JPS6131164B2 - - Google Patents
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- JPS6131164B2 JPS6131164B2 JP2696982A JP2696982A JPS6131164B2 JP S6131164 B2 JPS6131164 B2 JP S6131164B2 JP 2696982 A JP2696982 A JP 2696982A JP 2696982 A JP2696982 A JP 2696982A JP S6131164 B2 JPS6131164 B2 JP S6131164B2
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 65
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 30
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 claims description 4
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 24
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H magnesium phosphate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- 239000004137 magnesium phosphate Substances 0.000 description 4
- 229960002261 magnesium phosphate Drugs 0.000 description 4
- 229910000157 magnesium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000010994 magnesium phosphates Nutrition 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
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- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
本発明法は鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の
歪取焼鈍方法に関する。 一方向性珪素鋼板は主として変圧器その他の電
気機器の鉄心として使用され、磁気特性として磁
束密度、鉄損特性および磁気歪特性が良好である
ことが要求される。 従来の一方向性珪素鋼板の製造方法について説
明する。インヒビターとして添加するSもしくは
Seのほか通常Si:4.0%以下を含有する珪素鋼塊
を熱間圧延し焼鈍と冷延を繰返し、最終板厚の冷
延鋼板とし、冷延鋼板を脱炭焼鈍し、次に鋼板の
表面にマグネシヤ(MgO)を塗布して最終仕上
焼鈍時の鋼板の焼付を防止する。このMgOを塗
布した鋼板は箱焼鈍とも称される最終仕上焼鈍工
程で処理されるが、これは2次再結晶段階と最終
的に1200℃前後まで昇温する純化段階とから成
り、次の3目的のために実施される。 第1の目的は2次再結晶のためで、脱炭焼鈍後
鋼中に微細に分散した析出相MnS、MnSeがイン
ヒビターとして正常粒成長を抑制する作用をして
通常ゴス方位と称される(110)〔001〕晶組織と
なり圧延方向にすぐれた磁気的特性を示す材料と
なる。 第2の目的は材料の純化のためで、インヒビタ
ーとして前記の如く作用したMnS、MnSeは最終
製品となつた後も鋼中に残留していると磁気特性
特に鉄損特性を劣化させるので最終仕上段階で
1200℃前後まで昇温し水素中で純化焼鈍を実施
し、析出相MnS、MnSeは一部が分解してS、Se
の形で気相中に逸散したり、MnS、MnSeの状態
でフオルステライト質被膜中にあるいはフオルス
テライト質被膜と地鉄の界面に濃縮したりして鋼
