JPS61174765A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61174765A JPS61174765A JP60014306A JP1430685A JPS61174765A JP S61174765 A JPS61174765 A JP S61174765A JP 60014306 A JP60014306 A JP 60014306A JP 1430685 A JP1430685 A JP 1430685A JP S61174765 A JPS61174765 A JP S61174765A
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- Japan
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、信号電荷の転送をＣＣＤシフトレジスターで
行なう。
行なう。
現在、ビデオカメラ用ＣＣＤ固体撮像装置として、１／
２吋光学系、垂直５００画素・水平４００画素（全画素
２０万画素）のものが主流である。第２図は、この従来
ＣＣＤ固体撮像装置の構成図（、）および画素ｍＫｆＩ
ＥｓＩＩ／ｂｋｌｒ％７１！７１１−ｂニー）ｆ＋＋Ｍ
ノｅｋ壮１９１１ｔ−ｉＩ＋−１・〒子−フー光はｐ−
ｎ接合フォトダイオード（二で電荷（電子）（二置換さ
れる。次Ｃ二、この電荷は、第１ポリＳ目ニフイールド
°シフトパルスを印加することＣ：より、垂直ＣＣＤレ
ジスターに転送される。次に、電荷は垂直ＣＣＤレジス
ターおよび水平ＣＣＤレジスター内を転送した後、信号
として読み出される。この時、１セル当たりから読みだ
すことのできる最大信号電荷量は、フォトダイオードの
蓄積可能な最大電荷量および垂直・水平ＣＣＤの転送可
能な最大電荷量によって決定される。そして、これら最
大電荷量は、フォトダイオード部の面積および垂直・水
平ＣＣＤシフトレジスターの面積（二依存する。
２吋光学系、垂直５００画素・水平４００画素（全画素
２０万画素）のものが主流である。第２図は、この従来
ＣＣＤ固体撮像装置の構成図（、）および画素ｍＫｆＩ
ＥｓＩＩ／ｂｋｌｒ％７１！７１１−ｂニー）ｆ＋＋Ｍ
ノｅｋ壮１９１１ｔ−ｉＩ＋−１・〒子−フー光はｐ−
ｎ接合フォトダイオード（二で電荷（電子）（二置換さ
れる。次Ｃ二、この電荷は、第１ポリＳ目ニフイールド
°シフトパルスを印加することＣ：より、垂直ＣＣＤレ
ジスターに転送される。次に、電荷は垂直ＣＣＤレジス
ターおよび水平ＣＣＤレジスター内を転送した後、信号
として読み出される。この時、１セル当たりから読みだ
すことのできる最大信号電荷量は、フォトダイオードの
蓄積可能な最大電荷量および垂直・水平ＣＣＤの転送可
能な最大電荷量によって決定される。そして、これら最
大電荷量は、フォトダイオード部の面積および垂直・水
平ＣＣＤシフトレジスターの面積（二依存する。
さて、現在のビデオカメラ用ＣＣＤ固体撮像装置では、
通常の撮像管と比べて解像度が劣ることから、より高解
像度の固体撮像装置の開発が進められている。高解像度
を実現する方法としては、固体撮像装置の画素数を増加
するのが普通である。
通常の撮像管と比べて解像度が劣ることから、より高解
像度の固体撮像装置の開発が進められている。高解像度
を実現する方法としては、固体撮像装置の画素数を増加
するのが普通である。
しかし、前記と同じ１／２吋光学系ＣＣＤ固体撮像素子
Ｃ：おいて、さらに画素数を増加させるためベニは、フ
ォトダイオードまたはＣＣＤシフトレジスターの占める
面積を縮小せざるを得ない。この場合、先はど述べた理
由から、１セル当たりから読みだすことのできる最大信
号電荷量は減少する。つまり、高解像度を図ることは、
固体撮像装置のダイナミックレンジ減少を引き起こす。
Ｃ：おいて、さらに画素数を増加させるためベニは、フ
ォトダイオードまたはＣＣＤシフトレジスターの占める
面積を縮小せざるを得ない。この場合、先はど述べた理
由から、１セル当たりから読みだすことのできる最大信
号電荷量は減少する。つまり、高解像度を図ることは、
固体撮像装置のダイナミックレンジ減少を引き起こす。
これが著しい場合、撮像上容認できないほどの特性劣化
が予想される。
が予想される。
本発明は上述した従来固体撮像装置の欠点を改良したも
ので、高解像度化（＝よるダイナミックレンジ減少をで
きる抑えることのできるＣＣＤ固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
ので、高解像度化（＝よるダイナミックレンジ減少をで
きる抑えることのできるＣＣＤ固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。
本発明は、ＣＣＤシフトレジスターを、傾斜のついた側
面を有する溝状の構造とすること（二よって。
面を有する溝状の構造とすること（二よって。
実質的（＝転送チャネル幅を増大させるものである。
本発明（＝よって、ＣＣＤシフトレジスターの転送可能
な最大電荷量を増大させ、ＣＣＤ固体撮像素子のダイナ
ミックレンジを増大させることができる。
な最大電荷量を増大させ、ＣＣＤ固体撮像素子のダイナ
ミックレンジを増大させることができる。
第１図は本発明の一実施例で・あるＣＣＤ固体撮像装置
の画素部断面図である。シリコン基板上（二Ｖ字形の断
面を持つ溝を形成し次（：この溝（＝例えばリンを注入
すること（二より埋め込みチャネルを形成し、次（：溝
部に２層のポリｓ＋転送電極を形成することにより、垂
直ＣＣＤシフトレジスターが形成される。これより、従
来のＣＣＤ固体撮像装置と比べて、垂直転送チャネル幅
を実質的に増大することができる。したがって、垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスターの転送可能な最大電荷量が増大し
、従来装置より広いダイナミックレンジを得ることがで
きる。
の画素部断面図である。シリコン基板上（二Ｖ字形の断
面を持つ溝を形成し次（：この溝（＝例えばリンを注入
すること（二より埋め込みチャネルを形成し、次（：溝
部に２層のポリｓ＋転送電極を形成することにより、垂
直ＣＣＤシフトレジスターが形成される。これより、従
来のＣＣＤ固体撮像装置と比べて、垂直転送チャネル幅
を実質的に増大することができる。したがって、垂直Ｃ
ＣＤシフトレジスターの転送可能な最大電荷量が増大し
、従来装置より広いダイナミックレンジを得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例であるＣＣＤ固体撮像装置の
