JPS61295529A - 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置Info
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- JPS61295529A JPS61295529A JP60137382A JP13738285A JPS61295529A JP S61295529 A JPS61295529 A JP S61295529A JP 60137382 A JP60137382 A JP 60137382A JP 13738285 A JP13738285 A JP 13738285A JP S61295529 A JPS61295529 A JP S61295529A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非線形抵抗電導を示す薄膜二端子素子を用いた
アクティブマトリックス液晶表示装置に関する。
アクティブマトリックス液晶表示装置に関する。
近年、ツイスト・ネマティック型を中心とした液晶表示
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、文字２図形
等の任意の表示が可能なマトリックス型、も使われ始め
ている。このマトリックス型ＬＣＤの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻
ではないので、表示容量を増加させる次めにマルチブレ
ックス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選
択画素各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択画
素の透過率増加と非選択画素の透過率低下というクロス
トークが生じる。その結果、表示コントラストが著しく
低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も著
しく狭くなる。従って、従来のＬＣＤでは走査本数は、
６０本ぐらいが限界である。
装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野で
大量に用いられている。それに加え、近年、文字２図形
等の任意の表示が可能なマトリックス型、も使われ始め
ている。このマトリックス型ＬＣＤの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のＬＣＤの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻
ではないので、表示容量を増加させる次めにマルチブレ
ックス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選
択画素各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択画
素の透過率増加と非選択画素の透過率低下というクロス
トークが生じる。その結果、表示コントラストが著しく
低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も著
しく狭くなる。従って、従来のＬＣＤでは走査本数は、
６０本ぐらいが限界である。
マトリックス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させるた
めに、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配置
したアクティブマトリックスＬＣＤが考案されている。
めに、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配置
したアクティブマトリックスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリックスＬＣＤの
試作品のスイッチング素子には、アモルファスシリコン
やポリシリコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素
子（ｆｆＩ’）が多く用いられている。また一方では、
製造法および構造が比較的単純であるため、製造工程が
簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期待される薄膜二
端子素子（以下ＴＦＤと略す）ｔ−用いたアクティブマ
トリックスＬＣＤも注目されている。
試作品のスイッチング素子には、アモルファスシリコン
やポリシリコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素
子（ｆｆＩ’）が多く用いられている。また一方では、
製造法および構造が比較的単純であるため、製造工程が
簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期待される薄膜二