中から除去される。 第3の目的は通常グラス被膜と呼ばれるフオル
ステライト質(2MgO、SiO2)被膜の形成であ
る。この被膜は脱炭焼鈍中に鋼板表面に形成した
SiO2からなるサブスケールと仕上焼鈍工程の焼
付防止のため塗布されたマグネシアとの間の固相
反応によつて絶縁抵抗を有する被膜を形成したも
のである。 最終仕上焼鈍後、鋼板表面の末反応のマグネシ
アの水洗が行なれる。しかし未反応のマグネシア
の焼付が甚しい場合には除去のためりん酸あるい
は硫酸による軽酸洗が行なわれる。 鋼板表面のマグネシア除去後、さらに層間の絶
縁抵抗を増加するため、りん酸塩系のコーテイン
グ処理液を塗布、焼付けて上塗り絶縁コーテイン
グを形成させる。りん酸塩系コーテイングとして
は従来から知られているりん酸マグネシウム系の
コーテイング以外に、近年開発された圧延方向に
特に結晶集合組織がよく揃つた高磁束密度方向性
珪素鋼板用に適用されている特開昭50−79442あ
るいは特開昭52−25296、特開昭53−28043に開示
されているコロイド状シリカ、りん酸マグネシウ
ムあるいはりん酸アルミニウム、無水クロム酸か
らなる低熱膨張性の張力付加型のりん酸塩系コー
テイングがある。 上記の工程によつてコーテイング処理された一
方向性珪素鋼板は通常、電力用変圧器の鉄心とし
て所定の大きさに剪断され、積鉄心あるいは巻鉄
心として使用される。変圧器の鉄心を組立てる工
程においては不可避的に鋼板に機械的歪が導入さ
れ磁気的特性、特に鉄損特性を劣化させる。この
機械的歪を除去するため通常800℃前後で歪取焼
鈍を行う。積鉄心用の素材は単板にて、巻鉄心用
の素材は曲げ加工した後のコイル状態で焼鈍され
る。しかるにこの歪取焼鈍によつて機械的歪を除
去しても鉄損が焼鈍前の素材の特性まで回復しな
い事態がしばしば発生している。特にコイル状で
長時間焼鈍する巻鉄心の場合には劣化が大きいこ
とが認められる、この劣化が変圧器としての素材
特性を最大限に発揮できない大きな理由である。
一方向性珪素鋼板の鉄損特性は近年のエネルギー
コストの高騰の影響による省エネルギーの立場か
らますます重要視されるようになつており、歪取
焼鈍による鉄損の劣化は非常に大きな問題となつ
ている。 本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決
し、歪取焼鈍による鉄損劣化のない一方向性珪素
鋼板の歪取焼鈍方法を提供するにある。 本発明の要旨とするところは次のとおりであ
る。すなわち、SもしくはSeを含む珪素鋼板素
材を熱間圧延および中間焼鈍を含み冷間圧延する
工程と、前記冷延鋼板を脱炭焼鈍および最終仕上
焼鈍する工程と、前記最終仕上鋼板表面に形成さ
れたフオルステライト質被膜上にりん酸塩系被膜
を形成するコーテイング処理工程とを有して成る
一方向性珪素鋼板の製造時における前記コーテイ
ング処理した鋼板を加工処理した後歪取焼鈍する
一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方法において、前記
フオルステライト質被膜を含む最終仕上鋼板中の
SおよびSeの分析値の合計量が重量比にて0.02%
以上の場合、0.01%以上0.02%未満の場合、およ
び0.01%未満の場合に応じて前記歪取焼鈍温度を
それぞれ650℃以上700℃未満、700℃以上750℃未
満および750℃以上850℃未満に制御することを特
徴とする鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取
焼鈍方法である。 本発明者らは歪取焼鈍による鉄損劣化の原因を
究明するため鋭意検討を行い、最終仕上焼鈍時の
純化段階において鋼中から除去されたS,Seが
歪取焼鈍時に鋼中に戻つていくことによつて鉄損
が増大し、かつ歪取焼鈍による鉄損の増大はりん
酸塩系コーテイングが施されている場合に限ら
れ、最終焼鈍後のフオルステライ質被膜のみの場
合には認められないことがわかつた。この歪取焼
鈍に注目して種々実験を行つた結果、フオルステ
ライト質被膜を含む(以下単に膜つきと称する)
鋼板のS、Seの分析値の合計値によつて歪取焼
