JPS61294432A - パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成方法Info
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- JPS61294432A JPS61294432A JP60136138A JP13613885A JPS61294432A JP S61294432 A JPS61294432 A JP S61294432A JP 60136138 A JP60136138 A JP 60136138A JP 13613885 A JP13613885 A JP 13613885A JP S61294432 A JPS61294432 A JP S61294432A
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- Japan
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- forming material
- pattern forming
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン形成用材料とパターン形成方法に関し
、更に詳しくは高エネルギー線用ネガ形レジスト材料と
それを２層レジストの上層レジストとして用いるパター
ン形成方法に関する。
、更に詳しくは高エネルギー線用ネガ形レジスト材料と
それを２層レジストの上層レジストとして用いるパター
ン形成方法に関する。
従来、ＬＳＩ加工プロセスにおけるパターン形成には高
エネルギー線用レジスト材料が用いられている。この中
でネガ形レジストとしてクロロメチル化ポリスチレン（
ＯＭＢ ）が電子線、Ｘ線、遠紫外線に対して高感度で
プラズマ加工耐性も高いことが知られている〔金材（Ｓ
、工ｍａｍｕｒａ ）ほか、ジャーナル オブ ジ エ
レクトロケミカル ンサイエテイ（、Ｔ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍ、 ８０Ｃ，）第１２６巻、第１９２８頁
（１９７９））。
エネルギー線用レジスト材料が用いられている。この中
でネガ形レジストとしてクロロメチル化ポリスチレン（
ＯＭＢ ）が電子線、Ｘ線、遠紫外線に対して高感度で
プラズマ加工耐性も高いことが知られている〔金材（Ｓ
、工ｍａｍｕｒａ ）ほか、ジャーナル オブ ジ エ
レクトロケミカル ンサイエテイ（、Ｔ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍ、 ８０Ｃ，）第１２６巻、第１９２８頁
（１９７９））。
一方、近年ＬＳＩ配線の多層化、三次元アレイ構造の素
子などを実現するために段差のある基板上にレジストパ
ターンを形成することが望まれている。したがって段差
をカバーする九めに、レジスト膜を厚くする必要がある
。
子などを実現するために段差のある基板上にレジストパ
ターンを形成することが望まれている。したがって段差
をカバーする九めに、レジスト膜を厚くする必要がある
。
しかし従来のレジストでは、膜厚が厚くなるに従い解像
性が低下し、微細なパターンを形成することができなか
った。
性が低下し、微細なパターンを形成することができなか
った。
この問題を解決するために、レジストを１層ではなく多
層化することにニジ、膜厚が厚く、しかも微細な高形状
比パターンを形成する方法が提案されている。すなわち
、第１層目に有機ポリマーの厚膜を形成し、その上の第
２層に薄膜のレジスト材料を形放し九のちｇ２層のレジ
スト材料に高エネルギー線を照射し、現像後得られるパ
ターンをマスクとして第１層の有機ポリ！−を酸素プラ
ズマエツチング（０，Ｒ工Ｅｌｉ ）で異方性エツチン
グすることによシ、高形状比のパターンを得ようとする
ものである〔リン（Ｂ。
層化することにニジ、膜厚が厚く、しかも微細な高形状
比パターンを形成する方法が提案されている。すなわち
、第１層目に有機ポリマーの厚膜を形成し、その上の第
２層に薄膜のレジスト材料を形放し九のちｇ２層のレジ
スト材料に高エネルギー線を照射し、現像後得られるパ
ターンをマスクとして第１層の有機ポリ！−を酸素プラ
ズマエツチング（０，Ｒ工Ｅｌｉ ）で異方性エツチン
グすることによシ、高形状比のパターンを得ようとする
ものである〔リン（Ｂ。
Ｊ、 Ｌｉｎ ） 、ノリラド ステート テクノロジ
ー（５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｏｈｎｏｌ、 ）第
２４巻、５月号、第７５ 頁 （１９８１ン 〕。
ー（５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｏｈｎｏｌ、 ）第
２４巻、５月号、第７５ 頁 （１９８１ン 〕。
この場合第２層のレジスト材料はＯＩＲ工Ｍ工性耐性く
なければならないので、Ｓ１含有ポリマーを用いること
が提案されている。例えばハザキスらはポリメチルビニ
ルシロキサンを用いてパターン形成した〔ハザキス（Ｍ
、 Ｈａｔｚａｋｉθ） ？１か、プロシーディンゲス
オブ ジ インターナショナル コンフエレンス オ
ブ マイクロサーキット（Ｐｒｏａ、 Ｉｎｔｌ、 ０
ｏｎｆ、 Ｍｉｃｒｏ ） １９８１ ］。
なければならないので、Ｓ１含有ポリマーを用いること
が提案されている。例えばハザキスらはポリメチルビニ
ルシロキサンを用いてパターン形成した〔ハザキス（Ｍ
、 Ｈａｔｚａｋｉθ） ？１か、プロシーディンゲス
オブ ジ インターナショナル コンフエレンス オ
ブ マイクロサーキット（Ｐｒｏａ、 Ｉｎｔｌ、 ０
ｏｎｆ、 Ｍｉｃｒｏ ） １９８１ ］。
しかしながらシロキサンポリマーはガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が室温よシ低く、はこシが付着しやすい、膜厚制御
が困難、現偉時のパターン変形による解像性低下などの
問題がある。
ｇ）が室温よシ低く、はこシが付着しやすい、膜厚制御
が困難、現偉時のパターン変形による解像性低下などの
問題がある。
Ｔｇ を向上させるため側鎖にフェニル基を導入シタ
クロロメデル化ポリフェニルシロキサンｔｔＴｇが１５
０℃と高く、Ｏ！Ｒ工Ｅ工性耐性い〔森田（Ｍ、 Ｍｏ
ｒｉｔａ ）ほか、ジャパニーズ ジャーナル オプ
アプライド フィツクス（Ｊａｐ、Ｊ。
クロロメデル化ポリフェニルシロキサンｔｔＴｇが１５
０℃と高く、Ｏ！Ｒ工Ｅ工性耐性い〔森田（Ｍ、 Ｍｏ
ｒｉｔａ ）ほか、ジャパニーズ ジャーナル オプ
アプライド フィツクス（Ｊａｐ、Ｊ。
Ａｐｐｌ、′Ｐｈｙｇ、 ）第２２巻 Ｌ６５９頁（１
？８５））。
？８５））。
しかし、このポリマーは１層万以上の高分子量化が困難
でろｐ高度の合成技術を必要とする欠点があった。その
他、下記式： （式中を及びＵは正の整数を示す）で表わされるポリ！
−がある〔鈴木（Ｍ、８ｕｚｕｋｉ ）ほか、ジャーナ
ル オブ ジ ェレクトロケミカルソサイエティ（Ｊ、
Ｋｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｂｏａ、 ’） 第１３
０巻、纂１９６２頁（’ １９８５ ） ］。
でろｐ高度の合成技術を必要とする欠点があった。その
他、下記式： （式中を及びＵは正の整数を示す）で表わされるポリ！
−がある〔鈴木（Ｍ、８ｕｚｕｋｉ ）ほか、ジャーナ
ル オブ ジ ェレクトロケミカルソサイエティ（Ｊ、
Ｋｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｂｏａ、 ’） 第１３
０巻、纂１９６２頁（’ １９８５ ） ］。
これはＴｇが高く調造も容易であるが、ｓ１含有率を１
５％以上にすることが困難であるため、０、 Ｒより耐
性が低いという欠点があった。
５％以上にすることが困難であるため、０、 Ｒより耐
性が低いという欠点があった。
本発明の目的はこれらの欠点を解決し、Ｔｇが高く、０
３Ｒ工Ｅ耐性に優れ、高エネルギー線に対し高感度なネ
ガ形のパターン形成用材料及びその使用方法を提供する
ことにある。
３Ｒ工Ｅ耐性に優れ、高エネルギー線に対し高感度なネ
ガ形のパターン形成用材料及びその使用方法を提供する
ことにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパターン形
成材料に関する発明であって、下記一般式Ｉ： （但し、Ｒは水素、アルキル基又は芳香族基、Ｒ１、部
及びＲ３は同−又は異なり１アルキル基、シリル基、芳
香族基及び置換芳香族基ニジなる群から選択し九１′ｍ
の基、ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ正の整数を示すンで表わ
されることを特徴とする。
成材料に関する発明であって、下記一般式Ｉ： （但し、Ｒは水素、アルキル基又は芳香族基、Ｒ１、部
及びＲ３は同−又は異なり１アルキル基、シリル基、芳
香族基及び置換芳香族基ニジなる群から選択し九１′ｍ
の基、ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ正の整数を示すンで表わ
されることを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明はパターン形成方法に関す
る発明であって、基材上に有機高分子材層を設け、その
上にパターン形成用材料層を設け、高エネルギー線を所
望パターン状に照射し、その部分を現偉浴媒に不溶化さ
せ、現儂によシ未照射部の該パターン形成用材料を除去
し次のち、照射部分のパターン形成用材料をマスクとし
て酸素を用いろドライエツチングで該パターン形成用材
料で覆われていない部分の該有機高分子材層をエツチン
グ除去することに＝１） ／＜ターンを形成する方法に
おいて、該パターン形成用材料として、＠１の発明の前
記一般式Ｉで狭わされるパターン形成材料を用い石こと
を特徴とする。
る発明であって、基材上に有機高分子材層を設け、その
上にパターン形成用材料層を設け、高エネルギー線を所
望パターン状に照射し、その部分を現偉浴媒に不溶化さ
せ、現儂によシ未照射部の該パターン形成用材料を除去
し次のち、照射部分のパターン形成用材料をマスクとし
て酸素を用いろドライエツチングで該パターン形成用材
料で覆われていない部分の該有機高分子材層をエツチン
グ除去することに＝１） ／＜ターンを形成する方法に
おいて、該パターン形成用材料として、＠１の発明の前
記一般式Ｉで狭わされるパターン形成材料を用い石こと
を特徴とする。
一般式中のｔが大きくなると溶媒溶解性が低下し、使用
しうる現儂溶媒の範囲がケトン類にまで拡大され、高解
儂性のパターン形成に有利となる。しかし、ｔの増大は
８１含有皐の低下を招き、ｌ！索グラズマ耐性が低下す
ること、あるいはＴｇが低下し、材料がゴム状となって
扱いにくくなるなどの欠点がある。特に、シリコンの重
量含有率が１２％以下になるとｒＲ素プラズマ耐性が著
しく減少するため、ｔは３以下であることが好ましい。
しうる現儂溶媒の範囲がケトン類にまで拡大され、高解
儂性のパターン形成に有利となる。しかし、ｔの増大は
８１含有皐の低下を招き、ｌ！索グラズマ耐性が低下す
ること、あるいはＴｇが低下し、材料がゴム状となって
扱いにくくなるなどの欠点がある。特に、シリコンの重
量含有率が１２％以下になるとｒＲ素プラズマ耐性が著
しく減少するため、ｔは３以下であることが好ましい。
を生じ、当該材料の溶媒溶解性を低下させる。
このためｎが増大すれば架橋が生じやすくなり、ネガ形
レジストとして高感度化されるが、８１含Ｖ率の低下を
招き、酸素プラズマ耐性が低下する。このため、ｎは当
該材料の高エネルギー線により開環り架橋を生ずる最低
量でよ（ｎ／（ｍａｎ ）がＬＬ２０以下、好ましくは
α０１〜α０２でらる。
レジストとして高感度化されるが、８１含Ｖ率の低下を
招き、酸素プラズマ耐性が低下する。このため、ｎは当
該材料の高エネルギー線により開環り架橋を生ずる最低
量でよ（ｎ／（ｍａｎ ）がＬＬ２０以下、好ましくは
α０１〜α０２でらる。
次に、有機ポリマーとしては、酸素プラズマに工りエツ
チングされるものであればいずれのものでも工いが、パ
ターン形成後これをマスクとして基板をドライエツチン
グする際、耐性を高めるため、芳香族含有ポリマーが好
ましい。
チングされるものであればいずれのものでも工いが、パ
ターン形成後これをマスクとして基板をドライエツチン
グする際、耐性を高めるため、芳香族含有ポリマーが好
ましい。
例えばポリエステル系、ノボラック系、エポキシ系、ポ
リアミドイミド系、ポリイミド系樹脂など広範囲な高分
子物質を適用することができる。
リアミドイミド系、ポリイミド系樹脂など広範囲な高分
子物質を適用することができる。
更に、一般式■中のアルキル基、芳香族基、置換芳香族
基、シリル基の例としては、メチル基、エチル基、グリ
シジル基、ビニル基、プロピル基、フェニル基、ナフチ
ル基、メチルフェニル基、クロロメチルフェニル基、ビ
ニルフェニル基、トリメチルシリル基、メチルフェニル
シリル基などが挙げられるが、該アルキル基あるいは該
芳香族基の分子量が高くなると相対的にシリコン含有率
が低下するため、分子量の低いメチル基が好ましい。
基、シリル基の例としては、メチル基、エチル基、グリ
シジル基、ビニル基、プロピル基、フェニル基、ナフチ
ル基、メチルフェニル基、クロロメチルフェニル基、ビ
ニルフェニル基、トリメチルシリル基、メチルフェニル
シリル基などが挙げられるが、該アルキル基あるいは該
芳香族基の分子量が高くなると相対的にシリコン含有率
が低下するため、分子量の低いメチル基が好ましい。
当該材料の製造方法としては、メタクリル酸バー
及びｔは式ｌと同義でめるンとの反応によ５ｓ１含有メ
タクリレートモノマーを裳遺し、これとグリシジルメタ
クリレートを共重合させることにより得られる。
タクリレートモノマーを裳遺し、これとグリシジルメタ
クリレートを共重合させることにより得られる。
重合はα、α′−アゾビスイソブチロニトリルと前記モ
ノマー及びグリシジルメタクリレートを重合容器に入れ
脱気掘管後加熱することにエフ行えばよい。
ノマー及びグリシジルメタクリレートを重合容器に入れ
脱気掘管後加熱することにエフ行えばよい。
また、置換芳香族基を含む材料については対応する芳香
族基を含むＳｌを有ポリマーを前記の方法で製造したの
ち、フリーデルクラフッ反応などを利用し九高分子反応
にニジ宜換基を芳香族基に導入しても：い。
族基を含むＳｌを有ポリマーを前記の方法で製造したの
ち、フリーデルクラフッ反応などを利用し九高分子反応
にニジ宜換基を芳香族基に導入しても：い。
以下、本発明を実施例に工ｐ更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
トリメチルシリルメチルメタクリレートとグリシジルメ
タクリレートの共重合比を変えた時のレジスト特性を表
１に示す。感度及び解像性の評価は以下の方法で行った
。Ｓ１ウエハに約α２μｍ厚さで材料を塗布し、５０℃
で５０分間Ｎ。
タクリレートの共重合比を変えた時のレジスト特性を表
１に示す。感度及び解像性の評価は以下の方法で行った
。Ｓ１ウエハに約α２μｍ厚さで材料を塗布し、５０℃
で５０分間Ｎ。
気流中グリベークした。プリベーク後、電子線は加速電
圧２０ｋＶで照射し、遠紫外線照射は１ｋＷのＸθ−Ｈ
ｇ ラングを用いて行った。
圧２０ｋＶで照射し、遠紫外線照射は１ｋＷのＸθ−Ｈ
ｇ ラングを用いて行った。
照射後、表１に示した現像溶媒でそれぞれ現像し、照射
部の残膜が初期膜厚の５０％となるせずにパターンが形
成できる最小の正方形の一辺の長さで評価した。
部の残膜が初期膜厚の５０％となるせずにパターンが形
成できる最小の正方形の一辺の長さで評価した。
実施例２〜６
実施例１においてトリメチルシリルエテルメタクリレー
ト（一般式■でｔ＝１）の代夛にジメチルフェニルシリ
ルメチルメタクリレート（ｔ＝１）（実施例２）、ジメ
チルフェニルシリルエチルメタクリレートＣ１＝２）（
実施例３）、トリメチルシリルエテルメタクリレート（
ｔ＝２ ）（実ｍ例４）、ジメチルフェニルシリルエチ
ルメタクリレート（ｔ＝３）（実施例５）、トリメチル
シリルグロビルメタクリレ−）（ｔ＝５）（実施例６）
を用すた時のレジスト特性を嵌２に示す。ただしグリシ
ジルメタクリレートの共重合比は（ＬＯ８とした。
ト（一般式■でｔ＝１）の代夛にジメチルフェニルシリ
ルメチルメタクリレート（ｔ＝１）（実施例２）、ジメ
チルフェニルシリルエチルメタクリレートＣ１＝２）（
実施例３）、トリメチルシリルエテルメタクリレート（
ｔ＝２ ）（実ｍ例４）、ジメチルフェニルシリルエチ
ルメタクリレート（ｔ＝３）（実施例５）、トリメチル
シリルグロビルメタクリレ−）（ｔ＝５）（実施例６）
を用すた時のレジスト特性を嵌２に示す。ただしグリシ
ジルメタクリレートの共重合比は（ＬＯ８とした。
実施例７〜８
実施例１においてトリメチルシリルメチルメタクリレー
トの代りに ＯＨ，’ ■ Ｃａ！＝Ｏ（実施例７ン Ｑ＝Ｑ ００ （ＯＨ，ン、８１（ＯＨ，ン。
トの代りに ＯＨ，’ ■ Ｃａ！＝Ｏ（実施例７ン Ｑ＝Ｑ ００ （ＯＨ，ン、８１（ＯＨ，ン。
？Ｈ３
を用いたときのレジスト特性を表５に示す。念だしグリ
シジルメタクリレートの共重合比はＣｌＯ２とし次。
シジルメタクリレートの共重合比はＣｌＯ２とし次。
実施例９
実施例１においてトリメチルシリルメチルメタクリレー
トの代りに Ｈｓ ａｎ、、＝ｃ ０；Ｏ ００Ｈ，８１（ＯＨ，）□Ｅｌｉ（ＯＨ，）。
トの代りに Ｈｓ ａｎ、、＝ｃ ０；Ｏ ００Ｈ，８１（ＯＨ，）□Ｅｌｉ（ＯＨ，）。
を用いた場合の感度は１． ＯＸ １０″″＠Ｏ／ｌｙ
ｔ？、エツチング速度は１．５ ｎｍ７分であった。な
お、グリシジルメタクリレートの共重合比は（ＬＯ８と
し′！Ｉ−６ 実施例１０ シリコンクエバ上にＡ１−１３５０レジスト（シプレー
社製］を１μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加
熱し不溶化させた。このＡｚレジストの上に実施例１に
示し次パターン形成用材料（共重合比α０８）をα２μ
ｍの厚さに塗布し、５０℃で５０分間Ｎ、気流中プリベ
ークした。プリベーク後、加速電圧２０ｋＶの電子線照
射を行つ九。照射後、表１に示した現像溶媒で現像し、
α２Ａｍ幅のラインを１１４μｍピッチで形成した。
ｔ？、エツチング速度は１．５ ｎｍ７分であった。な
お、グリシジルメタクリレートの共重合比は（ＬＯ８と
し′！Ｉ−６ 実施例１０ シリコンクエバ上にＡ１−１３５０レジスト（シプレー
社製］を１μｍの厚さに塗布し、２００℃で３０分間加
熱し不溶化させた。このＡｚレジストの上に実施例１に
示し次パターン形成用材料（共重合比α０８）をα２μ
ｍの厚さに塗布し、５０℃で５０分間Ｎ、気流中プリベ
ークした。プリベーク後、加速電圧２０ｋＶの電子線照
射を行つ九。照射後、表１に示した現像溶媒で現像し、
α２Ａｍ幅のラインを１１４μｍピッチで形成した。
その後平行平板型ドライエツチング装置で１１１′ｌＡ
ガスをエッチャントガスとしてエツチングを行った。
ガスをエッチャントガスとしてエツチングを行った。
酸素ガス圧１０ミリトル、ＲＦパワーα２Ｗ／ｃｍ”
、電極電圧０．６ｋＶのエツチング条件では実施例１の
パターン形成用材′Ｉ＋（共重合比α０゛８）のエツチ
ング速度は３ｎｍ／分以下であった。また、ＡＩレジス
トのエツチング速度はａ ｏ ｎｍ／分テ＄Ｆ）、 １
４分間のエツチングでパターン形成用材料に覆われない
部分のＡｘレジストは完全に基板上から消失した。エツ
チング後、（Ｌ２μｍのラインパターンがレジスト厚１
６２μｍで形成できた。これは従来の単層のネガ形レジ
ストで解像できない領域である。
、電極電圧０．６ｋＶのエツチング条件では実施例１の
パターン形成用材′Ｉ＋（共重合比α０゛８）のエツチ
ング速度は３ｎｍ／分以下であった。また、ＡＩレジス
トのエツチング速度はａ ｏ ｎｍ／分テ＄Ｆ）、 １
４分間のエツチングでパターン形成用材料に覆われない
部分のＡｘレジストは完全に基板上から消失した。エツ
チング後、（Ｌ２μｍのラインパターンがレジスト厚１
６２μｍで形成できた。これは従来の単層のネガ形レジ
ストで解像できない領域である。
以上説明したよりに、本発明で得られたパターン形成用
材料はエポキシ基を含有するため高エネルギー線により
容品に架橋し溶解性が抑えられるのでネガ形レジストと
して高感度となる。
材料はエポキシ基を含有するため高エネルギー線により
容品に架橋し溶解性が抑えられるのでネガ形レジストと
して高感度となる。
ｆた、シリコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く
したがって２層レジストの上層レジストとして使用でき
る。２層レジストは下層に芳香族含有ポリマーが使用で
きるので基板加工に用いるドライエツチングへの耐性が
高く、また、下層を厚くすることにより、基板上の段差
を平坦化し、上層レジストを薄く均一に塗布でき、高解
儂化できる。このため、本発明に工れば、従来のネガ形
レジストでは達成できなかつ九高感度で高形状比しかも
ＯＦ４などを用いるドライエツチング耐性の高いパター
ンを形成できるという顕著な効果がある。
したがって２層レジストの上層レジストとして使用でき
る。２層レジストは下層に芳香族含有ポリマーが使用で
きるので基板加工に用いるドライエツチングへの耐性が
高く、また、下層を厚くすることにより、基板上の段差
を平坦化し、上層レジストを薄く均一に塗布でき、高解
儂化できる。このため、本発明に工れば、従来のネガ形
レジストでは達成できなかつ九高感度で高形状比しかも
ＯＦ４などを用いるドライエツチング耐性の高いパター
ンを形成できるという顕著な効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （但し、Ｒは水素、アルキル基又は芳香族基、Ｒ＾１、
Ｒ＾２及びＲ＾３は同一又は異なり、アルキル基、シリ
ル基、芳香族基及び置換芳香族基よりなる群から選択し
た１種の基、ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ正の整数を示す）
で表わされることを特徴とするパターン形成材料。 ２、基材上に有機高分子材層を設け、その上にパターン
形成用材料層を設け、高エネルギー線を所望パターン状
に照射し、その部分を現像溶媒に不溶化させ、現像によ
り未照射部の該パターン形成用材料を除去したのち、照
射部分のパターン形成用材料をマスクとして酸素を用い
るドライエッチングで該パターン形成用材料で覆われて
いない部分の該有機高分子材層をエッチング除去するこ
とによりパターンを形成する方法において、該パターン
形成用材料として、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （但し、Ｒは水素、アルキル基又は芳香族基、Ｒ＾１、
Ｒ＾２及びＲ＾３は同一又は異なり、アルキル基、シリ
ル基、芳香族基及び置換芳香族基よりなる群から選択し
た１種の基、ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ正の整数を示す）
で表わされるパターン形成材料を用いることを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136138A JPS61294432A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136138A JPS61294432A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294432A true JPS61294432A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15168195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136138A Pending JPS61294432A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61294432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011788A1 (en) * | 1992-11-16 | 1994-05-26 | Technische Universiteit Delft | Method of producing microstructures |
| KR100269513B1 (ko) * | 1997-10-08 | 2000-10-16 | 윤덕용 | 신규한 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 유도체 및 이들의 고분자중합체를 함유하는 포토레지스트(New acrylate or metacrylate derivatives and photoresist containing its polymer) |
| US7132494B2 (en) * | 2001-11-02 | 2006-11-07 | Bausch & Lomb Incorporated | High refractive index aromatic-based silyl monomers |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60136138A patent/JPS61294432A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011788A1 (en) * | 1992-11-16 | 1994-05-26 | Technische Universiteit Delft | Method of producing microstructures |
| KR100269513B1 (ko) * | 1997-10-08 | 2000-10-16 | 윤덕용 | 신규한 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 유도체 및 이들의 고분자중합체를 함유하는 포토레지스트(New acrylate or metacrylate derivatives and photoresist containing its polymer) |
| US7132494B2 (en) * | 2001-11-02 | 2006-11-07 | Bausch & Lomb Incorporated | High refractive index aromatic-based silyl monomers |
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