JPS6245016A - 半導体薄膜の再結晶化方法 - Google Patents
半導体薄膜の再結晶化方法Info
- Publication number
- JPS6245016A JPS6245016A JP18497585A JP18497585A JPS6245016A JP S6245016 A JPS6245016 A JP S6245016A JP 18497585 A JP18497585 A JP 18497585A JP 18497585 A JP18497585 A JP 18497585A JP S6245016 A JPS6245016 A JP S6245016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- semiconductor thin
- shape
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体薄膜の再結晶化方法に関するものであっ
て、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５
ｕｌａｔｏｒ）構造の形成に適用して最適なものである
。
て、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５
ｕｌａｔｏｒ）構造の形成に適用して最適なものである
。
本発明は、絶縁性基板上に形成した半導体薄膜をエネル
ギービーム照射により溶融再結晶化させるようにした半
導体薄膜の再結晶化方法において、再結晶化中の半導体
薄膜における再結晶化領域と溶融領域との固液界面の形
状をモニターしてエネルギービームの照射条件を制御す
ることによりこの固液界面をエネルギービームの走査方
向に凸な形状に保つようにすることによって、結晶性が
良好な再結晶化半導体薄膜を再現性良く形成することが
できるようにしたものである。
ギービーム照射により溶融再結晶化させるようにした半
導体薄膜の再結晶化方法において、再結晶化中の半導体
薄膜における再結晶化領域と溶融領域との固液界面の形
状をモニターしてエネルギービームの照射条件を制御す
ることによりこの固液界面をエネルギービームの走査方
向に凸な形状に保つようにすることによって、結晶性が
良好な再結晶化半導体薄膜を再現性良く形成することが
できるようにしたものである。
従来、絶縁性基板上に結晶性が良好なＳｉ膜を形成する
ための方法としてサーマルシンク（ｔｈｅｒｍａｌｓｉ
ｎｋ）法と呼ばれる方法が提案されている。この方法に
よれば、第７図に示すように、Ｓｉ基板１上に紙面に垂
直方向に延びる多数の溝２ａ（第７図においては１個の
み示す）を有するＳｉＯ□膜２を形成し、このＳｉｎｇ
膜２上膜条上晶Ｓｉ膜３を形成した構造の試料にレーザ
ービーム４を照射して多結晶Ｓｉ膜３を加熱溶融させ、
この溶融した多結晶Ｓｉ膜３のうちの上記溝２ａに対応
する部分の中央部から再結晶化させることによってこの
溝２ａにおける多結晶Ｓｉ膜３を単結晶化するようにし
ている。
ための方法としてサーマルシンク（ｔｈｅｒｍａｌｓｉ
ｎｋ）法と呼ばれる方法が提案されている。この方法に
よれば、第７図に示すように、Ｓｉ基板１上に紙面に垂
直方向に延びる多数の溝２ａ（第７図においては１個の
み示す）を有するＳｉＯ□膜２を形成し、このＳｉｎｇ
膜２上膜条上晶Ｓｉ膜３を形成した構造の試料にレーザ
ービーム４を照射して多結晶Ｓｉ膜３を加熱溶融させ、
この溶融した多結晶Ｓｉ膜３のうちの上記溝２ａに対応
する部分の中央部から再結晶化させることによってこの
溝２ａにおける多結晶Ｓｉ膜３を単結晶化するようにし
ている。
しかしながら、このサーマルシンク法は、再結晶化領域
の結晶方位が各溝２ａ間でばらばらであるという欠点を
有している。
の結晶方位が各溝２ａ間でばらばらであるという欠点を
有している。
このような欠点を是正し、再結晶化領域の結晶方位をか
なり一様にすることができる方法として双峰型熱分布法
と呼ばれる方法が提案されている。
なり一様にすることができる方法として双峰型熱分布法
と呼ばれる方法が提案されている。
これによれば、第８図に示すように、Ｓｉ基板（または
石英基板）１上にＳｉＯ□膜２、多結晶Ｓｔ膜３、Ｓｉ
Ｏ□膜５ （キャップ層）を順次形成し、この５ｉ０２
膜５上に紙面に垂直方向に延びる開口６ａを有する反射
防止膜６を形成した構造の試料にレーザービーム４を照
射したり、第９図に示すように、双峰型エネルギー分布
を有するレーザービーム４を多結晶Ｓｉ膜３に照射した
りすることによって、多結晶Ｓｔ膜膜内内双峰型熱分布
を実現して再結晶化を行うようにしている。
石英基板）１上にＳｉＯ□膜２、多結晶Ｓｔ膜３、Ｓｉ
