JPS61294891A - 回路基板の表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回路基板のパターンに無電解ニッケル及び無
電解金メッキを行う表面処理方法の改良に関する。

〔従来の技術〕

近年コンビーータ等に使用される回路基板は、その配線
パターンが増々微細化されていく傾向にあるため、パタ
ーン設計に於いて前記配線パターンの表面処理メッキの
ための共通電極を確保することが困難となっており、又
電解メッキに−よる表面処理方式を採用した場合の製造
工程上の複雑さが問題とな−っている。

このため上記電解メッキに°よる表面処理方式に替って
無電解ニッケル（Ｎｉ’）メッキ及び無電解金（Ａｕ）
メッキによる表示処理方式が広く採用されている。

以下第２図及び第３図により従来の無電解メッキ方式に
よる回路基板の製造工程を説明する。

第２図は従来の両面回路基板の製造工程図であり、第２
図（イ）は回路基板１の断面を示し、回路基板１は、樹
脂基板−２の両面に”１８（μｍ）の銅箔３．４が接着
されている。

第２図（ロ）は、スルーホール用の孔加工々程を示すも
のであり、回路基板１の必要な位置に孔５．６がプレス
加工等により形成されている。

第２図（ハ）は、スルーホールメッキ工程を示すもので
あり、前記孔５．６の内面を含む回路基板゛１の全面に
０．１〜０．２（μｍ）の無電解銅メッキ層７を形成し
、この無電解銅メッキ層７をメッキ電極として回路基板
１の全面に２５〜３０（μｍ）の電解銅メッキ層８を形
成している。第２図に）はパターン化工程を示すもので
あり、周知のエツチングレジストを使用したパターン化
工程により必要な配線パターンを銅箔層１０に−て形成
している。

前記銅箔層１０は、第２図（ハ）に示す銅箔３．４、無
電解銅メッキ層７及び電解銅メッキ層８により構成され
ている。

第２図（ホ）は触媒層形成工程を示すものであり、第２
図に）に示すパターン化された回路基板１の一部を拡大
して示している。

前記パターン化された回路基板−１を塩化ノくラジウム
又は硫酸パラジウムを含有した液（キャタリスト）に浸
漬することにより回路基板１の表面にパラジウムが付着
し、無電解ニッケール！ツキの触媒層１１を形成する。

第°２図（へ）は洗浄工程を示すものであり、第２図（
ホ）に於いて触媒層１１が形成された回路基板１を水洗
することによって°配線パターン以外の部分、すなわち
樹脂基板２０表面に付着した触媒層１１ｂを洗い落す゛
ことにより銅箔層１００表面にのみ触媒層１１ａを形成
している。

第２図（ト）は、無電解メッキ処理工程を示すものであ
り、前記触媒層１１ａ上に無電解ニラケール及び無電解
金の積層より成る無電解メッキ層１２を形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の無電解メッキ方式に−於ける触媒層形成の原理は
第３図に示すごとく回路基板１をキャタリストに浸漬し
た時の銅箔層１０と樹脂基板２とのパラジウムに対する
吸着力及び吸着速度の差を利用したものである。

すなわち第３図は、横軸に浸漬時間、縦軸にパラジウム
の吸着率をとったものであり、曲線Ａは銅箔層１０、曲
線Ｂは樹脂基板−２の特性を各々示している。図に示す
ごとく浸漬時間に対して吸着率に差が生ずることを利用
して、銅箔層１１に対して゛は略飽和状態迄吸着するこ
とに°よって充分な吸着力が得られており１．・又樹脂
基板２に対して′は吸着率が低（て“吸着力の弱い条件
の浸漬時間Ｔ。

を選定することによって第２図（ホ）に°示すごと（銅
箔層１００表面に−は吸着率の高い触媒層１１ａが、又
樹脂基板２の表面には吸着率の低い触媒層１１ｂが形成
される。

そして第２図（へ）に示す洗浄工程に於いては吸着力の
弱い触媒層１１ｂが洗い落されることに′よって銅箔層
１０の表面にのみ触媒層１１ａが形成されるものである
。

しかし第３図に示す吸着率の特性曲線Ａ及びＢは、キャ
タリストの液濃度及び液温度によって各各変化すること
が知られている。

したがって前記触媒１１ａのみを形成させるためにはキ
ャタリストの液濃度及び液温度を正しく管理し、かつ浸
漬時間Ｔ。を正しく管理することが要求されるが、上記
条件をすべて−正しく管理することは極めて困難であり
、上記条件管理のバラツキによって銅箔層１０への触媒
層１１ａが充分吸着されなかったり、又第２図（へ）に
示すごと（、洗浄後も樹脂基板２０表面に若干の触媒層
１１ｂが付着しているのが実状である。

