JPS6128833B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6128833B2 JPS6128833B2 JP52135693A JP13569377A JPS6128833B2 JP S6128833 B2 JPS6128833 B2 JP S6128833B2 JP 52135693 A JP52135693 A JP 52135693A JP 13569377 A JP13569377 A JP 13569377A JP S6128833 B2 JPS6128833 B2 JP S6128833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power transistor
- ignition
- plate
- metal plate
- amplifier circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
- F02P3/00—Other installations
- F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
- F02P3/04—Layout of circuits
- F02P3/055—Layout of circuits with protective means to prevent damage to the circuit, e.g. semiconductor devices or the ignition coil
- F02P3/0552—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、点火装置に関し、特に信号増幅部を
混成集積回路で構成した半導体点火装置に関す
る。
混成集積回路で構成した半導体点火装置に関す
る。
従来、点火装置を点火コイルに取付けた装置は
種々あるが、モールドされた点火コイルと一体化
したものはあまり見られず、例えば本願と同一の
出願人による先願特願昭52―110576号があるが、
モールドされた点火コイルと一体化した状態で、
パワートランジスタチツプに発生する発熱を良好
に放散するとともにパワートランジスタチツプに
発生する高電圧に対して増幅回路を保護する必要
が生じた。
種々あるが、モールドされた点火コイルと一体化
したものはあまり見られず、例えば本願と同一の
出願人による先願特願昭52―110576号があるが、
モールドされた点火コイルと一体化した状態で、
パワートランジスタチツプに発生する発熱を良好
に放散するとともにパワートランジスタチツプに
発生する高電圧に対して増幅回路を保護する必要
が生じた。
特にモールド点火コイルの側面に点火装置を配
置するものにおいては、比較的面積の小さな金属
ケース内に増幅回路及びパワートランジスタが隣
接して配置されるため、発熱の問題や高電圧によ
る影響を受けやすい。
置するものにおいては、比較的面積の小さな金属
ケース内に増幅回路及びパワートランジスタが隣
接して配置されるため、発熱の問題や高電圧によ
る影響を受けやすい。
本発明の目的は、耐熱性の勝れたかつ高電圧に
よる誤動作の少ない点火装置を提供するにある。
よる誤動作の少ない点火装置を提供するにある。
かかる目的は、パワートランジスタチツプをモ
リブデン板を介してセラミツク板に取付け、セラ
ミツク板を金属板上に取付け、金属板をアースす
る事によりパワートランジスタの熱放散を良好に
し、かつ、パワートランジスタに発生する高電圧
を、アース電位でガードすることにより達成され
る。
リブデン板を介してセラミツク板に取付け、セラ
ミツク板を金属板上に取付け、金属板をアースす
る事によりパワートランジスタの熱放散を良好に
し、かつ、パワートランジスタに発生する高電圧
を、アース電位でガードすることにより達成され
る。
本発明の一実施例を第１図〜第６図に示す。
第１図は正面図、第２図はその一部を断面した
側面図、第３図は平面図である。
側面図、第３図は平面図である。
１は点火コイル、２は増幅器、３はステーであ
る。
る。
増幅器２は皿ねじ５によつてボス部１ａに固定
し、ステー３，３′はねじ６とスププリングワツ
シヤ７とナツト８により固定する。
し、ステー３，３′はねじ６とスププリングワツ
シヤ７とナツト８により固定する。
増幅器２を固定した後、皿ねじ５が外部から見
えないよう銘板４を接着する。
えないよう銘板４を接着する。
リード線１６，１６′はそれぞれ端子１ｅ、ス
テー３に接続し、リード線１８は無接点ピツクア
ツプ（図示せず）に接続する。
テー３に接続し、リード線１８は無接点ピツクア
ツプ（図示せず）に接続する。
