JPS61289617A - 薄膜単結晶の製造装置 - Google Patents
薄膜単結晶の製造装置Info
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- JPS61289617A JPS61289617A JP60130764A JP13076485A JPS61289617A JP S61289617 A JPS61289617 A JP S61289617A JP 60130764 A JP60130764 A JP 60130764A JP 13076485 A JP13076485 A JP 13076485A JP S61289617 A JPS61289617 A JP S61289617A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｆｉｌＩ膜単結晶の製造装置に関する０本発
明は、半導体に係る産業分野において薄膜単結晶を製造
する場合に利用され、例えば ５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）の製造に用いること
ができる。
明は、半導体に係る産業分野において薄膜単結晶を製造
する場合に利用され、例えば ５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）の製造に用いること
ができる。
本発明は、半導体層にエネルギービームを照射して該半
導体層を溶融した後再結晶化させる１Ｍ＃単結晶の製造
装置において、半導体層から放射される放射光を撮像手
段で検出することにより、該半導体層の状態を検知し、
これに基づき照射条件などをコントロールする等のこと
で良好な再結晶化薄膜単結晶を得ようとするものである
。
導体層を溶融した後再結晶化させる１Ｍ＃単結晶の製造
装置において、半導体層から放射される放射光を撮像手
段で検出することにより、該半導体層の状態を検知し、
これに基づき照射条件などをコントロールする等のこと
で良好な再結晶化薄膜単結晶を得ようとするものである
。
従来より、半導体層にエネルギービームを照射して該半
導体層を溶融した後再結晶化さセることによって、薄膜
単結晶を得ることが行われている。
導体層を溶融した後再結晶化さセることによって、薄膜
単結晶を得ることが行われている。
例えば、絶縁体上の多結晶シリコンを再結晶化させるこ
とによって、単結晶シリコンが製造されている。これは
Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｙ＋ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）技術と称される。
とによって、単結晶シリコンが製造されている。これは
Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｙ＋ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）技術と称される。
かかる５ＯＩｉ［とじて、第６図に略示する如（、絶縁
体ａ（例えば石英）上に形成された薄膜多結晶シリコン
ｂに、レーザ光源、ヒータ、電子加速機などのエネルギ
ー源Ｃからレーザ光、赤外線、電子線などのエネルギー
ビームｄを照射して多結晶シリコンｂを溶融し、溶融後
再結晶させて薄膜単結晶シリコンｅを得る方法がある
ｃ ｌで走査方向を示す、この場合、溶融状態を、直接
検知できれば、それに基づき照射条件をコントロールし
ながら、良好な単結晶シリコン６を得ることができる。
体ａ（例えば石英）上に形成された薄膜多結晶シリコン
ｂに、レーザ光源、ヒータ、電子加速機などのエネルギ
ー源Ｃからレーザ光、赤外線、電子線などのエネルギー
ビームｄを照射して多結晶シリコンｂを溶融し、溶融後
再結晶させて薄膜単結晶シリコンｅを得る方法がある
ｃ ｌで走査方向を示す、この場合、溶融状態を、直接
検知できれば、それに基づき照射条件をコントロールし
ながら、良好な単結晶シリコン６を得ることができる。
しかしこのようなことは行われていない。