画素部断面図、第２図（−） ｆｂ）は従来のＣＣＤ固
体撮像装置の夫々平面図および画素部断面図である。 図（二おいて、 １・・・シリコン酸化膜 ２・・・第２ポリ８１転送電極 ３−・・第１ポリＳｔ転送電極 ４・・・垂直ＣＣＤ転送チャネル ５・・・シリコン基板 ６・・・ｐ−ｎ接合型フォトダイオード７・・・チャネ
ルストッパー ８・・・水平ＣＣＤシフトレジスター ９・・・増幅器 １０・・・フォトダイオード １１・・・匝直ＣＣＤシフトレジスター１２・・・入射
光 代理人″弁理士 則 近 憲 佑（他１名）第１図
画素部断面図、第２図（−） ｆｂ）は従来のＣＣＤ固
体撮像装置の夫々平面図および画素部断面図である。 図（二おいて、 １・・・シリコン酸化膜 ２・・・第２ポリ８１転送電極 ３−・・第１ポリＳｔ転送電極 ４・・・垂直ＣＣＤ転送チャネル ５・・・シリコン基板 ６・・・ｐ−ｎ接合型フォトダイオード７・・・チャネ
ルストッパー ８・・・水平ＣＣＤシフトレジスター ９・・・増幅器 １０・・・フォトダイオード １１・・・匝直ＣＣＤシフトレジスター１２・・・入射
光 代理人″弁理士 則 近 憲 佑（他１名）第１図
Claims (1)
- 半導体基板上に入射光を信号電荷に変換させるための
感光部と、信号電荷を転送させるためのＣＣＤシフトレ
ジスターとを備えた固体撮像装置において、該ＣＣＤシ
フトレジスターを、傾斜のついた側面を有する溝状の構
造とすることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014306A JPS61174765A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014306A JPS61174765A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174765A true JPS61174765A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11857415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60014306A Pending JPS61174765A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174765A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369264A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Nec Corp | インタライン型固体撮像素子 |
| EP0418500A2 (en) * | 1989-07-25 | 1991-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device for charge transfer |
| US5223726A (en) * | 1989-07-25 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device for charge transfer device |
| US7138287B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-11-21 | Micron Technology, Inc. | Reduced barrier photodiode/gate device structure for high efficiency charge transfer and reduced lag and method of formation |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP60014306A patent/JPS61174765A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369264A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Nec Corp | インタライン型固体撮像素子 |
| EP0418500A2 (en) * | 1989-07-25 | 1991-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device for charge transfer |
| US5223726A (en) * | 1989-07-25 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device for charge transfer device |
| US7138287B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-11-21 | Micron Technology, Inc. | Reduced barrier photodiode/gate device structure for high efficiency charge transfer and reduced lag and method of formation |
| US7187018B2 (en) * | 2003-06-25 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Reduced barrier photodiode/transfer gate device structure of high efficiency charge transfer and reduced lag and method of formation |
| US7563631B2 (en) | 2003-06-25 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Reduced barrier photodiode / gate device structure for high efficiency charge transfer and reduced lag and method of formation |
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