端子素子（以下ＴＦＤと略す）ｔ−用いたアクティブマ
トリックスＬＣＤも注目されている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリックスＬ
ＣＤ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において、一番実
用化に近いと考えられているＬ■は、 ＴＦＤに金緘−
絶縁体−金属素子（以下ＭＩＭ素子又はＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と
直列に接続することにより、電圧−透過率変化特性の立
上りは急峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能
になる。
ＣＤ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において、一番実
用化に近いと考えられているＬ■は、 ＴＦＤに金緘−
絶縁体−金属素子（以下ＭＩＭ素子又はＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と
直列に接続することにより、電圧−透過率変化特性の立
上りは急峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能
になる。
このようなＭＩＭ ｔ−用いたＬｃＤの従来例は、論文
ではディ・アールバラフ、他、著［ジ・オンティマイゼ
ーション・オン・メタル・インシュレータ・メタル・ノ
ンリニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチ
ブレツクスト・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ
」、アイ・イー・イー・イー・トランザクション・オン
−エレクトロン・デバイシーズ、四巻、６号、頁７３６
−７３９ （１９８１年発行） ＣＤ、 Ｒ，Ｂａｒａ
ｆｆｓ ａｔ ｃＬＬ−＋“Ｔｈｅ ０ｐｔｉｒｎｉｚ
ｃｃｔ！ｏｎ ｏｆＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−
Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅｃｃｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ｆｏｒ Ｕ＋ｓｅ ｉｎＭｕｌｔｌｐｌｅｘｓｄ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒ７ｓｔａｌ Ｄｉｉｐｌｃｙｍｔ ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒｃｎｓ。
ではディ・アールバラフ、他、著［ジ・オンティマイゼ
ーション・オン・メタル・インシュレータ・メタル・ノ
ンリニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチ
ブレツクスト・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ
」、アイ・イー・イー・イー・トランザクション・オン
−エレクトロン・デバイシーズ、四巻、６号、頁７３６
−７３９ （１９８１年発行） ＣＤ、 Ｒ，Ｂａｒａ
ｆｆｓ ａｔ ｃＬＬ−＋“Ｔｈｅ ０ｐｔｉｒｎｉｚ
ｃｃｔ！ｏｎ ｏｆＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−
Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅｃｃｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ｆｏｒ Ｕ＋ｓｅ ｉｎＭｕｌｔｌｐｌｅｘｓｄ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒ７ｓｔａｌ Ｄｉｉｐｌｃｙｍｔ ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒｃｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＥＤ
−２Ｌｐｐ、７３６−７３９（１９８１））、及び両角
伸治、他、著ｒ ２５０Ｘ２４０画素のラテラルＭＩＭ
−庶」テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８）。
−２Ｌｐｐ、７３６−７３９（１９８１））、及び両角
伸治、他、著ｒ ２５０Ｘ２４０画素のラテラルＭＩＭ
−庶」テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８）。
ｐｐ３９−４４． （１９８３年１２月発行）に代表的
に示され、特許公開公報では特開昭５２−１４９０９０
号公報、及び特開昭５５−１６１２７３号公報中に代表
的に示され、その動作原理についても詳細に述べられて
いる。