一般に、溶融用のビームの照射に先立ち、プレヒートの
ため、加熱板や赤外ヒータを用いる場合があるが、この
ように試料をプレヒートする場合には、第７図に略示す
るようにカメラｆなどで試料ｇの溶融部を観察しようと
しても、プレヒートするための加熱部り等が障害となり
がちで、溶融状態を顕微鏡とテレビカメラ等との組み合
わせなどによって直接観察することはできないので、上
記の如き観察しながら照射条件をコントロールすること
は行われていないものと考えられる。
ため、加熱板や赤外ヒータを用いる場合があるが、この
ように試料をプレヒートする場合には、第７図に略示す
るようにカメラｆなどで試料ｇの溶融部を観察しようと
しても、プレヒートするための加熱部り等が障害となり
がちで、溶融状態を顕微鏡とテレビカメラ等との組み合
わせなどによって直接観察することはできないので、上
記の如き観察しながら照射条件をコントロールすること
は行われていないものと考えられる。
ＳＯＩ技術には、第８図のグラフ八に示すようにエネル
ギー分布が２つの極大をもつ（以下このことを「双峰性
」と称する）ビームを多結晶シリコンに照射して、試料
Ｂ上における溶融したシリコンの固液界面が第８図のＣ
の如くなるようにし、これにより溶融したシリコンが走
査幅Ｗの中心部から両端部に向かって冷却開化して、そ
の結果中心部に良好な単結晶シリコンが得られるという
技術がある（第８図中りはビームの走査方向であり、Ｅ
は双峰性ビームのエネルギー分布を示す図である）、こ
のように双峰性ビームを用いる技術にあっては、上述し
た溶融状態の直接検知に基づく照射条件のコントロール
が特に望まれる。
ギー分布が２つの極大をもつ（以下このことを「双峰性
」と称する）ビームを多結晶シリコンに照射して、試料
Ｂ上における溶融したシリコンの固液界面が第８図のＣ
の如くなるようにし、これにより溶融したシリコンが走
査幅Ｗの中心部から両端部に向かって冷却開化して、そ
の結果中心部に良好な単結晶シリコンが得られるという
技術がある（第８図中りはビームの走査方向であり、Ｅ
は双峰性ビームのエネルギー分布を示す図である）、こ
のように双峰性ビームを用いる技術にあっては、上述し
た溶融状態の直接検知に基づく照射条件のコントロール
が特に望まれる。
上記のように半導体層にエネルギービームを照射して該
半導体層を溶融した後再結晶化させる薄膜単結晶の製造
装置においては、従来は溶融状態を検知し、これに基づ
いてコントロールするということは行われていなかった
。
半導体層を溶融した後再結晶化させる薄膜単結晶の製造
装置においては、従来は溶融状態を検知し、これに基づ
いてコントロールするということは行われていなかった
。
本発明は、このことを可能とし、溶融状態の検知に基づ
き、照射条件をコントロールすること等により、良好な
薄膜単結晶を得ることができる製造ｖｉＩを捷供するこ
とを目的とする。
き、照射条件をコントロールすること等により、良好な
薄膜単結晶を得ることができる製造ｖｉＩを捷供するこ
とを目的とする。
本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体層にエネ
ルギービームを照射する手段と、該半導体層から放射さ
れる放射光を撮像する手段とを備える構成とする。
ルギービームを照射する手段と、該半導体層から放射さ
れる放射光を撮像する手段とを備える構成とする。
本発明は、エネルギービームが照射されて半導体層が溶
融した場合に放射光が放射されることを利用したもので
、この放射光を撮像することにより溶融状態を検知する
ように構成する。
融した場合に放射光が放射されることを利用したもので
、この放射光を撮像することにより溶融状態を検知する
ように構成する。
上記構成の結果、エネルギービームを用いて再結晶化を
行う際に、溶融状態を直接検知することが可能となった
。またこれに基づき照射条件等をコントロールでき、こ
のようにすると良好な再結晶化薄膜単結晶が得られる。
行う際に、溶融状態を直接検知することが可能となった
。またこれに基づき照射条件等をコントロールでき、こ
のようにすると良好な再結晶化薄膜単結晶が得られる。
