JPH0443577B2 - - Google Patents
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- JPH0443577B2 JPH0443577B2 JP61008335A JP833586A JPH0443577B2 JP H0443577 B2 JPH0443577 B2 JP H0443577B2 JP 61008335 A JP61008335 A JP 61008335A JP 833586 A JP833586 A JP 833586A JP H0443577 B2 JPH0443577 B2 JP H0443577B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光記録方法に関する。
(従来の技術)
光記録方式は、安価、大容量の記録媒体が得ら
れるために開発がさかんな分野である。従来この
分野では無機系金属薄膜を記録膜として、半導体
レーザの近赤外出力を一度熱に変換し、その熱を
利用して記録膜に穴をあけ、或は相変化を生じさ
せてこれによる表面反射率の変化を読みとるいわ
ゆるヒートモードの光記録方式が実用化されてき
た。さらに近年有機染料を記録膜とするヒートモ
ード光記録方式が新たに提案されている。しか
し、ヒートモードを用いた光記録方法では半導体
レーザの出力を熱に変換する際に基板等を通じて
熱が発散するために感度に限界があり、又、穴を
あける方式に基づくものでは情報の消去が困難で
ある。これらの観点より、吸収した光を熱として
発散することが少なく記録膜の変形をも防ぐ方法
として、吸収した光を光子エネルギーとしてその
まま利用し、引きつづき起こる光反応を情報の記
録再生に用いようという、フオトンモードの光記
録方法が提案されており、特に情報の消去が可能
な可逆型光記録材料を得るための手段として精力
的に研究が行われている。これらの目的のために
フオトクロミツク材料を記録膜材料とする提案が
されており、例えば特開昭57−59956号公報には
直鎖アルキル基を有するスピロピラン誘導体が、
特開昭60−123838号公報には同様のスピロピラン
化合物の化学蒸着膜を記録層とする提案がなされ
ている。又同様の目的によりヘラー(A.Heller)
らはジヤーナルオブケミカルソサエテイーパーキ
ンI(J.Chem.Soc.Perkin I),202頁(1981)に
おいてフルジドと称されるフオトクロミツク化合
物の特性とその光記録材料への応用につき述べて
いる。これらの化合物の光記録方法については
種々提案されているが、一般的には紫外光線を全
面に照射してスピロピラン類、フルジド化合物等
のフオトクロミツク化合物を強く着色させて初期
化を行い、次いで、フオトクロミツク化合物の変
色域にあわせた可視光線照射によつて情報の記
録、読み出しを行つている。これらは一般に紫外
〜可視光線の領域で行われるが、最近、半導体レ
ーザの発振波長域にマツチングしたスピロピラン
類の発表(例えば日本化学会第50春季年会予稿集
,P259(1985))もなされている。
れるために開発がさかんな分野である。従来この
分野では無機系金属薄膜を記録膜として、半導体
レーザの近赤外出力を一度熱に変換し、その熱を
利用して記録膜に穴をあけ、或は相変化を生じさ
せてこれによる表面反射率の変化を読みとるいわ
ゆるヒートモードの光記録方式が実用化されてき
た。さらに近年有機染料を記録膜とするヒートモ
ード光記録方式が新たに提案されている。しか
し、ヒートモードを用いた光記録方法では半導体
レーザの出力を熱に変換する際に基板等を通じて
熱が発散するために感度に限界があり、又、穴を
あける方式に基づくものでは情報の消去が困難で
ある。これらの観点より、吸収した光を熱として
発散することが少なく記録膜の変形をも防ぐ方法
として、吸収した光を光子エネルギーとしてその
まま利用し、引きつづき起こる光反応を情報の記
録再生に用いようという、フオトンモードの光記
録方法が提案されており、特に情報の消去が可能
な可逆型光記録材料を得るための手段として精力
的に研究が行われている。これらの目的のために
フオトクロミツク材料を記録膜材料とする提案が
されており、例えば特開昭57−59956号公報には
直鎖アルキル基を有するスピロピラン誘導体が、
特開昭60−123838号公報には同様のスピロピラン
化合物の化学蒸着膜を記録層とする提案がなされ
ている。又同様の目的によりヘラー(A.Heller)
らはジヤーナルオブケミカルソサエテイーパーキ
ンI(J.Chem.Soc.Perkin I),202頁(1981)に
おいてフルジドと称されるフオトクロミツク化合
物の特性とその光記録材料への応用につき述べて
いる。これらの化合物の光記録方法については
種々提案されているが、一般的には紫外光線を全
面に照射してスピロピラン類、フルジド化合物等
のフオトクロミツク化合物を強く着色させて初期
化を行い、次いで、フオトクロミツク化合物の変
色域にあわせた可視光線照射によつて情報の記
録、読み出しを行つている。これらは一般に紫外
〜可視光線の領域で行われるが、最近、半導体レ
ーザの発振波長域にマツチングしたスピロピラン
類の発表(例えば日本化学会第50春季年会予稿集
,P259(1985))もなされている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来のフオトクロミツク化合物
を光記録材料として用いる際の問題点としてあげ
られるものはこれらフオトクロミツク化合物によ
る情報の読み出し破壊である。これは、フオトク
ロミツク化合物の初期状態および着色状態は共通
ないしは高い確率で交差した励起状態を有してお
り、着色種の吸収に光照射をして情報を記録する
ことと、後に読み出し光による情報の読みとりと
は同値の励起状態に至り、読み出し破壊が避けら