鈍温度の範囲、特に上限温度を制御することによ
つて歪取焼鈍時のS、Seの鋼中侵入を防止し、
鉄損の増大を効果的に抑制できることを見出だし
本発明を完成した。 本発明の基礎実験について説明する。Si:2.95
%、Mn:0.55%、S:0.004%、Se:0.017%、
Sb:0.020%の化学組成を有する鋼塊を熱間圧
延、冷間圧延により0.30mmの板厚とし、脱炭焼
鈍、最終仕上焼鈍を施し次に下記第1表に示す工
程によつて処理しそれぞれの工程後のS、Seの
鋼中侵入を調査し第1図に結果を示した。
歪取焼鈍方法に関する。 一方向性珪素鋼板は主として変圧器その他の電
気機器の鉄心として使用され、磁気特性として磁
束密度、鉄損特性および磁気歪特性が良好である
ことが要求される。 従来の一方向性珪素鋼板の製造方法について説
明する。インヒビターとして添加するSもしくは
Seのほか通常Si:4.0%以下を含有する珪素鋼塊
を熱間圧延し焼鈍と冷延を繰返し、最終板厚の冷
延鋼板とし、冷延鋼板を脱炭焼鈍し、次に鋼板の
表面にマグネシヤ(MgO)を塗布して最終仕上
焼鈍時の鋼板の焼付を防止する。このMgOを塗
布した鋼板は箱焼鈍とも称される最終仕上焼鈍工
程で処理されるが、これは2次再結晶段階と最終
的に1200℃前後まで昇温する純化段階とから成
り、次の3目的のために実施される。 第1の目的は2次再結晶のためで、脱炭焼鈍後
鋼中に微細に分散した析出相MnS、MnSeがイン
ヒビターとして正常粒成長を抑制する作用をして
通常ゴス方位と称される(110)〔001〕晶組織と
なり圧延方向にすぐれた磁気的特性を示す材料と
なる。 第2の目的は材料の純化のためで、インヒビタ
ーとして前記の如く作用したMnS、MnSeは最終
製品となつた後も鋼中に残留していると磁気特性
特に鉄損特性を劣化させるので最終仕上段階で
1200℃前後まで昇温し水素中で純化焼鈍を実施
し、析出相MnS、MnSeは一部が分解してS、Se
の形で気相中に逸散したり、MnS、MnSeの状態
でフオルステライト質被膜中にあるいはフオルス
テライト質被膜と地鉄の界面に濃縮したりして鋼
中から除去される。 第3の目的は通常グラス被膜と呼ばれるフオル
ステライト質(2MgO、SiO2)被膜の形成であ
る。この被膜は脱炭焼鈍中に鋼板表面に形成した
SiO2からなるサブスケールと仕上焼鈍工程の焼
付防止のため塗布されたマグネシアとの間の固相
反応によつて絶縁抵抗を有する被膜を形成したも
のである。 最終仕上焼鈍後、鋼板表面の末反応のマグネシ
アの水洗が行なれる。しかし未反応のマグネシア
の焼付が甚しい場合には除去のためりん酸あるい
は硫酸による軽酸洗が行なわれる。 鋼板表面のマグネシア除去後、さらに層間の絶
縁抵抗を増加するため、りん酸塩系のコーテイン
グ処理液を塗布、焼付けて上塗り絶縁コーテイン
グを形成させる。りん酸塩系コーテイングとして
は従来から知られているりん酸マグネシウム系の
コーテイング以外に、近年開発された圧延方向に
特に結晶集合組織がよく揃つた高磁束密度方向性
珪素鋼板用に適用されている特開昭50−79442あ
るいは特開昭52−25296、特開昭53−28043に開示
されているコロイド状シリカ、りん酸マグネシウ
ムあるいはりん酸アルミニウム、無水クロム酸か
らなる低熱膨張性の張力付加型のりん酸塩系コー
テイングがある。 上記の工程によつてコーテイング処理された一
方向性珪素鋼板は通常、電力用変圧器の鉄心とし
て所定の大きさに剪断され、積鉄心あるいは巻鉄
心として使用される。変圧器の鉄心を組立てる工
程においては不可避的に鋼板に機械的歪が導入さ
れ磁気的特性、特に鉄損特性を劣化させる。この
機械的歪を除去するため通常800℃前後で歪取焼
鈍を行う。積鉄心用の素材は単板にて、巻鉄心用
の素材は曲げ加工した後のコイル状態で焼鈍され
る。しかるにこの歪取焼鈍によつて機械的歪を除
去しても鉄損が焼鈍前の素材の特性まで回復しな
い事態がしばしば発生している。特にコイル状で
長時間焼鈍する巻鉄心の場合には劣化が大きいこ
とが認められる、この劣化が変圧器としての素材
特性を最大限に発揮できない大きな理由である。
