JPS6130035A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6130035A JPS6130035A JP59151415A JP15141584A JPS6130035A JP S6130035 A JPS6130035 A JP S6130035A JP 59151415 A JP59151415 A JP 59151415A JP 15141584 A JP15141584 A JP 15141584A JP S6130035 A JPS6130035 A JP S6130035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- fleon
- organic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置を得るに際してレジストと被エツ
チング材との密着性を改善し特にエツチング特性の改善
による製品品質を向上するようにした半導体装置の製造
方法に関するものである。
チング材との密着性を改善し特にエツチング特性の改善
による製品品質を向上するようにした半導体装置の製造
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来半導体装置を得るに際しての一般的な製造工程にお
いては、基板上に被エツチング膜を形成後ホトレジスト
を塗布し、露光及び現像処理を行ない、しかるのちにエ
ツチングを行なっている。
いては、基板上に被エツチング膜を形成後ホトレジスト
を塗布し、露光及び現像処理を行ない、しかるのちにエ
ツチングを行なっている。
半導体装置の製造時のかかる手順で処理を行なう場合に
、上記被エツチング膜がレジストとの密着性に劣る場合
があり、そのような状況においては被エツチング膜にア
ンダーカットが生じたり更にはレジスト剥離といった問
題が発生し不良モードが発生する重大な原因になってい
た。特に被エツチング膜がリンシリカガラス膜の場合に
はこの傾向が著しい。
、上記被エツチング膜がレジストとの密着性に劣る場合
があり、そのような状況においては被エツチング膜にア
ンダーカットが生じたり更にはレジスト剥離といった問
題が発生し不良モードが発生する重大な原因になってい
た。特に被エツチング膜がリンシリカガラス膜の場合に
はこの傾向が著しい。
かかる問題に対処する一方法として、従来レジスト塗布
直前に該レジストと基板の密着性を向上させるよう例え
ばＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）のような有機
溶剤を塗布し、しかるのちにレジストを塗布するように
もしている。
直前に該レジストと基板の密着性を向上させるよう例え
ばＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）のような有機
溶剤を塗布し、しかるのちにレジストを塗布するように
もしている。
しかしこのような方法によっても、両者の密着性が十分
とは言えずレジストが＃Ｊｌｌｌｌす、あるいは上述の
アンダーカットの発生が必らずしも防ぎ得ない。基板に
対するレジストの密着性について種々考察したところ、
上記のリンシリヵガラスは一般的にはＳ ｉ Ｏ４の四
面体が三次元的に結合して綱目構造をなし、その表面に
は、次式Ａ、Ｂ及びｓｉｎｇｌｅ ｇｅｍｉｎａｌ
ｐａｉｒｅｄ ５ｉｌｏｘａｎｅＡ
Ｂ Ｃの如きシラノール基とシロキサン
基が存在しており、さらに吸着水のあるときはそれらの
水素結合により複雑な表面化合物を形成している（参考
文献：朝倉化学講座１６、固体化学１．Ｐ５５〜５６及
Ｐ１１４）。
とは言えずレジストが＃Ｊｌｌｌｌす、あるいは上述の
アンダーカットの発生が必らずしも防ぎ得ない。基板に
対するレジストの密着性について種々考察したところ、
上記のリンシリヵガラスは一般的にはＳ ｉ Ｏ４の四
面体が三次元的に結合して綱目構造をなし、その表面に
は、次式Ａ、Ｂ及びｓｉｎｇｌｅ ｇｅｍｉｎａｌ
ｐａｉｒｅｄ ５ｉｌｏｘａｎｅＡ
Ｂ Ｃの如きシラノール基とシロキサン
基が存在しており、さらに吸着水のあるときはそれらの
水素結合により複雑な表面化合物を形成している（参考
文献：朝倉化学講座１６、固体化学１．Ｐ５５〜５６及
Ｐ１１４）。
そしてこのような吸着水の存在する基板表面（こ有機物
であるレジストを塗布した場合、本来上記レジストが疎
水性であることにより両者の密着力が著しく低下するこ
とにその原因がある。
であるレジストを塗布した場合、本来上記レジストが疎
水性であることにより両者の密着力が著しく低下するこ
とにその原因がある。
（発明が解決しようとする問題点）
このような吸着水は基板のベーク処理により一時的には
離脱させ得るが、上記基板表面にシラノール基やシロキ
サン基が存在すると速やかに大気中の水分子が吸着し、
上記ベーク処理による水分除去効果を長時間持続させる
乙とができないという欠点があった。
離脱させ得るが、上記基板表面にシラノール基やシロキ
サン基が存在すると速やかに大気中の水分子が吸着し、
上記ベーク処理による水分除去効果を長時間持続させる
乙とができないという欠点があった。
即ち基板の被エツチング膜が例えばリンシリカガラス等