れないことによる。この問題を回避する方法とし
て通常読み出し光の光強度を弱くする方法がとら
れるが、光励起そのものが唯一の反応過程である
ため、しきい値による区別は不可能であり、常に
一定程度の確率で読み出し破壊が起こりうるた
め、情報のくり返し読み出しの際に問題を生じ
る。
を光記録材料として用いる際の問題点としてあげ
られるものはこれらフオトクロミツク化合物によ
る情報の読み出し破壊である。これは、フオトク
ロミツク化合物の初期状態および着色状態は共通
ないしは高い確率で交差した励起状態を有してお
り、着色種の吸収に光照射をして情報を記録する
ことと、後に読み出し光による情報の読みとりと
は同値の励起状態に至り、読み出し破壊が避けら
れないことによる。この問題を回避する方法とし
て通常読み出し光の光強度を弱くする方法がとら
れるが、光励起そのものが唯一の反応過程である
ため、しきい値による区別は不可能であり、常に
一定程度の確率で読み出し破壊が起こりうるた
め、情報のくり返し読み出しの際に問題を生じ
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもの
であり、従来のフオトクロミツク材料と異なり、
読み出し破壊を起こさずに情報の記録再生を行う
ことのできる光記録方法を提供するものである。
であり、従来のフオトクロミツク材料と異なり、
読み出し破壊を起こさずに情報の記録再生を行う
ことのできる光記録方法を提供するものである。
本発明は、情報信号から変換された光信号を、
記録媒体に照射して該記録媒体に生じた物理的、
光学的変化を光学的に読み取ることによつて情報
の記録再生を行う光記録方法において、前記記録
媒体が、光増感剤、電子供与性物質および電子受
容性物質を含有し、かつ前記電子供与性物質およ
び前記電子受容性物質の少なくとも一方を混合原
子価状態をとりうる物質とし、前記光増感剤を励
起し得る情報書き込み光を該記録媒体に照射し
て、前記光増感剤を励起させ、励起された該光増
感剤と相互作用によつて前記電子供与性物質から
前記電子受容性物質に電子を移動させ、その結果
生じた前記電子供与性物質および前記電子受容性
物質の少なくとも一方に生じた物理的、光学的変
化を前記情報書き込み光と異なる波長の光で光学
的に読み出して情報の記録再生を行う光記録方法
に関する。
記録媒体に照射して該記録媒体に生じた物理的、
光学的変化を光学的に読み取ることによつて情報
の記録再生を行う光記録方法において、前記記録
媒体が、光増感剤、電子供与性物質および電子受
容性物質を含有し、かつ前記電子供与性物質およ
び前記電子受容性物質の少なくとも一方を混合原
子価状態をとりうる物質とし、前記光増感剤を励
起し得る情報書き込み光を該記録媒体に照射し
て、前記光増感剤を励起させ、励起された該光増
感剤と相互作用によつて前記電子供与性物質から
前記電子受容性物質に電子を移動させ、その結果
生じた前記電子供与性物質および前記電子受容性
物質の少なくとも一方に生じた物理的、光学的変
化を前記情報書き込み光と異なる波長の光で光学
的に読み出して情報の記録再生を行う光記録方法
に関する。
本発明においては、書き込み光によつて記録を
行う分子となる光増感剤と、読みとり分子となる
電子供与性物質および/又は電子受容性物質並び
にそれらが光増感剤の光励起状態との相互作用に
よつて電子供与性物質から電子受容性物質に電子
を移動した反応生成物とは異なる分子であり、両
者の励起状態は区別でき読み出し光は書き込み光
と完全に区別することができ、読み出し破壊は原
理的に回避される。これを図示したのが第1図1
である。第1図1では光増感剤Sが書き込み光に
より励起型の光増感剤S*となる。
行う分子となる光増感剤と、読みとり分子となる
電子供与性物質および/又は電子受容性物質並び
にそれらが光増感剤の光励起状態との相互作用に
よつて電子供与性物質から電子受容性物質に電子
を移動した反応生成物とは異なる分子であり、両
者の励起状態は区別でき読み出し光は書き込み光
と完全に区別することができ、読み出し破壊は原
理的に回避される。これを図示したのが第1図1
である。第1図1では光増感剤Sが書き込み光に
より励起型の光増感剤S*となる。
S*は活性であり、電子受容性物質Aに電子を
受けわたしてそれぞれ酸化型S+
受けわたしてそれぞれ酸化型S+
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 情報信号から変換された光信号を記録媒体に
照射して該記録媒体に生じた物理的、光学的変化
を光学的に読み取ることによつて情報の記録再生
を行う光記録方法において、前記記録媒体が、光
増感剤、電子供与性物質および電子受容性物質を
含有し、かつ前記電子供与性物質および前記電子
受容性物質の少なくとも一方を下記の一般式
(),()または()で示される化合物の中
から選ばれる遷移金属錯体であつて第1の酸化還
元電位が−0.5V〜+0.8V(対飽和カロメル電極)
のもの並びに前記光増感剤をその基底エネルギー
準位での酸化還元電位が前記電子供与性物質の酸
化還元電位より低く、その励起エネルギー準位で
の酸化還元電位が前記電子受容性物質の酸化還元
電位よりも高いものとし、前記光増感剤を励起し
得る情報書き込み光を該記録媒体に照射して、前
記光増感剤を励起させ、励起された該光増感剤と
の相互作用によつて前記電子供与性物質から前記
電子受容性物質に電子を移動させ、その結果、前
記電子供与性物質および前記電子受容性物質の少
なくとも一方に生じた物理的、光学的変化を前記
情報書き込み光と異なる波長の光で光学的に読み
出して情報の記録再生を行うことを特徴とする光
記録方法。 () () 式()および()において、ZはO,S及
びNR (Rは水素又はアルキル基)から選ばれる原子
又は原子団であり各位置において相違していても
よく、X及びX′は水素、アルキル基、置換アル
