JPS6129188A - レ−ザダイオ−ド容器 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド容器Info
- Publication number
- JPS6129188A JPS6129188A JP14987384A JP14987384A JPS6129188A JP S6129188 A JPS6129188 A JP S6129188A JP 14987384 A JP14987384 A JP 14987384A JP 14987384 A JP14987384 A JP 14987384A JP S6129188 A JPS6129188 A JP S6129188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- stem
- pellet
- mount base
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔差業上の利用分野〕
本発明は、レーザダイオードベレットに搭載する気密容
器に関するもので、特にステムのマウントベース構造に
関するものである。
器に関するもので、特にステムのマウントベース構造に
関するものである。
レーザダイオードベレットは、動作時に局部的発熱を伴
うため該ペレット直下に熱伝導が高く、熱膨張率がレー
ザペレットのそれに近似しているヒートシンク上用いて
放熱をはかるのが通常である。このレーザペレットが装
着されたヒートシンクの端面とステムのマウントベース
端面とを光学顕微鏡等で斜め上方よシ見ながら一致する
よう搭載するのが一般的な、レーザペレット搭載方法で
ある。第１図は、レーザペレット搭載構造を示した図で
ある。
うため該ペレット直下に熱伝導が高く、熱膨張率がレー
ザペレットのそれに近似しているヒートシンク上用いて
放熱をはかるのが通常である。このレーザペレットが装
着されたヒートシンクの端面とステムのマウントベース
端面とを光学顕微鏡等で斜め上方よシ見ながら一致する
よう搭載するのが一般的な、レーザペレット搭載方法で
ある。第１図は、レーザペレット搭載構造を示した図で
ある。
ところでレーザダイオードベレットにおいては、ペレッ
トの発光部全外部光学系に対して、極めて精密に位置合
せする必要かめる。しかし、上記のような従来構造の容
器において、次に示す欠点があった。即ち、第１図にお
いて、レーザペレット１が装着されたヒートシンク２の
端面２′とステム３のマウントベース４の端面４′とを
精舵よく一致させる必要が必る−０しかし、マウントベ
ース端面工、ジが丸みをおびた場合が多く、特にステム
ペ−ス５とマウントベース４が一体化された構造のプレ
ス加工のステムの場合マウントペース端面工、ジの丸み
が著しい。そして、このエツジの丸みのために、光学顕
微鏡等で斜め上方よルながめながらヒートシンク端面と
マウントベース端面とを精度よく確実に位置合わせを行
なうことは殆ど不可能であった。従って、従来は、ステ
ムをプレス加工後マウントベース端面を研摩しエツジの
丸みをとる方法等を用いる場合が多かったがエツジの丸
みが完全には取れず、それほど大きな搭載位置精度の向
上は期待できなかった。また、第２図は正面図でわるが
、レーザベレット１１の横方向の位置合せ目印としてマ
ウントベース端面１４’に刻印１６等があるのが一般的
であるが、レーザベレ、トと刻印との間に若干の隔たシ
がろるため、やはシ搭載位置精度に限界があった。
トの発光部全外部光学系に対して、極めて精密に位置合
せする必要かめる。しかし、上記のような従来構造の容
器において、次に示す欠点があった。即ち、第１図にお
いて、レーザペレット１が装着されたヒートシンク２の
端面２′とステム３のマウントベース４の端面４′とを
精舵よく一致させる必要が必る−０しかし、マウントベ
ース端面工、ジが丸みをおびた場合が多く、特にステム
ペ−ス５とマウントベース４が一体化された構造のプレ
ス加工のステムの場合マウントペース端面工、ジの丸み
が著しい。そして、このエツジの丸みのために、光学顕
微鏡等で斜め上方よルながめながらヒートシンク端面と
マウントベース端面とを精度よく確実に位置合わせを行
なうことは殆ど不可能であった。従って、従来は、ステ
ムをプレス加工後マウントベース端面を研摩しエツジの
丸みをとる方法等を用いる場合が多かったがエツジの丸
みが完全には取れず、それほど大きな搭載位置精度の向
上は期待できなかった。また、第２図は正面図でわるが
、レーザベレット１１の横方向の位置合せ目印としてマ
ウントベース端面１４’に刻印１６等があるのが一般的
であるが、レーザベレ、トと刻印との間に若干の隔たシ
がろるため、やはシ搭載位置精度に限界があった。
本発明の目的は、上記従来の欠点を解決し、精密な位置
合せを容易に行なえるような構造の容器葡提供すること
にある。