一方向性珪素鋼板の鉄損特性は近年のエネルギー
コストの高騰の影響による省エネルギーの立場か
らますます重要視されるようになつており、歪取
焼鈍による鉄損の劣化は非常に大きな問題となつ
ている。 本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決
し、歪取焼鈍による鉄損劣化のない一方向性珪素
鋼板の歪取焼鈍方法を提供するにある。 本発明の要旨とするところは次のとおりであ
る。すなわち、SもしくはSeを含む珪素鋼板素
材を熱間圧延および中間焼鈍を含み冷間圧延する
工程と、前記冷延鋼板を脱炭焼鈍および最終仕上
焼鈍する工程と、前記最終仕上鋼板表面に形成さ
れたフオルステライト質被膜上にりん酸塩系被膜
を形成するコーテイング処理工程とを有して成る
一方向性珪素鋼板の製造時における前記コーテイ
ング処理した鋼板を加工処理した後歪取焼鈍する
一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方法において、前記
フオルステライト質被膜を含む最終仕上鋼板中の
SおよびSeの分析値の合計量が重量比にて0.02%
以上の場合、0.01%以上0.02%未満の場合、およ
び0.01%未満の場合に応じて前記歪取焼鈍温度を
それぞれ650℃以上700℃未満、700℃以上750℃未
満および750℃以上850℃未満に制御することを特
徴とする鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取
焼鈍方法である。 本発明者らは歪取焼鈍による鉄損劣化の原因を
究明するため鋭意検討を行い、最終仕上焼鈍時の
純化段階において鋼中から除去されたS,Seが
歪取焼鈍時に鋼中に戻つていくことによつて鉄損
が増大し、かつ歪取焼鈍による鉄損の増大はりん
酸塩系コーテイングが施されている場合に限ら
れ、最終焼鈍後のフオルステライ質被膜のみの場
合には認められないことがわかつた。この歪取焼
鈍に注目して種々実験を行つた結果、フオルステ
ライト質被膜を含む(以下単に膜つきと称する)
鋼板のS、Seの分析値の合計値によつて歪取焼
鈍温度の範囲、特に上限温度を制御することによ
つて歪取焼鈍時のS、Seの鋼中侵入を防止し、
鉄損の増大を効果的に抑制できることを見出だし
本発明を完成した。 本発明の基礎実験について説明する。Si:2.95
%、Mn:0.55%、S:0.004%、Se:0.017%、
Sb:0.020%の化学組成を有する鋼塊を熱間圧
延、冷間圧延により0.30mmの板厚とし、脱炭焼
鈍、最終仕上焼鈍を施し次に下記第1表に示す工
程によつて処理しそれぞれの工程後のS、Seの
鋼中侵入を調査し第1図に結果を示した。
【表】
調査方法はフオルステライト質被膜および直下
の地鉄の表面を化学研磨し深さ0、5、10、15、
20μの各研磨表面について螢光X線によるSと
Seの定量分析値の合計量を求めた。 第1図から最終仕上焼鈍工程のみの〇印曲線に
比し、りん酸塩系コーテイングー歪取焼鈍をした
場合のS、Seの鋼中侵入の増加は明らかであ
り、歪取焼鈍温度が高い程その傾向は著しい。こ
れらのS、Seの鋼中侵入が多い程、歪取焼鈍後
の鉄損劣化が大きかつた。なお、第1図における
りん酸塩系コーテイング後の珪素鋼板のS、Se
の膜つき分析値はそれぞれ0.002、0.013%であつ
た。 りん酸塩系コーテイングがある場合に限つて歪
取焼鈍時にS、Seの鋼中侵入により鉄損劣化が
起こるが、その確たる理由は明らかでなく、多分
フオルステライト質被膜直下に存在するMnS、
MnSeがりん酸塩系コーテイグのある成分によつ
て分解され、その結果S、Seが鋼中に侵入して
いくものと推測される。S、Seが鋼中に侵入す
ると鋼中においてFe、Mnの硫化物、Se化物等の
鋼中析出物を形成し、鉄損を劣化させるものと考
えられる。 次にSとSeの膜つき合計分析値と歪取焼鈍温
度と歪取焼鈍後の鉄損劣化の関係を調査した。す
なわちSi:2.8〜3.1%、Mn:0.05〜0.07%、S:
0.004〜0.25%、Se:<0.001〜0.020%、Sb:<
0.001〜0.020%残部が実質的にFeから成る各種の
