JPS61290708A - 半導体ウエハ− - Google Patents
半導体ウエハ−Info
- Publication number
- JPS61290708A JPS61290708A JP13350285A JP13350285A JPS61290708A JP S61290708 A JPS61290708 A JP S61290708A JP 13350285 A JP13350285 A JP 13350285A JP 13350285 A JP13350285 A JP 13350285A JP S61290708 A JPS61290708 A JP S61290708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- line
- orientation
- laser
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
オリエンテーションフラット面を円形ウェハーに形成す
る代わりに、ウェハー面にレーザ刻印して結晶面方位が
判かるようにする。
る代わりに、ウェハー面にレーザ刻印して結晶面方位が
判かるようにする。
［産業上の利用分野］
本発明はＩＣなどの半導体装置を製造する際に使用され
る、半導体ウェハーに関する。
る、半導体ウェハーに関する。
半導体装置を製造する場合に、その基体となるのが半導
体ウェハーで、その半導体ウェハーをウェハープロセス
によって処理して、半導体チップに仕上げられる。゛ このウェハープロセスでは、パターン形成などの処理の
ため、円形状のウェハーを絶えず一定方向に揃えなけれ
ばならない。その目的のため、オリエンテーションフラ
ット（ＯＦ ； ０ｒｉｅｎｔａｔｉｏｎＦｌａｔ）面
が利用されているが、そのＯＦ面が逆にウェハープロセ
スに支障を与えるならば、これを改善する必要がある。
体ウェハーで、その半導体ウェハーをウェハープロセス
によって処理して、半導体チップに仕上げられる。゛ このウェハープロセスでは、パターン形成などの処理の
ため、円形状のウェハーを絶えず一定方向に揃えなけれ
ばならない。その目的のため、オリエンテーションフラ
ット（ＯＦ ； ０ｒｉｅｎｔａｔｉｏｎＦｌａｔ）面
が利用されているが、そのＯＦ面が逆にウェハープロセ
スに支障を与えるならば、これを改善する必要がある。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］通常、
半導体ウェハー（以下、ウェハーと略称する）は円筒状
の単結晶インゴットが製作され、それをスライスして円
形のウェハーに作成されている。その場合、一定の結晶
面方向に揃えて、ウェハープロセスをおこなう必要があ
り、そうしなければ、不純物拡散が不規則になったり、
また、チップに破断した隙、へき開面が一定にならない
と云う不都合が起こる。
半導体ウェハー（以下、ウェハーと略称する）は円筒状
の単結晶インゴットが製作され、それをスライスして円
形のウェハーに作成されている。その場合、一定の結晶
面方向に揃えて、ウェハープロセスをおこなう必要があ
り、そうしなければ、不純物拡散が不規則になったり、
また、チップに破断した隙、へき開面が一定にならない
と云う不都合が起こる。
従って、従来、単結晶インゴットを製作し、それをスラ
イスする前に、外周の一定結晶面を研磨して、フラット
なオリエンテーションフラット面を作り、その後でウェ
ハーにスライスして、ウェハーの結晶面方位が判°かる
ような形状にしている。
イスする前に、外周の一定結晶面を研磨して、フラット
なオリエンテーションフラット面を作り、その後でウェ
ハーにスライスして、ウェハーの結晶面方位が判°かる
ような形状にしている。
第３図はウェハー１の平面図を示しており、２がオリエ
ンテーションフラット（ＯＦ）面で、例えば、単結晶イ
ンゴットの結晶軸を＜１１１＞とすると、ＯＦ面を（２
１１）または（１１０）とせしめている。
ンテーションフラット（ＯＦ）面で、例えば、単結晶イ
ンゴットの結晶軸を＜１１１＞とすると、ＯＦ面を（２
１１）または（１１０）とせしめている。
このＯＦ面をウェハープロセスの各工程で、基準線とし
て利用しており、例えば、フォト工程で露光装置のステ
ージ上に載置する時、このＯＦ面をステージの基線に合
わせ、次いで正確な微調整を行なっている。
て利用しており、例えば、フォト工程で露光装置のステ
ージ上に載置する時、このＯＦ面をステージの基線に合
わせ、次いで正確な微調整を行なっている。
一方、ＩＣの発展に伴って、ウェハープロセスの工程も
自動化され、各工程間を自動的に搬送するようになって
いるが、現在の処理法はバッチ式処理が多く、数１０枚
のウェハーを一括処理する方式である。しかし、最近、
ウェハーは大口径化され、８インチウェハーのような大
型ウェハーが使用されるようになってきた。そうすると
