JP3359250B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特に、二端子非線形素子を用いた液晶表示
装置に関するものである。
するもので、特に、二端子非線形素子を用いた液晶表示
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型及び軽量である特徴に加え、より大容量表示及び高画
質が求められている。そこで、表示画面を構成している
個々の画素にスイッチング素子を設けたアクティブ駆動
方式の液晶表示装置が開発されている。
型及び軽量である特徴に加え、より大容量表示及び高画
質が求められている。そこで、表示画面を構成している
個々の画素にスイッチング素子を設けたアクティブ駆動
方式の液晶表示装置が開発されている。
【０００３】スイッチング素子としては、薄膜トランジ
スタまたは二端子非線形素子が用いられているが、構造
が簡単で製造コストの面で有利な二端子非線形素子を用
いた液晶表示装置が有望視されており、なかでも金属−
絶縁体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ、以下ＭＩＭと表記する）構造を有するものは実
用化がなされている。
スタまたは二端子非線形素子が用いられているが、構造
が簡単で製造コストの面で有利な二端子非線形素子を用
いた液晶表示装置が有望視されており、なかでも金属−
絶縁体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ、以下ＭＩＭと表記する）構造を有するものは実
用化がなされている。
【０００４】図１１及び図１２を用いて、ＭＩＭ素子を
用いた液晶表示装置について説明する。図１１は従来の
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示す説明図、図１２
は図１１の素子側基板のＥ−Ｅ線における断面図であ
る。
用いた液晶表示装置について説明する。図１１は従来の
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示す説明図、図１２
は図１１の素子側基板のＥ−Ｅ線における断面図であ
る。
【０００５】図１１及び図１２に示すように、液晶表示
装置は、ガラスからなる素子側基板５１とガラスからな
る対向側基板５２とを貼り合わせた構造となっている。
装置は、ガラスからなる素子側基板５１とガラスからな
る対向側基板５２とを貼り合わせた構造となっている。
【０００６】素子側基板５１上には、信号配線５３、画
素電極５４及びＭＩＭ素子５５が形成されている。また
対向側基板５２上には、信号配線５３に直交する向きに
ストライプ状の対向側電極５６が形成されている。した
がって、画素電極５４と対向側電極５６の重なり領域が
１画素となる。画素電極５４及び対向側電極５６として
は、透明電導膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。
素電極５４及びＭＩＭ素子５５が形成されている。また
対向側基板５２上には、信号配線５３に直交する向きに
ストライプ状の対向側電極５６が形成されている。した
がって、画素電極５４と対向側電極５６の重なり領域が
１画素となる。画素電極５４及び対向側電極５６として
は、透明電導膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。
【０００７】ＭＩＭ素子５５は、信号配線５３から張り
出した下部電極５７、下部電極５７上に形成された非線
形性を有する絶縁体５８及び上部電極５９から構成され
た二端子非線形素子である。ＭＩＭ素子５５のスイッチ
ングは、ＭＩＭ素子５５の抵抗が下部電極５７と上部電
極５９との間に印加された電圧が低い場合に高抵抗とな
り、高い場合に低抵抗になる性質を利用して行なう。
出した下部電極５７、下部電極５７上に形成された非線
形性を有する絶縁体５８及び上部電極５９から構成され
た二端子非線形素子である。ＭＩＭ素子５５のスイッチ
ングは、ＭＩＭ素子５５の抵抗が下部電極５７と上部電
極５９との間に印加された電圧が低い場合に高抵抗とな
り、高い場合に低抵抗になる性質を利用して行なう。
【０００８】ＭＩＭ素子５５を構成する材料としては、
下部電極５７にはタンタル（Ｔａ）、絶縁体５８には酸
化タンタル（ＴａＯX）、上部電極５９にはクロム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）等が
用いられている。
下部電極５７にはタンタル（Ｔａ）、絶縁体５８には酸
化タンタル（ＴａＯX）、上部電極５９にはクロム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）等が
用いられている。
【０００９】尚、ＭＩＭ素子５５を形成する前に、あら
かじめ素子側基板５１表面上に五酸化タンタル等からな
る絶縁性のベースコート６０を形成しておいてもよい。
ベースコート６０を形成することにより、素子側基板５
１からの不純物の侵入を防ぐことができるとともに、下
部電極５７の素子側基板５１への密着性を向上させるこ
とができる。
かじめ素子側基板５１表面上に五酸化タンタル等からな
る絶縁性のベースコート６０を形成しておいてもよい。
ベースコート６０を形成することにより、素子側基板５
１からの不純物の侵入を防ぐことができるとともに、下
部電極５７の素子側基板５１への密着性を向上させるこ
とができる。
【００１０】素子側基板５１と対向側基板５２とは、画
素電極５４と対向側電極５６とが向かい合うように、１
０μｍ程度の空間を保持するように貼り合わせられてい
る。空間の保持は、一定の寸法のスぺーサー（図示せ
ず）を素子側基板５１と対向側基板５２との間に挟み込
むことで行なう。
素電極５４と対向側電極５６とが向かい合うように、１
０μｍ程度の空間を保持するように貼り合わせられてい
る。空間の保持は、一定の寸法のスぺーサー（図示せ
ず）を素子側基板５１と対向側基板５２との間に挟み込
むことで行なう。
【００１１】液晶はこの空間に注入され、素子側基板５
１上に形成された配向膜６１と対向側基板５２上に形成
された配向膜（図示せず）とによって、所定の配向状態
にされる。
１上に形成された配向膜６１と対向側基板５２上に形成
された配向膜（図示せず）とによって、所定の配向状態
にされる。