本発明の実施に当たっては、例えば上記撮像手段により
得た溶融状態の情報をフィードバックして、エネルギー
ビームの照射条件その他をコントロールするように構成
できる。
得た溶融状態の情報をフィードバックして、エネルギー
ビームの照射条件その他をコントロールするように構成
できる。
また、プレヒートにも溶融用に用いるのと同種のエネル
ギービームを使用する態様をとれば、余分な加熱をさせ
ることなく、また撮像の邪魔をすることなく、有効なプ
レヒートを行うようにすることができる。この場合、溶
融用・プレヒート用それぞれのエネルギービーム源を用
いてもよく、また１つのエネルギービームを適宜の光学
手段例えば焦点距離の異なる２つのレンズの組み合わせ
により溶融用の高エネルギービームとそれより低エネル
ギーのプレヒート用のビームとの２本のビームにして用
いることができる。
ギービームを使用する態様をとれば、余分な加熱をさせ
ることなく、また撮像の邪魔をすることなく、有効なプ
レヒートを行うようにすることができる。この場合、溶
融用・プレヒート用それぞれのエネルギービーム源を用
いてもよく、また１つのエネルギービームを適宜の光学
手段例えば焦点距離の異なる２つのレンズの組み合わせ
により溶融用の高エネルギービームとそれより低エネル
ギーのプレヒート用のビームとの２本のビームにして用
いることができる。
以下本発明の一実施例について説明する。この実施例は
、本発明を、多結晶シリコンで成る半導体層を薄膜単結
晶シリコンとするＳｏｌ技術に適用した例である。
、本発明を、多結晶シリコンで成る半導体層を薄膜単結
晶シリコンとするＳｏｌ技術に適用した例である。
第１図は、本実施例の主要な部分を略示する構成図であ
る。第１図中、符号１は試料であり、この試料の半導体
層にエネルギービームを照射して、所望の再結晶化薄膜
単結晶を得る６本実施例では、試料ｌはＸ−Ｙ可動ステ
ージに載置される。
る。第１図中、符号１は試料であり、この試料の半導体
層にエネルギービームを照射して、所望の再結晶化薄膜
単結晶を得る６本実施例では、試料ｌはＸ−Ｙ可動ステ
ージに載置される。
本実施例では、エネルギービームとしてレザービームを
採用した。かつ２本のレザービームを用い、溶融用のメ
ルトビーム２１と予熱用のプレヒートビーム２２とした
。プレヒートと溶融用のビームとを同種のものとしたの
は、プレヒートの際余分な加熱をしなくてすむようにす
るためと、撮像を阻害しないためである。
採用した。かつ２本のレザービームを用い、溶融用のメ
ルトビーム２１と予熱用のプレヒートビーム２２とした
。プレヒートと溶融用のビームとを同種のものとしたの
は、プレヒートの際余分な加熱をしなくてすむようにす
るためと、撮像を阻害しないためである。
本実施例における損傷手段３は、テレビカメラである。
ここでは顕微鏡４と組み合わせて試料１における半導体
層からの放射光を検出して、その溶融状態を知るように
構成した０図中３１はカメラと同期するシャッター、３
２はＡｒレザー光フィルターである。また撮像手段で得
た情報はモニターテレビ５により観察できるようにしで
ある。
層からの放射光を検出して、その溶融状態を知るように
構成した０図中３１はカメラと同期するシャッター、３
２はＡｒレザー光フィルターである。また撮像手段で得
た情報はモニターテレビ５により観察できるようにしで
ある。
更に詳しくは、本実施例の薄膜単結晶の製造装置は、次
のような構成とする。
のような構成とする。
本例においては、２台のレザー発生源（例えばＡｒレザ
ー装置）を用意するか、１台のレザー発生源により出た
レザービームをハーフミラ−などの手段を用いて２本の
レザービームとするかにより、２つのビーム２１．２２
を角度を変えてレンズ６に入れて試料ｌ上に照射する（
第１図参照）、この時予熱用として使用するプレヒート
ビーム２２は試料面で焦点を結ばないように、あらかじ
めレンズ等を使って拡散ビームにしておく、このように
すると、試料面上でのビーム形状は第２図（ａｌに示し
たようなものになり、ビームサイズの大きいプレヒート
ビーム２２はエネルギー面密度（Ｗ／ａｍ”）が小さい
ため、試料ｌの多結晶シリコン層を溶融するまで温度上