Ｏ□膜５ （キャップ層）を順次形成し、この５ｉ０２
膜５上に紙面に垂直方向に延びる開口６ａを有する反射
防止膜６を形成した構造の試料にレーザービーム４を照
射したり、第９図に示すように、双峰型エネルギー分布
を有するレーザービーム４を多結晶Ｓｉ膜３に照射した
りすることによって、多結晶Ｓｔ膜膜内内双峰型熱分布
を実現して再結晶化を行うようにしている。
しかしながら、上述の従来の双峰型熱分布法では、結晶
性は双峰型熱分布形状に依存するので亜結晶粒等を含む
結晶化膜になりやすいという欠点がある。
性は双峰型熱分布形状に依存するので亜結晶粒等を含む
結晶化膜になりやすいという欠点がある。
本発明は、従来技術が有する上述のような欠点を是正し
た半導体薄膜の再結晶化方法を提供することを目的とす
る。
た半導体薄膜の再結晶化方法を提供することを目的とす
る。
本発明に係る半導体薄膜の再結晶化方法は、絶縁性基板
（例えば石英基板７）上に形成した半導体薄膜（例えば
多結晶Ｓｉ膜３）にエネルギービーム（例えばＣ（ｈガ
スレーザーによるレーザービーム４）を照射して加熱す
ることによりこの半導体薄膜を溶融させ、次いで再結晶
化させるようにした半導体薄膜の再結晶化方法において
、上記再結晶化中の上記半導体薄膜における再結晶化領
域と溶融領域との固液界面（例えば固液界面Ｓ＋）の形
状をモニターすることにより上記エネルギービームの照
射条件（例えばエネルギービームの強度及び／又は走査
速度）を制御し、これによって上記固液界面を上記エネ
ルギービームの走査方向に凸な形状に保つようにしてい
る。
（例えば石英基板７）上に形成した半導体薄膜（例えば
多結晶Ｓｉ膜３）にエネルギービーム（例えばＣ（ｈガ
スレーザーによるレーザービーム４）を照射して加熱す
ることによりこの半導体薄膜を溶融させ、次いで再結晶
化させるようにした半導体薄膜の再結晶化方法において
、上記再結晶化中の上記半導体薄膜における再結晶化領
域と溶融領域との固液界面（例えば固液界面Ｓ＋）の形
状をモニターすることにより上記エネルギービームの照
射条件（例えばエネルギービームの強度及び／又は走査
速度）を制御し、これによって上記固液界面を上記エネ
ルギービームの走査方向に凸な形状に保つようにしてい
る。
このようにすることによって、双峰型熱分布が得られた
状態で半導体薄膜の再結晶化を行うことができる。
状態で半導体薄膜の再結晶化を行うことができる。
以下本発明をＳｏｌ構造における多結晶Ｓｉ膜の再結晶
化に適用した一実施例を図面に基づき説明する。
化に適用した一実施例を図面に基づき説明する。
第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すように、例えば石英基板７
上にＣＶＤ法により多結晶Ｓｉ膜３を形成し、次いでこ
の多結晶Ｓｔ膜３をフォトリソグラフィーによりパター
ンニングして紙面に垂直に延びる線状の多結晶Ｓｔ膜３
ａ〜３ｃを形成した後、キャンプ層を構成するＳｉＯ□
膜５を全面に形成する。
上にＣＶＤ法により多結晶Ｓｉ膜３を形成し、次いでこ
の多結晶Ｓｔ膜３をフォトリソグラフィーによりパター
ンニングして紙面に垂直に延びる線状の多結晶Ｓｔ膜３
ａ〜３ｃを形成した後、キャンプ層を構成するＳｉＯ□
膜５を全面に形成する。
次にこのようにして作製された試料を第３図に示すよう
に再結晶化に用いる装置のＸＹステージ８に取り付けら
れたガラス板９上の所定位置に載置した後、予め光学系
を通すことにより線状のビームにされた、ＣＯ２ガスレ
ーザーによるレーザービーム４を上方より上記試料に照
射する。なおこのレーザービーム４の大きさは、試料上
で例えば２００８ｍＸ１０ｍｍ程度になるようにする。
に再結晶化に用いる装置のＸＹステージ８に取り付けら
れたガラス板９上の所定位置に載置した後、予め光学系
を通すことにより線状のビームにされた、ＣＯ２ガスレ
ーザーによるレーザービーム４を上方より上記試料に照
射する。なおこのレーザービーム４の大きさは、試料上
で例えば２００８ｍＸ１０ｍｍ程度になるようにする。
このレーザービーム４は石英基板７の表面で吸収される
ためこの石英基板７の表面が高温に加熱され、この結果
多結晶Ｓｔ膜３ａ〜３ｃが加熱されて溶融する。ところ
で、一般に物体からの熱放射の放射率は物質の種類、温
度、さらに固体であるが液体であるかの物質の状態等に
よって異なるが、同一物質では固相と液相とで放射率が
大きく異なる。
ためこの石英基板７の表面が高温に加熱され、この結果
多結晶Ｓｔ膜３ａ〜３ｃが加熱されて溶融する。ところ
で、一般に物体からの熱放射の放射率は物質の種類、温
度、さらに固体であるが液体であるかの物質の状態等に
よって異なるが、同一物質では固相と液相とで放射率が
大きく異なる。