【００１２】この後、所定の光学モードになるように、
素子側基板５１と対向側基板５２とに光学フィルムを貼
り付ける。例えばＴＮ方式であれば、偏光軸が直交する
ように偏光板６２ａ及び６２ｂを、素子側基板５１及び
対向側基板５２基板の外側面に貼り付ける。表示は、画
素電極５４と対向側電極５６との間に印加された電界に
より、液晶分子の配向状態を変えることによって行な
う。
素子側基板５１と対向側基板５２とに光学フィルムを貼
り付ける。例えばＴＮ方式であれば、偏光軸が直交する
ように偏光板６２ａ及び６２ｂを、素子側基板５１及び
対向側基板５２基板の外側面に貼り付ける。表示は、画
素電極５４と対向側電極５６との間に印加された電界に
より、液晶分子の配向状態を変えることによって行な
う。
【００１３】ところで、前述したようなＭＩＭ素子５５
の絶縁体５８は、通常３０〜７０ｎｍであり、製造工程
中の静電気によって絶縁破壊されやすいという問題点が
ある。そこで、以下に説明するような層間絶縁膜を有す
る構成が用いられることがある。
の絶縁体５８は、通常３０〜７０ｎｍであり、製造工程
中の静電気によって絶縁破壊されやすいという問題点が
ある。そこで、以下に説明するような層間絶縁膜を有す
る構成が用いられることがある。
【００１４】図１３乃至図１６を用いて、層間絶縁膜を
有するＭＩＭ素子について説明する。図１３は従来の層
間絶縁膜を有するＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の主
要部を説明する平面図、図１４は図１３のＦ−Ｆ線にお
ける断面図、図１５は図１３の液晶表示装置の製造工程
を説明する工程図、図１６は図１５のＧ−Ｇ線における
断面を説明する工程図である。
有するＭＩＭ素子について説明する。図１３は従来の層
間絶縁膜を有するＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の主
要部を説明する平面図、図１４は図１３のＦ−Ｆ線にお
ける断面図、図１５は図１３の液晶表示装置の製造工程
を説明する工程図、図１６は図１５のＧ−Ｇ線における
断面を説明する工程図である。
【００１５】図１３及び図１４に示すように、下部電極
５７の端部を覆うように、上部電極５９の下層に層間絶
縁膜６３を形成してＭＩＭ素子５５を構成する。このよ
うな層間絶縁膜６３は、絶縁破壊されやすい下部電極５
７の端部上の絶縁体５８を保護する目的で形成されるも
のである。
５７の端部を覆うように、上部電極５９の下層に層間絶
縁膜６３を形成してＭＩＭ素子５５を構成する。このよ
うな層間絶縁膜６３は、絶縁破壊されやすい下部電極５
７の端部上の絶縁体５８を保護する目的で形成されるも
のである。
【００１６】この層間絶縁膜６３を有するＭＩＭ素子５
５の製造工程について、図１５及び図１６を用いて説明
する。
５の製造工程について、図１５及び図１６を用いて説明
する。
【００１７】図１５（ａ）及び図１６（ａ）に示すよう
に、ガラスからなる素子側基板５１に五酸化タンタルか
らなるベースコート６０を形成し、Ｔａからなる信号配
線５３及び下部電極５７をフォトリソグラフィー法を用
いて所定の形状に形成する。さらに、陽極酸化法を用い
てＴａＯXからなる非線形性を有する絶縁体５８を少な
くとも下部電極５７の表面に形成する。
に、ガラスからなる素子側基板５１に五酸化タンタルか
らなるベースコート６０を形成し、Ｔａからなる信号配
線５３及び下部電極５７をフォトリソグラフィー法を用
いて所定の形状に形成する。さらに、陽極酸化法を用い
てＴａＯXからなる非線形性を有する絶縁体５８を少な
くとも下部電極５７の表面に形成する。
【００１８】次に、図１５（ｂ）及び図１６（ｂ）に示
すように、層間絶縁膜６３を下部電極５７の端部を覆う
ように形成する。層間絶縁膜６３としては、例えばＳｉ
ＮXまたはＳｉＯ2が用いられる。
すように、層間絶縁膜６３を下部電極５７の端部を覆う
ように形成する。層間絶縁膜６３としては、例えばＳｉ
ＮXまたはＳｉＯ2が用いられる。
【００１９】次に、図１５（ｃ）及び図１６（ｃ）に示
すように、例えばＴｉを所定の形状にパターニングして
上部電極５９を形成し、図１５（ｄ）及び図１６（ｄ）
に示すように、例えばＩＴＯを所定の形状にパターニン
グして画素電極５４を形成して、ＭＩＭ素子５５を得
る。
すように、例えばＴｉを所定の形状にパターニングして
上部電極５９を形成し、図１５（ｄ）及び図１６（ｄ）
に示すように、例えばＩＴＯを所定の形状にパターニン
グして画素電極５４を形成して、ＭＩＭ素子５５を得
る。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１３
及び図１４に示すような層間絶縁膜６３を有するＭＩＭ
素子５５を形成した場合、図１４の部に示す層間絶縁
膜６３の端部で、層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原
因となって上部電極５９が断線するという問題点があ
る。
及び図１４に示すような層間絶縁膜６３を有するＭＩＭ
素子５５を形成した場合、図１４の部に示す層間絶縁
膜６３の端部で、層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原
因となって上部電極５９が断線するという問題点があ
る。
【００２１】すなわち、層間絶縁膜６３は、下部電極５
７と上部電極５９との短絡を抑制することができるが、
層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原因となって上部電
極５９が断線することが増えてしまうのである。
７と上部電極５９との短絡を抑制することができるが、
層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原因となって上部電
極５９が断線することが増えてしまうのである。
【００２２】層間絶縁膜６３を素子側基板５１全面に形
成し、ＭＩＭ素子５５を形成する部分の層間絶縁膜６３
を除去して、層間絶縁膜６３による段差をなくすことは
可能であるが、層間絶縁膜６３と素子側基板５１との熱
膨張係数の差によって素子側基板５１が反ったり、透過
率が低下したりするという問題点が発生するため、必要
な部分に、例えば島状に層間絶縁膜６３を形成すること
が望ましいのである。
成し、ＭＩＭ素子５５を形成する部分の層間絶縁膜６３
