JPS61283508A - 半導体結晶インゴツトのスライス方法 - Google Patents
半導体結晶インゴツトのスライス方法Info
- Publication number
- JPS61283508A JPS61283508A JP12501885A JP12501885A JPS61283508A JP S61283508 A JPS61283508 A JP S61283508A JP 12501885 A JP12501885 A JP 12501885A JP 12501885 A JP12501885 A JP 12501885A JP S61283508 A JPS61283508 A JP S61283508A
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- ingot
- slicing
- wafer
- blade
- crystal
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は、半導体結晶インゴットを回転ブレードでスラ
イスしてウェハを得る半導体結晶インゴットのスライス
方法に係り、特に回転ブレードの切込方向を結晶面の方
向と関連づけてスライス時に止しるウェハのそりに基因
するウェハの傷の発生を解消するようにしたものに関す
る。
イスしてウェハを得る半導体結晶インゴットのスライス
方法に係り、特に回転ブレードの切込方向を結晶面の方
向と関連づけてスライス時に止しるウェハのそりに基因
するウェハの傷の発生を解消するようにしたものに関す
る。
［従来の技術］
従来、半導体結晶、例えば化合物半導体単結晶のインゴ
ットからウェハを得るために、回転内周ブレードスライ
サ等でインゴットを径方向にスライスする際、インゴッ
ト周側面の方位は任意とし、ブレードの切込方向に対し
て径方向の結晶方向を無視してスライスしていた。
ットからウェハを得るために、回転内周ブレードスライ
サ等でインゴットを径方向にスライスする際、インゴッ
ト周側面の方位は任意とし、ブレードの切込方向に対し
て径方向の結晶方向を無視してスライスしていた。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、ブレードの切込方向に対してインゴ、ット径
方向の結晶方向を無視してスライスすると、スライス中
のウェハがブレードに吸着して傷が発するという問題が
あった。
方向の結晶方向を無視してスライスすると、スライス中
のウェハがブレードに吸着して傷が発するという問題が
あった。
この吸着による傷は、ウェハに深く入るため、後工程で
割れ等の不良となり、加工歩留を著しく低下させていた
。
割れ等の不良となり、加工歩留を著しく低下させていた
。
この傷発生原因は、ブレードと共に回転するクーラント
が、ウェハとブレード間を流れる際に吸引力となってウ
ェハがブレードに吸着することにあるが、常に発生する
わけでなく、またインゴットにより差があるなど、その
発生メカニズムは不明であり、有効な対策を採ることは
できなかった。
が、ウェハとブレード間を流れる際に吸引力となってウ
ェハがブレードに吸着することにあるが、常に発生する
わけでなく、またインゴットにより差があるなど、その
発生メカニズムは不明であり、有効な対策を採ることは
できなかった。
［発明の目的］
本発明の目的は、回転ブレードの切込方向をインゴット
結晶面の方向と関連づけることによって、上記問題点を
解消して、ウェハに傷の発生しない加工歩留の高い半導
体結晶インゴットのスライス方法を提供することである
。
結晶面の方向と関連づけることによって、上記問題点を
解消して、ウェハに傷の発生しない加工歩留の高い半導
体結晶インゴットのスライス方法を提供することである
。
［発明の概要］
化合物半導体単結晶をスライスした場合、結晶自身の歪
によりそりが発生し、このそりの方向はスライスの方向
によらず、結晶面の方向により一定であること、及びブ
レードへのウェハの吸着ばウェハ自身のそりによって太
き（影響を受けること等を本発明者は見出した。