の場合に、特にレジスト材に対しての密着性に未解決の
問題がありその解決が望まれていた。
の場合に、特にレジスト材に対しての密着性に未解決の
問題がありその解決が望まれていた。
（問題点を解決するための手段）
乙の発明は上記問題点に鑑み、上記被エツチング材料の
表面を改質し、有機物であるレジスト材との親和性を高
めこれにより上記密着性を向上させるようにしたもので
あり、即ち本発明の要点は、有機溶剤中にウェハを浸漬
することにより基板表面に吸着している水分子を有機基
により置換させ、次にこれをフレオン系ガス中で乾燥を
行ない以下常法の如くレジスト材被覆等を行なうもので
ある。
表面を改質し、有機物であるレジスト材との親和性を高
めこれにより上記密着性を向上させるようにしたもので
あり、即ち本発明の要点は、有機溶剤中にウェハを浸漬
することにより基板表面に吸着している水分子を有機基
により置換させ、次にこれをフレオン系ガス中で乾燥を
行ない以下常法の如くレジスト材被覆等を行なうもので
ある。
（作用）
この発明においては、先づ上記有機溶剤による処理で基
板表面に存在する吸着水分子が有機基により置換され、
次にこれをフレオン系ガス中にさらし乾燥させる乙とに
より、熱的乾燥と異り置換有機基が離脱せずに残り、結
果的艦こ有機物であるレジストに対する親和性を高め密
着性を増すものであると考えられる。
板表面に存在する吸着水分子が有機基により置換され、
次にこれをフレオン系ガス中にさらし乾燥させる乙とに
より、熱的乾燥と異り置換有機基が離脱せずに残り、結
果的艦こ有機物であるレジストに対する親和性を高め密
着性を増すものであると考えられる。
（実施例）
基板上にリンシリカガラス膜を常法【こより育成後、得
られた試料基板をイソプリピルアルコール液中に３〜５
分間浸漬した。次（こ図（こ示すような装置中で１０〜
１５分間フレオン乾燥を行なった。
られた試料基板をイソプリピルアルコール液中に３〜５
分間浸漬した。次（こ図（こ示すような装置中で１０〜
１５分間フレオン乾燥を行なった。
即ち図において容器（１）はステンレス製であり、（２
）は加温用ヒータ、（３）は冷却水配管、（４）ｌよフ
レオン導入口、（５）はフレオン排出口、（６）ζよじ
やま板、（７）はフレオン、（８）はキャリア台、（９
）ｔま試料の充填されｔこキャリアである。乙のような
容器中ｌこ上具己試料基板を置き、フレオンの循環を行
う乙とζこより基板の乾燥を行う。
）は加温用ヒータ、（３）は冷却水配管、（４）ｌよフ
レオン導入口、（５）はフレオン排出口、（６）ζよじ
やま板、（７）はフレオン、（８）はキャリア台、（９
）ｔま試料の充填されｔこキャリアである。乙のような
容器中ｌこ上具己試料基板を置き、フレオンの循環を行
う乙とζこより基板の乾燥を行う。
かかる有機溶剤中への浸漬及びフレオン蒸気乾燥処理プ
ロセスにより、特（こリンシリカガラス表面の吸着水は
イソプロピル基に置換され、そして不用な溶液はフレオ
ン蒸気と置換され、更ｔこ残余のフレオンは容器から取
り出すと同時に容易に蒸気となり離脱することになる。
ロセスにより、特（こリンシリカガラス表面の吸着水は
イソプロピル基に置換され、そして不用な溶液はフレオ
ン蒸気と置換され、更ｔこ残余のフレオンは容器から取
り出すと同時に容易に蒸気となり離脱することになる。
以上の処理により基板のリンシリカガラス表面は有機基
に置換されることになりその後の被覆される有機物であ
るレジストとの親和力が強まり密着性が向上する。
に置換されることになりその後の被覆される有機物であ
るレジストとの親和力が強まり密着性が向上する。
そして上記の効果は前記シリカガラス表面の有機基が離
脱しない限り長時間保持されるが、例えば上記処理を行
なったものについて４８時間放置後にレジスト塗布を行
なったものの有効性が明らかに確認された。
脱しない限り長時間保持されるが、例えば上記処理を行
なったものについて４８時間放置後にレジスト塗布を行
なったものの有効性が明らかに確認された。
そして更に上記プロセスで試料に付着した有機基は、そ
の後の半導体製造工程の一つのホトリ゛ノエッチング処
理後のレジスト除去工程、例えば０２プラズマワツシヤ
ーあるいは硫酸過水洗浄によりレジストと同時に除去さ
れる乙とになり製品半導体装置に特に悪い影響を与える
心配はない。
の後の半導体製造工程の一つのホトリ゛ノエッチング処
理後のレジスト除去工程、例えば０２プラズマワツシヤ
ーあるいは硫酸過水洗浄によりレジストと同時に除去さ
れる乙とになり製品半導体装置に特に悪い影響を与える
心配はない。
乙乙で上記のようなプロセスを経た後に通常のドライエ
ツチング処理を行なった場合、具体的りこ例えば、陽極
結合方式平行平板型ドライエツチング装置では、従来、
圧力８０ρ。（ＣＨＦ３） ／ （Ｃ２Ｆ６） 十（Ｃ
ＨＦ３） ＝３５％にてエツチングを行なうとレジスト
の剥離現象が住々にして発生していたものが、圧力８０
ρ、 （ＣＨＦ、） ／ （Ｃ２Ｆ６） ＋ （ＣＨＦ
３） ＝４０％でもレジスト剥離現象が全く発生しなか
った。即ち本発明によればこれらのプロセスのマージン
が著しく向上しエツチングの選択比＝（リンシリカガラ
スのエツチング量）／（下地シリコンのエツチング量）
が約２０％向上させ得る結果を示した。
