JPS6241083A - 光メモリ−材料 - Google Patents
光メモリ−材料Info
- Publication number
- JPS6241083A JPS6241083A JP60180590A JP18059085A JPS6241083A JP S6241083 A JPS6241083 A JP S6241083A JP 60180590 A JP60180590 A JP 60180590A JP 18059085 A JP18059085 A JP 18059085A JP S6241083 A JPS6241083 A JP S6241083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithium
- phthalocyanine
- matrix
- memory material
- optical memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光メモリー材料に関し、詳しくは光化学ホール
バーニング（ＰＨＢ）効果を利用した新たな光メモリー
材料に関する。
バーニング（ＰＨＢ）効果を利用した新たな光メモリー
材料に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕これ
までのところＰＨＢ効果を利用する光メモリー材料とし
ては、水素型フタロシアニンや水素型ポルフィリンをｎ
−オクタン、ポリメチルメタクリレート等のマトリック
ス中に分散させたもの、あるいはジヒドロキシキノンを
有機ガラス中に分散させたものなどが知られている。こ
れらの光メモリー材料のうちメモリーへの書き込み速度
は、水素型フタロシアニンが最も速く注目されているが
、有機溶剤に対する溶解性が小さいため、ポリマー等の
マトリックス中に分散させてキャスティング法で成膜す
る場合、成膜性が悪いという欠点がある。また、この水
素型フタロシアニンは０−ジクロロベンゼン、キノリン
、クロロナフタリン等には溶けるが、これらはいずれも
高沸点であり、マトリックスに分散させた状態でフィル
ムにする場合、溶媒の除去が容易でなく、例えばキャス
トフィルムを作成するには２〜３日かかってしまうとい
う問題がある。
までのところＰＨＢ効果を利用する光メモリー材料とし
ては、水素型フタロシアニンや水素型ポルフィリンをｎ
−オクタン、ポリメチルメタクリレート等のマトリック
ス中に分散させたもの、あるいはジヒドロキシキノンを
有機ガラス中に分散させたものなどが知られている。こ
れらの光メモリー材料のうちメモリーへの書き込み速度
は、水素型フタロシアニンが最も速く注目されているが
、有機溶剤に対する溶解性が小さいため、ポリマー等の
マトリックス中に分散させてキャスティング法で成膜す
る場合、成膜性が悪いという欠点がある。また、この水
素型フタロシアニンは０−ジクロロベンゼン、キノリン
、クロロナフタリン等には溶けるが、これらはいずれも
高沸点であり、マトリックスに分散させた状態でフィル
ムにする場合、溶媒の除去が容易でなく、例えばキャス
トフィルムを作成するには２〜３日かかってしまうとい
う問題がある。
そこで、本発明者は水素型フタロシアニンからなる光メ
モリー材料の有する高い書き込み速度を維持しつつ、そ
の成膜性を改善すべく鋭意研究を重ねた。
モリー材料の有する高い書き込み速度を維持しつつ、そ
の成膜性を改善すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、水素型フタロシアニンの代わりにリチウム置
換型フタロシアニンを用いると、充分に高い書き込み速
度を有し、しかも加工性、特に成膜性の良好な光メモリ
ー材料が得られることを見出した。本発明はかかる知見
に基いて完成したものである。
換型フタロシアニンを用いると、充分に高い書き込み速
度を有し、しかも加工性、特に成膜性の良好な光メモリ
ー材料が得られることを見出した。本発明はかかる知見
に基いて完成したものである。
すなわち本発明は、リチウム置換型フタロシアニンをマ
トリックス中に分散させてなる光メモリー材料を提供す
るものである。
トリックス中に分散させてなる光メモリー材料を提供す
るものである。
本発明におけるリチウム置換型フタロシアニンは、
式
で表わされるもの、あるいはその光圧変異性体である。
このリチウム置換型フタロシアニンは、前記式で表わさ
れるように水素型フタロシアニンの二つの水素をリチウ
ムで置換したジ置換型のものである。
れるように水素型フタロシアニンの二つの水素をリチウ
ムで置換したジ置換型のものである。
このような本発明のリチウム置換型フタロシアニンは、
様々な方法により製造することができるが、通常は 式 などで表わされる水素型フタロシアニンを、メタノール
、エタノール、プロパツール等の低級アルコールなどの
適当な媒体中でリチウムメトキシド。
様々な方法により製造することができるが、通常は 式 などで表わされる水素型フタロシアニンを、メタノール
、エタノール、プロパツール等の低級アルコールなどの
適当な媒体中でリチウムメトキシド。
水素化リチウムなどのリチウム化合物あるいは金属リチ
ウムと反応させることにより得ることができる。
ウムと反応させることにより得ることができる。