従って、多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３Ｃからの熱放射を顕微鏡
１０を通じてＴＶカメラ１１で撮像することにより、こ
のＴＶカメラ１１に接続されているＴＶモニター１２で
第１図に示すような多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３Ｃにおける溶
融領域を観察することができる。なおＴＶカメラ１１に
は多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃからの熱放射のみが入射する
ようにする必要があるが、Ｃ（ｈガスレーザーの場合に
は石英基板７及びガラス板９がレーザービーム４のフィ
ルターの役割を果たしてい為ので特別にフィルターを設
ける必要はない。
１０を通じてＴＶカメラ１１で撮像することにより、こ
のＴＶカメラ１１に接続されているＴＶモニター１２で
第１図に示すような多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３Ｃにおける溶
融領域を観察することができる。なおＴＶカメラ１１に
は多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃからの熱放射のみが入射する
ようにする必要があるが、Ｃ（ｈガスレーザーの場合に
は石英基板７及びガラス板９がレーザービーム４のフィ
ルターの役割を果たしてい為ので特別にフィルターを設
ける必要はない。
この第１図はレーザービーム４による多結晶Ｓｉ膜３ａ
〜３ｃの溶融再結晶化が進行中の状態を示し、既に再結
晶化が終了した固相の再結晶５ｉｊＪ域１３ａ〜１３ｃ
と、レーザービーム４の照射により溶融した液相の溶融
Ｓｉ領域１４ａ〜１４Ｃと、まだレーザービーム４が照
射されずに多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃのまま残っている領
域とが存在している。この第１図においては、上記固相
の再結晶Ｓｉ領域１３ａ〜１３ｃと液相の溶融Ｓｉ領域
１４ａ〜１４Ｃとの固液界面ＳＩはレーザービーム４の
走査方向ＡにＶ字状゛の凸な形状となっていると共に、
溶融Ｓｔ領領域４ａ 〜１４Ｃと多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３
ｃとの固液界面Ｓ２はこの固液界面Ｓ２と上記固液界面
Ｓｌとの二等分線に関してこの固液界面Ｓ１と実質的に
対称な形状となっており、各多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３Ｃの
両側面部では温度が高く、中央部では温度が低い双峰型
熱分布が実現されている。
〜３ｃの溶融再結晶化が進行中の状態を示し、既に再結
晶化が終了した固相の再結晶５ｉｊＪ域１３ａ〜１３ｃ
と、レーザービーム４の照射により溶融した液相の溶融
Ｓｉ領域１４ａ〜１４Ｃと、まだレーザービーム４が照
射されずに多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃのまま残っている領
域とが存在している。この第１図においては、上記固相
の再結晶Ｓｉ領域１３ａ〜１３ｃと液相の溶融Ｓｉ領域
１４ａ〜１４Ｃとの固液界面ＳＩはレーザービーム４の
走査方向ＡにＶ字状゛の凸な形状となっていると共に、
溶融Ｓｔ領領域４ａ 〜１４Ｃと多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３
ｃとの固液界面Ｓ２はこの固液界面Ｓ２と上記固液界面
Ｓｌとの二等分線に関してこの固液界面Ｓ１と実質的に
対称な形状となっており、各多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３Ｃの
両側面部では温度が高く、中央部では温度が低い双峰型
熱分布が実現されている。
上記固液界面Ｓ、、 Ｓ、の形状は多結晶Ｓｉ膜３ａ〜
３ｃの厚さ及び幅、キャップ層の構造等によって変化す
るが、レーザービーム４の強度、走査速度等の照射条件
によっても例えば第１図の固液界面Ｓ、 Ｉ 、Ｓ、
＃、２’、Ｓｉ”（破線で示す）で示されるように変化
するため、例えば次のようにしてレーザービーム４の強
度及び／又は走査速度の制御を行う。すなわち、第４図
に示すように、ＴＶモニター１２の画面の水平走査線Ｈ
１、■７上での例えば溶融Ｓｉ領域１４ｂの幅、すなわ
ちその最大幅Ｌ１及び最小幅Ｌ２を測定し、ΔＬ＝Ｌ、
−Ｌ２が一定になるようにレーザー装置を制御すること
によりレーザービーム４の強度及び／又は走査速度を制
御すればよい。これを実際に行うには、第５図に示すよ