昇せずに、単に加熱するだけになる。一方溶融用のメル
トビームはエネルギー面密度（Ｗ／ｃｍ”）が大きいた
め、多結晶シリコン層が融点以上の温度になり、中央部
が溶融する。
ー装置）を用意するか、１台のレザー発生源により出た
レザービームをハーフミラ−などの手段を用いて２本の
レザービームとするかにより、２つのビーム２１．２２
を角度を変えてレンズ６に入れて試料ｌ上に照射する（
第１図参照）、この時予熱用として使用するプレヒート
ビーム２２は試料面で焦点を結ばないように、あらかじ
めレンズ等を使って拡散ビームにしておく、このように
すると、試料面上でのビーム形状は第２図（ａｌに示し
たようなものになり、ビームサイズの大きいプレヒート
ビーム２２はエネルギー面密度（Ｗ／ａｍ”）が小さい
ため、試料ｌの多結晶シリコン層を溶融するまで温度上
昇せずに、単に加熱するだけになる。一方溶融用のメル
トビームはエネルギー面密度（Ｗ／ｃｍ”）が大きいた
め、多結晶シリコン層が融点以上の温度になり、中央部
が溶融する。
メルトビーム２１．プレヒートビーム２２の形状を各々
符号２１’、２２’で示し、メルトビーム２１による溶
融領域を特にハツチングを付し、２１＃で示す。
符号２１’、２２’で示し、メルトビーム２１による溶
融領域を特にハツチングを付し、２１＃で示す。
またビームの走査方向を２′で示す、ｉａ度が上賓した
多結晶シリコン膜は放射光を出すので、本例ではこれを
顕微鏡で拡大し撮像手段たるテレビカメラで撮像して、
モニターテレビ５に表示する。この時、強力なレザー光
も顕微鏡を通して撮像手段３ （テレビカメラ）に入っ
ているので、Ａｒレザー先光カットフィルター３２撮像
手段３ （テレビカメラ）の前に入れて、放射光のみを
カメラに入れるようにする。
多結晶シリコン膜は放射光を出すので、本例ではこれを
顕微鏡で拡大し撮像手段たるテレビカメラで撮像して、
モニターテレビ５に表示する。この時、強力なレザー光
も顕微鏡を通して撮像手段３ （テレビカメラ）に入っ
ているので、Ａｒレザー先光カットフィルター３２撮像
手段３ （テレビカメラ）の前に入れて、放射光のみを
カメラに入れるようにする。
また、本例で撮像手段３として用いるテレビカメラは一
般にフレームタイム１ ／３０ ｓｅｃで画面を構成し
ているので、パターニングをした多結晶シリコン等の再
結晶化では試料をＸ−Ｙ可動ステージで移動するとパタ
ーン形状がぼけてしまう、そこで本例では、パターン形
状と、ビーム２２による加熱部とを同時に見るために、
撮像手段３たる該テレビカメラと同期した高速シャッタ
ー３１を入れる。レザービームにより加熱された部分の
放射光は温度と共に強くなるが、−たん溶融すると放射
光強度が下がるので、固相部と液相部の境界が明瞭に見
分けられる。従って溶融部の大きさは固液相界面を撮像
手段３で見ることにより知ることができる。このような
溶融部の状態の検知結果に基づいて、レザービームの照
射強度やビーム走査速度（Ｘ−Ｙ可動ステージの速度）
、プレヒート温度等の再結晶化条件をコントロールする
ことができる０例えばモニターテレビ５を目視しながら
各種条件をマニエアル操作して条件設定を行うことがで
きる。また、撮像手段３により、得られた情報を解析し
て信号とし、これをフィードバックしてエネルギービー
ムの照射条件を変えるなどの構成にすることができる。
般にフレームタイム１ ／３０ ｓｅｃで画面を構成し
ているので、パターニングをした多結晶シリコン等の再
結晶化では試料をＸ−Ｙ可動ステージで移動するとパタ
ーン形状がぼけてしまう、そこで本例では、パターン形
状と、ビーム２２による加熱部とを同時に見るために、
撮像手段３たる該テレビカメラと同期した高速シャッタ
ー３１を入れる。レザービームにより加熱された部分の
放射光は温度と共に強くなるが、−たん溶融すると放射
光強度が下がるので、固相部と液相部の境界が明瞭に見
分けられる。従って溶融部の大きさは固液相界面を撮像
手段３で見ることにより知ることができる。このような
溶融部の状態の検知結果に基づいて、レザービームの照
射強度やビーム走査速度（Ｘ−Ｙ可動ステージの速度）