珪素鋼塊を通常の工程で熱延、冷延を行い0.3mm
の最終板厚とし、次いで脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍
を施しフオルステライト質被膜を有する一方向性
珪素の焼鈍板を得た。さらに一部の仕上焼鈍板を
りん酸塩系コーテイング前にりん酸あるいは硫酸
で酸洗を行ないSとSeの膜つき合計分析値の異
なる多種類の焼鈍材を準備した。これらのSと
Seの膜つき合計分析値の異なるフオルステライ
ト質被膜を有する仕上焼鈍板に特開昭50−79442
で開示さたコロイド状シリカ、りん酸マグネシウ
ム、無水クロム酸からなるコーテイング処理液を
塗布し焼付けた。上記のコーテイング処理材を多
数枚結束してN2で650〜900℃の温度で歪取焼鈍
を行なつた。歪取焼鈍の時間は実際に剪断等の歪
が除去できることを考慮して650℃では20時間、
700℃では10時間、750℃以上では3時間とした。
これらの歪取焼鈍板の鉄損を調査しその結果をま
とめて第2図に示した。なお第2図おける各記号
は下記第2表のとおりの意味である。
の地鉄の表面を化学研磨し深さ0、5、10、15、
20μの各研磨表面について螢光X線によるSと
Seの定量分析値の合計量を求めた。 第1図から最終仕上焼鈍工程のみの〇印曲線に
比し、りん酸塩系コーテイングー歪取焼鈍をした
場合のS、Seの鋼中侵入の増加は明らかであ
り、歪取焼鈍温度が高い程その傾向は著しい。こ
れらのS、Seの鋼中侵入が多い程、歪取焼鈍後
の鉄損劣化が大きかつた。なお、第1図における
りん酸塩系コーテイング後の珪素鋼板のS、Se
の膜つき分析値はそれぞれ0.002、0.013%であつ
た。 りん酸塩系コーテイングがある場合に限つて歪
取焼鈍時にS、Seの鋼中侵入により鉄損劣化が
起こるが、その確たる理由は明らかでなく、多分
フオルステライト質被膜直下に存在するMnS、
MnSeがりん酸塩系コーテイグのある成分によつ
て分解され、その結果S、Seが鋼中に侵入して
いくものと推測される。S、Seが鋼中に侵入す
ると鋼中においてFe、Mnの硫化物、Se化物等の
鋼中析出物を形成し、鉄損を劣化させるものと考
えられる。 次にSとSeの膜つき合計分析値と歪取焼鈍温
度と歪取焼鈍後の鉄損劣化の関係を調査した。す
なわちSi:2.8〜3.1%、Mn:0.05〜0.07%、S:
0.004〜0.25%、Se:<0.001〜0.020%、Sb:<
0.001〜0.020%残部が実質的にFeから成る各種の
珪素鋼塊を通常の工程で熱延、冷延を行い0.3mm
の最終板厚とし、次いで脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍
を施しフオルステライト質被膜を有する一方向性
珪素の焼鈍板を得た。さらに一部の仕上焼鈍板を
りん酸塩系コーテイング前にりん酸あるいは硫酸
で酸洗を行ないSとSeの膜つき合計分析値の異
なる多種類の焼鈍材を準備した。これらのSと
Seの膜つき合計分析値の異なるフオルステライ
ト質被膜を有する仕上焼鈍板に特開昭50−79442
で開示さたコロイド状シリカ、りん酸マグネシウ
ム、無水クロム酸からなるコーテイング処理液を
塗布し焼付けた。上記のコーテイング処理材を多
数枚結束してN2で650〜900℃の温度で歪取焼鈍
を行なつた。歪取焼鈍の時間は実際に剪断等の歪
が除去できることを考慮して650℃では20時間、
700℃では10時間、750℃以上では3時間とした。
これらの歪取焼鈍板の鉄損を調査しその結果をま
とめて第2図に示した。なお第2図おける各記号
は下記第2表のとおりの意味である。
【表】
第2図から明らかな如くSとSeの膜つき合計
分析値が多い程より低温でS、Seの鋼中侵入が
起こり鉄損劣化を招来するので、歪取焼鈍温度の
上限を決めることによつて鉄損の増加を効果的に
防止できることがわかる。従つてSとSeの膜つ
き合計分析値によつて歪取焼鈍温度を制御できる
ことが判明した。然し低温の場合は機械歪を十分
除去できないおそれがあり、かつ低温長時間の歪
取焼鈍は生産性を著しく阻害するのべなるべく回
