JPS6129838A - 光記憶材料 - Google Patents
光記憶材料Info
- Publication number
- JPS6129838A JPS6129838A JP59151271A JP15127184A JPS6129838A JP S6129838 A JPS6129838 A JP S6129838A JP 59151271 A JP59151271 A JP 59151271A JP 15127184 A JP15127184 A JP 15127184A JP S6129838 A JPS6129838 A JP S6129838A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- complex
- absorption band
- bond
- light
- temp
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光励起によりσ結合を形成する錯体化合物の
光吸収波長の変化を利用した波長多重記憶可能な光記憶
材料に関する。
光吸収波長の変化を利用した波長多重記憶可能な光記憶
材料に関する。
従来、波長多重記憶可能な材料としては、プロトン移動
により光異性化を示す有機分子、例エバ、メタルフリー
フタロシアニン、メタルフリーポルフィリン、メタルフ
リークロリン、キニザリン等や電子移動により光吸収が
なくなるアルカリハライドのカラーセンタ、例えばフッ
化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、塩化カリウム等のカ
ラーセンタなどの無機材料がある。
により光異性化を示す有機分子、例エバ、メタルフリー
フタロシアニン、メタルフリーポルフィリン、メタルフ
リークロリン、キニザリン等や電子移動により光吸収が
なくなるアルカリハライドのカラーセンタ、例えばフッ
化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、塩化カリウム等のカ
ラーセンタなどの無機材料がある。
プロトン移動による有機材料系では、光異性化過程にお
いて三重項状態を経由するため、その異性化速度は１０
１秒よル小さくできず高速アクセスができない欠点を有
している。
いて三重項状態を経由するため、その異性化速度は１０
１秒よル小さくできず高速アクセスができない欠点を有
している。
更にプロトン移動による光異性化材料は光異性化分子間
のエネルギー障壁は小さく３０に以上の高温ではメモリ
ーの保持性はほとんどなく、温度に対して信頼性が低い
欠点を有している。
のエネルギー障壁は小さく３０に以上の高温ではメモリ
ーの保持性はほとんどなく、温度に対して信頼性が低い
欠点を有している。
他方、無機材料であるアルカリン・ライドのカラーセン
タはその光励起のメカニズムよυメモリー寿命が秒〜時
間のオーダーであシ、プロトン移動の年オーダーに比べ
非常に短かいという欠点を持っている。
タはその光励起のメカニズムよυメモリー寿命が秒〜時
間のオーダーであシ、プロトン移動の年オーダーに比べ
非常に短かいという欠点を持っている。
本発明の目的は高速アクセス可能で、温度に対するメモ
リー保持性に優れた波長多重記憶媒体を提供することに
ある。
リー保持性に優れた波長多重記憶媒体を提供することに
ある。
本発明を概説すれば、本発明は光記憶材料に関する発明
であって、光励起によりσ結合を形成する錯体化合物で
あることを特徴とする。
であって、光励起によりσ結合を形成する錯体化合物で
あることを特徴とする。
本発明者等は電子受容性の分子と電子供与性の分子を有
機溶媒中で混合し低温下で電荷移動錯体を生じさせ、そ
の電荷移動に基づく吸収帯（ＯＴ吸収バンド）の光を照
射することにより、錯体がσ結合を形成し、ＯＴ吸収バ
ンドが減少しσ結合に基づく吸収帯が生成する現象を見
出した。
機溶媒中で混合し低温下で電荷移動錯体を生じさせ、そ
の電荷移動に基づく吸収帯（ＯＴ吸収バンド）の光を照
射することにより、錯体がσ結合を形成し、ＯＴ吸収バ
ンドが減少しσ結合に基づく吸収帯が生成する現象を見
出した。
ここで、電子供与性分子としては、芳香族アミン類であ
る１、！１．５− ）リアミノベンゼン、Ｎ。
る１、！１．５− ）リアミノベンゼン、Ｎ。
Ｎ’−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニ
レンジアミン、Ｎ 、 Ｎ 、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチ
ル−ｐ−フェニレンジアミｙ （ＴＭＰＤ）等が挙げら
れる。また、電子受容性分子としては、クロラニル、ブ
ロマニル、ヨーダニル、テトラシアノエチレン、７，７
，８．８−テトラシアノキノジメタン、テトラブロモ−
〇−ベンゾキノンバークロレート等が挙げられる。
レンジアミン、Ｎ 、 Ｎ 、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチ
ル−ｐ−フェニレンジアミｙ （ＴＭＰＤ）等が挙げら
れる。また、電子受容性分子としては、クロラニル、ブ
ロマニル、ヨーダニル、テトラシアノエチレン、７，７
，８．８−テトラシアノキノジメタン、テトラブロモ−
〇−ベンゾキノンバークロレート等が挙げられる。
また、電子供与性分子、電子受容性分子を溶解させる溶
剤は溶解性が高いものであれば良く、例えばＶチルアル
コール、エチルアルコール、インプロピルアルコール、
ア七ト二トリル、クロロホルム、エチルエーテル、シク
ロヘキサン等が挙げられる。
剤は溶解性が高いものであれば良く、例えばＶチルアル
コール、エチルアルコール、インプロピルアルコール、
ア七ト二トリル、クロロホルム、エチルエーテル、シク
ロヘキサン等が挙げられる。
この時、電子供与性分子、電子受容性分子の濃度は重要
であシ、電子供与性分子、電子受容性分子が共に１０１
モル／１以上１０−１モル／１未満、好ましくは、１０
−４モル／１以上１０−富モル／１未満の濃度範囲であ
る。したがって、本発明において好適な錯体化合物は下
記一般式Ｉ：Ｒ−ＮＵ、 −−−−Ａ ・・・（１
）（式中Ｒは芳香族基、ムは電子受容性分子を示す）で
表される化合物である。
であシ、電子供与性分子、電子受容性分子が共に１０１
モル／１以上１０−１モル／１未満、好ましくは、１０
−４モル／１以上１０−富モル／１未満の濃度範囲であ
る。したがって、本発明において好適な錯体化合物は下
記一般式Ｉ：Ｒ−ＮＵ、 −−−−Ａ ・・・（１