うに上記水平走査線Ｈ６、＋１．上での信号電圧ｖ５．
９の変化を示す曲線からり、、 Ｌ、に対応するｔｌｓ
＋２を測定し、次いで例えばΔ１＝１．−１゜をＤ
Ｃ電圧に変換した後、このようにして得られたＤＣ電圧
をレーザー装置に帰還させることによりレーザービーム
４の強度及び／又は走査速度を制御する。このようにし
て、固液界面Ｓ、、 Ｓｉを第１図に示すような形状に
常時保つことができる。
３ｃの厚さ及び幅、キャップ層の構造等によって変化す
るが、レーザービーム４の強度、走査速度等の照射条件
によっても例えば第１図の固液界面Ｓ、 Ｉ 、Ｓ、
＃、２’、Ｓｉ”（破線で示す）で示されるように変化
するため、例えば次のようにしてレーザービーム４の強
度及び／又は走査速度の制御を行う。すなわち、第４図
に示すように、ＴＶモニター１２の画面の水平走査線Ｈ
１、■７上での例えば溶融Ｓｉ領域１４ｂの幅、すなわ
ちその最大幅Ｌ１及び最小幅Ｌ２を測定し、ΔＬ＝Ｌ、
−Ｌ２が一定になるようにレーザー装置を制御すること
によりレーザービーム４の強度及び／又は走査速度を制
御すればよい。これを実際に行うには、第５図に示すよ
うに上記水平走査線Ｈ６、＋１．上での信号電圧ｖ５．
９の変化を示す曲線からり、、 Ｌ、に対応するｔｌｓ
＋２を測定し、次いで例えばΔ１＝１．−１゜をＤ
Ｃ電圧に変換した後、このようにして得られたＤＣ電圧
をレーザー装置に帰還させることによりレーザービーム
４の強度及び／又は走査速度を制御する。このようにし
て、固液界面Ｓ、、 Ｓｉを第１図に示すような形状に
常時保つことができる。
なお第６図に上述したレーザービーム４の制御方法を示
す。
す。
このように、上述の実施例によれば、溶融再結晶化中の
多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃにおける固液界面Ｓ、、Ｓｔの
形状をＴＶモニター１２でモニターすることにより溶融
Ｓｔ領領域４の幅Ｌ＋、Ｌｘに対応する時間ｔ１、＋２
を得、Δ１＝１．−１．を変換して得られるＤＣ電圧を
レーザー装置に帰還させてレーザービーム４の照射条件
、特に強度及び／又は走査速度を制御することにより、
固液界面Ｓ、、Ｓ２の形状が再結晶化中に常時一定にな
るように、特に固液界面Ｓ、が常時レーザービーム４の
走査方向に凸な形状となるようにしている。このため、
常時双峰型熱分布が得られた状態で多結晶Ｓｉ膜３ａ〜
３Ｃの再結晶化を行うことができ、従って結晶性が良好
な結晶化Ｓｉ膜を再現性良く形成するとかできる。
多結晶Ｓｉ膜３ａ〜３ｃにおける固液界面Ｓ、、Ｓｔの
形状をＴＶモニター１２でモニターすることにより溶融
Ｓｔ領領域４の幅Ｌ＋、Ｌｘに対応する時間ｔ１、＋２
を得、Δ１＝１．−１．を変換して得られるＤＣ電圧を
レーザー装置に帰還させてレーザービーム４の照射条件
、特に強度及び／又は走査速度を制御することにより、
固液界面Ｓ、、Ｓ２の形状が再結晶化中に常時一定にな
るように、特に固液界面Ｓ、が常時レーザービーム４の
走査方向に凸な形状となるようにしている。このため、
常時双峰型熱分布が得られた状態で多結晶Ｓｉ膜３ａ〜
３Ｃの再結晶化を行うことができ、従って結晶性が良好
な結晶化Ｓｉ膜を再現性良く形成するとかできる。
以上本発明の一実施例につき説明したが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実
施例においてはエネルギービームとしてＣＯ□ガスレー
ザーによるレーザービーム４を用いたが、Ａｒレーザー
によるレーザービーム等の各種エネルギービームを用い
ることが可能である。なおエネルギービームとして上述
のＡｒレーザーによるレーザービームを用いる場合には
、第３図のガラス板９と顕微鏡１０との間にレーザービ
ームをカットするためのフィルターを設けてレーザービ
ームがＴＶカメラ１１に入射するのを防止する必要があ
る。このためのフィルターとしては、レーザービーム照
射により発光しないフィルターまたは発光するフィルタ
ーの場合にはさらにこの発光により生ずる光をカットす
るためのフィルターを組み合わせたフィルターを用いる
ことができる。
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実
施例においてはエネルギービームとしてＣＯ□ガスレー
ザーによるレーザービーム４を用いたが、Ａｒレーザー
によるレーザービーム等の各種エネルギービームを用い
ることが可能である。なおエネルギービームとして上述
のＡｒレーザーによるレーザービームを用いる場合には
、第３図のガラス板９と顕微鏡１０との間にレーザービ
ームをカットするためのフィルターを設けてレーザービ
ームがＴＶカメラ１１に入射するのを防止する必要があ
