KR0141934B1 - 보호막 습식식각방법 - Google Patents
보호막 습식식각방법Info
- Publication number
- KR0141934B1 KR0141934B1 KR1019940019367A KR19940019367A KR0141934B1 KR 0141934 B1 KR0141934 B1 KR 0141934B1 KR 1019940019367 A KR1019940019367 A KR 1019940019367A KR 19940019367 A KR19940019367 A KR 19940019367A KR 0141934 B1 KR0141934 B1 KR 0141934B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- protective film
- distilled water
- wet etching
- metal film
- washing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 보호막 습식식각방법에 관한 것으로, 증류수에 질소 가스를 발생시킴으로써 증류수의 순환량을 높히고, 중성상태를 유지하여 금속막과 수산화기와의 화학반응를 억제시키며, 이에따라 금속막 표면에 반응생성물이 생성되는 것을 방지하여 리드프레임과 금속막의 결합력이 향상됨으로써 와이어 본딩의 불량률을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 기술에 의한 보호막(OIQ) 습식식각시 웨이퍼의 이동 경로도.
제2도는 상기 제1도의 습식식각경로를 거쳐 형성된 반도체소자의 단면도.
제3도는 본 발명에 의한 보호막 습식식각시 웨이퍼의 이동경로도.
제4도는 상기 제3도의 보호막 습식식각경로를 거쳐 형성된 반도체소자의 단면도.
제5도는 본 발명의 기포발생원리를 보인 예시도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1:포토레지스트2:보호막
3:금속막4:반응생성물
11:HHED12:QDR
13~15:증류수16:웨이퍼 이동경로
17:스핀 드라이어18, 19:기포를 포함한 증류수
본 발명은 보호막(PIQ:Polyimide Isoindoro Quinazorindione) 습식식각 방법에 관한 것으로, 특히 보호막의 습식식각 시 패드의 변색을 방지할 수 있는 보호막 습식식각방법에 관한 것이다.
일반적으로 금속막을 리드 프레임(lead frame)과 연결하기 위해서는 상기 금속막 전면에 보호막을 입힌 후 상기 보호막을 원하는 패턴으로 식각해야 하는데, 종래에는 상기 보호막을 식각하기 위해 상기 보호막 상부에 포토레지스터(photoresister)를 도포한 후 노광 및 현상하여 외부와 연결될 부분의 포토레지스터를 제거함으로써 사진식각마스크를 형성하고, 제1도에 도시한 바와 같은 보호막 습식식각장치에서 상기 사진마스크를 적용하여 상기 보호막을 식각하였다.
식각과정을 살펴보면, 먼저 상기 보호막을 HHED(N2H4H2O:H2NC2H4NH2=73:27)(11)에서 식각시킨 후 QDR(Quick Dump Rinse)(12)와 3단계에 걸친 증류수(13~15)에서 세정하며, 그 결과물을 스핀 드라이어(spin dryer)(17)에서 건조시켜 식각을 완료하였다.
그러나 이러한 종래의 보호막 습식식각 방법은, 상기 보호막 위해 포토레지스터로 이루어진 사진식각마스크가 형성된 웨이퍼를 산도(pH) 10인 염기성의 HHED 용액에서 식각함으로써 세정시 중성인 증류수에 의해 흡착되어 있던 HHED의 성분이 산도 7에서 변화하게 되면, 이에따라 상기 증류수에서 예를들어 알루미늄(A1)과 같은 금속과 수산화기(OH-이온)가 화학반응을 일으켜 제2도에 도시한 바와 같은 반응생성물(Q1(OH3))(4)이 금속막(3) 위에 형성되면, 이 반응생성물(4)이 3단계의 증류수 세정 후에도 남아있게 되어 패드를 변색시켜 리드프레임과 금속막의 결합력을 약화시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 증류수 세정시 질소가스의 기포를 발생시킴으로써 세정효율을 극대화할 수 있는 보호막 습식식각방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 보호막 습식식각방법은 리드프레임과 연결될 금속막위에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 보호막 위에 사진식각마스크를 형성하는 공정과, 상기 사진식각마스크를 적용하여 상기 보호막을 식각하는 공정과, 상기 보호막 식각 후 결과물 전면을 증류수상에 질소가스에 의해 기포를 발생시켜 세정하는 공정과, 세정 후 결과물을 건조시키는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명의 보호막 습식식각방법은, 제3도 및 제4도에 도시한 바와 같이 금속막(3) 위에 보호막(2)을 형성한 후 다시 상기 보호막(2) 위에 포토레지스터를 도포, 노광 및 현상하여 사진식각마스크를 형성하고, 이를 적용하여 사익 보호막(2)을 식각할 때, 먼저 HHED(11) 용액에 침전시켜 노출된 부분을 식각하고, QDR(12)과 3단계의 증류수(181915)를 통해 식각으로 인해 노출된 부분을 세정한다.
