JPS62134992A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回路基板のパターンに無電解ニッケル及び無
電解金メッキを行う表面処理方法の改良に関する。

〔従来の技術〕

近年コンピュータ等に使用される回路基板は、その配線
パターンが増々微細化されていく傾向にあるため、パタ
ーン設計に於いて前記配線ノくターンの表面処理メッキ
のための共通電極を確保することが困難となっており、
又電解メッキによる表面処理方式を採用した場合の製造
工程上の複雑さが問題となっている。

このため上記電解メッキによる表面処理方式に替って無
電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ及び無電解金（Ａｕ）メッ
キによる表示処理方式が広く採用されている。

以下第２図及び第３図により従来の無電解メッキ方式に
よる回路基板の製造工程を説明する。

第２図は従来の両面回路基板の製造工程図であり、第２
図（イ）は回路基板１の断面を示し、回路基板１は、樹
脂基板２０両面に１８（μｍ）の銅箔６．４が接着され
ている。

第２図（ロ）は、スルーホール用の孔加工々程を示すも
のであり、回路基板１の必要な位置に孔５．６がプレス
加工等により形成されている。

第２図（ハ）は、スルーホールメッキ工程を示すもので
あり、前記孔５．６の内面を含む回路基板１の全面に０
．１〜０．２（μｍ）の無電解銅メッキ層７を形成し、
この無電解銅メッキ層７をメッキ電極として回路基板１
の全面に２５〜３０（μｍ）の電解銅メッキ層８を形成
して（・る。第２図に）はパターン化工程を示すもので
あり、周知のエツチングレジストを使用したパターン化
工程により必要な配線パターンな銅箔層１０にて形成し
ている。

前記銅箔層１０は、第２図（ハ）に示す銅箔６．４、無
電解銅メッキ層７及び電解銅メッキ層８により構成され
ている。

第２図（ホ）は触媒層形成工程を示すものであり、第２
図に）に示すパターン化された回路基板１の一部を拡大
して示している。

前記パターン化された回路基板１を塩化パラジウム又は
硫酸パラジウムを含有した液（キャタリスト）に浸漬す
ることにより回路基板１０表面にパラジウムが付着し、
無電解ニッケルメッキの触媒層１１を形成する。

第２図（へ）は洗浄工程を示すものであり、第２図（ホ
）に於いて触媒層１１が形成された回路基板１を水洗す
ることによって配線パターン以外の部分、すなわち樹脂
基板２０表面に付着した触媒層１１ｂを洗（・落すこと
により銅箔層１００表面にのみ触媒層１１ａを形成して
いる。

第２図（ト）は、無電解メッキ処理工程を示すものであ
り、前記触媒層１１ａ上に無電解ニッケル及び無電解金
の積層より成る無電解メッキ層１２を形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の無電解メッキ方式に於ける触媒層形成の原理は第
３図に示すごと（回路基板１をキャタリストに浸漬した
時の銅箔層１０と樹脂基板２とのパラジウムに対する吸
着力及び吸着速度の差を利用したものである。

すなわち第３図は、横軸に浸漬時間、縦軸にパラジウム
の吸着率をとったものであり、曲線Ａは銅箔層１０、曲
線Ｂは樹脂基板２の特性を各々示している。図に示すご
と（浸漬時間に対して吸着率に差が生ずることを利用し
て、銅箔層１１に対しては略飽和状態迄吸着することに
よって充分な吸着力が得られており、又樹脂基板２に対
しては吸着率が低（て吸着力の弱い条件の浸漬時間Ｔ。

を選定することによって第２図（ホ）建示すごと（銅箔
層１００表面には吸着率の高い触媒層１１ａが、又樹脂
基板２０表面には吸着率の低い触媒層１１ｂが形成され
る。

そして第２図（へ）に示す洗浄工程に於いては吸着力の
弱い触媒層１１ｂが洗い落されることによって銅箔層１
０の表面にのみ触媒層１１ａが形成されるものである。

しかし第３図に示す吸着率の特性曲線Ａ及びＢは、キャ
タリストの液濃度及び液温度によって各各変化すること
が知られている。

したがって前記触媒１１ａのみを形成させるためにはキ
ャタリストの液濃度及び液温度を正しく管理し、かつ浸
漬時間Ｔ。を正しく管理することが要求されるが、上記
条件をすべて正しく管理することは極めて困難であり、
上記条件管理のバラツキによって銅箔層１０への触媒層
１１ａが充分吸着されなかったり、又第２図（へ）に示
すごと（、洗浄後も樹脂基板２０表面に若干の触媒層１
１ｂが付着しているのが実状である。