を除去して、層間絶縁膜６３による段差をなくすことは
可能であるが、層間絶縁膜６３と素子側基板５１との熱
膨張係数の差によって素子側基板５１が反ったり、透過
率が低下したりするという問題点が発生するため、必要
な部分に、例えば島状に層間絶縁膜６３を形成すること
が望ましいのである。
【００２３】したがって、素子側基板５１の反り及び透
過率の低下を考慮して層間絶縁膜６３の形状及び寸法を
決めると、層間絶縁膜６３の端部を上部電極５９が横切
る構成を採用せざるを得ないため、前述した上部電極５
９が層間絶縁膜６３による段差部分で断線するという問
題点を生じることとなる。
過率の低下を考慮して層間絶縁膜６３の形状及び寸法を
決めると、層間絶縁膜６３の端部を上部電極５９が横切
る構成を採用せざるを得ないため、前述した上部電極５
９が層間絶縁膜６３による段差部分で断線するという問
題点を生じることとなる。
【００２４】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、層間絶縁膜による段差部分で
上部電極が断線することを低減した二端子非線形素子を
用いた液晶表示装置を提供することを目的としている。
みなされたものであって、層間絶縁膜による段差部分で
上部電極が断線することを低減した二端子非線形素子を
用いた液晶表示装置を提供することを目的としている。
【００２５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、下部
電極と、非線形性を有する絶縁体と、上部電極とが積層
され、前記下部電極の端部を覆うように前記上部電極の
下層に層間絶縁膜が形成された二端子非線形素子を有
し、画素電極に前記上部電極が接続され、前記二端子非
線形素子を用いて駆動される液晶表示装置において、前
記画素電極が、前記層間絶縁膜の端部を覆うように形成
されていることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、下部
電極と、非線形性を有する絶縁体と、上部電極とが積層
され、前記下部電極の端部を覆うように前記上部電極の
下層に層間絶縁膜が形成された二端子非線形素子を有
し、画素電極に前記上部電極が接続され、前記二端子非
線形素子を用いて駆動される液晶表示装置において、前
記画素電極が、前記層間絶縁膜の端部を覆うように形成
されていることを特徴としている。
【００２６】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜を横切るように形成されていることを特徴とし
ている。
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜を横切るように形成されていることを特徴とし
ている。
【００２７】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２
記載の液晶表示装置において、前記下部電極の両側に矩
形状の前記層間絶縁膜が形成され、前記上部電極が、前
記層間絶縁膜を横切る際に跨がっている辺とは異なる辺
にも跨がっていることを特徴としている。
記載の液晶表示装置において、前記下部電極の両側に矩
形状の前記層間絶縁膜が形成され、前記上部電極が、前
記層間絶縁膜を横切る際に跨がっている辺とは異なる辺
にも跨がっていることを特徴としている。
【００２８】請求項４記載の液晶表示装置は、請求項３
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜の辺に沿って形成されていることを特徴として
いる。
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜の辺に沿って形成されていることを特徴として
いる。
【００２９】請求項５記載の液晶表示装置は、請求項２
乃至請求項４記載の液晶表示装置において、前記下部電
極の両側に略Ｌ字状の前記層間絶縁膜が形成され、前記
上部電極が、前記層間絶縁膜の屈曲部に跨がるように形
成されていることを特徴としている。
乃至請求項４記載の液晶表示装置において、前記下部電
極の両側に略Ｌ字状の前記層間絶縁膜が形成され、前記
上部電極が、前記層間絶縁膜の屈曲部に跨がるように形
成されていることを特徴としている。
【００３０】本発明の液晶表示装置によれば、画素電極
が層間絶縁膜の端部を覆うように形成されていることに
より、上部電極と画素電極とが、層間絶縁膜上で接続さ
れているため、層間絶縁膜の端部における段差を考慮す
る必要がなくなる。
が層間絶縁膜の端部を覆うように形成されていることに
より、上部電極と画素電極とが、層間絶縁膜上で接続さ
れているため、層間絶縁膜の端部における段差を考慮す
る必要がなくなる。
【００３１】また、上部電極が層間絶縁膜を横切るよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極とは層間絶縁膜上で接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極とは層間絶縁膜上で接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。
【００３２】さらに、下部電極の両側に矩形状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がっている上部電極は画素電極と接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がっている上部電極は画素電極と接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。
【００３３】さらに、上部電極が層間絶縁膜の辺に沿っ
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部を上部
電極で覆う面積が大きくなるため、層間絶縁膜の端部に
おける段差が原因で上部電極が断線することを抑制する
ことができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上
部電極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の
別の辺に跨がっている上部電極は画素電極と接続されて
いるため、上部電極と画素電極との接続状態を保つこと
