JPS5897885A - 半導体レ−ザ−装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5897885A JPS5897885A JP56196491A JP19649181A JPS5897885A JP S5897885 A JPS5897885 A JP S5897885A JP 56196491 A JP56196491 A JP 56196491A JP 19649181 A JP19649181 A JP 19649181A JP S5897885 A JPS5897885 A JP S5897885A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- substrate
- silicon
- pellet
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザー載置の改良に関する。
半導体レーザーのペレットからは、前後二方向に光ビー
ムが放射される。このうち一方を主ビームと称し、情報
の伝送・記録・読み出し静穏々の応用に用いられる。他
方は副ビームあるいは参照ビーム等と称し、主ビームと
の比例関係を応用して主ビーム出力のレベルや波形をモ
ニタし、レベル安定化や波形制御のために利用されてい
る。
ムが放射される。このうち一方を主ビームと称し、情報
の伝送・記録・読み出し静穏々の応用に用いられる。他
方は副ビームあるいは参照ビーム等と称し、主ビームと
の比例関係を応用して主ビーム出力のレベルや波形をモ
ニタし、レベル安定化や波形制御のために利用されてい
る。
副ビームからモニタ用の電気信号をｗ！Ｌｎ出すために
、レーザーと同一の容器内に受光素子のペレットを組込
むことが多い、受光素子を副ビームの光軸上のレーザー
に近接した位置に、その受光面をレーザーに向けて配置
し九ときに最も大きなモニタ信号が取シ出せる。しかし
ながら、このような配置では、副ビームの一部が受光面
で反射し、レーザーへ戻って雑音増加や安定度低下の原
因となシ、あるいは主ビームと干渉を起す等の障害があ
る。
、レーザーと同一の容器内に受光素子のペレットを組込
むことが多い、受光素子を副ビームの光軸上のレーザー
に近接した位置に、その受光面をレーザーに向けて配置
し九ときに最も大きなモニタ信号が取シ出せる。しかし
ながら、このような配置では、副ビームの一部が受光面
で反射し、レーザーへ戻って雑音増加や安定度低下の原
因となシ、あるいは主ビームと干渉を起す等の障害があ
る。
これらの障害を避ける九めに受光面を傾ける方法がある
が、容器の形状が複雑になったシ、受光素子のマウント
やリードボンディングを傾斜面へ行うため作業性が悪く
なる。したがって、受光素子を光軸から離れた位置へマ
ウントする方法が多用されるが、その１１では受光量が
低下するのでレーザーベレットを載せるヒートシンクの
表面に副ビームを受ｊｔ素子の方向へ反射するための斜
面を設ける方法が効果的である。従来の形状は第１図に
示すように、ヒートシンク１の前半部が平面部２．後中
部が斜面部３をなすよう機械加工等々によシ形成され、
平面部の端にペレット４が載置され、主ビーム５が障害
なくｔｏｔｏ出され、副ビーム６が斜面部３によって斜
上方に反射されるようにしたものであ〉、加工に手間が
かかシ量産性に乏しかった。
が、容器の形状が複雑になったシ、受光素子のマウント
やリードボンディングを傾斜面へ行うため作業性が悪く
なる。したがって、受光素子を光軸から離れた位置へマ
ウントする方法が多用されるが、その１１では受光量が
低下するのでレーザーベレットを載せるヒートシンクの
表面に副ビームを受ｊｔ素子の方向へ反射するための斜
面を設ける方法が効果的である。従来の形状は第１図に
示すように、ヒートシンク１の前半部が平面部２．後中
部が斜面部３をなすよう機械加工等々によシ形成され、
平面部の端にペレット４が載置され、主ビーム５が障害
なくｔｏｔｏ出され、副ビーム６が斜面部３によって斜
上方に反射されるようにしたものであ〉、加工に手間が
かかシ量産性に乏しかった。
本発明の目的は、上述の効果を有するヒートシンクの形
成を容易にし、量産性に優れた構造と製法を提供するこ
とにある。
成を容易にし、量産性に優れた構造と製法を提供するこ
とにある。
本発明においては、上記斜面部は、選択的に形成された
台形状突起で置きかえられる。また上記台形状の突起は
１枚のシリコン基板の狭面に、通常の写真食刻等の方法
によシ多数同時に形成したの塾、・個々の突起の周囲で
切断してシリコンヒートシンクを形成する。さらに上記