避し第2図に示した斜線領域が好ましい焼鈍範囲
となり、これを表示すると第3表のとおりとな
る。
分析値が多い程より低温でS、Seの鋼中侵入が
起こり鉄損劣化を招来するので、歪取焼鈍温度の
上限を決めることによつて鉄損の増加を効果的に
防止できることがわかる。従つてSとSeの膜つ
き合計分析値によつて歪取焼鈍温度を制御できる
ことが判明した。然し低温の場合は機械歪を十分
除去できないおそれがあり、かつ低温長時間の歪
取焼鈍は生産性を著しく阻害するのべなるべく回
避し第2図に示した斜線領域が好ましい焼鈍範囲
となり、これを表示すると第3表のとおりとな
る。
【表】
一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍条件はJISC2553
において鉄損、磁束密度の測定のために780〜820
℃で1時間以上保持し冷却、雰囲気などについて
は適切な条件で焼鈍することになつているが、本
発明によりSとSe膜つき分析値によつて歪取焼
鈍温度を制御でき、具体的には上記第3表の如く
設定することによつて鉄損のない歪取焼鈍法を得
ることができた。 実施例 第4表に示す化学組成の珪素鋼塊を熱間圧延後
0.30mmまで冷間圧延し、脱炭焼鈍し最終仕上焼鈍
を行つた。 次に第5表に示す供試材No.1〜14については
において鉄損、磁束密度の測定のために780〜820
℃で1時間以上保持し冷却、雰囲気などについて
は適切な条件で焼鈍することになつているが、本
発明によりSとSe膜つき分析値によつて歪取焼
鈍温度を制御でき、具体的には上記第3表の如く
設定することによつて鉄損のない歪取焼鈍法を得
ることができた。 実施例 第4表に示す化学組成の珪素鋼塊を熱間圧延後
0.30mmまで冷間圧延し、脱炭焼鈍し最終仕上焼鈍
を行つた。 次に第5表に示す供試材No.1〜14については
【表】
直ちにコーテイング処理工程に、供試材No.15〜21
については50℃、10%りん酸溶液中に30秒間浸漬
する酸洗工程を経て同じくコーテイング処理工程
に移つた。コーテイング処理工程はいずれも特開
昭52−25296に開示されているコロイド状シリ
カ、りん酸マグネシウム、無水クロム酸系のコー
テイング処理液を片面2μの膜厚となるように塗
布し800℃1分間N2中で焼付けた、次に30mm×
280mmの試験片に剪断加工し第5表に示す条件で
歪取焼鈍をそれぞれ行なつた。 いずれの供試材も最終仕上焼鈍後および歪取焼
鈍前後に磁束密度B10および鉄損W17/50を測定
し、その結果をコーテイング後のSおよびSeの
膜つき分析値と共に第5表に示した。
については50℃、10%りん酸溶液中に30秒間浸漬
する酸洗工程を経て同じくコーテイング処理工程
に移つた。コーテイング処理工程はいずれも特開
昭52−25296に開示されているコロイド状シリ
カ、りん酸マグネシウム、無水クロム酸系のコー
テイング処理液を片面2μの膜厚となるように塗
布し800℃1分間N2中で焼付けた、次に30mm×
280mmの試験片に剪断加工し第5表に示す条件で
歪取焼鈍をそれぞれ行なつた。 いずれの供試材も最終仕上焼鈍後および歪取焼
鈍前後に磁束密度B10および鉄損W17/50を測定
し、その結果をコーテイング後のSおよびSeの
膜つき分析値と共に第5表に示した。
【表】
第5表からS+Se=Se=0.024%の場合には歪
取焼鈍温度が650℃以上700℃未満の時鉄損劣化が
ないが、供試材No.5の比較例は600℃×20時間で
も剪断歪が完全に除去されていない。S+Se=
0.016Cの場合には歪取焼鈍温度700℃以上750℃
未満、S+Se=0.004%の場合には750℃以上850
℃未満においていずれも鉄損劣化を防止できる
が、この歪取焼鈍温度を外れた比較例においては
すべて磁気特性が劣化している。 上記実施例からも明らかな如く本発明法は一方
向性珪素鋼板のSとSeの膜つき分析値の合計量
が重量比にて0.02%以上の場合、0.01%以上0.02
%未満の場合、および0.0.1%未満の場合に応じ
て歪取焼鈍温度をそれぞれ650℃以上700℃未満、
700℃以上750℃未満および750℃以上850℃未満に