ができる。
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部を上部
電極で覆う面積が大きくなるため、層間絶縁膜の端部に
おける段差が原因で上部電極が断線することを抑制する
ことができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上
部電極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の
別の辺に跨がっている上部電極は画素電極と接続されて
いるため、上部電極と画素電極との接続状態を保つこと
ができる。
【００３４】また、下部電極の両側に略Ｌ字状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、上部電極は層間絶
縁膜の異なる辺に跨がることとなり、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がっている上部電極
は画素電極と接続されているため、上部電極と画素電極
との接続状態を保つことができる。
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、上部電極は層間絶
縁膜の異なる辺に跨がることとなり、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がっている上部電極
は画素電極と接続されているため、上部電極と画素電極
との接続状態を保つことができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１乃至図１０を用いて、本発明
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００３６】（実施の形態１）図１乃至図４を用いて、
本発明の実施の形態１について説明する。図１は本発明
の実施の形態１に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ線における断面図、図４は本発明の実施
の形態１に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図１乃至図４においては、上部電極
を斜線部で示す。
本発明の実施の形態１について説明する。図１は本発明
の実施の形態１に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ線における断面図、図４は本発明の実施
の形態１に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図１乃至図４においては、上部電極
を斜線部で示す。
【００３７】図１乃至図３に示すように、ガラスからな
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。
【００３８】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。
【００３９】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成する。このとき、図４に示すよう
に、上部電極７の幅Ｗ１とＷ２との関係がＷ１＞Ｗ２で
あってもよく、Ｗ１とＷ２との関係は特に限定されるも
のではない。
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成する。このとき、図４に示すよう
に、上部電極７の幅Ｗ１とＷ２との関係がＷ１＞Ｗ２で
あってもよく、Ｗ１とＷ２との関係は特に限定されるも
のではない。
【００４０】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
【００４１】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
【００４２】上部電極７を層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成することにより、層間絶縁膜６の厚
みによる段差が原因で上部電極７の一部が断線した場合
であっても、別の方向に張り出している上部電極７が画
素電極８と接続されているため、上部電極７と画素電極
８との接続状態を保つことができる。
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成することにより、層間絶縁膜６の厚
みによる段差が原因で上部電極７の一部が断線した場合
であっても、別の方向に張り出している上部電極７が画
素電極８と接続されているため、上部電極７と画素電極
８との接続状態を保つことができる。
【００４３】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
【００４４】（実施の形態２）図５乃至図８を用いて、
本発明の実施の形態２について説明する。図５は本発明
の実施の形態２に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図６は図５のＣ−Ｃ線における断面図、図７
は図５のＤ−Ｄ線における断面図、図８は本発明の実施
の形態２に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図５乃至図８においては、上部電極
を斜線部で示す。
本発明の実施の形態２について説明する。図５は本発明
の実施の形態２に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図６は図５のＣ−Ｃ線における断面図、図７
は図５のＤ−Ｄ線における断面図、図８は本発明の実施
の形態２に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図５乃至図８においては、上部電極
を斜線部で示す。
【００４５】図５乃至図７に示すように、ガラスからな
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。
【００４６】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。
【００４７】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成す
