JPS6128846A - 表面検査装置 - Google Patents

表面検査装置

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JPS6128846A
JPS6128846A JP14861484A JP14861484A JPS6128846A JP S6128846 A JPS6128846 A JP S6128846A JP 14861484 A JP14861484 A JP 14861484A JP 14861484 A JP14861484 A JP 14861484A JP S6128846 A JPS6128846 A JP S6128846A
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integrating sphere
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茂 小川
Hiroshi Yamaji
山地 廣
Masaaki Kano
加納 正明
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体ウェハ等の被検査物表面のゴミ、傷等
の欠陥を検査する表面検査装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、例えば半導体装置用のシリコンウェハ等の表面検
査は作業者の目視による方法がほとんどであった。また
、最近、光の反射光を利用した各種のウェハ表面検査装
置が、開発、市販されている。これらの装置の検出原理
は、第7図に示すように被検食物(1)表面に白色光源
又はレーザの光源(2)から光ビーム(3)を照射し表
面からの正反射光(4)および散乱光(5)を光電変換
器(6)により検出し、その出力電圧に対して、1個あ
るいは複数のスレッシ日ルドレペルを設定し、ゴミ、傷
等の欠陥を検出し、大きさの分類を行うものである。
しかるに、従来の目視による方法では1作業者に個人誤
差があシ、定量化が困難であった。また熟練を要し疲労
度の大きい作業であった。しかも。
集積回路の微細化が進んでくると、1μm以下の欠陥の
有無が判別できないと種々のプロセスの評価が困難とな
ってくるが、目視検査では1μm以下の検出は困難であ
る。他方、上記各種表面検査装置は、第8図に示すよう
に、一定のスレッシ璽ルドレベルvTを設定して検出し
ているため、被検査物が異なった場合の出力信号(例え
ば、鏡面状態の場合の出力信号Vrと、膜形成されたウ
ェハの場合の出力信号vH)の基準レベルが変るため、
スレッシ冒ルドレベルも変化させる必要がある。そのた
め、あらかじめ学習的にそのレベルを決定しておく必要
があシ5作業性がすこぶる低くなっている。
また、被検査物にソリがあった場合も同様の問題が生じ
る。これらの場合、検出された欠陥の大きさの分類は定
量的ではなくなシ、毎回、標準サンプルI(よる校正が
必要となる。
〔発明の目的〕
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので。
被検査物が変ってもあらかじめスレッショルドレベルを
学習的に求めたシ、校正したシすることなく゛、定量的
に欠陥を高速かつ高精度に検出するととができる表面検
査装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
ターンテーブル上に載置された被検査物にfi疋はレー
ザ光を照射してターンテーブルを回転させることにより
上記レーザ光にて被検査物を同心円状に走査するととも
に、被検査物の1回転ごとすなわち1回の走査ごとに上
記ターンテーブルを半径方向に所定量ずつ動かし、かつ
走査中に積分球で集光された散乱光を光電変換して得ら
れた電気信号をアナログ−ディジタル変換して得られた
散乱光データを上記被検査物表面のうちから任意に選択
された複数位置におけるデータに基づいてス表面欠陥検
査を行うようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第1図は、この実施例の表面検査装置の全体構成を示し
ている。この表面検査装置は、例えば半導体ウェハなど
の円板状の被検査物(8)にレーザ光を照射する走査機
構(9)と、この走査機構(9)から出力された信号に
基づき被検査物(8)の表面欠陥を検出する信号処理機
構(10)と、検査結果を表示する表示機構([I)と
からなっている。しかして、走査機構(9)は、被検査
物(8)を保持する保持部(t3と、この保持部(l乃
により保持された被検査物(8)にレーザ光を照射する
照射部α騰とからなっている。上記保持部aっは、被検
査物(8)をその上面に同軸に載設するターンテーブル
(14)と、このターンテーブル(14)を回転自在に
軸支する軸受体(1つと、この軸受体aすに軸支された
ターンテーブルα養を回転駆動する第1のモータaOと
、この第1のモータαeに直結されターンテーブル(1
4)の回転量を検出するロータリ・エンコーダα7)と
、軸受体(国に係着され軸受体(19を被検査物(8)
の径方向に進退させる送り部θ匂と、この送9部(l槌
及び第1のモータαQを制御してターンテーブル(14
)に載設された被検査物(8)を所定量回転させるとと
もに径方向に所定量進退させる駆動制御部α→と、被検
査物(8)をメーンテーブルα尋に真空吸着させる吸着
部四とからなっている。上記ターンテーブル(4)は1
円柱状の軸体(21)と、この軸体01)の上端部に同
軸連結され上面が被検査物(8)の吸着面(14a)と
なっている円板状の載置台(2りとからなっている。
上記吸着面(14a)には、吸着部(イ)の一部をなす
吸着孔(ハ)が開口している。この吸着孔(ハ)は、軸
体Q1)を軸方向に貫通し、軸体0Dの下部よシ図示せ
ぬロータリ・ジ目インドを介して図示せぬ真空源に接続
されている。また、送り部α樽は、軸受体(15の下端
部に垂設された係合板(財)と、この係合板(財)に螺
合されその軸線が軸体(21)の径方向となっている送
りねじ(ハ)と、この送りねじ(ハ)の一端部に連結さ
れ送りねじ(2ツを回転させてターンテーブル←荀を径
方向に進退させる第2のモータ(イ)とからなっている
しかして、第1及び第2のモータαQ、(イ)は、それ
ぞれ駆動制御部(11から出力された制御信号CD、 
Csを入力することにより所定量回転するよりになって
いる。一方、照射部a階は、吸着面翰に固着されている
被検査物(8)に近接するように配設され下部に開口部
(27a)が設けられた吊空球体状の積分球(5)と、
との積分球勾に一端部が連結され積分球(5)の開口部
(27a)を介して被検査物(8)にレーザ光を斜めか
らスポット状に照射するレーザ光発振部(ハ)と、積分
球匈に連設されこの積分球(5)にて集光された被検査
物(8)からのレーザ散乱反射光を受光して光電変換す
る光電変換器翰とからなっている。
上記積分球勾の内面には例えば酸化マグネシウムが塗着
されて拡散面例に形成されている。また。
積分球(財)の上部には、被検査物(8)からのレーザ
正反射光を外部に逃すための透孔Gυが穿設されている
。また、レーザ発振部(至)は、図示せぬレーザ発振器
と、このレーザ発振器から発振されたレーザ光を搬送す
る光ファイバ(図示せず)と、こe4−9      
′      づh ←七(づ”3→Tこの光ファイバにより導かれたレーザ
光を被検査物(8)上にスポット状となるように調整す
るレンズ系(28Jl)とからなってい    [る。
一方、前記信号処理機構aQは、光電変換器(ハ)から
出力されたアナログ信号をアナ四グーディジタル(A/
D )変換器O功と、とのA/D変換器0つから出力さ
れたディジタル信号のピーク値を検出するピーク検出部
の3)と、同じ< A/D変換器0)から出力されたデ
ィジタル信号の平均値を算出する平均値算出部04)と
、入力側がロータリ・エンコーダ(17)及び駆動制御
部(1ωに接続され出力側がピーク検出部(至)及び平
均値算出部(財)に接続されこれらピーク検出部(至)
及び平均値算出部04)におけるA/D変換器(3りか
ら出力されたディジタル信号サンプリングのだめの同期
信号を出力するサンプリング制御部G5)と、ピーク検
出部□□□にて出力されたピーク値を示すディジタル信
号を記憶する第1のメモリ部(至)と、第1のメモリ部
(財)から出力されたピーク値を示すディジタル信号を
入力して欠陥の検出及び欠陥を大きさごとに分類する欠
陥分類部(37)と、上記平均値算出部(財)、サンプ
リング制御部Gつ、欠陥分類部07)。
第1のメモリ部(至)、駆動制御部a1及び表示機構(
Lυにシステムバス(至)を介して接続されこれらを所
定の測定プログラムに従って有機的に統御する中央制御
部G匂とからなっている。この中央制御部01は、いわ
ゆるマイクロコンピュータであって、演算・制御機能を
有するCPU (Central Processin
y Unit ;中央処理装置)顛と、一定の手順で測
定を行うための゛制御プログラム及び検査結果が格納さ
れる第2のメモリ部(4υとからなっている。さらに、
上記平均値算出部(財)にて算出された平均値は、 C
PU(4Qlからの指令によりシステムバス(至)を介
して欠陥分類部07)にて複数段階のスレッショルドレ
ペルとして設定されるようになっている。しかして、こ
の欠陥分類部07)にては、設定されている複数のスレ
ッシ田ルドレベルとピーク検出部(ハ)から出力された
ピーク値とを比較して欠陥データを各スレッショルドレ
ベルに対応する欠陥の大きさごとに抽出し、さらに抽出
された欠陥データの数を計数するようになっている。一
方、前記表示機構α1)は、第1のメモリ部07)から
の検査結果データを読み出し、被検査物(8)表面上の
欠陥分布及び欠陥の大きさごとの個数を表示するCRT
 (Cathode Ray Tube )(43及び
プリンタ(43からなっている。
つぎに、上記構成の表面検査装置の作動について、第2
図及び第3図に示すフローチャートに基づいて述べる。
レーザ光は、常時レンズ系(28a)を介して微小スポ
ット状に絞られて被検査物(8)上を照射できる状態に
しておく。つまシ、破検査物(8)からのレーザ正反射
光は、透孔t3])を経由して外部に放出される。一方
、レーザ散乱反射光は、拡散面(至)により集光される
。また、被検査物(8)からの散乱光を集光する積分球
(27)および光電変換器CI!9)も常時検査可′能
な状態にしておく。しかして、まず、被検査物(8)を
ターンテーブル(22)上に載置し、吸着部(20)に
より固定する(ブロック(44) )。つぎに、ターン
テーブル(22)を駆動制御部σ1からの信号Csによ
り第2のモータI26)を駆動して送りねじ(至)を回
転させることによp半径方向に移動させ、半径方向中央
部である半径rでターンテーブル(2望の移動を停止さ
せる(ブロック(45) )。ついで、駆動制御部(1
1からの信号cDによりターンテーブル翰回転用の第1
のモータa6)を回転させる(ブロック(4G) )。
しかして、上記半径r位置において被検査物(8)を例
えば10周させる。この期間内において、光電変換器(
2旬からは。
受光量に対応した大きさの電圧値を有するアナログ検出
信号SAがA/D変換器の湯に出力される。ついで、と
のA/D変換器(321にては、検出信号SAがA/D
変換され(ブロック(4?) ) 、ディジタル検出信
号SBが平均値算出部(ホ))に出力される。一方、ロ
ータリ・エンコーダαηからは、ターンテーブル(2功
の回転開始時と、回転中に回転開始信号Rs及び回転位
置を示す回転位置信号RP (360パルス/回転)が
サンプリング制御部C35)に出力される。すると、と
のサンプリング制御部09からは信号R8,R・Pに基
づき。
ターンテーブル(2邊の回転を示すサンプリング信号S
Cが平均値算出部(財)に出力される。このサンプリン
グ信号SCは、ターンテーブル(2々が1回転するとと
に360パルス出力されるパルス信号である。この平均
値算出部(34)にては、上記サンプリング信号SCに
同期して検出信号SBを記憶し、これにより得た全デー
タ(Xl、X2.・・・、Xn)L7)算術平均値vA
が求   11められる(ブロック(4秒)。ついで、
平均値vAは。
第2のメモリ部(41)にいったん記憶されたのち、 
CPU(40にて、ごみ、欠陥等の表面欠陥の大きさに
対応してあらかじめ第2のメモリ部0Dに設定されてい
るレベルL、、L、、L、が平均値7人に各別に加算さ
れスレッショルドレベルTs 、 TI 、 Ts カ
31’ 出すレル(ブロック09))。たとえば、第4
図に示すよろに、最も小さい欠陥(10μm以下)を検
出するレベルをLlとすると、TI (= VA + 
Ll )を最も小さい欠陥を検出するスレッショルドレ
ベルとして設定する。
同様に、さらに大きい欠陥を検出する場合もレベ” L
l l Ls (ただし、Ll<L、 < Ls)を設
定し、これらのレベルL2.L、を平均値vAに加算し
てスレッシ四ルドレベルT、、T、を求める。しかして
、これらスレッショルドレベルTI’、 Tt、 Ts
l”i:、システムバス(至)を介して欠陥分類部07
)に転送・設定される。
つぎに、ターンテーブル(23を駆動制御部翰からの信
号aSにより第2のモータ←eを駆動して半径方向に移
動させ、レーザビームが被検査物(8)の中心を照射す
るように、図示していないリミットスイッチ等により1
位置を検出してターンテープ)v(23を停止させる(
ブロック(至))。さらに、第2のモータ(26)を駆
動して1トラツク分半径方向にターンテーブル(2巧を
移動させる(ブロック6I))。このとき、1トラツク
は、レーザ光のスポット径dをあらかじめ測定しておき
、その80〜90%すなわち(0,8〜Q、9)xdと
する。つぎに、前と同様にしてターンテーブル(22を
回転させる。すると、サンプリング制御部(ハ)には、
ロータリ・エンコーダ住ηからは回転開始と同時に回転
開始信号R8が、また1回転につき360パルスずつ回
転位置信号Rpが出力される。
これらの信号gs 、 gpを入力したサンプリング制
御部Gつからは、1回転L2つき360パルスのサンプ
リング信号SCがピーク検出部0罎に印加される(ブロ
ック働)。一方、 A/D変換器02にては、前と同様
にして光電変換器(イ)から出力されたアナログ検出信
号SAがディジタル検出信号5BKA/D変換される。
このときのA、/D変換のサンプリング間隔は、第4図
に示すように、信号RPの1周期あた98回とする。仁
のディジタル検出信号8Bは、ピーク検出部(ハ)に出
力される。しかして、ピーク検出部(至)にては、サン
プリング信号SCの入力と同期してとのすンプリング信
号SCの1周期ごとにピーク値が求められる(ブロック
6階)。求めたピーク値を示すピーク信号SDは逐次に
第1のメモリ部(至)に出力され所定のアドレスに格納
される。しかして、1回転分のデータ(360個)を第
1のメモリ部(ト)に書き込むと、ターンテーブル(櫓
をさらに半径方向に1トラック分移動させ、再びサンプ
リング信号SCにより同様に1回転分のデータを書き込
む(ブロック(財))。このようにして、所定のnトラ
ック分走査する(ブロック5!19 )。かくして、第
1のメモリ部(至)には、第5図に示すように、被検査
物(8)の中心から同心状にnトラックに分割され、さ
らに1゜ごとに径方向に分割された扇状領域のピーク値
データ(Xn 、θ)が第6図に示すように格納されて
いる。つぎに、第1のメモリ部(至)からは、ピーク値
データ(X、、θ)を示すディジタル信号が欠陥分類部
0ηに出力される。すると、この欠陥分類部(37)に
ては、すでに設定されているスレッショルドレベルT1
 + Tt + %により欠陥を大きさ別に分類する。
すなわち、最も小さい欠陥(1,0μm以下)を検出す
るために全データに対して、前記スレッショルドレベル
T、(= V人+Lt)ト比較り、このスレッシ璽ルド
レベ/L/T、よシ大きいデータを欠陥データとする。
さらに大きい欠陥を検出するために、全データをスレッ
ショルドレベルT、 (= VA+L2)おヨヒスレッ
ショルドレベルTs (”” v、 +Ls ) ト比
tZ L 。
これらのスレッショルドレベルT、、T、よシ大きいデ
ータを欠陥データとし、大きさ別に分類する。
分類された欠陥データは第2のメモリ部(41)にて記
憶する(ブロック(支))。しかして、CPU(40に
ては。
得られた欠陥データを極座標系から直交座標系に変換し
、  limxliiの画素中に欠陥データが何個ある
か否かを演算する。さらに、この直交座標系に変換され
た欠陥データの分布及び欠陥の大きさ別の個数を表示機
構(11)にて表示させる(ブロックI!57))。
このとき1画素の中に複数の欠陥が存在する場合は、最
も大きい欠陥データをその画素の欠陥データとして表示
させる。最後に、ターンテーブル(2)    1の回
転を停止しくブロック(ハ))、ターンテーブル(社)
を元の位置にもどし被検査物(8)を取シはずして検査
終了となる(ブロック11]→)。
以上のように、本実施例の表面検査装置によれば、被検
査物が異った場合や、被検査物にソリがあった場合等、
欠陥のない場所の散乱光強度の変動があった場合でも、
各被検査物ごとに被検査物の任意に選択された半径rの
位置における任意周分のデータの平均値vAを求め、こ
の平均値7人に対して欠陥検出するための欠陥の大きさ
に対応した複数のレベルL+ 、 L2 、 Ls を
加算シてスレッショルドレベルT1. T、 、 T3
を設定しているため、各被検査物ごとにスレッショルド
レベルを標準サンプルにより校正する必要がなく1表面
欠陥を正確に検出することができる。また、平均値vA
の算出は、被検査物表面からの一部のデータに基づいて
いるので、迅速に行うことができる。さらに、複数のト
ラック分のデータをサンプリング、記憶した後、それら
について欠陥検出を行い、さらに画素ごとにデータをま
とめられるように一部メモリ部を設けたために、被検査
物全表面の測定データを1度に記憶する必要がないため
メモリ容量が少なくて゛すむ。
なお、上記実施例においては1回転位置信号として36
0パルス/回転を用いているが、適宜に選択してよい。
また、上記実施例においては、平均値7人算出は、実際
の検査前に、被検査物00)の特定半径r位置における
データに基づいているが、複数の異なる半径位置におけ
るデータに基づいて平均値を求めてよい。
さらに、上記実施例においては、ピーク検出部器からの
ピーク値データは、いったん第1のメモリ部(陶に記憶
させるようにしているが、ピーク信号SDを直接、欠陥
分類部0?)に入力させ、リアルタイムで欠陥分類を行
わせたのち1分類された欠陥データを第1のメモリ部(
至)又は第2のメモリ部(4Dに格納させるようにして
もよい。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明の表面検査装置によれば、被検査
物が異った場合や、被検査物にソリがあった場合等欠陥
の々い場所の散乱光強度の変動があった場合でも、各被
検査物ごとに基準値を自動的に検出し、その基準値に対
して欠陥検出するための複数のレベルを加算シてスレッ
ショルドレベルを設定しているため、各被検査物ごとに
スレッショルドレベルを標準サンプルにより校正する必
要がなく、表面欠陥を正確に検出することができる。
さらに、複数のトラック分のデータをサンプリング、記
憶した後、それらについて欠陥検出を行い、さらに画素
ごとにデータをまとめられるように一部メモリ部を設け
たために、被検査物全表面の測定データを1度に記憶す
る必要がないためメモリ容量が少なくてすむ。したがっ
て1本発明の表面検査装置を集積回路製造における検査
工程に導入した場合、検査能率及び検査精度が顕著に向
上し、集積回路の品質及び歩留の改善に寄与するところ
大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の表面検査装置の全体構成図
、第2図及び第3図は第1図の表面検査装置の作動を説
明するための70−チャート、第4図はデータサンプリ
ングを示すタイミングチャート、第5図は被検査物表面
におけるデータサンプリング領域を示す図、第6図は一
部メモリ部におけるデータ書込み例、第7図は従来の表
面検査方法を説明するだめの図、第8図は従来の表面検
査方法の欠点を説明するためのグラフである。 (8):被検査物、    (12):保持部、(13
) :照射部、      (l功:ターンテーブル。 α6):(第1の)モータ、 α椋:送り部、@:積分
球、   (z7a) :開口部、(イ):レーザ光発
振部、  翰:光電変換部。 (至):透“孔、      G汐:A/D変換器。 (ハ):ビーク検出部、   t3i :平均値算出部
、Gカニ欠陥分類部(欠陥検出部)。 G!1:中央制御部。 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 (紙か1名) 第2図 第3図 s4図 第5図 第6図 第7図 第8図 時間

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記構成を具備することを特徴とする表面検査装置。 (イ)被検査物を載置するターンテーブルと、このター
    ンテーブルを回転させるモータと、上記ターンテーブル
    を上記モータによる回転軸線に直交する方向に進退させ
    る送り部とを有する保持部 (ロ)開口部を有しこの開口部を上記ターンテーブルに
    近接して配設された積分球と、この積分球に連設され上
    記開口部を経由して上記ターンテーブルに載置された被
    検査物にレーザ光を斜めから照射するレーザ光発振部と
    、上記積分球に連設され上記積分球により集光された上
    記被検査物にて反射したレーザ散乱光を光電変換する光
    電変換器を有し、上記積分球には上記被検査物にて反射
    したレーザ正反射光を外部に放射させる透孔が穿設され
    た照射部 (ハ)上記光電変換器から出力されたアナログ検出信号
    をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディジタル
    変換器 (ニ)上記アナログ−ディジタル変換器から出力された
    ディジタル検出信号の平均値を求める平均値算出部 (ホ)上記アナログ−ディジタル変換器から出力された
    ディジタル検出信号を入力し一定期間ごとのピーク値を
    求めるピーク検出部 (ヘ)上記平均値算出部にて算出された平均値に基づい
    て上記被検査物の表面欠陥検出のためのスレッショルド
    レベルが設定され、かつ上記ピーク検出部にて求められ
    た上記ピーク値を示す信号を入力して上記スレッショル
    ドレベルと比較演算を行い比較結果に基づいて上記表面
    欠陥の判定処理を行う欠陥検出部 (ト)上記保持部及び上記平均値算出部及び上記欠陥検