合せを容易に行なえるような構造の容器葡提供すること
にある。
〔発明の構成及び作用〕
本発明は、レーザダイオードベンツＨ装着したヒートシ
ンク全搭載するステムのマウントベースのすくなくとも
前端部位が凸部等の突起構造を成し、筐だ上記突起構造
部位にすくなくとも１つの刻印等を有することを特徴と
し、搭載位置を確定するための部位及び目印を設けるこ
とによりレーザベレットのステムへの正確な位置決めを
可能とするものである。
ンク全搭載するステムのマウントベースのすくなくとも
前端部位が凸部等の突起構造を成し、筐だ上記突起構造
部位にすくなくとも１つの刻印等を有することを特徴と
し、搭載位置を確定するための部位及び目印を設けるこ
とによりレーザベレットのステムへの正確な位置決めを
可能とするものである。
図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
第３図は、本発明の実施例の容器のマウントベース構造
及びレーザベレットが装着されたヒートシンクを搭載し
た断面図である。第４図は、上面から見た図である。ス
テムベース２５とマウントベース２４は一体化されてお
シ、プレス加工後ヒートシンク搭載部位２８を研削等に
よシ削シ、マウントペース端面の突起部位２７を形成す
る。このとき、突起部位のヒートシンクが接する側の側
面下部に丸みが出来ないようにｉｔ削する必要がある。
及びレーザベレットが装着されたヒートシンクを搭載し
た断面図である。第４図は、上面から見た図である。ス
テムベース２５とマウントベース２４は一体化されてお
シ、プレス加工後ヒートシンク搭載部位２８を研削等に
よシ削シ、マウントペース端面の突起部位２７を形成す
る。このとき、突起部位のヒートシンクが接する側の側
面下部に丸みが出来ないようにｉｔ削する必要がある。
そして突起部位形成後、突起部上面のステム基準面に対
する中心位置に刻印３６する。ステムベースとマウント
ベースを一体化せずに各々形成後ロー付するような構造
としてもよいことは云うまでもない。また、レーザベレ
ットのレーザ光はベレットの活性層に垂直方向（Ｑｔ
）に３０〜５０’程度の放射ビームとなるため、レーザ
光が突起部位にけられないようにする必要がアシ、突起
部位の寸法はおのずと制限される。例えば、ヒートシン
ク厚を０．３ ｍｍ ＋ Ｑｔを４５°とした場合は矢
起部高さａ及び突起部長すはともに０．１〜０．１５ｉ
ｉ程度が適当である。さて、この構造のマウントベース
において、レーザベレットを装着したヒートシンクを搭
載する場合、突起部位にヒートシンク全押しあてること
によシヒートシンクの搭載位置が容易に確定できまた、
横方向の位置精度も第４図のように目印となる刻印３６
が、レーザベレットの直前に位飽しているため、やはル
搭載位置は容易に確定することができ搭載位置精度の向
上が可能となる。
する中心位置に刻印３６する。ステムベースとマウント
ベースを一体化せずに各々形成後ロー付するような構造
としてもよいことは云うまでもない。また、レーザベレ
ットのレーザ光はベレットの活性層に垂直方向（Ｑｔ
）に３０〜５０’程度の放射ビームとなるため、レーザ
光が突起部位にけられないようにする必要がアシ、突起
部位の寸法はおのずと制限される。例えば、ヒートシン
ク厚を０．３ ｍｍ ＋ Ｑｔを４５°とした場合は矢
起部高さａ及び突起部長すはともに０．１〜０．１５ｉ
ｉ程度が適当である。さて、この構造のマウントベース
において、レーザベレットを装着したヒートシンクを搭
載する場合、突起部位にヒートシンク全押しあてること
によシヒートシンクの搭載位置が容易に確定できまた、
横方向の位置精度も第４図のように目印となる刻印３６
が、レーザベレットの直前に位飽しているため、やはル
搭載位置は容易に確定することができ搭載位置精度の向
上が可能となる。
以上説明したように、本発明による容器構造によれば、
レーザダイオードベレットの搭載位置が容易に確定出来
るため搭載位置精度の向上がｈｌ−能となる。
レーザダイオードベレットの搭載位置が容易に確定出来
るため搭載位置精度の向上がｈｌ−能となる。
第１図は、従来構造のステムにレーザベレットを装着し
たヒートシンクを搭載した断面図でアシ、第２図はその
正面図である。第３図は本発明の一実施例の構造のステ
ムにレーザベレットを装着したヒートシンクを搭載した
断面図でアシ、第４図はその上面図でるる。 １．１１，２１．３１・・・・・・レーザダイオードベ
レット、２，１２，２２．３２・・・・・・ヒートン／
り、２′・・・・・・ヒートシンク端面、３．１３・・
・・・・従来構造のステム、２３．３３・・・・・・本
発明一実施例の構造のステム、４，１４，２４．３４・
・−・・・マウントベース、４′。 １４′・・・・・・マウントベース端面、５．２５・・
・・−・ステムペース％ １６．３６・・・・・・’ｋ
ＪＮ４Ｊ、２７ 、３７・・・・・・突起部位、２８・
・・・・・ヒートシンク搭載部位、ａ・・・・・・突起