に示され、特許公開公報では特開昭５２−１４９０９０
号公報、及び特開昭５５−１６１２７３号公報中に代表
的に示され、その動作原理についても詳細に述べられて
いる。
ＭＩＭにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載されたＭＩＭ
では、絶縁体層の材料に、タンタル（Ｔα）又は窒化タ
ンタルの酸化物を用いたものが主として使われている。
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載されたＭＩＭ
では、絶縁体層の材料に、タンタル（Ｔα）又は窒化タ
ンタルの酸化物を用いたものが主として使われている。
その他の絶縁体層の材料としては、アルミニウム（ＡＪ
） 、ジルコニウム（Ｚｒ） 。
） 、ジルコニウム（Ｚｒ） 。
チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリプデ７ （Ｍｏ
）等の金属の酸化物、又は、シリコン（Ｓｔ）の酸化
物が用いられている。又、希土類酸化物もＭＩＭに使用
される・この絶縁体層を挾む金属としては、上記の金属
（ｆ：ａ、 ＩＪ、 Ｚｒ、 Ｔｉ、 Ｎｂ＋ Ｍｏ）
の他に電極として通常用いられる金属であるクロム（Ｃ
ｒ）、金（Ａｕ ） 、銀（Ａｇ）が用いられている。
）等の金属の酸化物、又は、シリコン（Ｓｔ）の酸化
物が用いられている。又、希土類酸化物もＭＩＭに使用
される・この絶縁体層を挾む金属としては、上記の金属
（ｆ：ａ、 ＩＪ、 Ｚｒ、 Ｔｉ、 Ｎｂ＋ Ｍｏ）
の他に電極として通常用いられる金属であるクロム（Ｃ
ｒ）、金（Ａｕ ） 、銀（Ａｇ）が用いられている。
又、不純物を高濃度にドープした半導体も、絶縁体層を
挾む電極として用いることができる。この半導体として
はａ−８ｔが代表的であるが、これに限らない、この場
合、素子は半導体−絶縁体一半導体の構造であり、ＳＩ
Ｓ素子とでも称するべきであるが、機能的にはＭＩＭ素
子と変わらないので、以下このような素子も含めてＭＩ
Ｍと称する。
挾む電極として用いることができる。この半導体として
はａ−８ｔが代表的であるが、これに限らない、この場
合、素子は半導体−絶縁体一半導体の構造であり、ＳＩ
Ｓ素子とでも称するべきであるが、機能的にはＭＩＭ素
子と変わらないので、以下このような素子も含めてＭＩ
Ｍと称する。
このようなＭＩＭに流れる電流（Ｉ）と両端電圧Ｍとの
関係は、次に示すプール・フレンケル式に従うことが知
られている。。
関係は、次に示すプール・フレンケル式に従うことが知
られている。。
Ｉ＝ｋＶｅｘｐ（β（Ｖ＞
ここで、ｋは比例定数であり、ＭＩＭの接合面積に比例
する。βは非線形性を表す係数である。β−〇では、Ｉ
はＶに比例し、■の工に対する比である抵抗値Ｒ（−Ｖ
／Ｉ）は一定であり、通常の抵抗の特性を表す、／＞Ｏ
では、工はＶの増加とともに急激に増加、する、即ち、
抵抗Ｒは■の増加により急激に低下する。このＲの変化
は、βが大きい程急激である。βが大きい程、ＴＦＤ−
ＬＣＤのＴＦＤに適していることは、前出のバラフ著の
論文に述べられている。このようにβ値が大きいことが
、ＭＩＭに必要な素子特性の一つである。又、ＭＩＭの
容量Ｃが小さいことが、もう一つの必要な素子特性であ
る・このためには、絶縁体層の材料の誘電率２が小さい
ことが必要である。
する。βは非線形性を表す係数である。β−〇では、Ｉ
はＶに比例し、■の工に対する比である抵抗値Ｒ（−Ｖ
／Ｉ）は一定であり、通常の抵抗の特性を表す、／＞Ｏ
では、工はＶの増加とともに急激に増加、する、即ち、
抵抗Ｒは■の増加により急激に低下する。このＲの変化
は、βが大きい程急激である。βが大きい程、ＴＦＤ−
ＬＣＤのＴＦＤに適していることは、前出のバラフ著の
論文に述べられている。このようにβ値が大きいことが
、ＭＩＭに必要な素子特性の一つである。又、ＭＩＭの
容量Ｃが小さいことが、もう一つの必要な素子特性であ
る・このためには、絶縁体層の材料の誘電率２が小さい
ことが必要である。
従来のＭＩＭを用いたＴＦＤ−ＬＣＤは、既述の文献等
により、大表示容量が実現できることが示されている。
により、大表示容量が実現できることが示されている。
しかしながらその製造工程は、ＴＦＴ−ＬＣＤに比べる
と、簡略化されているものの、いまだかなり複雑である
。具体的には従来の製造方法は基本的には次の７エ程か
らなっている。すなわち、（１） ＭＩＭ下部金属の形
成工程、（２）そのバターニング工程、（３）陽極酸化
等による絶縁体層の形成工程、（４） ＭＩＭ上部金属
の形成工程、（５）そのパターニング工程、（６）画素
電極の形成工程、（７）そのパターニング工程である。
と、簡略化されているものの、いまだかなり複雑である
。具体的には従来の製造方法は基本的には次の７エ程か
らなっている。すなわち、（１） ＭＩＭ下部金属の形
成工程、（２）そのバターニング工程、（３）陽極酸化
等による絶縁体層の形成工程、（４） ＭＩＭ上部金属
の形成工程、（５）そのパターニング工程、（６）画素
電極の形成工程、（７）そのパターニング工程である。