台形の側面の傾斜を所望の角度とするために、異方性エ
ツチングを応用してシリコン琳結晶の特定の結晶面の角
度に一致させる方法を用いる。異放性エツチングの詳細
は１９６９年１０月発行の米国雑誌［ジャーナル オブ
アプライド フィジックス （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ）Ｊ 第４０巻第１１号第４５６９〜４
５７５頁所載の論文を参照されたい。
台形状突起で置きかえられる。また上記台形状の突起は
１枚のシリコン基板の狭面に、通常の写真食刻等の方法
によシ多数同時に形成したの塾、・個々の突起の周囲で
切断してシリコンヒートシンクを形成する。さらに上記
台形の側面の傾斜を所望の角度とするために、異方性エ
ツチングを応用してシリコン琳結晶の特定の結晶面の角
度に一致させる方法を用いる。異放性エツチングの詳細
は１９６９年１０月発行の米国雑誌［ジャーナル オブ
アプライド フィジックス （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ）Ｊ 第４０巻第１１号第４５６９〜４
５７５頁所載の論文を参照されたい。
以下、図面を参照して詳述する。第２図は本発明の一実
施例を示す平面図、第３図はそ０Ａ−Ａ’断面図であり
、同一部分は同一記号で示しである。
施例を示す平面図、第３図はそ０Ａ−Ａ’断面図であり
、同一部分は同一記号で示しである。
１ｓ１１角で２００〜３００μ厚さのシリコンヒートシ
ンク１１０上面のほぼ中央に突起部１２が設けられ、そ
の周囲の平面部１３との境界は斜面１４を形成する。上
下両面には蒸着、メッキ等の方法でマウント用金属層が
被着され、レーザーベレット１５がヒートシンク上面の
平面部にマウントされている。主ビーム１６側はレーザ
ーベレットの端面とヒートシンクの端面を一致させ、主
ビームのクランを防ぐ。副ビーム１７は斜面１４に当っ
て斜上方に反射される。レーザーベレットを載せたヒー
トン／りは、モニタ用受光素子を組み込んだ容器に、ハ
ンダ付等の方法でマウントされ、リードボンディングが
施され、更に透明窓を有すｂｄｒｒツブで密封されて夾
用に供される。上述のヒートシンク形状は１次に述べる
方法によって容易に量産できる。
ンク１１０上面のほぼ中央に突起部１２が設けられ、そ
の周囲の平面部１３との境界は斜面１４を形成する。上
下両面には蒸着、メッキ等の方法でマウント用金属層が
被着され、レーザーベレット１５がヒートシンク上面の
平面部にマウントされている。主ビーム１６側はレーザ
ーベレットの端面とヒートシンクの端面を一致させ、主
ビームのクランを防ぐ。副ビーム１７は斜面１４に当っ
て斜上方に反射される。レーザーベレットを載せたヒー
トン／りは、モニタ用受光素子を組み込んだ容器に、ハ
ンダ付等の方法でマウントされ、リードボンディングが
施され、更に透明窓を有すｂｄｒｒツブで密封されて夾
用に供される。上述のヒートシンク形状は１次に述べる
方法によって容易に量産できる。
琳結晶シリコン基板を熱酸化し、写真食刻法によって上
面の酸化膜を、突起部のみ残して平面部を除去する０次
いで、ヒドツジン＋アルコール士水の異方性エツチング
液を用いて突起の高さが５０〜１００μになるまでメサ
エッチを行う、この場合面方位は（１００）とし突起部
の形状を矩形とし１辺の方向を（１１０）面に沿う方向
に目合せすれば、斜面は（１１１）面に沿って形成され
、斜面の傾きは５４．７度となる。また（１１０）基板
を用いて（１００） 面に辺を合わせれば、傾斜は３
５．３度となる。但し後者の場合、（１１０） 面に沿
う辺はほぼ９０＠の面を形成する。その他基板の面方位
を適切に選べば、所望の傾斜角度を得ることができる。
面の酸化膜を、突起部のみ残して平面部を除去する０次
いで、ヒドツジン＋アルコール士水の異方性エツチング
液を用いて突起の高さが５０〜１００μになるまでメサ
エッチを行う、この場合面方位は（１００）とし突起部
の形状を矩形とし１辺の方向を（１１０）面に沿う方向
に目合せすれば、斜面は（１１１）面に沿って形成され
、斜面の傾きは５４．７度となる。また（１１０）基板
を用いて（１００） 面に辺を合わせれば、傾斜は３
５．３度となる。但し後者の場合、（１１０） 面に沿
う辺はほぼ９０＠の面を形成する。その他基板の面方位
を適切に選べば、所望の傾斜角度を得ることができる。
仁うして、第４図に示すように、シリコン基板１８の表
面に多数の突起部１９が形成される。これを切断線２０
に沿ってダイシングやスフライピンクの方法により切断
すれば所望のヒートシンク形状を大量に得られる。第５
図株第４図のシリコン基板を糊面から見た様子を参考に