増幅器２の詳細は第４図〜第６図に示す。
第４図は平面図、第５図は横断面図、第６図は
縦断面図である。
縦断面図である。
第５図のケーシング１０は混成集積回路１１の
取付関係は、セラミツク基板２０上にモノリシツ
クIC２１と厚膜抵抗等よりなる混成集積回路が
構成され、又、セラミツク基板２０上にモリブデ
ン２５を介してパワートランジスタチツプ２４が
構成され、パワートランジスタチツプ２４と混成
集積回路１１は、ボンデイングワイヤー２２によ
り接続され、セラミツク基板２０及び２６は、１
つの銅ベース２７上に接着され、銅ベースはアー
ス接続ワイヤー２３により混成集積回路１１のア
ース電位と同電位になつている。
取付関係は、セラミツク基板２０上にモノリシツ
クIC２１と厚膜抵抗等よりなる混成集積回路が
構成され、又、セラミツク基板２０上にモリブデ
ン２５を介してパワートランジスタチツプ２４が
構成され、パワートランジスタチツプ２４と混成
集積回路１１は、ボンデイングワイヤー２２によ
り接続され、セラミツク基板２０及び２６は、１
つの銅ベース２７上に接着され、銅ベースはアー
ス接続ワイヤー２３により混成集積回路１１のア
ース電位と同電位になつている。
銅ベース２７は導電性接着剤２８によりケーシ
ング１０に接着され、従つて、ケーシング１０も
混成集積回路１１のアースと同電位になつてい
る。
ング１０に接着され、従つて、ケーシング１０も
混成集積回路１１のアースと同電位になつてい
る。
ケーシング１０は熱の良導体であるアルミダイ
キヤスト製とし、皿穴１０ｃの内側全周に突起１
０ｂを形成し、この突起で囲まれる内側に混成集
積回路１１が接着されている。
キヤスト製とし、皿穴１０ｃの内側全周に突起１
０ｂを形成し、この突起で囲まれる内側に混成集
積回路１１が接着されている。
混成集積回路１１は、第４図下方の接続用端子
１９と接続されている。
１９と接続されている。
１４はゴム等の弾力性に富むブツシユで、その
一部はケーシング１０の突起１０ｂに合致する突
起を有し、リード線１６を挿入して端子１９に半
田付けする。
一部はケーシング１０の突起１０ｂに合致する突
起を有し、リード線１６を挿入して端子１９に半
田付けする。
１５はリード線１８（実施例ではシールド線）
を外部に引出すための絶縁物で形成されたブツシ
ユである。
を外部に引出すための絶縁物で形成されたブツシ
ユである。
１０ａはケーシング１０に設けた凹部で、点火
コイル１のボス部１ａがはまり込む部分である。
コイル１のボス部１ａがはまり込む部分である。
さて、第５図に示すように、銅ベース２７とケ
ーシング１０を導電性接着剤で接続する事によ
り、銅ベース２７の厚み薄い物を使用する事がで
き、又、導電性接着剤２８の熱抵抗は低い為、混
成集積回路１１及びパワートランジスタチツプ２
４の発熱を効率よくケーシング１０に伝導でき、
各素子の熱的劣化、破壊を防止できる。
ーシング１０を導電性接着剤で接続する事によ
り、銅ベース２７の厚み薄い物を使用する事がで
き、又、導電性接着剤２８の熱抵抗は低い為、混
成集積回路１１及びパワートランジスタチツプ２
４の発熱を効率よくケーシング１０に伝導でき、
各素子の熱的劣化、破壊を防止できる。
パワートランジスタチツプ２４とセラミツク板
２６の間にモリブデン板２５を挿入している為、
パワートランジスタチツプ２４とセラミツク板２
６の熱膨脹をモリブデン板２５で吸収でき、又、
セラミツク板２６とパワートランジスタチツプ２
４の間にはモリブデン板以外の金属板を使用して
いない為、セラミツク板２６とパワートランジス
タチツプ間の熱抵抗は非常に小さく、セラミツク
板２６として厚さ0.3mmの物を使用した場合の銅
ベース２７とパワートランジスタチツプ２４間の
熱抵抗は、1.5℃／ｗ以下にできる。又、モリブ
デン板２５とセラミツク板２６の表面積を略同等
としている為、熱的ストレスが少ない効果であ
る。
２６の間にモリブデン板２５を挿入している為、
パワートランジスタチツプ２４とセラミツク板２
６の熱膨脹をモリブデン板２５で吸収でき、又、
セラミツク板２６とパワートランジスタチツプ２
４の間にはモリブデン板以外の金属板を使用して
いない為、セラミツク板２６とパワートランジス
タチツプ間の熱抵抗は非常に小さく、セラミツク
板２６として厚さ0.3mmの物を使用した場合の銅
ベース２７とパワートランジスタチツプ２４間の
熱抵抗は、1.5℃／ｗ以下にできる。又、モリブ
デン板２５とセラミツク板２６の表面積を略同等
としている為、熱的ストレスが少ない効果であ
る。
本発明によれば、簡単な構造でパワートランジ
スタチツプと金属板を取付けている為、パワート
ランジスタの放熱に効果があり、又、モリブデン
板とセラミツクの表面積を略同等としている為、