制御することによつて鉄損劣化のない一方向性珪
素鋼板の効果的製造を可能とし、変圧器鉄心の鉄
損劣化を防止し省エネルギーの効果をあげること
ができた。
取焼鈍温度が650℃以上700℃未満の時鉄損劣化が
ないが、供試材No.5の比較例は600℃×20時間で
も剪断歪が完全に除去されていない。S+Se=
0.016Cの場合には歪取焼鈍温度700℃以上750℃
未満、S+Se=0.004%の場合には750℃以上850
℃未満においていずれも鉄損劣化を防止できる
が、この歪取焼鈍温度を外れた比較例においては
すべて磁気特性が劣化している。 上記実施例からも明らかな如く本発明法は一方
向性珪素鋼板のSとSeの膜つき分析値の合計量
が重量比にて0.02%以上の場合、0.01%以上0.02
%未満の場合、および0.0.1%未満の場合に応じ
て歪取焼鈍温度をそれぞれ650℃以上700℃未満、
700℃以上750℃未満および750℃以上850℃未満に
制御することによつて鉄損劣化のない一方向性珪
素鋼板の効果的製造を可能とし、変圧器鉄心の鉄
損劣化を防止し省エネルギーの効果をあげること
ができた。
第1図は歪取焼鈍温度別の珪素鋼板地金の表面
深さとS、Seの合計分析値との関係を示す相関
図、第2図は珪素鋼板の歪取焼鈍温度とSとSe
の膜つき合計分析値と歪取焼鈍による鉄損劣化と
の相互関係を示す相関図である。
深さとS、Seの合計分析値との関係を示す相関
図、第2図は珪素鋼板の歪取焼鈍温度とSとSe
の膜つき合計分析値と歪取焼鈍による鉄損劣化と
の相互関係を示す相関図である。
Claims (1)
- 1 SもしくはSeを含む珪素鋼板素材を熱間圧
延および中間焼鈍を含み冷間圧延する工程と、前
記冷延鋼板を脱素焼鈍および最終仕上焼鈍する工
程と、前記最終仕上鋼板表面に形成されたフオル
ステライト質被膜上にりん酸塩系被膜を形成する
コーテイング処理工程と、を有して成る一方向性
珪素鋼板の製造時における前記コーテイング処理
した鋼板を加工処理した後歪取焼鈍する一方向性
珪素鋼板の歪取焼鈍方法において、前記フオルス
テライト質被膜を含む最終仕上鋼板中のSおよび
Seの分析値の合計量が重量比にて0.02%以上の場
合、0.01%以上0.02%未満の場合、および0.01%
未満の場合に応じて前記歪取焼鈍温度をそれぞれ
650℃以上700℃未満、700℃以上750℃未満および
750℃以上850℃未満に制御することを特徴とする
鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2696982A JPS58144425A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2696982A JPS58144425A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58144425A JPS58144425A (ja) | 1983-08-27 |
JPS6131164B2 true JPS6131164B2 (ja) | 1986-07-18 |
Family
ID=12207979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2696982A Granted JPS58144425A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 鉄損劣化のない一方向性珪素鋼板の歪取焼鈍方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58144425A (ja) |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2696982A patent/JPS58144425A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58144425A (ja) | 1983-08-27 |
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