によりそりが発生し、このそりの方向はスライスの方向
によらず、結晶面の方向により一定であること、及びブ
レードへのウェハの吸着ばウェハ自身のそりによって太
き（影響を受けること等を本発明者は見出した。
即ち、実施例に対応する第３図に示すブレード３の切込
方向に垂直な断面６において、第２図に示す如く、ウェ
ハ４のそりが切込端両側ないし断面６に沿う両側でイン
ゴット１側に接近し、中央で離反する形になるときウェ
ハの吸着による傷が発生し、ウェハ４のそりが逆の形に
なるとき、即ち第１図に示すような形のときには、吸着
による傷が発生しないことの知見を得た。
方向に垂直な断面６において、第２図に示す如く、ウェ
ハ４のそりが切込端両側ないし断面６に沿う両側でイン
ゴット１側に接近し、中央で離反する形になるときウェ
ハの吸着による傷が発生し、ウェハ４のそりが逆の形に
なるとき、即ち第１図に示すような形のときには、吸着
による傷が発生しないことの知見を得た。
この知見にもとづいて、本発明は、回転ブレード３でス
ライスされるウェハ４の両側がインゴットスライス面５
から離反するようなインゴット１の結晶面の方向を予め
調べておき、この方向と回転ブレード３の切込方向Ｖを
合わせてインゴット１や２５イ２ケ。よう１．よう。、
あ。。 ３［実施例］ 本発明の実施例を第１図〜第５図にもとづいて述べれば
、以下の通りである。
ライスされるウェハ４の両側がインゴットスライス面５
から離反するようなインゴット１の結晶面の方向を予め
調べておき、この方向と回転ブレード３の切込方向Ｖを
合わせてインゴット１や２５イ２ケ。よう１．よう。、
あ。。 ３［実施例］ 本発明の実施例を第１図〜第５図にもとづいて述べれば
、以下の通りである。
第３図に示す如く、半導体結晶（ここでは化合物半導体
単結晶であるＧａ Ａｓについて述べる）インゴット１
が、その軸方向を水平に向けてインゴット固定治具２に
セットされ、切込方向である垂直方向Ｖから降下しつつ
矢印方向ｒに回転する回転ブレード３により、径方向に
スライスされてウェハ４を得るようになっている。
単結晶であるＧａ Ａｓについて述べる）インゴット１
が、その軸方向を水平に向けてインゴット固定治具２に
セットされ、切込方向である垂直方向Ｖから降下しつつ
矢印方向ｒに回転する回転ブレード３により、径方向に
スライスされてウェハ４を得るようになっている。
図示例では回転ブレード３は内周ブレードであるが外周
ブレードであってもよい。また、スライス対重は化合物
半導体単結晶の他にシリコン多結晶あるいはシリコン単
結晶等、スライス時にそりが発生し、且つこのそりの方
向がスライスの方向、即ちブレード３の回転方向によら
ず、結晶軸の方向により一定になるものであればいずれ
でも可能である。
ブレードであってもよい。また、スライス対重は化合物
半導体単結晶の他にシリコン多結晶あるいはシリコン単
結晶等、スライス時にそりが発生し、且つこのそりの方
向がスライスの方向、即ちブレード３の回転方向によら
ず、結晶軸の方向により一定になるものであればいずれ
でも可能である。
さて、Ｑａ Ａｓでもスライスすると結晶の歪によって
ウェハ４にそりが発生するが、このそりは第４図に示す
ような形になる。図に現われている面がスライス面とな
り、［０１１］方向では第５図（ａ）のようにインゴッ
トスライス面５に対して凹に、これと直交する［ ００
１］方向では第５図（ｂ）のように凸にそる。
ウェハ４にそりが発生するが、このそりは第４図に示す
ような形になる。図に現われている面がスライス面とな
り、［０１１］方向では第５図（ａ）のようにインゴッ
トスライス面５に対して凹に、これと直交する［ ００
１］方向では第５図（ｂ）のように凸にそる。
したがって、スライス時、ブレード３の切込方向Ｖに垂
直な断面６において、インゴット周側面７を形成する結
晶面のうち（０１１）面の方向［０１１］をブレード３
の切込方向に一致させ、（０１１）面の方向［０１１］
を上記断面７と平行となるようにインゴット固定冶具２
上にインゴット１をセットすると、スライス中のウェハ
４のそりは、第２図ではなく、第１図に示すようにウェ