、バッチ式処理が困難になり、１枚ずつ処理する枚葉式
の自動化処理が注目されてきた。
自動化され、各工程間を自動的に搬送するようになって
いるが、現在の処理法はバッチ式処理が多く、数１０枚
のウェハーを一括処理する方式である。しかし、最近、
ウェハーは大口径化され、８インチウェハーのような大
型ウェハーが使用されるようになってきた。そうすると
、バッチ式処理が困難になり、１枚ずつ処理する枚葉式
の自動化処理が注目されてきた。
その場合、ウェハーは各工程間を１枚ずつ搬送するよう
になって、１枚のウェハーを真空チャックで吸着したり
、また、爪で掴んだりすることが多くなる。そうすれば
、例えば、爪で掴む際に、第４図（ａｌに示すように、
爪３がＯＦ面２を掴んで十分に掴みきれず、掴み損なう
ことが起こる。また、真空チャックで吸着する際には、
第４図（′ｂ）に示すように、吸着口４の一部がＯＦ面
２に合致して吸着されず、搬送されないことが起こる。
になって、１枚のウェハーを真空チャックで吸着したり
、また、爪で掴んだりすることが多くなる。そうすれば
、例えば、爪で掴む際に、第４図（ａｌに示すように、
爪３がＯＦ面２を掴んで十分に掴みきれず、掴み損なう
ことが起こる。また、真空チャックで吸着する際には、
第４図（′ｂ）に示すように、吸着口４の一部がＯＦ面
２に合致して吸着されず、搬送されないことが起こる。
ウェハーが搬送されないと、処理装置は自動的に停止し
て、処理のトラブル発生となるわけである。現在のバッ
チ式処理法においても、処理装置の中で１枚ずつ搬送さ
れる装置があり、その場合には、作業者が手で揃えて、
ＯＦ面が爪や吸着口に合致しないように図っている。し
かし、今後、枚葉式自動化処理となり、処理装置間を１
枚ずつ搬送されるようになると、手で揃えることはでき
ずに、掴み損ないによるトラブル発生が多発する恐れが
ある。
て、処理のトラブル発生となるわけである。現在のバッ
チ式処理法においても、処理装置の中で１枚ずつ搬送さ
れる装置があり、その場合には、作業者が手で揃えて、
ＯＦ面が爪や吸着口に合致しないように図っている。し
かし、今後、枚葉式自動化処理となり、処理装置間を１
枚ずつ搬送されるようになると、手で揃えることはでき
ずに、掴み損ないによるトラブル発生が多発する恐れが
ある。
本発明は、このような問題点を解消させるウェハーの形
状を提案するものである。
状を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その問題は、円形ウェハーの結晶面方位を示す記号が、
該円形ウェハー面にレーザ刻印されている円形ウェハー
によって解決される。
該円形ウェハー面にレーザ刻印されている円形ウェハー
によって解決される。
［作用コ
即ち、本発明では切り欠いたＯＦ面を設けずに、レーザ
刻印で面方位を記入し、ウェハーは円形のままにしてお
く。
刻印で面方位を記入し、ウェハーは円形のままにしてお
く。
そうすると、掴み損ないによるトラブル発生は皆無にな
る。
る。
し実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるレーザ刻印で面方位を記入した
ウェハーの平面図を示しており、１０がレーザ刻印ライ
ンである。即ち、ＯＦ面の代わりに、同一位置にレーザ
で食刻した点線を作成する。それには、例えば、ＹＡＧ
レーザを用いて、１０ワット程度のパワーで食刻してお
く。刻印ラインの幅は広く、深さも十分に深くして、ウ
ェハープロセスで、表面加工されても消失しない形状に
する。
ウェハーの平面図を示しており、１０がレーザ刻印ライ
ンである。即ち、ＯＦ面の代わりに、同一位置にレーザ
で食刻した点線を作成する。それには、例えば、ＹＡＧ
レーザを用いて、１０ワット程度のパワーで食刻してお
く。刻印ラインの幅は広く、深さも十分に深くして、ウ
ェハープロセスで、表面加工されても消失しない形状に
する。
例えば、幅１０μｍ、深さ５μｍの凹部に形成する。
そうすれば、ウェハーの円形はそのまま維持され、自動
化処理のハンドリング時の掴み損ないによるトラブルは
解消される。
化処理のハンドリング時の掴み損ないによるトラブルは
解消される。
そして、例えば、フォト工程で露光装置のステージ上で
面方位をステージの基線に合わせる場合は、ウェハー表
面に電気信号を送って、その波形変化からレーザ刻印ラ
インの位置・方向を読み取り、それによって、ステージ
の基線と合わせる。
面方位をステージの基線に合わせる場合は、ウェハー表
面に電気信号を送って、その波形変化からレーザ刻印ラ
インの位置・方向を読み取り、それによって、ステージ
の基線と合わせる。
従って、ＯＦ面がなくても、ウェハープロセスにおける
位置合わせには支障がない。
位置合わせには支障がない。
このようなレーザ刻印ラインの他の形状例を、第２図（
ａ）、 （ｂ）に示している。同図（ａ）のレーザ刻印