、プレヒート温度等の再結晶化条件をコントロールする
ことができる０例えばモニターテレビ５を目視しながら
各種条件をマニエアル操作して条件設定を行うことがで
きる。また、撮像手段３により、得られた情報を解析し
て信号とし、これをフィードバックしてエネルギービー
ムの照射条件を変えるなどの構成にすることができる。
本例では前記のとおり、溶融用とプレヒート用の２本の
レザービーム２１．２２を用いるが、第３図は１本のレ
ザービーム光２をビームエキスパンダー７と焦点距離の
異なる２個のレンズ８１．８２を貼り合わせたレンズに
より、メルトビーム２１とプレヒートビーム２２とに分
けて、これを簡単に作る光学系を示したものである。第
３図の如く、焦点距離がｆ、のレンズ８１の焦点位置Ｆ
、の面に試料１を置くと、焦点距離がｆ８のレンズ８１
は試料１からずれた位置Ｆ８で焦点を結ぶ、このときの
試料１上のビーム形状は第２開山）に示す通りである。
レザービーム２１．２２を用いるが、第３図は１本のレ
ザービーム光２をビームエキスパンダー７と焦点距離の
異なる２個のレンズ８１．８２を貼り合わせたレンズに
より、メルトビーム２１とプレヒートビーム２２とに分
けて、これを簡単に作る光学系を示したものである。第
３図の如く、焦点距離がｆ、のレンズ８１の焦点位置Ｆ
、の面に試料１を置くと、焦点距離がｆ８のレンズ８１
は試料１からずれた位置Ｆ８で焦点を結ぶ、このときの
試料１上のビーム形状は第２開山）に示す通りである。
（第２回山）の符号は第２図（ａ）と同じである）、こ
の場合、２本のレザー光２１．２１の間隔を、メルトビ
ーム２１の幅値の２倍以上離す構成にすることができる
。
の場合、２本のレザー光２１．２１の間隔を、メルトビ
ーム２１の幅値の２倍以上離す構成にすることができる
。
また、この場合のレンズを第４図に模式的に示すように
、メルトビームを形成するレンズを更に２分割して同図
の８１ａ、８１ｂの如くすると、ビーム形状は第５図に
示すようになって、メルトビームが双峰性の分布をもっ
た２本のビーム２１ａ、 ２１ｂとなり、これによって
前記第８図を用いて説明した双峰性ビームによる単結晶
シリコンが得られる。
、メルトビームを形成するレンズを更に２分割して同図
の８１ａ、８１ｂの如くすると、ビーム形状は第５図に
示すようになって、メルトビームが双峰性の分布をもっ
た２本のビーム２１ａ、 ２１ｂとなり、これによって
前記第８図を用いて説明した双峰性ビームによる単結晶
シリコンが得られる。
いずれの場合も、プレヒートビーム２２で試料１の多結
晶シリコン層（半導体層）及びこれを支持している基板
表面をある程度加熱することで、再結晶化時の歪を防止
できる。かつ、プレヒートのときに第７図に示した如き
プレヒート手段りが撮像の邪魔になることはなく、撮像
は容易である。
晶シリコン層（半導体層）及びこれを支持している基板
表面をある程度加熱することで、再結晶化時の歪を防止
できる。かつ、プレヒートのときに第７図に示した如き
プレヒート手段りが撮像の邪魔になることはなく、撮像
は容易である。
かつ余分な加熱をしないで、効率が良い、更に、加熱さ
れる部分はテレビカメラ等の撮像手段３で直接観察でき
、これによって照射条件等を制御できる。
れる部分はテレビカメラ等の撮像手段３で直接観察でき
、これによって照射条件等を制御できる。
上述のように、本発明の装置を用いると、再結晶化過程
を直接検出しながら照射条件等をコントロールすること
ができる。従って、所望の良好な薄膜単結晶を得るよう
にできる。
を直接検出しながら照射条件等をコントロールすること
ができる。従って、所望の良好な薄膜単結晶を得るよう
にできる。
また本実施例の！Ｊ置は、メルトビーム２１に先行させ
てプレヒートビーム２２を照射して両方を同時に走査さ
せるので、試料全体の余分な加熱はしないですむ０例え
ば第７図の従来例では基板全体を加熱する形にならざる
を得ないが、本例では加熱が必要な部分のみをメルトビ
ーム２１に先立って熱することができ、効率が良い。
てプレヒートビーム２２を照射して両方を同時に走査さ
せるので、試料全体の余分な加熱はしないですむ０例え