示し喪ものである。マウント用金属層は切断後で龜よい
が、第４図の基板状態で被着してから切断する方が、一
時に多数個を処理するのに有利である。エツチング液社
異方性を有するものであれば、そＯ性質に応じて使い易
いものを選べばよく、上述の組成に限定する必要はない
。
面に多数の突起部１９が形成される。これを切断線２０
に沿ってダイシングやスフライピンクの方法により切断
すれば所望のヒートシンク形状を大量に得られる。第５
図株第４図のシリコン基板を糊面から見た様子を参考に
示し喪ものである。マウント用金属層は切断後で龜よい
が、第４図の基板状態で被着してから切断する方が、一
時に多数個を処理するのに有利である。エツチング液社
異方性を有するものであれば、そＯ性質に応じて使い易
いものを選べばよく、上述の組成に限定する必要はない
。
第１図は従来の構造の一同を示す断面図である。
＠２図および第３図は、本発明の構造の一例を示す平面
図および断面図である。第４図および第５図は、本発明
の製造工程において、一枚の基板上に多数の突起部を形
成した状態を示す平面図および糊面図である。 １．１１・・・・・・シリコンヒートシンク、２．１３
・・・・・・平面部、３．１４・旧・・斜面部％ １２
．１９・・・・・・突起部、４，１５・・・・・・レー
ザーベレット、５゜１６・・・・・・主ビーム％ ６，
１７・・・・・・副ビーム、１８・・・・・・琳結晶シ
リコン基板、２０・・・・・・切断線。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｉｊ ／４． ／／
図および断面図である。第４図および第５図は、本発明
の製造工程において、一枚の基板上に多数の突起部を形
成した状態を示す平面図および糊面図である。 １．１１・・・・・・シリコンヒートシンク、２．１３
・・・・・・平面部、３．１４・旧・・斜面部％ １２
．１９・・・・・・突起部、４，１５・・・・・・レー
ザーベレット、５゜１６・・・・・・主ビーム％ ６，
１７・・・・・・副ビーム、１８・・・・・・琳結晶シ
リコン基板、２０・・・・・・切断線。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｉｊ ／４． ／／
Claims (2)
- （１）半導体レーザーペレットを載置したシリコンヒー
トシンクを含む装置において、前記シリコンヒートシン
クは前記レーザーペレットを載置する側の我面に選択的
に形成された台形状の突起を有し、前記レーザーペレッ
トの二方向の光出力ビームのうちの一方が、前記台形の
側面を照射するよう配置されていることを特徴とする半
導体レーザー装置。 - （２）本結晶シリコン基板の一生面に異方性エツチング
によって多数の台形状の突起を形成する工程と、該基板
を個々の突起の周囲で切断してシリコンヒートシンクを
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザー
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196491A JPS5897885A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体レ−ザ−装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196491A JPS5897885A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体レ−ザ−装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897885A true JPS5897885A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16358654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196491A Pending JPS5897885A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体レ−ザ−装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56196491A patent/JPS5897885A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
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