る。このためのフィルターとしては、レーザービーム照
射により発光しないフィルターまたは発光するフィルタ
ーの場合にはさらにこの発光により生ずる光をカットす
るためのフィルターを組み合わせたフィルターを用いる
ことができる。
また再結晶化を行うための装置は第３図と異なる構成と
することができ、試料構造も第２Ａ図及び第２Ｂ図と異
なる構造とすることができる。さらにまた、第６図に示
した方法とは異なる方法でレーザービームの照射条件を
制御するようにしてもよい。また石英基板７の代わりに
他の絶縁性基板を用いてもよい。
することができ、試料構造も第２Ａ図及び第２Ｂ図と異
なる構造とすることができる。さらにまた、第６図に示
した方法とは異なる方法でレーザービームの照射条件を
制御するようにしてもよい。また石英基板７の代わりに
他の絶縁性基板を用いてもよい。
なお上述の実施例においては本発明を多結晶Ｓｉ膜３の
再結晶化に適用した場合につき説明したが、これに限定
されるものではなく、多結晶Ｓｔ膜３以外の各種半導体
薄膜の再結晶化にも本発明を適用することが可能である
。
再結晶化に適用した場合につき説明したが、これに限定
されるものではなく、多結晶Ｓｔ膜３以外の各種半導体
薄膜の再結晶化にも本発明を適用することが可能である
。
本発明によれば、双峰型熱分布が得られた状態で半導体
薄膜の再結晶化を行うことができ、従って結晶性が良好
な再結晶化半導体薄膜を再現性良く形成することができ
る。
薄膜の再結晶化を行うことができ、従って結晶性が良好
な再結晶化半導体薄膜を再現性良く形成することができ
る。
第１図は本発明の一実施例における再結晶化中の固液界
面の形状をＳｉＯ□膜を省略した状態で示す平面図、第
２Ａ図及び第２Ｂ図はそれぞれ本発明の実施例で用いる
試料の構造を示す断面図及び平面図、第３図は本発明の
実施例による再結晶化を行うための装置の概略的な構成
図、第４図はＴＶモニター上で観察される固液界面の画
像を示す図、第５図はＴＶモニターの画面の水平走査線
の信号電圧変化を示すグラフ、第６図はレーザー装置の
制御方法の一例を示す工程図、第７図は従来のサーマル
シンク法による再結晶化方法を説明するための断面図、
第８図及び第９図はそれぞれ従来の双峰型熱分布法によ
る再結晶化方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 ３ ａ 〜３ ｃ−−−−−−−−−多結晶Ｓｉ膜４−
−−−〜−一・・・・−・・−レーザービーム７−・−
一−−−−−−−−−−−−・・−石英基板８・・−一
−−−−−−−−−・−−−−−ＸＹステージ９−−−
−〜・−−一一一−−−−−−−−ガラス板１０−−−
−−−−−・−・−・−＝−顕微鏡１１・−−−−−−
−−−−−−−−−−−−Ｔ Ｖカメラ１２・−−−−
−−−・−・−・−・〜ＴＶモニター１３・−・−・−
・・−一一一−・再結晶Ｓｉ領域１ ｔ−−−−−・−
・・・・−・・−溶融Ｓｉ領域ｓ、、 ５ｚ−−−−−
−−−一固液界面である。
面の形状をＳｉＯ□膜を省略した状態で示す平面図、第
２Ａ図及び第２Ｂ図はそれぞれ本発明の実施例で用いる
試料の構造を示す断面図及び平面図、第３図は本発明の
実施例による再結晶化を行うための装置の概略的な構成
図、第４図はＴＶモニター上で観察される固液界面の画
像を示す図、第５図はＴＶモニターの画面の水平走査線
の信号電圧変化を示すグラフ、第６図はレーザー装置の
制御方法の一例を示す工程図、第７図は従来のサーマル
シンク法による再結晶化方法を説明するための断面図、
第８図及び第９図はそれぞれ従来の双峰型熱分布法によ
る再結晶化方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 ３ ａ 〜３ ｃ−−−−−−−−−多結晶Ｓｉ膜４−
−−−〜−一・・・・−・・−レーザービーム７−・−
一−−−−−−−−−−−−・・−石英基板８・・−一
−−−−−−−−−・−−−−−ＸＹステージ９−−−
−〜・−−一一一−−−−−−−−ガラス板１０−−−
−−−−−・−・−・−＝−顕微鏡１１・−−−−−−
−−−−−−−−−−−−Ｔ Ｖカメラ１２・−−−−
−−−・−・−・−・〜ＴＶモニター１３・−・−・−
・・−一一一−・再結晶Ｓｉ領域１ ｔ−−−−−・−
・・・・−・・−溶融Ｓｉ領域ｓ、、 ５ｚ−−−−−
−−−一固液界面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基板上に形成した半導体薄膜にエネルギービーム
を照射して加熱することによりこの半導体薄膜を溶融さ
せ、次いで再結晶化させるようにした半導体薄膜の再結
晶化方法において、 上記再結晶化中の上記半導体薄膜における再結晶化領域