本発明の光メモリー材料は、上述のようにして得られた
リチウム置換型フタロシアニンをマトリックス中に分散
させることにより形成される。ここで用いるマトリック
スは、上記リチウム置換型フタロシアニンを分散させる
ための基材となりうるとともに、分散したリチウム置換
型フタロシアニンのＰＨＢ効果を阻止しないものであれ
ばよい。
リチウム置換型フタロシアニンをマトリックス中に分散
させることにより形成される。ここで用いるマトリック
スは、上記リチウム置換型フタロシアニンを分散させる
ための基材となりうるとともに、分散したリチウム置換
型フタロシアニンのＰＨＢ効果を阻止しないものであれ
ばよい。
具体的にはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）ポリ
スチレン、ポリエチレンなどの透明性樹脂をはじめ、ゾ
ルゲル法などにより製造される無機ガラス、低温で固化
したメタノール、エタノール等の有機固体あるいはその
混合物などの透明性非晶質固体をあげることができる。
スチレン、ポリエチレンなどの透明性樹脂をはじめ、ゾ
ルゲル法などにより製造される無機ガラス、低温で固化
したメタノール、エタノール等の有機固体あるいはその
混合物などの透明性非晶質固体をあげることができる。
上記マトリックスに前述したリチウム置換型フタロシア
ニンを分散させるには、様々な方法が考えられるが、例
えば予めリチウム置換型フタロシアニンをメタノールや
エタノール等の溶媒に、溶解しておき、次いでこの溶液
にＰＭＭＡ等のマトリックスをジクロロメタン、アセト
ン、トルエンなどに溶解したものを加え、充分に混合し
た後に、得られた溶液をシャーレ−やガラス板上に滴下
して乾燥させ成膜するなどの方法がある。そのほか、上
述のリチウム置換型フタロシアニンとＰ ＭＭＡ等のマ
トリックスを溶解した溶液をヘキサンやヘプタンなどの
貧溶媒に入れて前記溶液を豫沈させ、溶媒除去後乾燥し
、さらにプレスして膜状にすることもできる。
ニンを分散させるには、様々な方法が考えられるが、例
えば予めリチウム置換型フタロシアニンをメタノールや
エタノール等の溶媒に、溶解しておき、次いでこの溶液
にＰＭＭＡ等のマトリックスをジクロロメタン、アセト
ン、トルエンなどに溶解したものを加え、充分に混合し
た後に、得られた溶液をシャーレ−やガラス板上に滴下
して乾燥させ成膜するなどの方法がある。そのほか、上
述のリチウム置換型フタロシアニンとＰ ＭＭＡ等のマ
トリックスを溶解した溶液をヘキサンやヘプタンなどの
貧溶媒に入れて前記溶液を豫沈させ、溶媒除去後乾燥し
、さらにプレスして膜状にすることもできる。
本発明の光メモリー材料は、上述の如くリチウム置換型
フタロシアニンをマトリックス中に分散したものを膜状
に成形して使用するが、使用目的に応じ他の形状に成形
してもよい。
フタロシアニンをマトリックス中に分散したものを膜状
に成形して使用するが、使用目的に応じ他の形状に成形
してもよい。
なお、本発明の光メモリー材料では、マトリックス中に
分散させるリチウム置換型フタロシアニンの量について
は特に制限はなく、各種状況に応じて適宜定めればよい
が、例えばマトリックスとしてＰＭＭＡを用いる場合に
は、ＰＭＭＡｌ １あたりリチウム置換型フタロシアニ
ン１０−３〜１Ｏ−Ｓ４η度とすればよい。
分散させるリチウム置換型フタロシアニンの量について
は特に制限はなく、各種状況に応じて適宜定めればよい
が、例えばマトリックスとしてＰＭＭＡを用いる場合に
は、ＰＭＭＡｌ １あたりリチウム置換型フタロシアニ
ン１０−３〜１Ｏ−Ｓ４η度とすればよい。
この光メモリー材料を光メモリーとして使用するにあた
っては、まず光メモリーに情報を書き込む際には、ゼロ
フォノン吸収帯内に波長を合せたレーザー光線をシャッ
ター、フィルターを介して上記メモリー材料（１００Ｋ
程度あるいはそれ以下の極低温に保持されている）に照
射し、照射した部分のリチウム置換型フタロシアニンを
異性化させる。ここでレーザー光線による異性化は、水
素型フタロシアニンでは窒素原子に結合している水素が
移動することにより生ずるが、リチウム置換型フタロシ
アニンではその水素に代わるリチウムの移動により生ず
るものと思われる。なお、この情報の書き込みの際に照
射するレーザー光線は、リチウム置換型フタロシアニン
が異性化するに充分な強いレーザー光線とすべきであり
、これは通常大型レーザー（量子効率１０−’〜１０−
’）や半導体レーザーを用いて発生させればよい。また
このＰＨＢ効果を利用した方法によれば、一つの記録部
分に最大１０５ビツトの記録をすることができるが、こ
のためにはレーザー光の波長を変えて書き込めばよい。
っては、まず光メモリーに情報を書き込む際には、ゼロ
フォノン吸収帯内に波長を合せたレーザー光線をシャッ
ター、フィルターを介して上記メモリー材料（１００Ｋ
程度あるいはそれ以下の極低温に保持されている）に照
射し、照射した部分のリチウム置換型フタロシアニンを
異性化させる。ここでレーザー光線による異性化は、水
素型フタロシアニンでは窒素原子に結合している水素が
移動することにより生ずるが、リチウム置換型フタロシ
アニンではその水素に代わるリチウムの移動により生ず
るものと思われる。なお、この情報の書き込みの際に照