これは従来の単純マルチプレックスＬＣＤが、（１）画
素電極の形成工程、（２）そのパターニング工程の計二
工程であるのに比べて、従来のＴＦ′Ｄ−■〕の試作工
程は著しく工数が多く、且つフォトリングラフィを用い
たパターニング回数が３回あることが問題である。
素電極の形成工程、（２）そのパターニング工程の計二
工程であるのに比べて、従来のＴＦ′Ｄ−■〕の試作工
程は著しく工数が多く、且つフォトリングラフィを用い
たパターニング回数が３回あることが問題である。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、製造工程数が少なく、特にバターニング回数が２回と
少ないＴＦＤ−ＬＣＤを提供することにある。
、製造工程数が少なく、特にバターニング回数が２回と
少ないＴＦＤ−ＬＣＤを提供することにある。
本発明は薄膜二端子素子型アクティブマトリックス液晶
表示装置において、薄膜二端子素子を金属−絶縁体一透
明金属体一金属酸化物系電導体構造とし、且つ画素電極
を前記透明金属体−金属酸化物系電導体と同一材質、同
一構造としたことを特徴とするアクティブマトリックス
液晶表示装置である。
表示装置において、薄膜二端子素子を金属−絶縁体一透
明金属体一金属酸化物系電導体構造とし、且つ画素電極
を前記透明金属体−金属酸化物系電導体と同一材質、同
一構造としたことを特徴とするアクティブマトリックス
液晶表示装置である。
ここで金属酸化物系電導体とは、高い電子伝導性を有し
、且つ高い透明性を有する金属酸化物をいう、具体的に
は、各種表示装置、太陽電池、及び光センサ等に用いら
れている酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化ス
ズ（Ｓｎｏｗ）等を用いることができる。又、透明金属
体とは、厚みが１００λ以下の金属薄膜体をいう、この
ような金属薄膜体は高い透明性を有する。
、且つ高い透明性を有する金属酸化物をいう、具体的に
は、各種表示装置、太陽電池、及び光センサ等に用いら
れている酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化ス
ズ（Ｓｎｏｗ）等を用いることができる。又、透明金属
体とは、厚みが１００λ以下の金属薄膜体をいう、この
ような金属薄膜体は高い透明性を有する。
以下実施例に基づいて本発明を説明する。
（実施例１）
本実施例により得られるＴＦＤ−ＬＣＤの代表例の断面
図を第１図に示す。
図を第１図に示す。
最初に下部ガラス基板１上の膜形成、ＭＩＭ素子の製作
について述べる。下部ガラス基板１ ｔＴａｘＯ＊。
について述べる。下部ガラス基板１ ｔＴａｘＯ＊。
ｓｉｏ、等のガラス保護膜２で被覆する。この保護膜２
は不可欠なものではなく、被覆を省略することもできる
０次にガラス保護膜２上に、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中
でのスパッタリングにより、タンタル（Ｔａ）薄膜を形
成する。このＴａ膜を通常のフォトリソグラフィにより
パターン化して、リード電極３を形成する。このパター
ン化されたリード電極３の匙を陽極酸化することにより
、酸化タンタル（Ｔａ、Ｏ，）からなる絶縁体層４を得
る。陽極酸化は０．１ｗｔ％のクエン酸水溶液等の弱酸
水溶液中で３０Ｖの電圧印加により行い、５００人の酸
化タンタルが形成された。純水にて十分洗浄し、イオン
等の不純物を除いた。
は不可欠なものではなく、被覆を省略することもできる
０次にガラス保護膜２上に、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中
でのスパッタリングにより、タンタル（Ｔａ）薄膜を形
成する。このＴａ膜を通常のフォトリソグラフィにより
パターン化して、リード電極３を形成する。このパター
ン化されたリード電極３の匙を陽極酸化することにより
、酸化タンタル（Ｔａ、Ｏ，）からなる絶縁体層４を得
る。陽極酸化は０．１ｗｔ％のクエン酸水溶液等の弱酸
水溶液中で３０Ｖの電圧印加により行い、５００人の酸
化タンタルが形成された。純水にて十分洗浄し、イオン
等の不純物を除いた。
従来のＭＩＭ素子では、絶縁体層４の上に、クロム（Ｃ
ｒ ）等の上部電極を形成するのに対し、本実施例では
、絶縁体層４の上に直接透明電極を形成し、通常のフォ
トリングラフィによりパターン化し、これを下部透明電
極５とした。即ち下部透明電極５は、Ｉｌｉ［Ｍ素子上
部電極と各画素に対応する画素電極とを兼ねている。又
、本透明電極は透明金属体−金属酸化物系電導体の二層
構造である０次いで本実施例では、絶縁体層４の上に、
Ｃｒを真空蒸増法により１０人形成し、引き続いて真空
を破らずに、酸素含有アルゴン雰囲気中のイオンブレー
ティング蒸増法によりＩＴＯを１０００人形成した。透
明金属体を使うことにより、ＩＴＯの組成を厳密に制御
しなぐても良好な電気特性が得られた・。又、透明金属
体のみでは、リード電極３と絶縁体層４との段差により
電気的導通がとれない。
ｒ ）等の上部電極を形成するのに対し、本実施例では