る。このとき、図８に示すように、上部電極７の一部を
層間絶縁膜６の辺から突出するように形成してもよい。
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成す
る。このとき、図８に示すように、上部電極７の一部を
層間絶縁膜６の辺から突出するように形成してもよい。
【００４８】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
【００４９】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
【００５０】上部電極７を層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成する
ことにより、層間絶縁膜６の端部を上部電極７で覆う面
積が大きくなるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が
原因で上部電極７が断線することを抑制することがで
き、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極７
の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別の
辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続されて
いるため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保つ
ことができる。
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成する
ことにより、層間絶縁膜６の端部を上部電極７で覆う面
積が大きくなるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が
原因で上部電極７が断線することを抑制することがで
き、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極７
の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別の
辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続されて
いるため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保つ
ことができる。
【００５１】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
【００５２】（実施の形態３）図９及び図１０を用い
て、本発明の実施の形態３について説明する。図９は本
発明の実施の形態３に係わる液晶表示装置の主要部を説
明する平面図、図１０は本発明の実施の形態３に係わる
他の液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。
尚、図９及び図１０においては、層間絶縁膜を斜線部で
示す。
て、本発明の実施の形態３について説明する。図９は本
発明の実施の形態３に係わる液晶表示装置の主要部を説
明する平面図、図１０は本発明の実施の形態３に係わる
他の液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。
尚、図９及び図１０においては、層間絶縁膜を斜線部で
示す。
【００５３】図９及び図１０に示すように、ガラスから
なる素子側基板に五酸化タンタルからなるベースコート
を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４をフ
ォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成する。
さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非線形
性を有する絶縁体を少なくとも下部電極４の表面に形成
する。
なる素子側基板に五酸化タンタルからなるベースコート
を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４をフ
ォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成する。
さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非線形
性を有する絶縁体を少なくとも下部電極４の表面に形成
する。
【００５４】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように略Ｌ字
状に形成する。
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように略Ｌ字
状に形成する。
【００５５】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は、図９に示すように、層間絶
縁膜６の屈曲部に跨がるように矩形状に形成する。ま
た、上部電極７は、図１０に示すように、別の方向に張
り出して層間絶縁膜６の屈曲部とは異なる辺にも跨がる
ように形成してもよい。
のであるが、上部電極７は、図９に示すように、層間絶
縁膜６の屈曲部に跨がるように矩形状に形成する。ま
た、上部電極７は、図１０に示すように、別の方向に張
り出して層間絶縁膜６の屈曲部とは異なる辺にも跨がる
ように形成してもよい。
【００５６】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。
【００５７】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。
【００５８】層間絶縁膜６を略Ｌ字状に形成することに
より、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極
７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別
の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続され
ているため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保
つことができる。
