JPH0451144A - インドメチレン色素系記録材料 - Google Patents
インドメチレン色素系記録材料Info
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- JPH0451144A JPH0451144A JP2160884A JP16088490A JPH0451144A JP H0451144 A JPH0451144 A JP H0451144A JP 2160884 A JP2160884 A JP 2160884A JP 16088490 A JP16088490 A JP 16088490A JP H0451144 A JPH0451144 A JP H0451144A
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、フォトケミカルホールバーニング（Ｐ ＨＢ
）現象を利用して、同一材料の同一場所に異なる波長の
光で多重に記録可能な光記録材料に関するものである。
）現象を利用して、同一材料の同一場所に異なる波長の
光で多重に記録可能な光記録材料に関するものである。
［従来の技術］
ＰＨＢ現象は、液体ヘリウム温度程度の極低温において
光化学反応を起こす材料に単色性の良い光を照射するこ
とにより、その光を吸収するゲスト分子のみを選択的に
励起し、光化学変化を生じさせるものである。この光化
学変化により材料の吸収スペクトルに鋭いホールが形成
できることから、ホールの有無によりフォトンモードで
の光記録が可能である。しかも、照射する光の波長を変
えて順次記録することにより、同一材料の同一場所に波
長多重記録を行うことができる。このＰＨＢ現象を利用
すると、従来用いられてきた光学式デジタル記録媒体で
あるコンパクトディスクやレーザーディスクなどに比べ
て約１０００倍の記録密度向上の可能性がある。
光化学反応を起こす材料に単色性の良い光を照射するこ
とにより、その光を吸収するゲスト分子のみを選択的に
励起し、光化学変化を生じさせるものである。この光化
学変化により材料の吸収スペクトルに鋭いホールが形成
できることから、ホールの有無によりフォトンモードで
の光記録が可能である。しかも、照射する光の波長を変
えて順次記録することにより、同一材料の同一場所に波
長多重記録を行うことができる。このＰＨＢ現象を利用
すると、従来用いられてきた光学式デジタル記録媒体で
あるコンパクトディスクやレーザーディスクなどに比べ
て約１０００倍の記録密度向上の可能性がある。
このようなＰＨＢ現象を用いる光記録材料は、光反応性
化合物であるゲスト成分と、それを分散するためのホス
ト成分とから構成される。光記録に際して波長多重度を
大きくする、つまり、ゲスト成分の固体中の吸収スペク
トルの不均一幅を広げるためには、ゲスト成分の分散状
態に多様性を持たせる意味から、ホスト成分として非晶
質を用いるのがよい。この目的から、従来ホストには有
機ポリマやケイ酸ガラス等が用いられてきた。例えば、
ゲストをテトラフェニルポルフィン、ホストをポリメチ
ルメタクリレートとする材料（光学、１４ （４）
２６３−２６９（１９８５））や、ゲストをキニザリン
、ホストをケイ酸ガラスとする材料（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ７ｓｉｃｓ、 ５８
（９） ３５５９−３５６５（１９８５））などが知ら
れている。
化合物であるゲスト成分と、それを分散するためのホス
ト成分とから構成される。光記録に際して波長多重度を
大きくする、つまり、ゲスト成分の固体中の吸収スペク
トルの不均一幅を広げるためには、ゲスト成分の分散状
態に多様性を持たせる意味から、ホスト成分として非晶
質を用いるのがよい。この目的から、従来ホストには有
機ポリマやケイ酸ガラス等が用いられてきた。例えば、
ゲストをテトラフェニルポルフィン、ホストをポリメチ
ルメタクリレートとする材料（光学、１４ （４）
２６３−２６９（１９８５））や、ゲストをキニザリン
、ホストをケイ酸ガラスとする材料（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ７ｓｉｃｓ、 ５８
（９） ３５５９−３５６５（１９８５））などが知ら
れている。
Ｕ本発明が解決しようとする課題］
ＰＨＢ現象を利用した光記録をおこなうとき、ホスト成
分中の吸収スペクトルの集合体（不均一幅）の中にでき
るだけ高密度にゲスト成分の均一幅のホールを多重形成
する必要がある。しかしながら上記従来のＰＨＢ現象を
利用した記録材料では、ゲスト成分の不均一幅か狭いた
め均一幅のホールの本数が限定されるといった問題点を
有していた。
分中の吸収スペクトルの集合体（不均一幅）の中にでき
るだけ高密度にゲスト成分の均一幅のホールを多重形成
する必要がある。しかしながら上記従来のＰＨＢ現象を
利用した記録材料では、ゲスト成分の不均一幅か狭いた
め均一幅のホールの本数が限定されるといった問題点を
有していた。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解消しようとするも
のであり、ホールを形成させる不均一幅を拡大し、高多
重度で記録可能なインドメチレン色素系記録材料を提供
することを目的とする。
のであり、ホールを形成させる不均一幅を拡大し、高多
重度で記録可能なインドメチレン色素系記録材料を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するために下記の構成を有す
る。
る。
「ゲスト成分とホスト成分を主成分としてなる組成物か