と溶融領域との固液界面の形状をモニターすることによ
り上記エネルギービームの照射条件を制御し、これによ
って上記固液界面を上記エネルギービームの走査方向に
凸な形状に保つようにしたことを特徴とする半導体薄膜
の再結晶化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18497585A JPS6245016A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18497585A JPS6245016A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245016A true JPS6245016A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16162616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18497585A Pending JPS6245016A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450409A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP18497585A patent/JPS6245016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450409A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Agency Ind Science Techn | Manufacture of semiconductor single crystal layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3213338B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製法 | |
| JPS61196515A (ja) | 帯域溶融型半導体製造装置 | |
| KR20010029978A (ko) | 반도체 박막의 제조 방법 | |
| JP2002237455A (ja) | シリコン結晶化装置とシリコン結晶化方法 | |
| JPH0521340A (ja) | 薄膜半導体装置、その製法および製造装置 | |
| JP2603418B2 (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS6331108A (ja) | Ｓｏｉ素子の製造方法 | |
| JPS6245016A (ja) | 半導体薄膜の再結晶化方法 | |
| WO2006075569A1 (ja) | 半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置 | |
| JPS61266387A (ja) | 半導体薄膜のレ−ザ再結晶化法 | |
| JPS6237922A (ja) | 半導体基板 | |
| JPS6292427A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2892321B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0113209B2 (ja) | ||
| JPH0354819A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| KR890008943A (ko) | 기판상의 단결정층 제조방법 | |
| JPH02226718A (ja) | 非単結晶半導体の作製方法 | |
| JPH027414A (ja) | Ｓｏｉ薄膜形成方法 | |
| JP3484547B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2554864B2 (ja) | 半導体薄膜の再結晶化方法 | |
| JPS62165908A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS62219510A (ja) | 単結晶島状領域の形成方法 | |
| JPH03190121A (ja) | レーザ再結晶化装置 | |
| JPS6221789A (ja) | 再結晶化法 | |
| JPH04246819A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 |