この結果第２図（ト）に示す無電解メッキ処理工程に於
いて樹脂基板２のパターン間隔の狭い部分２ａに触媒層
１１ｂが付着している場合には無電解メッキによって析
出した金属が１２ａのごとくパターンを形成する両側の
銅箔層１０を短絡することがあり、又触媒層１１ａの吸
着不足によって無電解メッキ層の析出不良の原因となっ
ていた。

本発明は上記従来技術の欠点を解決しようとするもので
あり、その目的は、無電解ニッケル及び無電解金による
表面処理を容易に、かつ高品質に得ることが可能な回路
基板のメッキ方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明の要旨は、銅貼積層板
のパターン化された銅箔に無電解ニッケル及び金メッキ
を行う回路基板の製造法に於いて、樹脂基板の両面ある
いは片面に接着する銅箔を１％以下のニッケルを含む銅
−ニッケル合金箔とし、該銅−ニッケル合金箔層を触媒
として無電解ニッケル及び金メッキを行うことを特徴と
する。

〔実施例〕

以下図面により本発明の実施例を詳述する。

第１図は本発明に於ける回路基板の製造工程図であり第
１図（イ）は回路基板１の断面を示し、回路基板１は、
樹脂基板２０両面に１８（μｍ）の１％以下のニッケル
を含む銅−ニッケル合金箔６及び４を接着する。

第１図（ロ）は、スルーホール用の孔加工々程を示すも
のであり、回路基板１の必要な位置に孔５．６がプレス
加工等により形成されている。

第１図（ハ）は、スルーホールメッキ工程を示すもので
あり、前記孔５．６の内面を含む回路基板１の全面に０
１〜０．２（μｍ）の無電解銅メッキ層７を形成し、こ
の無電解銅メッキ層７を導電部として回路基板１の全面
に銅の電解メッキを行い２５〜３０（μｍ）の電解銅メ
ッキ層８を形成している。

第１図（−４はパターン化工程を示すものであり、周知
のエツチングレジストを使用したパターンユングにより
必要な配線パターンを形成している。

第１図（羽は無電解メッキ処理工程を示すものであり、
前記回路基板１の一部を拡大して示している。前記配線
パターンの断面に現れた前記銅−ニッケル合金箔６．４
を触媒として配線パターン上に無電解ニッケル及び無電
解金の積層よりなる無電解メッキ層１２を形成すること
により回路基板１０表面処理が完了する。そして上記工
程に於ける本発明の表面処理方法によれば、第１図に）
に示すごとく無電解メッキの触媒となる銅−ニッケル合
金箔６．４が配線パターンの表面にのみ形成されるため
第１図（ホ）に示す無電解メッキ処理工程に於いてパタ
ーン間の短絡トラブルが発生せず、又従来の浸漬法での
第２図（ホ）及び第２図（へ）に示す触媒層形成工程及
び洗浄工程を不用としている。

尚第１図（イ）に示す樹脂基板２に接着する銅−ニッケ
ル合金箔３．４の組成比は、無電解メッキの触媒として
考えるとニッケルの含有率が高い方が望ましいが、配線
パターンとしてはニッケルの含有率を出来るだけ低くす
る必要がある。

このため銅−ニッケル合金箔３．４の組成比を触媒性能
が得られる範囲でニッケルの含有率を下げる方向で実験
した結果、１％以下の含有率で充分触媒性能が得られ、
かつ配線パターン金属としての性能も満足することがわ
かった。

〔発明の効果〕

上記のごとく本発明によれば、無電解メッキの触媒形成
に特別の工程を設ける必要がないため、工程が短縮出来
るとともに、従来の浸漬法の問題とされていたキャタリ
ストの条件及び浸漬時間の正確な管理が不用となるため
大巾なコストダウンが可能となり、又配線パターンの表
面にのみ触媒が形成されるため無電解メッキ処理に於け
るパターン間の短絡トラブルが発生せず、信頼性及びコ
スト面に於いて犬なる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に於ける回路基板製造の工程図、第２図
は従来の回路基板製造の工程図、第３図は従来の無電解
メッキ方式における触媒の吸着率特性図である。 １・・・・・・回路基板、２・・・・・・樹脂基板、６
．４・・・・・・銅−ニッケル合金箔。 ｍ１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　銅貼積層板のパターン化された銅箔に無電解ニッケル
   及び金メッキを行う回路基板の製造方法に於いて、樹脂
   基板の両面あるいは片面に接着する銅箔を１％以下のニ
   ッケルを含む銅−ニッケル合金箔とし、該銅−ニッケル
   合金箔層を触媒として無電解ニッケル及び金メッキを行
   うことを特徴とする回路基板の製造方法。