より、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極
７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別
の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続され
ているため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保
つことができる。
【００５９】さらに、層間絶縁膜６の屈曲部とは異なる
辺にも跨がるように上部電極７を形成することにより、
上部電極７が跨がる層間絶縁膜６の辺の数を増やすこと
ができるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で
上部電極７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁
膜６の別の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と
接続されている可能性が高くなるため、上部電極７と画
素電極８との接続状態を保つ確率を高くすることができ
る。
辺にも跨がるように上部電極７を形成することにより、
上部電極７が跨がる層間絶縁膜６の辺の数を増やすこと
ができるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で
上部電極７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁
膜６の別の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と
接続されている可能性が高くなるため、上部電極７と画
素電極８との接続状態を保つ確率を高くすることができ
る。
【００６０】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、画素電極が層間絶縁膜の端部を覆うよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差を考慮する必要がなくなり、ＭＩＭ素子の断線不
良を低減することができるため、液晶表示装置の良品率
を向上させることができる。
装置によれば、画素電極が層間絶縁膜の端部を覆うよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差を考慮する必要がなくなり、ＭＩＭ素子の断線不
良を低減することができるため、液晶表示装置の良品率
を向上させることができる。
【００６２】また、上部電極が層間絶縁膜を横切るよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩ
Ｍ素子の上部電極の断線不良を低減することができるた
め、液晶表示装置の良品率を向上させることができる。
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩ
Ｍ素子の上部電極の断線不良を低減することができるた
め、液晶表示装置の良品率を向上させることができる。
【００６３】さらに、下部電極の両側に矩形状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保つこ
とができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減する
ことができるため、液晶表示装置の良品率を向上させる
ことができる。
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保つこ
とができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減する
ことができるため、液晶表示装置の良品率を向上させる
ことができる。
【００６４】さらに、上部電極が層間絶縁膜の辺に沿っ
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線することを抑制すること
ができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電
極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の
辺に跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保
つことができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減
することができるため、液晶表示装置の良品率を向上さ
せることができる。
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線することを抑制すること
ができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電
極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の
辺に跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保
つことができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減
することができるため、液晶表示装置の良品率を向上さ
せることができる。
【００６５】また、下部電極の両側に略Ｌ字状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がる上部電極によっ
て画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩＭ素子
の上部電極の断線不良を低減することができるため、液
晶表示装置の良品率を向上させることができる。
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がる上部電極によっ
て画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩＭ素子
の上部電極の断線不良を低減することができるため、液
晶表示装置の良品率を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。
