JPS59125612A - 単結晶薄膜形成装置 - Google Patents

単結晶薄膜形成装置

Info

Publication number
JPS59125612A
JPS59125612A JP58000660A JP66083A JPS59125612A JP S59125612 A JPS59125612 A JP S59125612A JP 58000660 A JP58000660 A JP 58000660A JP 66083 A JP66083 A JP 66083A JP S59125612 A JPS59125612 A JP S59125612A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
laser beam
intensity
thin film
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58000660A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yokoyama
弘之 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58000660A priority Critical patent/JPS59125612A/ja
Publication of JPS59125612A publication Critical patent/JPS59125612A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02683—Continuous wave laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザビームを用いて単結晶薄膜の形成を行う
単結晶薄膜形成装置に関するものである。
現在、絶縁体満膜上のアモルファス、あるいは多結晶シ
リコン（Ｓｌ）薄）換の単結晶化、すなわちＳ　ＯＩ　
（５ｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ　）のプ
ロセス技術は、三次元構造果績回路や表示素子用集積回
路への応用が期待されるために盛んに研死されているが
、最近このＳＯＩフロセスにおいてレーザビームを用い
る方法が注目されている。
第１図（５）は従来のレーザビームを用いた単結晶シリ
コン薄膜の形成方法を説明する照射試料の断面図である
。図中、】は単結晶シリコン基板、２は酸化シリコン（
Ｓｉ０２）薄膜、３はアモルファスあるいは多結晶のシ
リコン薄膜を示し、４はレンズによって集束されたレー
ザビーム、５はレーザビーム４の照射中の試料の移動方
向を示す。この場合、所定のレーザビーム照射強度のも
とに、被加工物である試料を一定速度で移動させるもの
とする。その場合、単結晶シリコン基板１と接触してい
るアモファスあるいは多結晶シリコン薄膜３の部分を、
先ず基板１からエピタキシャル成長できるようにレーザ
ビーム４の照射強度、および試料の移動速度を設定する
。そうするξ、この試料の移動により、先に単結晶シリ
コン基板１上に成長したシリコンの単結晶粒を成長核と
して、酸化シリコン薄膜２の上の部分のアモルファスあ
るいは多結晶シリコン薄膜３も単結晶化することになる
。この場合、酸化シリコン薄膜２においては熱伝導率が
単結晶シリコン基板１におけるよりも小さいために、ア
モルファスあるいは多結晶シリ；１ン薄膜３が必要以上
に高温となり、その熱歪によって単結晶化後にはく離を
生じたり、あるいは結晶粒の小さな単結晶にしがならな
い問題があった。
第１図０勇は第１．図（５）を改良した場合の照射試料
の断面図である。この場合は、アモルファスあるいは多
結晶シリコン薄膜３のうちの単結晶クリコン基板１と接
触している部分の上と、酸化クリコン薄膜２と接触して
いる部分の上とにそれぞれ異なった厚みで酸化シリコン
干渉薄膜６を堆積させている。さらにこの酸化シリコン
干渉薄膜６の淘い部分の上には窒化７リコン（Ｓｉ３Ｎ
４）干渉薄膜７を堆積させている。これらの薄膜の厚み
は照射するレーザ光の波長のオーダーであって、光の干
渉効果により、アモルファスあるいは多結晶シリコン薄
膜３に達するレーザビーム４の照射強度が、窒化シリコ
ン干渉薄膜７のない部分においてより大きくなるように
している。
この方法によれは、酸化シリコン尚膜２上におけるアモ
ルファスあるい（は多結晶シリコン尚膜３の不必要な温
度上昇を防げるので、この部分においてもはく離を生じ
ることなく、単結晶／リコン基板１上におけると同様の
単結晶化が可能となる。
この具体例として１酸化シリコン薄膜上に厚さ０４４μ
ｍ５幅１５μｍ、長さ８０１１ｍ程度の単結晶渇膜を得
ることに成功している。
しかし、このようにアモルファスあるいは多結晶の牛導
体薄膜上に、さらｒ（レーザビーム照射強度を制御する
ための干渉薄膜を施す方法は、各試料ごとにＲ１定の位