    出部のシーケンス制御を行い、かつ上記欠陥検出部にお
    いて求められた欠陥データを記憶する中央制御部
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62247233A (ja) * 1986-04-21 1987-10-28 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 面板回転機構
JPS6435246A (en) * 1987-05-08 1989-02-06 Kiyuushii Oputeikusu Inc Apparatus and method for measuring nature of surface
JPH01250848A (ja) * 1988-03-31 1989-10-05 Nireco Corp 微小耳割検出装置
JP2008032582A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp 異物・欠陥検査装置および異物欠陥・検査方法
US8076007B2 (en) 2005-01-17 2011-12-13 Oiles Corporation Multilayered sliding member

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5614144A (en) * 1979-07-17 1981-02-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Signal processing method of hot flaw detection
JPS56103830U (ja) * 1980-01-10 1981-08-14
JPS57161642A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Olympus Optical Co Ltd Inspecting device for defect of surface
JPS5839936A (ja) * 1981-09-03 1983-03-08 Matsushita Electric Works Ltd 表面欠陥検出装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5614144A (en) * 1979-07-17 1981-02-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Signal processing method of hot flaw detection
JPS56103830U (ja) * 1980-01-10 1981-08-14
JPS57161642A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Olympus Optical Co Ltd Inspecting device for defect of surface
JPS5839936A (ja) * 1981-09-03 1983-03-08 Matsushita Electric Works Ltd 表面欠陥検出装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62247233A (ja) * 1986-04-21 1987-10-28 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 面板回転機構
JPS6435246A (en) * 1987-05-08 1989-02-06 Kiyuushii Oputeikusu Inc Apparatus and method for measuring nature of surface
JPH01250848A (ja) * 1988-03-31 1989-10-05 Nireco Corp 微小耳割検出装置
US8076007B2 (en) 2005-01-17 2011-12-13 Oiles Corporation Multilayered sliding member
JP2008032582A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp 異物・欠陥検査装置および異物欠陥・検査方法

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