らなるインドメチレン色素系記録材料であって、 （イ）ゲスト成分が、下記一般式［Ａ］入 （ただし、式中ｎは０〜２の整数を示し、Ｒはメチル基
又はエチル基、Ｘはアニオンである。）で表されるカチ
オン性基を有するインドメチレン色素であり、 （ロ）ホスト成分が、上記のゲスト成分と相溶する有機
ポリマである ことを特徴とするインドメチレン色素系記録材料。
らなるインドメチレン色素系記録材料であって、 （イ）ゲスト成分が、下記一般式［Ａ］入 （ただし、式中ｎは０〜２の整数を示し、Ｒはメチル基
又はエチル基、Ｘはアニオンである。）で表されるカチ
オン性基を有するインドメチレン色素であり、 （ロ）ホスト成分が、上記のゲスト成分と相溶する有機
ポリマである ことを特徴とするインドメチレン色素系記録材料。
すなわち本発明においては、共役系を自由に延長可能な
インドメチレン色素と、このゲスト成分と相溶するポリ
マとを主成分としてなる組成物からなる材料を用いるこ
とにより、ホスト成分中のゲスト成分の吸収スペクトル
の集まりである不均一幅の吸収強度が半分となる吸収ス
ペクトルの２点間の幅である半値幅をおよそ３５ｎｍと
することができ、この値は、５．１０．１５．２０−テ
トラフェニルポルフィンのそれより約２倍である。
インドメチレン色素と、このゲスト成分と相溶するポリ
マとを主成分としてなる組成物からなる材料を用いるこ
とにより、ホスト成分中のゲスト成分の吸収スペクトル
の集まりである不均一幅の吸収強度が半分となる吸収ス
ペクトルの２点間の幅である半値幅をおよそ３５ｎｍと
することができ、この値は、５．１０．１５．２０−テ
トラフェニルポルフィンのそれより約２倍である。
本発明において、ｎは０〜２の整数であり、Ｒは、コン
パクトで運動の自由度が小さい点から、メチル基［ＣＨ
３−］又はエチル基［Ｃ２Ｈ５］といった置換基が用い
られる。
パクトで運動の自由度が小さい点から、メチル基［ＣＨ
３−］又はエチル基［Ｃ２Ｈ５］といった置換基が用い
られる。
このインドメチレン色素は、カチオン性であるため適当
な対イオンであるアニオンとともに存在する。イオンの
選択はホスト成分であるポリマとの相溶性の観点からな
されるべきものであるがＩ−、Ｂｒ−、ＣＩ−、ｐ−ト
ルエンスルホン酸イオン、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−などが
好ましく用いられる。
な対イオンであるアニオンとともに存在する。イオンの
選択はホスト成分であるポリマとの相溶性の観点からな
されるべきものであるがＩ−、Ｂｒ−、ＣＩ−、ｐ−ト
ルエンスルホン酸イオン、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−などが
好ましく用いられる。
一般式［Ａ］で表されるインドメチレン色素は、従来公
知の合成方法を用いて合成することができ、ｎ＝０〜２
のいずれの場合においても、同様の方法で合成できるが
、例えば、ｎ＝Ｑ、Ｒ＝ＣＨ３゜Ｘ＝ＢＦ４−の場合に
おいては、２−メチルインドールとジメチルアミノベン
ズアルデヒドとを適当な溶媒に溶解し、酸触媒としてホ
ウフッ化水素酸を加え反応させることにより得られる。
知の合成方法を用いて合成することができ、ｎ＝０〜２
のいずれの場合においても、同様の方法で合成できるが
、例えば、ｎ＝Ｑ、Ｒ＝ＣＨ３゜Ｘ＝ＢＦ４−の場合に
おいては、２−メチルインドールとジメチルアミノベン
ズアルデヒドとを適当な溶媒に溶解し、酸触媒としてホ
ウフッ化水素酸を加え反応させることにより得られる。
本発明におけるホストとして用いられるポリマは、ゲス
ト成分であるインドメチレン色素と相溶するものであれ
ばよいが、ゲスト成分が極性有機溶媒に溶解するので、
極性有機溶媒に溶解するポリマが好ましい。例えばその
ポリマとして、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン
、ポリビニルアセテートなどが用いられる。
ト成分であるインドメチレン色素と相溶するものであれ
ばよいが、ゲスト成分が極性有機溶媒に溶解するので、
極性有機溶媒に溶解するポリマが好ましい。例えばその
ポリマとして、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン
、ポリビニルアセテートなどが用いられる。
本発明の記録材料中におけるゲスト成分の濃度は、これ
が高すぎるとゲスト分子間でのエネルギー移動によりホ
ール生成特性が劣化し、また、低すぎると記録読取時の
Ｓ／Ｎ比が小さくなることから制限を受ける傾向がある
。したがって、好ましいゲスト濃度はホストであるポリ
マの体積を基準として１〜１０−６Ｍであり、特に、１
０−１〜１０−’Ｍであることが好ましい。
が高すぎるとゲスト分子間でのエネルギー移動によりホ
ール生成特性が劣化し、また、低すぎると記録読取時の
Ｓ／Ｎ比が小さくなることから制限を受ける傾向がある
。したがって、好ましいゲスト濃度はホストであるポリ
マの体積を基準として１〜１０−６Ｍであり、特に、１
０−１〜１０−’Ｍであることが好ましい。
［実施例コ
以下に、実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
アイツタクチイックポリメタクリル酸メチル（分子量＝
４０００００） １ ｇをクロロホルム１００ｍ１に溶
解させた後、２−メチル−３−（ｐ−ジメチルアミノシ
ンナミリデン）プソイドインドリウムテトラフルオロボ
レート（ｎ＝１．Ｒ＝ＣＨ３、Ｘ＝ＢＰ４ ）１２ｍｇ
を加え、攪拌し、溶解させた。
４０００００） １ ｇをクロロホルム１００ｍ１に溶