、絶縁体層４の上に直接透明電極を形成し、通常のフォ
トリングラフィによりパターン化し、これを下部透明電
極５とした。即ち下部透明電極５は、Ｉｌｉ［Ｍ素子上
部電極と各画素に対応する画素電極とを兼ねている。又
、本透明電極は透明金属体−金属酸化物系電導体の二層
構造である０次いで本実施例では、絶縁体層４の上に、
Ｃｒを真空蒸増法により１０人形成し、引き続いて真空
を破らずに、酸素含有アルゴン雰囲気中のイオンブレー
ティング蒸増法によりＩＴＯを１０００人形成した。透
明金属体を使うことにより、ＩＴＯの組成を厳密に制御
しなぐても良好な電気特性が得られた・。又、透明金属
体のみでは、リード電極３と絶縁体層４との段差により
電気的導通がとれない。
上部ガラス基板６上の膜形成、パターン化は通常の単純
マルチプレックスＬＣＤとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板６は、ｓｔｏｗ等のガラス保護膜７で被覆され
ているが、この保護膜７は不可欠ではない、上部透明電
極８も、下部透明電極５と同じく酸化インジウム−酸化
スズであり、イオンブレーティング法により形成し通常
のフォトリソグラフィ法によりパターン化した。
マルチプレックスＬＣＤとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板６は、ｓｔｏｗ等のガラス保護膜７で被覆され
ているが、この保護膜７は不可欠ではない、上部透明電
極８も、下部透明電極５と同じく酸化インジウム−酸化
スズであり、イオンブレーティング法により形成し通常
のフォトリソグラフィ法によりパターン化した。
下部ガラス基板１と上部ガラス基板６とは、ガラスファ
イバー等のスペーサを介して張力合わされ、通常のエポ
キシ系接層剤によりシールした。
イバー等のスペーサを介して張力合わされ、通常のエポ
キシ系接層剤によりシールした。
セル厚は８μ情とした。
両ガラス基板１，６はラビングにより配向処理をした・
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
上記のセルに、ツイスト・ネマティック型液晶であるＺ
ＬＩ−１５６５（メルク製）を注入孔よシ注入して、液
晶層９とした。注入孔を接着剤で封止することにより貫
■−ＬＣＤを完成した。
ＬＩ−１５６５（メルク製）を注入孔よシ注入して、液
晶層９とした。注入孔を接着剤で封止することにより貫
■−ＬＣＤを完成した。
第２図に、下部ガラス基板１上の１画素の素子パターン
を示す、このように下部透明電極５は、１画素毎に分離
されている。リード電極３は陽極酸化によシ前面が絶縁
体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画素
に対応して小さな突起がでている。この突起状電極１０
は、電極５と交差しており、この交差部がＭＩＭ素子に
なっている。
を示す、このように下部透明電極５は、１画素毎に分離
されている。リード電極３は陽極酸化によシ前面が絶縁
体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画素
に対応して小さな突起がでている。この突起状電極１０
は、電極５と交差しており、この交差部がＭＩＭ素子に
なっている。
第３図に、本実施例ＴＦＤ−ＬＣＤの構造の一部を示す
、このように、第２図に示した下部ガラス基板１上の各
画素が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端
部で端子部１１を構成している。上部ガラス基板Ｇ上の
上部透明電極８は、各画素を縦につなげた形で帯状に形
成されている。この上部透明電極８の形状は、単純マル
チプレックス駆動のＬＣＤの電極形状とほぼ同一である
。
、このように、第２図に示した下部ガラス基板１上の各
画素が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端
部で端子部１１を構成している。上部ガラス基板Ｇ上の
上部透明電極８は、各画素を縦につなげた形で帯状に形
成されている。この上部透明電極８の形状は、単純マル
チプレックス駆動のＬＣＤの電極形状とほぼ同一である
。
本実施例によるＭＩＭ素子及びこれを用いたＴＦＤ−Ｌ
ＣＤ （Ｄ構造は、前出のパラフ著の論文等で述べられ
た構造と多少類似点がある。しかし、ＭＩＭ素子の上部
電極を画素電極と同一の材質とし、且つ同一の工程で製
作した点が基本的に異なり、このことにより、工程が顕
著に短縮化されている。
ＣＤ （Ｄ構造は、前出のパラフ著の論文等で述べられ
た構造と多少類似点がある。しかし、ＭＩＭ素子の上部
電極を画素電極と同一の材質とし、且つ同一の工程で製
作した点が基本的に異なり、このことにより、工程が顕
著に短縮化されている。
本実施例によシ得られたＭＩＭ素子の非線形性は比較的
高く、β値は６であった。この特性は走査本数が１００
０本程度０大表示容量ＴＦＤ−ＬＣＤに十分使用可能な
特性である。
高く、β値は６であった。この特性は走査本数が１００