この結果筒゛２図（ト）に゛示す無電解メッキ処理工程
に於いて樹脂基板２のパターン間隔の狭い部分２ａに触
媒層１１ｂが付着している場合には無電解メッキによっ
て析出した金属が１２ａのごとくパターンを形成する両
側の銅箔層１０を短絡することがあり、又触媒層１１ａ
の吸着不足によって無電解メッキ層の析出不良の原因と
なっていた。

本発明は上記従来技術の欠点を解決しようとするもので
あり、その目的は、無電解ニッケル及び無電解金による
表面処理を容易に、かつ高品質に得ることが可能な回路
基板のメッキ方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明の要旨は、回路基板上
の銅箔に無電解ニッケル及び金メッキを行う表面処理方
法に於いて、前記回路基板上の銅箔全面にキャタリスト
の浸漬法によって触媒層を形成する工程と、前記触媒層
を有する銅箔をパターン化する工程と前記パターン化さ
れた銅箔に無電解ニッケ−ル及び金メッキを行う工程と
を有することを特徴とする。

〔実施例〕

以下図面により本発明の実施例を詳述する。

第１図は本発明に於ける回路基板の製造工程図であり第
１図（イ）は回路基板−１の断面を示し、回路基板−１
は、樹脂基板２０両面に１８（μｍ）の銅箔３．４が接
着されて゛いる。

第１図（ロ）は、スルーホール用の孔加工々程を示すも
のであり、回路基板１の必要な位置に孔５．６がプレス
加工等により形成されて°いる。

第１図（ハ）は、スルーホールメッキ工程を示すもので
あり、前記孔５．６の内面を含む回路基板１の全面に°
０．１〜０６２（μｍ）の無電解銅メッキ層７を形成し
、この無電解銅メッキ層７を導電部として回路基板１の
全面に２５〜３０（μｍ）の電解銅メッキ層８を形成し
ている。

尚上記の第１図（イ）〜第一１図（ハ）の工程迄は第一
２図（イ）〜第゛２図（ハ）に示す従来の工程と同じも
のである。

第１図に）は触媒層形成工程を示すものであり、第２図
（ホ）に示す従来の触媒層形成工程と同じキャタリスト
に浸漬することによって前記回路基板１のスルーホール
内を含む銅箔層１０の全面にパラジウムが付着すること
により触媒層１１が形成される。尚本工程に於けるパラ
ジウムの吸着条件としては、銅箔層１０の全面に充分飽
和する迄吸着させてよいため、従来のようにキャタリス
トの条件や浸漬時間を正確に管理す゛る必要がない。

第１図（ホ）はパターン化工程を示すものであり、周知
のエツチングレジストを使用したパターン化工程により
必要な配線パターンを銅箔層１０に°て形成して゛いる
。モして゛このパターン化された銅箔層１０の表面だけ
に第１図に）の触媒層形成工程に於いて形成された触媒
層１１が選択的に形成され、　−樹脂基板２０表面には
触媒層１１の形成が行われない。第′１図（へ）は無電
解メッキ処理工程を−示すものであり、第１図（ホ）に
°示すパターン化された回路基板１の一部を拡大して示
して〜゛・る。

前記触媒層１１の上に無電解ニッケル及び無電解金の積
層より成る無電解メッキ層１２を形成することにより回
路基板゛１の表面処理が完了する。

そして前述のごとく樹脂基板２０表面には触媒層１１が
存在しないため無電解メッキ層１２も形成されることが
無（、パターン間の短絡トラブルは発生しない。

〔発明の効果〕

上記のごとく本発明に°よれば、無電解メッキの触媒層
を゛形成するためのキャタリストへの浸漬な銅箔層の全
面に施した後にパターン化を行うようにして−いるため
、従来のようなキャタリストの濃度及び温度や浸漬時間
を正確に管理する必要がなく、又パターン間の短絡トラ
ブルの生じない回路基板の表面処理が可′能となり、信
頼性及びコストの面で大なる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は未発明に於ける回路基板製造の工程図、第２図
は従来の回路基板製造の工程図、第３図は触媒の吸着率
特性図である。 １・・・・・・回路基板、２・・・・・・樹脂基板、１
１．１１ａ、１　ｌ　ｂ　、、、　・・・触媒層、１２
・・・・・・無電解メッキ層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　回路基板上の銅箔に無電解ニッケル及び金メッキを行
   う表面処理方法に於いて、前記回路基板上の銅箔全面に
   キャタリストの浸漬法によって触媒層を形成する工程と
   、前記触媒層を有する銅箔をパターン化する工程と前記
   パターン化された銅箔に無電解ニッケル及び金メッキを
   行う工程とを有することを特徴とした回路基板の表面処
   理方法。