解させた後、２−メチル−３−（ｐ−ジメチルアミノシ
ンナミリデン）プソイドインドリウムテトラフルオロボ
レート（ｎ＝１．Ｒ＝ＣＨ３、Ｘ＝ＢＰ４ ）１２ｍｇ
を加え、攪拌し、溶解させた。
これをシャーレ中で乾燥させて、ゲスト濃度３×１０−
２Ｍ、厚さ０．２ｍｍのフィルムを作成した。
２Ｍ、厚さ０．２ｍｍのフィルムを作成した。
このフィルムを液体ヘリウム温度まで冷却後、種々の波
長で強度１ｍＷ／ｃｍ２のレーザ光を５分間照射してＰ
ＨＢホールを形成させたところ、ホスト成分中のゲスト
成分の吸収スペクトルの集まりである不均一幅の吸収帯
の短波長側においては、６０６．７ｎｍの波長まで、長
波長側においては、６’６８．２ｎｍの波長までホール
の形成か認められた。したがって、上記で得られたフィ
ルムにおいては、６０６．７〜６６８．２ｎｍの範囲で
ホール形成が可能であることが示された。この試料の液
体ヘリウム温度での吸収スペクトルを図面に示す。
長で強度１ｍＷ／ｃｍ２のレーザ光を５分間照射してＰ
ＨＢホールを形成させたところ、ホスト成分中のゲスト
成分の吸収スペクトルの集まりである不均一幅の吸収帯
の短波長側においては、６０６．７ｎｍの波長まで、長
波長側においては、６’６８．２ｎｍの波長までホール
の形成か認められた。したがって、上記で得られたフィ
ルムにおいては、６０６．７〜６６８．２ｎｍの範囲で
ホール形成が可能であることが示された。この試料の液
体ヘリウム温度での吸収スペクトルを図面に示す。
［発明の効果］
本発明のインドメチレン色素系記録材料は、従来の光記
録媒体に比べて記録可能な波長範囲を拡大できる。
録媒体に比べて記録可能な波長範囲を拡大できる。
図面は、実施例１において得られた記録材料の液体ヘリ
ウム温度での吸収スペクトルを示したものである。
ウム温度での吸収スペクトルを示したものである。
Claims (1)
- （１）ゲスト成分とホスト成分を主成分としてなる組成
物からなるインドメチレン色素系記録材料であって、 （イ）ゲスト成分が、下記一般式［Ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ａ］ （ただし、式中ｎは０〜２の整数を示し、Ｒはメチル基
又はエチル基、Ｘはアニオンである。）で表されるカチ
オン性基を有するインドメチレン色素であり、 （ロ）ホスト成分が、上記のゲスト成分と相溶する有機
ポリマである ことを特徴とするインドメチレン色素系記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160884A JPH0451144A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | インドメチレン色素系記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160884A JPH0451144A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | インドメチレン色素系記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451144A true JPH0451144A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15724454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160884A Pending JPH0451144A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | インドメチレン色素系記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009295885A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sharp Corp | 半導体装置、光学装置用モジュール、及び、半導体装置の製造方法 |
| US8110933B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-02-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor device mounted structure and semiconductor device mounted method |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160884A patent/JPH0451144A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8110933B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-02-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor device mounted structure and semiconductor device mounted method |
| JP2009295885A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Sharp Corp | 半導体装置、光学装置用モジュール、及び、半導体装置の製造方法 |
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