０本程度０大表示容量ＴＦＤ−ＬＣＤに十分使用可能な
特性である。
上記の構造及び材料構成をもり１ｏｏｘｉｏｏ画素、ピ
ッチ０．４ｗのＴＦＤ−ＬＣＤを試作し、通常のマトリ
ックスＬＣＤに対する単純マルチプレックス駆動法によ
り駆動した。このような駆動の結果、本実施例ＴＦＤ−
ＬＣＤは、スタティック駆動とほぼ同様のコントラスト
及び視野角が得られた。偏光板に日東電工製のＮＰＦ−
１１００Ｈを用い、前出のツイスト・ネマティック型液
晶ＺＬＩ−１５６５を用いた場合、５：１のコントラス
ト比ＣＲが得られる視野角は±５０゜であった。
ッチ０．４ｗのＴＦＤ−ＬＣＤを試作し、通常のマトリ
ックスＬＣＤに対する単純マルチプレックス駆動法によ
り駆動した。このような駆動の結果、本実施例ＴＦＤ−
ＬＣＤは、スタティック駆動とほぼ同様のコントラスト
及び視野角が得られた。偏光板に日東電工製のＮＰＦ−
１１００Ｈを用い、前出のツイスト・ネマティック型液
晶ＺＬＩ−１５６５を用いた場合、５：１のコントラス
ト比ＣＲが得られる視野角は±５０゜であった。
（実施例２）
下部透明電極５と、上部透明電極８とをマグネトロンス
パッタにより形成したＩＴＯとした点以外は、実施例１
と全く同一の方法に従い、ＴＦＤ−ＬＣＤを試作した。
パッタにより形成したＩＴＯとした点以外は、実施例１
と全く同一の方法に従い、ＴＦＤ−ＬＣＤを試作した。
本実施例におけるＭＩＭ素子も良好な特性を示し、走査
本数１０００本程度０ＬＣＤに適用可能であることが示
された。
本数１０００本程度０ＬＣＤに適用可能であることが示
された。
以上説明したように本発明によれば、ＭＩＭ素子の製作
工程が顕著に短縮化され、大表示容量、且つ低コストの
薄膜二端子素子型アクティブマトリックス液晶表示装置
を提供することができる効果を有する。
工程が顕著に短縮化され、大表示容量、且つ低コストの
薄膜二端子素子型アクティブマトリックス液晶表示装置
を提供することができる効果を有する。
第１図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの一実施例の断面
図、第２図は第１図の実施例の一画素の構造平面図、第
３図は第１図の実施例の一部分の構造平面図である。 １・・・下部ガラス基板 ２・・・ガラス保護膜３・
・・リード電極 ４・・・絶縁体層５・・・下部
透明電極 ６・・・上部ガラス基板７・・・ガラス
保護膜 ８・・・上部透明電極９・・・液晶層
１０・・・突起状電極１１・〜・端子部 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第３図
図、第２図は第１図の実施例の一画素の構造平面図、第
３図は第１図の実施例の一部分の構造平面図である。 １・・・下部ガラス基板 ２・・・ガラス保護膜３・
・・リード電極 ４・・・絶縁体層５・・・下部
透明電極 ６・・・上部ガラス基板７・・・ガラス
保護膜 ８・・・上部透明電極９・・・液晶層
１０・・・突起状電極１１・〜・端子部 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）薄膜二端子素子型アクティブマトリックスにおい
て、薄膜二端子素子を金属−絶縁体−透明金属体−金属
酸化物系電導体構造とし、且つ画素電極を前記透明金属
体−金属酸化物系電導体と同一材質、同一構造としたこ
とを特徴とする薄膜二端子素子型アクティブマトリック
ス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137382A JPS61295529A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137382A JPS61295529A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295529A true JPS61295529A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15197377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60137382A Pending JPS61295529A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295529A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61124922A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60137382A patent/JPS61295529A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61124922A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
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