ツチング処理を行なった場合、具体的りこ例えば、陽極
結合方式平行平板型ドライエツチング装置では、従来、
圧力８０ρ。（ＣＨＦ３） ／ （Ｃ２Ｆ６） 十（Ｃ
ＨＦ３） ＝３５％にてエツチングを行なうとレジスト
の剥離現象が住々にして発生していたものが、圧力８０
ρ、 （ＣＨＦ、） ／ （Ｃ２Ｆ６） ＋ （ＣＨＦ
３） ＝４０％でもレジスト剥離現象が全く発生しなか
った。即ち本発明によればこれらのプロセスのマージン
が著しく向上しエツチングの選択比＝（リンシリカガラ
スのエツチング量）／（下地シリコンのエツチング量）
が約２０％向上させ得る結果を示した。
なお上記実施例では有機溶剤としてイソプロピルアルコ
ールを用いたが同様の他の有機溶剤を用いても同様な効
果が得られる。
ールを用いたが同様の他の有機溶剤を用いても同様な効
果が得られる。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明は特に基板上の
例えばリンシリカガラスの表面を有機基処理及びフレオ
ン乾燥処理により改質する乙とによりレジストとの密着
性が著しく向上されるのであり、しかもこの本質的な密
着力向上が該表面の有機基が離脱しない限り長時間その
効果が保持出来る効果を示し、結果的にその後の半導体
製造処理工程による品質向上に著しく寄与し得るのであ
り工業的利用価値は著しく高い。
例えばリンシリカガラスの表面を有機基処理及びフレオ
ン乾燥処理により改質する乙とによりレジストとの密着
性が著しく向上されるのであり、しかもこの本質的な密
着力向上が該表面の有機基が離脱しない限り長時間その
効果が保持出来る効果を示し、結果的にその後の半導体
製造処理工程による品質向上に著しく寄与し得るのであ
り工業的利用価値は著しく高い。
図は本発明の実施例で用いたフレオン蒸気乾燥装置の概
略説明図である。 １・・・ステンレス製容器 ２・・・加温用ヒータ４・
・フレオン導入口 ５°・・フレオン排出ロア８０．フ
レオン ８・・・キャリア台。 手続補正書（自発） 昭和６０年６月２７日
略説明図である。 １・・・ステンレス製容器 ２・・・加温用ヒータ４・
・フレオン導入口 ５°・・フレオン排出ロア８０．フ
レオン ８・・・キャリア台。 手続補正書（自発） 昭和６０年６月２７日
Claims (1)
- レジストとの密着性が劣る膜上に前記レジストを塗布
する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記レ
ジストとの密着性が劣る膜を基板上に形成後、有機溶剤
中に該基板を浸漬する工程と、この浸漬した基板をフレ
オン蒸気により乾燥させる工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151415A JPS6130035A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
| US06/758,073 US4686173A (en) | 1984-07-23 | 1985-07-23 | Etching method employing positive photoresist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151415A JPS6130035A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130035A true JPS6130035A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15518110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151415A Pending JPS6130035A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686173A (ja) |
| JP (1) | JPS6130035A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129846A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フオトレジストの塗布方法及び塗布装置 |
| US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218098B2 (ja) * | 1973-05-04 | 1977-05-19 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP59151415A patent/JPS6130035A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-23 US US06/758,073 patent/US4686173A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4686173A (en) | 1987-08-11 |
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