）（式中Ｒは芳香族基、ムは電子受容性分子を示す）で
表される化合物である。
本現象を用いて、極低温下において波長選択的光励起を
行うことによりミ荷移動に基づく吸収帯中にホールを生
じさせ、高速で温度変化に対して安定な光記憶が実現す
る。
行うことによりミ荷移動に基づく吸収帯中にホールを生
じさせ、高速で温度変化に対して安定な光記憶が実現す
る。
以下本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されない。
発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
Ｎ 、Ｎ 、Ｎ’、 Ｎ’−テトラメチル−ｐ−フェニ
レンジアミン１．５ Ｘ １０”−４モル／ｌ及ｒＪク
ロラニル５×１０−４モル／／をエチルエーテル及びイ
ソプロヒルアルコールの３：１混合溶媒中で混合し、そ
の溶液を光路長１ｍの光学セルに入れ、充分脱気後約７
７Ｋに冷却した。冷却により緑黄色に着色し電荷移動に
基づく吸収が確認された。
レンジアミン１．５ Ｘ １０”−４モル／ｌ及ｒＪク
ロラニル５×１０−４モル／／をエチルエーテル及びイ
ソプロヒルアルコールの３：１混合溶媒中で混合し、そ
の溶液を光路長１ｍの光学セルに入れ、充分脱気後約７
７Ｋに冷却した。冷却により緑黄色に着色し電荷移動に
基づく吸収が確認された。
この電荷移動錯体の吸収帯である６ １８ ｎｍ付近の
吸収ピークにキセノンランプを分光した光強度１ｏｍｗ
／儒ｚ１バンド幅２０ｎｍの光を約１秒照射したところ
、茶褐色を呈し、σ結合を形成することがわかった。
吸収ピークにキセノンランプを分光した光強度１ｏｍｗ
／儒ｚ１バンド幅２０ｎｍの光を約１秒照射したところ
、茶褐色を呈し、σ結合を形成することがわかった。
実施例２
実施例１の化合物を混合後４．２ Ｋ ｉで冷却し、Ｙ
ＡＧ励起色素レーザーを用いて６１８ｎｍの吸収ピーク
（吸収係数五５ＸｊＱ”１１モル・ｍ）に照射時間的１
０−７秒で照射光量１０ ｍＪ／ ｃｗｔ ”以上照射
したところ、吸収ピーク幅にバンド幅約０． ＯＯ１ｎ
ｍのホールを生じ波長多重記憶が可能であることが確認
できた。
ＡＧ励起色素レーザーを用いて６１８ｎｍの吸収ピーク
（吸収係数五５ＸｊＱ”１１モル・ｍ）に照射時間的１
０−７秒で照射光量１０ ｍＪ／ ｃｗｔ ”以上照射
したところ、吸収ピーク幅にバンド幅約０． ＯＯ１ｎ
ｍのホールを生じ波長多重記憶が可能であることが確認
できた。
ホール生成後試料温度を７７Ｋまで上昇させ、４．２Ｋ
に再度冷却しホールの深さを測定したところ、書込み初
期の深さの９５％以上のホール回復率が見られた。
に再度冷却しホールの深さを測定したところ、書込み初
期の深さの９５％以上のホール回復率が見られた。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による光励起によりσ結合
を生成する錯体化合物は、−重項反応であるため、プロ
トン移動による他の有機記憶媒体に比べ記録速度が速く
、更にσ結合を生成し逆反応が７７に以下では起らない
ことよシ、ホールの温度保持性が高いという特徴を有す
るので光記憶材料として従来のものよシ優れたものであ
る。
を生成する錯体化合物は、−重項反応であるため、プロ
トン移動による他の有機記憶媒体に比べ記録速度が速く
、更にσ結合を生成し逆反応が７７に以下では起らない
ことよシ、ホールの温度保持性が高いという特徴を有す
るので光記憶材料として従来のものよシ優れたものであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光励起によりσ結合を形成する錯体化合物であるこ
とを特徴とする光記憶材料。 ２、該錯体化合物が、下記一般式 I ： Ｒ−ＮＨ＿２−−−−Ａ・・・〔 I 〕 （式中Ｒは芳香族基、Ａは電子受容性分子を示す）で表
される化合物である特許請求の範囲第１項記載の光記憶
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151271A JPS6129838A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光記憶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59151271A JPS6129838A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光記憶材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129838A true JPS6129838A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15515018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151271A Pending JPS6129838A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光記憶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238759A2 (en) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical information writing method |
| JPH09221459A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Toshiba Corp | 電荷移動錯体及び有機薄膜素子 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP59151271A patent/JPS6129838A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238759A2 (en) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical information writing method |
| JPH09221459A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Toshiba Corp | 電荷移動錯体及び有機薄膜素子 |
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