ば第７図の従来例では基板全体を加熱する形にならざる
を得ないが、本例では加熱が必要な部分のみをメルトビ
ーム２１に先立って熱することができ、効率が良い。
なお当然のことではあるが、本発明は図示の実施例にの
み限定されるものではない。
み限定されるものではない。
第１図は本発明に係るｍｓ単結晶製造装置の一実施例を
示す構成図である。第２図（ａ）、 （ｂ）は各々試料
上のビームの形状の例を示す図である。第３図はビーム
を複数ビームにする手段の一例を示す構成図、第４図は
他の例を略示する図、第５図は第４図の例により得られ
る試料上のビームの形状を示す図である。第６図乃至第
８図は従来技術を示す。 １・・・試料、２・・・エネルギービーム（レザー光）
、２１・・・エネルギービーム（メルトビーム）、３・
・・撮像手段。
示す構成図である。第２図（ａ）、 （ｂ）は各々試料
上のビームの形状の例を示す図である。第３図はビーム
を複数ビームにする手段の一例を示す構成図、第４図は
他の例を略示する図、第５図は第４図の例により得られ
る試料上のビームの形状を示す図である。第６図乃至第
８図は従来技術を示す。 １・・・試料、２・・・エネルギービーム（レザー光）
、２１・・・エネルギービーム（メルトビーム）、３・
・・撮像手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体層にエネルギービームを照射して該半導体層
を溶融した後再結晶化させる薄膜単結晶の製造装置にお
いて、 上記半導体層に上記エネルギービームを照射する手段と
、 上記半導体層から放射される放射光を撮像手段で検出す
る手段とを備えて成る薄膜単結晶の製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130764A JPS61289617A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 薄膜単結晶の製造装置 |
| KR1019860004670A KR870000744A (ko) | 1985-06-18 | 1986-06-12 | 박막단결정(薄膜單結晶)의 제조장치 |
| FR868608724A FR2583572B1 (fr) | 1985-06-18 | 1986-06-17 | Procede et appareil pour fabriquer un film mince cristallin. |
| GB08614683A GB2177256B (en) | 1985-06-18 | 1986-06-17 | Methods of and apparatus for manufacturing crystalline thin films |
| DE19863620300 DE3620300A1 (de) | 1985-06-18 | 1986-06-18 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einkristalliner duennfilme |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130764A JPS61289617A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 薄膜単結晶の製造装置 |
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Family
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| JP60130764A Pending JPS61289617A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 薄膜単結晶の製造装置 |
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Cited By (1)
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