部品さ、ｂ・・・・・・突起部長。 烙２ 図
たヒートシンクを搭載した断面図でアシ、第２図はその
正面図である。第３図は本発明の一実施例の構造のステ
ムにレーザベレットを装着したヒートシンクを搭載した
断面図でアシ、第４図はその上面図でるる。 １．１１，２１．３１・・・・・・レーザダイオードベ
レット、２，１２，２２．３２・・・・・・ヒートン／
り、２′・・・・・・ヒートシンク端面、３．１３・・
・・・・従来構造のステム、２３．３３・・・・・・本
発明一実施例の構造のステム、４，１４，２４．３４・
・−・・・マウントベース、４′。 １４′・・・・・・マウントベース端面、５．２５・・
・・−・ステムペース％ １６．３６・・・・・・’ｋ
ＪＮ４Ｊ、２７ 、３７・・・・・・突起部位、２８・
・・・・・ヒートシンク搭載部位、ａ・・・・・・突起
部品さ、ｂ・・・・・・突起部長。 烙２ 図
Claims (2)
- （１）レーザダイオードベレットを装着したヒートシン
クを搭載するステムのマウントベースのすくなくとも前
端部位が、凸部等の突起構造を成していることを特徴と
するレーザダイオード容器。 - （２）前記突起構造部位にすくなくとも１つの刻印等を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザダイオード容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14987384A JPS6129188A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | レ−ザダイオ−ド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14987384A JPS6129188A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | レ−ザダイオ−ド容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129188A true JPS6129188A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15484511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14987384A Pending JPS6129188A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | レ−ザダイオ−ド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129188A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137967U (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-12 | ||
| JPS6424870U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | ||
| US5500869A (en) * | 1993-03-23 | 1996-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device, semiconductor laser device, and production methods therefor |
| US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP14987384A patent/JPS6129188A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137967U (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-12 | ||
| JPS6424870U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | ||
| US5519720A (en) * | 1993-03-04 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| US5500869A (en) * | 1993-03-23 | 1996-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device, semiconductor laser device, and production methods therefor |
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