ライン１１はＴ字形、同図（ｂｌのレーザ刻印ライン１
２は垂直線形であるが、検出の難易度を考慮して、その
方向と形状を決めるのが好ましい。
ａ）、 （ｂ）に示している。同図（ａ）のレーザ刻印
ライン１１はＴ字形、同図（ｂｌのレーザ刻印ライン１
２は垂直線形であるが、検出の難易度を考慮して、その
方向と形状を決めるのが好ましい。
［発明の効果コ
以上の説明から判るように、本発明にかかるウェハーを
用いれば、ウェハープロセスの自動処理におけるスルー
プットが向上する大きな効果のあるものである。
用いれば、ウェハープロセスの自動処理におけるスルー
プットが向上する大きな効果のあるものである。
第１図および第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかる
ウェハーの平面図、 第３図は従来のウェハーの平面図、 第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来のウェハーの問題点を示
す図である。 図において、 ■はウェハー、 ２はＯＦ面、 １０、１１．１２はレーザ刻印ライン を示している。 ７Ｆ−発蛸噂つエバー 第１図 序発明４値τ例っワエハー 第２図
ウェハーの平面図、 第３図は従来のウェハーの平面図、 第４図（ａｌ、 （ｂｌは従来のウェハーの問題点を示
す図である。 図において、 ■はウェハー、 ２はＯＦ面、 １０、１１．１２はレーザ刻印ライン を示している。 ７Ｆ−発蛸噂つエバー 第１図 序発明４値τ例っワエハー 第２図
Claims (1)
- 円形ウェハーの結晶面方位を示す記号が、該円形ウェハ
ー面にレーザ刻印されていることを特徴とする半導体ウ
ェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13350285A JPS61290708A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体ウエハ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13350285A JPS61290708A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体ウエハ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61290708A true JPS61290708A (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=15106266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13350285A Pending JPS61290708A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体ウエハ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61290708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
| EP1842942A2 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN crystal substrate |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP13350285A patent/JPS61290708A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
| EP1842942A2 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN crystal substrate |
| EP1842942A3 (en) * | 2006-04-03 | 2009-06-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN crystal substrate |
| US7825409B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN crystal substrate |
| EP2366816A3 (en) * | 2006-04-03 | 2011-10-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN Crystal Substrate with Distinguishable Front and Rear Surfaces |
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