射するレーザー光線は、リチウム置換型フタロシアニン
が異性化するに充分な強いレーザー光線とすべきであり
、これは通常大型レーザー（量子効率１０−’〜１０−
’）や半導体レーザーを用いて発生させればよい。また
このＰＨＢ効果を利用した方法によれば、一つの記録部
分に最大１０５ビツトの記録をすることができるが、こ
のためにはレーザー光の波長を変えて書き込めばよい。
一方、上述のようにしてメモリー材料に書き込まれた情
報を読み取るには、半導体レーザーの出力を落したり、
発光ダイオードを用いたりして、リチウム置換型フタロ
シアニンに異性化が起きない程度の弱い光を、メモリー
材料に照射して、光の吸収の有無を光検知器で検知すれ
ばよい。この際１．光の吸収部分を０．光の非吸収部分
（ＰＨＢ信号部分）を１、あるいはその逆に定めれば、
コンピューター用の光メモリーとして有効に利用できる
。
報を読み取るには、半導体レーザーの出力を落したり、
発光ダイオードを用いたりして、リチウム置換型フタロ
シアニンに異性化が起きない程度の弱い光を、メモリー
材料に照射して、光の吸収の有無を光検知器で検知すれ
ばよい。この際１．光の吸収部分を０．光の非吸収部分
（ＰＨＢ信号部分）を１、あるいはその逆に定めれば、
コンピューター用の光メモリーとして有効に利用できる
。
本発明の光メモリー材料は、Ｐ ＨＢ効果を示す感材と
してリチウム置換型フタロシアニンを用いるため、メタ
ノール、エタノール、ジクロロメタンあるいはこれらの
混合溶媒等の低沸点溶媒に溶かすことができ、その結果
、短時間でキャストフィルムに成膜することができる。
してリチウム置換型フタロシアニンを用いるため、メタ
ノール、エタノール、ジクロロメタンあるいはこれらの
混合溶媒等の低沸点溶媒に溶かすことができ、その結果
、短時間でキャストフィルムに成膜することができる。
さらに、水素型フタロシアニンなど従来のものにあって
は、レーザーの照射量を増大した時にゼロフォノン吸収
帯の長波長側に幅広いホール（フォノンサイドホール）
が現われ、これにより長波長側の記録ずみのメモリーが
消え、またこれを回避するためには記録密度をかなり低
くすることが必要となる。しかし、本発明の材料ではこ
の様なフォノンサイドホールが現われず、ホールの幅は
比較的狭く一定に保たれる。このため近傍のホールの形
を歪めることなく、密にホールを生成させることができ
、且つレーザー照射量が増大した時にも記録密度が低下
することがない。
は、レーザーの照射量を増大した時にゼロフォノン吸収
帯の長波長側に幅広いホール（フォノンサイドホール）
が現われ、これにより長波長側の記録ずみのメモリーが
消え、またこれを回避するためには記録密度をかなり低
くすることが必要となる。しかし、本発明の材料ではこ
の様なフォノンサイドホールが現われず、ホールの幅は
比較的狭く一定に保たれる。このため近傍のホールの形
を歪めることなく、密にホールを生成させることができ
、且つレーザー照射量が増大した時にも記録密度が低下
することがない。
以上の如く、本発明の光メモリー材料は、加工性が非常
に良好であって、フィルム状をはじめ所望の形状に簡単
かつ短時間に成形でき、しかも、記録容量が極めて大き
いため、光コンピユータ−メモリーとして有効に利用し
うるものである。
に良好であって、フィルム状をはじめ所望の形状に簡単
かつ短時間に成形でき、しかも、記録容量が極めて大き
いため、光コンピユータ−メモリーとして有効に利用し
うるものである。
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例
水素型フタロシアニン（特級試薬、東京化成■製） ０
．３ ｇをメタノール１００ｍｊｉ！中に加え、次いで
水素化リチウム（ＬｉＨ）（関東化学■製）０．３ｇを
添加し、６０〜７０℃で１時間攪拌した。
．３ ｇをメタノール１００ｍｊｉ！中に加え、次いで
水素化リチウム（ＬｉＨ）（関東化学■製）０．３ｇを
添加し、６０〜７０℃で１時間攪拌した。
その後、固体状で残っている未反応の水素型フタロシア
ニンを濾別し、リチウム置換型フタロシアニンのメタノ
ール溶液を得た。
ニンを濾別し、リチウム置換型フタロシアニンのメタノ
ール溶液を得た。
次いで、上記メタノール溶液に、メタノールの２倍量の
ジクロロメタンならびにＰＭＭＡのジクロロメタン溶液
をリチウム置換型フタロシアニン／ＰＭＭＡ＝ １０−
’モル／１となるように加えて攪拌した。なおリチウム
置換型フタロシアニンの濃度は可視吸収スペクトルの測
定により求めた。
ジクロロメタンならびにＰＭＭＡのジクロロメタン溶液
をリチウム置換型フタロシアニン／ＰＭＭＡ＝ １０−
’モル／１となるように加えて攪拌した。なおリチウム
置換型フタロシアニンの濃度は可視吸収スペクトルの測
定により求めた。
しかる後に、得られた溶液をシャーレ−上に滴下し、室
温、大気圧下に放置して、メタノールおよびジクロロメ
タンを蒸発させ、リチウム置換型フタロシアニンがＰＭ
ＭＡに分散したキャスト膜（厚さ０．５鶴）を得た。こ
のキャスト膜中のリチウム置換型フタロシアニンの濃度
は、１ｏ−４モル／ｌであり、また４、２Ｋにおけるゼ
ロフォノン吸収バンドのピークは６６３ ｎｍにあり、
その幅は約１６ｎｍであった。
温、大気圧下に放置して、メタノールおよびジクロロメ