이때 상기 3단계의 증류수 세정 중 1단계와 2단계의 증류수(18,19)세정은, 제5도에 도시한 바와 같이 증류수가 담긴 용기의 하단 중앙부에 유리관을 통해 14 ℓ/min~16 ℓ/min 정도의 질소(N2)가스를 공급하여 기포를 발생시킴으로써 화살표 방향으로 증류수를 이동시켜 순환량이 증가된 증류수의 흐름을 통해 보호막 표면의 불순물, 즉 산도 10의 염기성 용액인 상기 HHED용액성분을 충분히 제거하도록 하며, 마지막으로 3단계의 증류수(15)세정을 통해 완전히 중성을 유지하여 A1과 OH-의 반응을 억제시킨 후 스핀 드라이어(17)를 통해 건조시킨다.
이상에서와 같이 본 발명에 의하면 증류수에 질소 가스를 발생시킴으로써 증류수의 순환량을 높이고, 중성상태를 유지하여 금속막과 수산화기와의 화학반응을 억제시키며, 이에따라 금속막 표면에 반응생성물이 생성되는 것을 방지하여 리드프레임과 금속막의 결합력이 향상됨으로써 와이어 본딩의 불량률을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 리드프레임과 연결될 금속막위에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 보호막 위에 사진식각마스크를 형성하는 공정과, 상기 사진식각마스크를 적용하여 상기 보호막을 식각하는 공정과, 상기 보호막 식각 후 결과물을 증류수상에 질소가스의 기포를 발생시켜 세정하는 공정과, 상기 세정 후 증류수에서 다시 세정하여 결과물을 건조시키는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 보호막 습식식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소가스는 증류수에 분당 14ℓ~16ℓ 정도 공급하는 것을 특징으로 하는 보호막 습식식각방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019367A KR0141934B1 (ko) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 보호막 습식식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019367A KR0141934B1 (ko) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 보호막 습식식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR0141934B1 true KR0141934B1 (ko) | 1998-06-15 |
Family
ID=19389875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940019367A KR0141934B1 (ko) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 보호막 습식식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0141934B1 (ko) |
-
1994
- 1994-08-05 KR KR1019940019367A patent/KR0141934B1/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| JP3009699B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP4001662B2 (ja) | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 | |
| EP0618611A2 (en) | Method and apparatus for washing substrates | |
| JPH08264500A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| KR20010108419A (ko) | 구리를 기본으로 한 본드패드에 종래의 와이어를 결합시킬수 있는 방법 및 장치 | |
| JP2009543344A (ja) | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 | |
| US5803980A (en) | De-ionized water/ozone rinse post-hydrofluoric processing for the prevention of silicic acid residue | |
| EP1199740B1 (en) | A method of drying silcion substrates | |
| KR0141934B1 (ko) | 보호막 습식식각방법 | |
| JP3413726B2 (ja) | ウエハ洗浄方法 | |
| JPH1041222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6057248A (en) | Method of removing residual contaminants in an alignment mark after a CMP process | |
| US6037271A (en) | Low haze wafer treatment process | |
| JP3237386B2 (ja) | 洗浄・乾燥方法と洗浄装置 | |
| KR100472732B1 (ko) | 반도체장치제조방법 | |
| JP2004063513A (ja) | 半導体基板の洗浄乾燥方法 | |
| JPH02275631A (ja) | 基板の洗浄処理方法及びその装置 | |
| KR100234848B1 (ko) | 반도체 소자의 세정 방법 | |
| JPH07122530A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02309637A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| KR920007190B1 (ko) | 세정공정시 건조방법 | |
| JPH10335300A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| KR100234401B1 (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| JPH0927469A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090223 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |