JPS61292360A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS61292360A JPS61292360A JP60132917A JP13291785A JPS61292360A JP S61292360 A JPS61292360 A JP S61292360A JP 60132917 A JP60132917 A JP 60132917A JP 13291785 A JP13291785 A JP 13291785A JP S61292360 A JPS61292360 A JP S61292360A
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- JP
- Japan
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- film
- mask
- solid
- pickup device
- image pickup
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- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光シールド膜を非感光部に被覆した固体撮像装
置に関する。
置に関する。
第２図は、Ｐ型シリコン基板ａｅ上に光電変換を行なう
Ｐ −ｎ接合型フォトダイオード（９）とチャネルスト
ッパー（８）とｎ層（７）と、信号電荷を転送するポリ
シリコン電極（５） 、 （６）と絶縁膜のシリコン酸
化膜（４）と、光シールド膜としてＡｔ膜（３）含有す
る従来のＣＯＤ固体撮像装置の画素部断面図（ａ）と上
記Ａｔ膜（３）に受光のために開孔部α２を作る除用い
るマスクの画素部の要部拡大図（ｂ）である。
Ｐ −ｎ接合型フォトダイオード（９）とチャネルスト
ッパー（８）とｎ層（７）と、信号電荷を転送するポリ
シリコン電極（５） 、 （６）と絶縁膜のシリコン酸
化膜（４）と、光シールド膜としてＡｔ膜（３）含有す
る従来のＣＯＤ固体撮像装置の画素部断面図（ａ）と上
記Ａｔ膜（３）に受光のために開孔部α２を作る除用い
るマスクの画素部の要部拡大図（ｂ）である。
まず第２図（ａ）のようにＰ型シリコン基板顛上に、Ｐ
−ｎ接合型フォトダイオード（９）、チャネルストッパ
ー（８）ｎ層（７）、シリコン酸化膜（４）、ポリシリ
コン電極（５） 、 （６）’を形成する。その次に、
上記Ａｔ膜［３） ｔ ＊そのその感光部のための多く
の開孔部（１２の面積と形状を全て同じにしたマスク（
第２図（ｂ））全周いて形成する。なおマスクの開孔部
は、第２図（ｂ）中の２−１．２−２．・・・・・・２
−Ｎ、・・・である。
−ｎ接合型フォトダイオード（９）、チャネルストッパ
ー（８）ｎ層（７）、シリコン酸化膜（４）、ポリシリ
コン電極（５） 、 （６）’を形成する。その次に、
上記Ａｔ膜［３） ｔ ＊そのその感光部のための多く
の開孔部（１２の面積と形状を全て同じにしたマスク（
第２図（ｂ））全周いて形成する。なおマスクの開孔部
は、第２図（ｂ）中の２−１．２−２．・・・・・・２
−Ｎ、・・・である。
この従来技術では、Ａｔ膜（３）の開孔部αおに、開孔
部俣りの面積の各開孔部ａ′ＩＪ間ばらつきの局所的不
均一性現象すなわちストリエーシ田ンが発生し、見易く
良好な出力画像が得られない。これはＡｔ膜をエツチン
グするレジスト膜厚に塗布時に不均一なばらつきが生じ
るからである。
部俣りの面積の各開孔部ａ′ＩＪ間ばらつきの局所的不
均一性現象すなわちストリエーシ田ンが発生し、見易く
良好な出力画像が得られない。これはＡｔ膜をエツチン
グするレジスト膜厚に塗布時に不均一なばらつきが生じ
るからである。
本発明は上述した従来の固体撮像装置の欠点を改良した
もので、光シールド膜の開孔部（１つに発生するストリ
エーションを抑えることのできる固体撮像装置全提供す
ること金目的とする。
もので、光シールド膜の開孔部（１つに発生するストリ
エーションを抑えることのできる固体撮像装置全提供す
ること金目的とする。
本発明は、光シールド膜の受光のための開孔部α２の開
孔面積に変化を与えるマスクを用いて、光シールド膜の
蒸着と、写真蝕刻法と光シールド膜のエツチングによっ
て開孔面積の異なる開孔部（ｔｌＤを有した光シールド
膜を形成する。
孔面積に変化を与えるマスクを用いて、光シールド膜の
蒸着と、写真蝕刻法と光シールド膜のエツチングによっ
て開孔面積の異なる開孔部（ｔｌＤを有した光シールド
膜を形成する。
本発明によって、プロセスの影響が目立たなくなシ光シ
ールド膜の開孔部（１２に発生するストリエーションを
抑制し、良好な出力画ｆ象を得ることができる。
ールド膜の開孔部（１２に発生するストリエーションを
抑制し、良好な出力画ｆ象を得ることができる。
〔発明の実施例〕
ＣＣＤ固体撮像装置の画素部について、垂直方向Ｎ１問
、水平方向Ｍ個の画素で溝成された画素群を１ブロツク
として、Ｌ個のブロックに分割する。
、水平方向Ｍ個の画素で溝成された画素群を１ブロツク
として、Ｌ個のブロックに分割する。
第１図にこの１ブロツクについての光シールド膜（例え
ばＡｔ膜）のマスクを示す、１ブロツク中の各画素に対
応したＡｔ膜の開孔部（２−１，２−２゜・・・・・・
２−ＮＸＭ）の面積は、すべて異なるようにし、しかも
開孔面積の最大値と最小値の差は２％以内に収まるよう
にしたマスクが上記マスクである。
ばＡｔ膜）のマスクを示す、１ブロツク中の各画素に対
応したＡｔ膜の開孔部（２−１，２−２゜・・・・・・
２−ＮＸＭ）の面積は、すべて異なるようにし、しかも
開孔面積の最大値と最小値の差は２％以内に収まるよう
にしたマスクが上記マスクである。
画素部全体のマスクは上記ブロックの垂直方向及び水平
方向への繰返しで形成する。なお第１図は、各開孔部（
２−１，２−２，・２−ＮｘＭ） の面積の違いが分か
るように極端に差をつけて示している。
方向への繰返しで形成する。なお第１図は、各開孔部（
２−１，２−２，・２−ＮｘＭ） の面積の違いが分か
るように極端に差をつけて示している。
Ｐ型シリコン基板（１Ｇ上にＰ −ｎ接合型フォトダイ
オード（９）チャネルストッパー＋８） 、 ｎ ｒ６
け）、ポリシリコン電極（５） 、 （６）と、シリコ
ン酸化膜（４）全形成した後Ａｔ膜（３）の蒸着、レジ
スト塗布と上記マスクを用いたレジストの写真蝕刻法と
このレジストパターンを用いたＡｔ膜（３）のエツチン
グによってＡｔ膜（３）パターンを形成する。
オード（９）チャネルストッパー＋８） 、 ｎ ｒ６
け）、ポリシリコン電極（５） 、 （６）と、シリコ
ン酸化膜（４）全形成した後Ａｔ膜（３）の蒸着、レジ
スト塗布と上記マスクを用いたレジストの写真蝕刻法と
このレジストパターンを用いたＡｔ膜（３）のエツチン
グによってＡｔ膜（３）パターンを形成する。
なお、この実施例はＣＣＤ固体撮像装置に関した代表例
であるが、ＭＯＳ型、ＣＰＤ型、及びＣ８Ｄ型などの固
体撮像装置にも、この発明は応用できる。
であるが、ＭＯＳ型、ＣＰＤ型、及びＣ８Ｄ型などの固
体撮像装置にも、この発明は応用できる。
第１図は本発明の一実施例であるＣＣＤ固体撮像装置の
光シールド膜（Ａｔ膜（３））マスクの画素部要部平面
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来のＣＣＤ固体撮像
装置の夫々画素部要部断面図、光シールド膜（Ａｔ膜（
３））マスクの画素部要部平面図である。 図において、 １・・・Ａｔ膜（３）のマスクの非開孔部２・・・Ａｔ
膜（３）のマスクの開孔部３・・・Ａｔ膜 ４・・・シリコン酸化膜 ５・・・第２ポリシリコン転送電極 ６・・・第１ポリシリコン転送電極 ７・・ｎ層（垂直ＣＯＤ転送チャネル）８・・・チャネ
ルストッパー ９・・Ｐ−ｎ接合型フォトダイオード １０・・・Ｐ型シリコン基板 １１・・・入射光 １２・・・Ａｔ膜（３）の開孔部 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第１図
光シールド膜（Ａｔ膜（３））マスクの画素部要部平面
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来のＣＣＤ固体撮像
装置の夫々画素部要部断面図、光シールド膜（Ａｔ膜（
３））マスクの画素部要部平面図である。 図において、 １・・・Ａｔ膜（３）のマスクの非開孔部２・・・Ａｔ
膜（３）のマスクの開孔部３・・・Ａｔ膜 ４・・・シリコン酸化膜 ５・・・第２ポリシリコン転送電極 ６・・・第１ポリシリコン転送電極 ７・・ｎ層（垂直ＣＯＤ転送チャネル）８・・・チャネ
ルストッパー ９・・Ｐ−ｎ接合型フォトダイオード １０・・・Ｐ型シリコン基板 １１・・・入射光 １２・・・Ａｔ膜（３）の開孔部 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第１図
Claims (1)
- 半導体基板上に、入射光を信号電荷に変換する感光部
と、信号電荷を転送する転送電極と、非感光部に対する
光シールド膜を有する固体撮像装置において、上記光シ
ールド膜の開孔部を開孔面積に規則的変化をもたせて配
列したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132917A JPS61292360A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132917A JPS61292360A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292360A true JPS61292360A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15092535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132917A Pending JPS61292360A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276348A (en) * | 1992-06-09 | 1994-01-04 | Advanced Photonix, Inc. | Dot matrix pattern on photosensitive semi-conductor surface |
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP60132917A patent/JPS61292360A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329149A (en) * | 1990-10-12 | 1994-07-12 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with non-light-transmissive layer having photosensing windows |
| US5276348A (en) * | 1992-06-09 | 1994-01-04 | Advanced Photonix, Inc. | Dot matrix pattern on photosensitive semi-conductor surface |
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