に外部からパイプ端子部に加わる機械的外力に
対し、絶縁物シール部への応力緩和と取シ付は作業性を
高めた端子構造を有する圧入型半導体整流装置を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴とするところは、リードをパイプ外に引出
し、パイプとリードを溶接することで気密制止を行うこ
とにある。リードの露出部社外部との接続に用いる。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を第1図によシ説明するが、第2
図に示したものと同一物には同一符号を付けている。
第1図に示すように、リード4の先端部はパイプ10を
貫通しパイプ10の外に突き出し、リード4の中間部を
シールパイプ10と溶接し内部気密封止する。更に本ガ
ラスシール部は、プリント基板12などと接続する為、
取υ付は端子として、前記リード4とガラスシールの接
続部の気密補強、機械的強度の補強、リード取り付は時
のぬれ性向上を目的とした半田被膜層11が形成されて
いる。
上記圧入型半導体整流装置を取υ付けする際、導電およ
び熱伝導の目的によりアルミニウムなどからなる金属製
放熱板9の予め形成された穴9人に圧入し、一方半田被
膜層11が形成されたリード4はプリント基板12に設
けられた穴12Aにろう材で接続され固定される。この
際、第4図に示すように放熱板9のフラット部に対し半
導体整流装置のケース2が傾き、プリント基板12と接
続する際に、リード4の先端とプリント基板12の穴1
2Aの位置が合わなくなった時、外部よシリード4へ外
力を加え矯正するが、リード4は弾力性を有しパイプ溶
接部Bに外力が集中する為、直接ガラスシール6に影譬
することなく、取シ付は性を高めることができる。取シ
付は時に外部よシ加わる外力をガラスシール6の破壊強
度以下に抑えることができ、半導体整流装置の逆方向耐
圧劣化を招く機能喪失を防止できる効果がある。
半田被膜層11はパイプ10の溶接部間隙にも浸透し、
気密性を高める効果もある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、リード端子部を接続する時ガラスシー
ル部に加わる外力を小さくすることができ、また作業性
の良い半導体整流装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す圧入型半導体整流装
置の断面図、第2図は、従来の圧入型半導体整流装置の
断面図、第3図は、従来圧入型半導体整流装置の取シ付
は状態を示す断面図、第4図は第1図に示した本発明に
なる圧入型半導体整流装置の取シ付は状態を示す断面図
である。 1 1.−、、)ノ 1!4−I−−ノ□シ□=工■1
−□、□ 、リ i−つ 、、、/r+ ス    ’
IA     21111.、。 ろう材、4・・・リード、6・・・ガラスシール、9・
・・放熱板、9A・・・穴、10・・・パイプ、11・
・・半田被膜予 l 図 庫 J口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、凹型金属ケースの底板フラット部上にシリコンチッ
    プ、リードがろう材で接続され、更にケース開口部を絶
    縁物で気密封止してなる半導体整流装置において、前記
    リードは、前記絶縁物に設けたシールパイプ部の外に突
    き出し、本リードの中間部と、シールパイプを溶接した
    ことを特徴とした半導体整流装置。 2、上記特許請求の範囲第1項において、前記リードに
    半田被膜層を形成してなることを特徴とした半導体整流
    装置。
JP15301484A 1984-07-25 1984-07-25 半導体整流装置 Pending JPS6132575A (ja)

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JP15301484A JPS6132575A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 半導体整流装置

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JPS6132575A true JPS6132575A (ja) 1986-02-15

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