セラミツクの熱膨脹をパワートランジスタチツプ
がより受けにくい構造となり、熱ストレスに対し
てパワートランジスタチツプの信頼性が上げられ
るとともに、共通金属板をアース電位とすること
から、パワートランジスタ部に高電圧が発生して
も誤動作せず、それ故信頼性の高い半導体点火装
置を得ることができるという優れた効果がある。
スタチツプと金属板を取付けている為、パワート
ランジスタの放熱に効果があり、又、モリブデン
板とセラミツクの表面積を略同等としている為、
セラミツクの熱膨脹をパワートランジスタチツプ
がより受けにくい構造となり、熱ストレスに対し
てパワートランジスタチツプの信頼性が上げられ
るとともに、共通金属板をアース電位とすること
から、パワートランジスタ部に高電圧が発生して
も誤動作せず、それ故信頼性の高い半導体点火装
置を得ることができるという優れた効果がある。
第１図は本発明の点火装置を示す正面図、第２
図は、第３図はそれぞれその側面図、平面図、第
４図は増幅器の平面図、第５図はその横断面図、
第６図は縦断面図である。 １…点火コイル、２…増幅器、３…ステー。
図は、第３図はそれぞれその側面図、平面図、第
４図は増幅器の平面図、第５図はその横断面図、
第６図は縦断面図である。 １…点火コイル、２…増幅器、３…ステー。
Claims (1)
- １ エンジンの回転と同期して発生される点火信
を受けて波形整形増幅し、点火タイミングを定め
る制御信号を出力するトランジスタ増幅回路と、
上記増幅回路からの制御信号により点火コイルの
一次電流の断続を行うパワートランジスタ回路と
から構成され、かつ上記点火コイルのモールド外
周面から金属製ケーシングにより配置して成る点
火装置において、上記増幅回路及び上記パワート
ランジスタ回路はそれぞれ分離した基板上に形成
され、上記増幅回路を形成する基板は上記金属製
ケーシングに共通の金属板を介して固着され、上
記パワートランジスタを形成する基板はモリブデ
ン板及びセラミツク板を介して上記共通金属板に
固着されており、上記共通金属板を点火装置のア
ース電位と同電位にするとともに、上記モリブデ
ン板及びセラミツク板の表面積を略同等としたこ
とを特徴とする半導体点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13569377A JPS5469624A (en) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | Ignition system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13569377A JPS5469624A (en) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | Ignition system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5469624A JPS5469624A (en) | 1979-06-04 |
| JPS6128833B2 true JPS6128833B2 (ja) | 1986-07-02 |
Family
ID=15157695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13569377A Granted JPS5469624A (en) | 1977-11-14 | 1977-11-14 | Ignition system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5469624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198844U (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2912991B2 (ja) * | 1993-08-13 | 1999-06-28 | 株式会社日立製作所 | 電子配電式点火装置及びその製造方法 |
-
1977
- 1977-11-14 JP JP13569377A patent/JPS5469624A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198844U (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5469624A (en) | 1979-06-04 |
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