置で所定の薄膜の厚さにする高（６度の微細加工が必要
となり、そのためレーザビーム照射以前の試料に対する
プロセスが極めて煩雑になり大きな欠点となっている。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除き、絶縁体
薄膜上に結晶粒の大きな良質の単結晶薄膜を簡単に形成
する機能を持つ高性能な単結晶形成装置を提供すること
にある。
本発明の単結品書膜形成装置の構成は、レーザ発掘器と
、このレーザ発振器より出射されるレーザビームの強度
を可変にする手段と、前記レーザビームを被加工物上に
導く集束光学系と、前記被加工物の位置を観測する位置
モニタと、前記被加工物上に照射されるレーザビームの
照射位置を可変にする手段と、前記位置モニタからの前
記被加工物の位置検出信号を処理してデータ化されたそ
の位ｆ情報をもとに前記レーザビームの照射位置とその
レーザビームの照射強度とをプログラム制御するシステ
ム制御部とを備え一前記システム制御部のプログラミン
グに従って、前記被加工物の表面の所定微小領域に、そ
の位置に対応して自動的に定められた強度のレーザビー
ムを集光照射することを特徴とする。
本発明のｗｅは、アモルファスあるいは多結晶構造の薄
膜に照射するレーザビームの強度を、試　　　′科上の
場所ごとに、あらかじめプログラムされた強さで制御す
ることによす、酸化物や窒化物等の干渉薄膜を要せず、
第１図（Ａ）に示すような単純な構造の試料音用いても
良質で結晶粒の大きな単結晶薄膜奮、迅速に絶縁体上に
形成することが可能となる。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例のブロック図である。
図において、１１はレーザ発振器で、出力２０Ｗ程度を
得られる高出力の連続発振のアルゴンレーザを用いてい
る。】２はレーザビーム４０強度を可変にするレーザど
−ム強度調節器で、電気光学効果を利用したポッケルス
セルおよびその駆動電源と偏光プリズムとから構成され
る。１３はレーザビーム４を被加工物１４に所定の径に
ｆＤ込んで照射するための集束光学系であるが、被加工
物１４の位置モニタ用テレビカメラ１５０光電面上に被
加工物１４の像を拡大し°Ｃ結像する機能を兼ねている
。システム制御系１６は、ここではマイクロコンピュー
タユニットを母体としてお９テレビカメラ１５の画像信
号の処理を行って、被加工物１４の位置を数値的データ
に変換することを可能にするものである。さらに、この
システム制御系１６は、被加工物１４の位置についての
その数値的データをもとに予め被加工物１４のどの位置
にどのような強度でレーザ光を照射するかをプログラム
することができる。テレビモニター７は、拡大された被
加工物１４の像および／ステム制御系１６により処理さ
れた画像を観測し、また７ステム制御系１６のプログラ
ミングを行うのに使用する。従って、照射位置調節用の
微動載物台１８！ 上の被加工物１４のＸ−Ｙ水平移動、およびレーザビー
ム強度調節器１２を連係させて制御するととにより、所
定の方向へ移動する被加工物１４の表面の各位置におい
て、自動的に所定の強度のレーザビーム４を照射できる
よう設計されＣいる。
この照射位置調節用の微動載物台１８は、その移動速度
が２０ｃｙ＠／ｓの時、位置決め誤差が±１μｍ以下の
性能を有している。また、レーザビーム１９を所定の強
度に設定するに要する時間は１μｓ以下で設定誤差±２
チ９強度はレーザ発振器１１の出力光００〜９０チの範
囲で可変である。
この実施例の羊結晶薄膜形成装＋＊を用い、第１図（５
）に示した構造の試料にレーザ光を照射した場合の説明
をする。被加工物である試料１４は、＜Ｚｏｏ＞方向に
配置した単結晶シリコン基板１上の一部に、熱酸化によ
り厚さ４００ｎｍ８′度の酸化シリコン薄膜２を形成し
、さらに減圧ＣＶＤ法によって、基板１および酸化シリ
コン薄膜２上に厚さ６００　ｎｍ程度の多結晶シリコン
３を堆積させたものを用いた。また、この装置歳は、多
結晶７すｙｙｆｆｉ膜３茨面でのレーザビームの径’ｅ
５０μｍ、試料を載せた微動載物台の移動速度を１０ｃ
　ｍ／　ｓとし、多結晶シリコン助膜３において、単結
晶ノリコン基板１上の部分を１２Ｗ、酸化シリコン薄膜
２上の部分を７Ｗのレーザビーム強度で照射するようた
設定した。
その結果、酸化シリコン薄膜上において、はく離を生じ
ることなく幅４０μｎ１．長さ１ｍｍ程度の粒状の大き
な単結晶シリコン薄膜を形成することができた。この結
果は、動作のプログラムの変更などによりさらに改善可
能することもできる。
本発明による単結晶地膜形成装置は、前述の多結晶シリ
コン湖膜からの単結晶薄膜形成にとどまらず、ゲルマニ
ウム（Ｇｅ）やカリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体
や、酸化亜鉛などの訪電体油膜などの材料から単結晶薄
膜を形成することができるのは明らかである。
また、単結晶薄膜の配位を制御する場合には、第１図（
５）の構造ちるいはその類似の構造の試料を用いるが、
配位の制御が必要でない場合には、単に絶縁体薄膜上に
アモルファスあるいは多結晶薄膜を有する試料を用いる
ことも可能である。
なお、絶縁体薄膜上の単結晶薄膜形成以外に、半導体の
イオン打ち込み層のアニール用としても、この単結晶薄
膜装置が使用可能であることはいうまでもない。
また、この実施例においては連続発振のアルゴンレーザ
を用いたが、半導体の種類によっ”Ｃ適した波長のレー
ザを使用することや、また繰り返しパルス出力のレーザ
をイ史用しても良い。
さらに、レーザビーム強度調節器として、レーザ発振器
内部に電気光学効果あるいは音響光学効果を利用する損
失変調器を配置する構成のものも用いられる。まよ、レ
ーザ発振器から出射されるレーザヒ・−ムの強度が、レ
ーザ発振器への励起入力の変化に対し１μｓ以下程度の
十分速い応答を示す場合には直接に励起入力自体を制御
する方式も可能である。
この実施例は試料の移動速度を一足として照射するレー
ザビームの強度を可変制御する方式で単結晶薄膜形成を
行ったが、プログラミングにより試料の移動速度も可変
制御して試料土への照射強度の制御を多様化することも
できる。また、試料上のレーザビームの照射位＠″を可
変にする手段としＣ１この実施例では試料を載せた微動
載物台を移動させる方式を用いたが、レーザビーム自体
を試料上で走食させる方式、さらに、試料の移動とレー
ザビームの走査の両者を組み合わせた方式とすることも
可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図（５）、郵）は従来の絶縁体薄膜上に単結晶薄膜
を形成する方法を説明する断面図、第２図は本発明の実
施例のブロック図である。図において１・・・・・・単
結晶シリコン基板、２・・・・・・酸化シリコン薄膜、
３゛°゛°゛°アモルファスあるいは多結晶の７ＩＪ−
ｙｙｒＪＥｉ、４・・・・・・レーザビーム、５・・・
・・・レーザビーム照射中の試料の移動方向、６・・・
・・・酸化シリコン干渉薄膜、７・・・・・窒化シリコ
ン干渉薄膜、１１・・・・・・レーザ発振器、１２・・
・・・・レーザ強度調節器、１３・・・・・・集束光学
イ、１４・・・・・・被加工物、１５・・・・・・テレ
ビカメラ、１７・・°パ・テレビモニタ、１６・・・・
・・システム制御系、１８パ°・°゛微動載物台、であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ発振器と、このレーザ発振器より出射されるレー
    ザビームの強度を可変にする手段と、前記レーザビーム
    を被加工物上に導く集束光学系と、前記被加工物の位置
    を観測する位置モニタと、前記被加工物上に照射される
    前記レーザビームの照射位置を可変する手段と、前記位
    置モニタからの前記被加工物の位置検出信号を処理しデ
    ータ化されたその位置情報をもとに前記被加工物におけ
    る前記レーザビームの照射位置と前記レーザビームの照
    射強度とをプログラム制御するンステム制御部とを備え
    、このノステム制御部において所定のプログラミングに
    従って前記被加工物の表面の所定微小領域に、その位置
    に対応して自動的に定められた強度のレーザビームを集
    光して照射するようにしたことを特徴とする単結晶薄膜
    形成装置。
JP58000660A 1983-01-06 1983-01-06 単結晶薄膜形成装置 Pending JPS59125612A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58000660A JPS59125612A (ja) 1983-01-06 1983-01-06 単結晶薄膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58000660A JPS59125612A (ja) 1983-01-06 1983-01-06 単結晶薄膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59125612A true JPS59125612A (ja) 1984-07-20

Family

ID=11479874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58000660A Pending JPS59125612A (ja) 1983-01-06 1983-01-06 単結晶薄膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59125612A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166074A (ja) * 1985-01-17 1986-07-26 Fujitsu Ltd 絶縁ゲ−ト型トランジスタ及びその製造方法
JPH01211911A (ja) * 1988-02-19 1989-08-25 Fujitsu Ltd エネルギー・ビームを用いたアニール装置
JPH01246827A (ja) * 1988-03-28 1989-10-02 Tokyo Electron Ltd ビームアニール装置
JPH02260419A (ja) * 1989-03-30 1990-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ照射方法
JP2005142506A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd レーザアニール装置の状態測定方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166074A (ja) * 1985-01-17 1986-07-26 Fujitsu Ltd 絶縁ゲ−ト型トランジスタ及びその製造方法
JPH01211911A (ja) * 1988-02-19 1989-08-25 Fujitsu Ltd エネルギー・ビームを用いたアニール装置
JPH01246827A (ja) * 1988-03-28 1989-10-02 Tokyo Electron Ltd ビームアニール装置
JPH02260419A (ja) * 1989-03-30 1990-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ照射方法
JP2005142506A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd レーザアニール装置の状態測定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6014944A (en) Apparatus for improving crystalline thin films with a contoured beam pulsed laser
KR101368570B1 (ko) 박막의 고수율 결정화
US20060035478A1 (en) Variable mask device for crystallizing silicon layer and method for crystallizing using the same
JPH03286518A (ja) 半導体薄膜の製造方法
EP1063049A2 (en) Optical system and apparatus for laser heat treatment and method for producing semiconductor devices by using the same
US20060186412A1 (en) Crystallization method, crystallization apparatus, processed substrate, thin film transistor and display apparatus
JP2002110544A (ja) レーザアニールによる薄膜結晶成長
JP2004311906A (ja) レーザ処理装置及びレーザ処理方法
JP2002313723A (ja) 主として＜１００＞配向した多結晶シリコン領域を有するｌｃｄの形成方法
US20050153552A1 (en) Crystallization apparatus and method, manufacturing method of electronic device, electronic device, and optical modulation element
JP2007324519A (ja) レーザアニール装置及び表示装置の製造方法
JPS59125612A (ja) 単結晶薄膜形成装置
GB2177256A (en) Manufacturing crystalline thin films
JP2603418B2 (ja) 多結晶半導体薄膜の製造方法
JP3973849B2 (ja) レーザアニール方法
US4737233A (en) Method for making semiconductor crystal films
JPS62160781A (ja) レ−ザ光照射装置
JP2683241B2 (ja) エネルギー・ビームを用いたアニール装置
KR100296111B1 (ko) 실리콘박막을결정화하는방법과이를이용한박막트랜지스터제조방법
JPH0741845A (ja) ビームアニール装置とそれを用いたｔｆｔ製造方法
JPH01246829A (ja) ビームアニール装置
JPS61266387A (ja) 半導体薄膜のレ−ザ再結晶化法
KR20040038785A (ko) 반도체 소자 및 제조 방법
JP3315738B2 (ja) レーザアニール方法及び液晶表示装置の製造方法
JPH02112227A (ja) 半導体結晶層の製造方法