タンを蒸発させ、リチウム置換型フタロシアニンがＰＭ
ＭＡに分散したキャスト膜（厚さ０．５鶴）を得た。こ
のキャスト膜中のリチウム置換型フタロシアニンの濃度
は、１ｏ−４モル／ｌであり、また４、２Ｋにおけるゼ
ロフォノン吸収バンドのピークは６６３ ｎｍにあり、
その幅は約１６ｎｍであった。
次に、上記のキャスト膜を液体ヘリウム中に入れ、これ
に、バンド幅０．０４ｃｍ−’に調整したバルス色素し
−ザー光を１パルス（パルス幅１０ｎｓ）当り２８μＪ
／１重２のエネルギーで２５０パルス照射することによ
り、光学密度にして０．０２の深さのホールを生成した
。
に、バンド幅０．０４ｃｍ−’に調整したバルス色素し
−ザー光を１パルス（パルス幅１０ｎｓ）当り２８μＪ
／１重２のエネルギーで２５０パルス照射することによ
り、光学密度にして０．０２の深さのホールを生成した
。
一方、水素型フタロシアニンの場合、同程度の深さのホ
ールを穿つのに１７０パルスを必要とし、このことから
リチウム置換型フタロシアニンは水素型フタロシアニン
とほぼ等しいホール生成効率を示すことがわかった。
ールを穿つのに１７０パルスを必要とし、このことから
リチウム置換型フタロシアニンは水素型フタロシアニン
とほぼ等しいホール生成効率を示すことがわかった。
手続（甫正書（自発）
昭和６０年９月２６日
Claims (3)
- （１）リチウム置換型フタロシアニンをマトリックス中
に分散させてなる光メモリー材料。 - （２）マトリックス１ｌ中に、リチウム置換型フタロシ
アニンを１０＾−＾３〜１０＾−＾５モルの割合で分散
させてなる特許請求の範囲第１項記載の光メモリー材料
。 - （３）マトリックスが透明性非晶質固体である特許請求
の範囲第１項記載の光メモリー材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180590A JPS6241083A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180590A JPS6241083A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光メモリ−材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6241083A true JPS6241083A (ja) | 1987-02-23 |
Family
ID=16085921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180590A Pending JPS6241083A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光メモリ−材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6241083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06190825A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-07-12 | Carl Freudenberg:Fa | 成形品を製造する方法および装置 |
| US6953066B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-10-11 | Tsudakoma Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of disposing weft in a loom |
| WO2014040660A1 (en) | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Egym Gmbh | Training method and device |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60180590A patent/JPS6241083A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06190825A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-07-12 | Carl Freudenberg:Fa | 成形品を製造する方法および装置 |
| US6953066B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-10-11 | Tsudakoma Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of disposing weft in a loom |
| WO2014040660A1 (en) | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Egym Gmbh | Training method and device |
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