主要部を説明する平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係わる他の液晶表示装
置の主要部を説明する平面図である。
置の主要部を説明する平面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。
主要部を説明する平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図７】図５のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係わる他の液晶表示装
置の主要部を説明する平面図である。
置の主要部を説明する平面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。
主要部を説明する平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係わる他の液晶表示
装置の主要部を説明する平面図である。
装置の主要部を説明する平面図である。
【図１１】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１２】図１１の素子側基板のＥ−Ｅ線における断面
図である。
図である。
【図１３】従来の層間絶縁膜を有するＭＩＭ素子を用い
た液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。
た液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。
【図１４】図１３のＦ−Ｆ線における断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は図１３の液晶表示装置の製
造工程を説明する工程図である。
造工程を説明する工程図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は図１５のＧ−Ｇ線における
断面を説明する工程図である。
断面を説明する工程図である。
【符号の説明】 １ 素子側基板 ２ ベースコート ３ 信号配線 ４ 下部電極 ５ 絶縁体 ６ 層間絶縁膜 ７ 上部電極 ８ 画素電極 ９ ＭＩＭ素子 ５１ 素子側基板 ５２ 対向側基板 ５３ 信号配線 ５４ 画素電極 ５５ ＭＩＭ素子 ５６ 対向側電極 ５７ 下部電極 ５８ 絶縁体 ５９ 上部電極 ６０ ベースコート ６１ 配向膜 ６２ａ、６２ｂ 偏光板 ６３ 層間絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 下部電極と、該下部電極の表面に形成された 非線形性を有する絶縁体
と、 前記下部電極の両側の端部を、該絶縁体を介して覆う矩
形状にそれぞれ形成された一対の層間絶縁膜と、 各層間絶縁膜間をそれぞれ横切るように形成されるとと
もに、各層間絶縁膜を横切る方向とは異なる方向に延出
して、各層間絶縁膜の一辺にそれぞれ跨って形成された
上部電極とを有する二端子非線形素子が設けられてお
り、 該二端子非線形素子の上部電極に、前記下部電極とは重
畳することなく、前記各層間絶縁膜の端部を覆うように
設けられた画素電極が接続されて、該画素電極が該二端
子非線形素子によって駆動されることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 前記各層間絶縁膜を横切る方向とは異な
る方向に延出する上部電極部分が、各層間絶縁膜の前記
一辺とは異なる辺に沿って形成されている請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 下部電極と、 該下部電極の表面に形成された非線形性を有する絶縁体
と、 前記下部電極の両側の端部を、該絶縁体を介して覆う略
Ｌ字状にそれぞれ形成された一対の層間絶縁膜と、 各層間絶縁膜間をそれぞれ横切るように形成されるとと
もに、各層間絶縁膜の屈曲部に跨るように形成された上
部電極とを有する二端子非線形素子が設けられており、 該二端子非線形素子の上部電極に、前記下部電極とは重
畳することなく、前記各層間絶縁膜の端部を覆うように
設けられた画素電極が接続されて、該画素電極が該二端
子非線形素子によって駆動されることを特徴とする液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33779496A JP3359250B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33779496A JP3359250B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10177180A JPH10177180A (ja) | 1998-06-30 |
| JP3359250B2 true JP3359250B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=18312037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33779496A Expired - Fee Related JP3359250B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3359250B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014232338A (ja) * | 2011-09-26 | 2014-12-11 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
| CN114415432B (zh) | 2021-12-17 | 2022-12-27 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33779496A patent/JP3359250B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH10177180A (ja) | 1998-06-30 |
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