キル基,ハロゲン,アルコキシ基,アルキルアミ
ノ基,ニトロ基及びシアノ基から選ばれ、X及び
X′は同一でもよく、nは1〜4の整数,mは+
2〜−2の整数、Aはmによつて規定される電荷
を中和するに必要な電荷数を有するアニオン,カ
チオン又はその群およびMは遷移金属イオンを表
わす(ただし、mが0の場合にはAは存在しな
い)。 () 式()において、Z′はS及びNR(Rは水素
又はアルキル基)から選ばれ各位置において相違
していてもよく、Yは水素,アルキル基,置換ア
ルキル基,フエニル基,置換フエニル基及びシア
ノ基から選ばれ、各位置において相違していても
よく、mは+2〜−2の整数、Aはmによつて規
定される電荷を中和するに必要な電荷数を有する
アニオン,カチオン又はその群およびMは遷移金
属イオンを表わす(ただし、mが0の場合にはA
は存在しない)。 2 光学的に読み取る物理的、光学的変化が、光
反射率変化及び/又は光透過率変化である特許請
求の範囲第1項記載の光記録方法。 3 光反射率変化又は光透過率変化が、近赤外光
領域に生じる光反射率変化又は光透過率変化であ
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の光記録
方法。 4 光増感剤が可視域から近赤外域に吸収を有す
る染料又は顔料である特許請求の範囲第1項、第
2項又は第3項記載の光記録方法。 5 光増感剤が、チアジン系染料,オキサジン系
染料,キサンテン系染料,ポルフイリン系染料,
テトラフエニルポリフイリン系染料,鉄族遷移金
属トリスビピリジル錯体,鉄族遷移金属トリスフ
エナンスロリン錯体及びフタロシアニン化合物か
らなる一群から選ばれる特許請求の範囲第1項、
第2項又は第3項記載の光記録方法。 6 記録媒体中において電子供与性物質および電
子受容性物質が実質的に分離されている特許請求
の範囲第1項、第2項、第3項、第4項又は第5
項記載の光記録方法。 7 記録媒体が電子供与性物質又はそれを含有す
る層、光増感剤又はそれを含有する層及び電子受
容性物質又はそれを含有する層をこの順に積層さ
れた記録媒体である特許請求の範囲第1項、第2
項、第3項、第4項、第5項又は第6項記載の光
記録方法。 8 記録媒体が反射層を有する特許請求の範囲第
1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項
又は第7項記載の光記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61008335A JPS62165652A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 光記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61008335A JPS62165652A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 光記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62165652A JPS62165652A (ja) | 1987-07-22 |
JPH0443577B2 true JPH0443577B2 (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=11690321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61008335A Granted JPS62165652A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 光記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62165652A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02275944A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-11-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 光記録材料 |
JP2697770B2 (ja) * | 1988-12-17 | 1998-01-14 | 三菱化学株式会社 | 光学記録及び再生方法 |
JP4253621B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-04-15 | 富士フイルム株式会社 | フォトンモード記録方法および3次元光記録方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5872929A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | 光変換素子 |
JPS6083029A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-18 JP JP61008335A patent/JPS62165652A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5872929A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | 光変換素子 |
JPS6083029A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62165652A (ja) | 1987-07-22 |
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