ハ４の両側がインゴットスライス面５がら離反するよう
な形になる。なお、この場合ウェハ４の上下がインゴッ
トスライス面に接近するようになるが、この上下のそり
は、スライス半ばを過ぎると生じる左右のそりと異なり
スライス完了後最大となるため、ブレード３への吸着要
因とならない。その結果、ブレード３に吸着することな
くウェハ４がスライスされ、ウェハ４に傷が発生するこ
とがなくなり、特に高価な化合物半導体単結晶の下降歩
留を著しく向上できる。
直な断面６において、インゴット周側面７を形成する結
晶面のうち（０１１）面の方向［０１１］をブレード３
の切込方向に一致させ、（０１１）面の方向［０１１］
を上記断面７と平行となるようにインゴット固定冶具２
上にインゴット１をセットすると、スライス中のウェハ
４のそりは、第２図ではなく、第１図に示すようにウェ
ハ４の両側がインゴットスライス面５がら離反するよう
な形になる。なお、この場合ウェハ４の上下がインゴッ
トスライス面に接近するようになるが、この上下のそり
は、スライス半ばを過ぎると生じる左右のそりと異なり
スライス完了後最大となるため、ブレード３への吸着要
因とならない。その結果、ブレード３に吸着することな
くウェハ４がスライスされ、ウェハ４に傷が発生するこ
とがなくなり、特に高価な化合物半導体単結晶の下降歩
留を著しく向上できる。
尚、上述した結晶面の方向は、本実１Ｍ例の場合には、
ＫＯＨによるエツチングで現われたエッチビットの形で
容易に判別できる。また、引上結晶では成長縞の形によ
っても判別可能である。したがって、インゴットの結晶
面の方向を予め調べておき、その方位にマーキング等を
施すことによって、インゴット固定治具２に方位を定め
て容易にセットできる。
ＫＯＨによるエツチングで現われたエッチビットの形で
容易に判別できる。また、引上結晶では成長縞の形によ
っても判別可能である。したがって、インゴットの結晶
面の方向を予め調べておき、その方位にマーキング等を
施すことによって、インゴット固定治具２に方位を定め
て容易にセットできる。
［発明の効果］
以上質するに本発明によれば、ブレードの切込方向に対
してインゴットの結晶の方向を定めてスライスするよう
にしたことにより、ウェハに全く傷を発生させることな
くスライスすることができ、もって、高価な半導体結晶
インゴットの加工歩留を大幅に向上することができる。
してインゴットの結晶の方向を定めてスライスするよう
にしたことにより、ウェハに全く傷を発生させることな
くスライスすることができ、もって、高価な半導体結晶
インゴットの加工歩留を大幅に向上することができる。
第１図は本発明方法によるスライス中のインゴットを示
す平断面図、第２図はウェハに傷が発生する場合におけ
るスライス中のインゴットを示す平断面図、第３図は切
断中のインゴットを示す斜視図、第４図はＱａ Ａｓ単
結晶インゴットからスライスして得られるウェハのそり
を示す斜視図、第５図は第４図の断面図を示し、（ａ
）は［０１１］方向、（ｂ）は［０１１］方向の断面図
である。 図中、１はインゴット、３は回転ブレード、４はウェハ
、５はインゴットスライス面、６は回転ブレードの切込
方向に垂直な面、■は回転ブレードの切込方向である。
す平断面図、第２図はウェハに傷が発生する場合におけ
るスライス中のインゴットを示す平断面図、第３図は切
断中のインゴットを示す斜視図、第４図はＱａ Ａｓ単
結晶インゴットからスライスして得られるウェハのそり
を示す斜視図、第５図は第４図の断面図を示し、（ａ
）は［０１１］方向、（ｂ）は［０１１］方向の断面図
である。 図中、１はインゴット、３は回転ブレード、４はウェハ
、５はインゴットスライス面、６は回転ブレードの切込
方向に垂直な面、■は回転ブレードの切込方向である。
Claims (2)
- （１）インゴットを回転ブレードでスライスしてウェハ
を得るに際して、上記回転ブレードでスライスされるウ
ェハのスライス端両側がインゴットスライス面から離反
するようなインゴットの結晶面の方向に、上記回転ブレ
ードの切込方向を合わせてインゴットをスライスするよ
うにしたことを特徴とする半導体結晶インゴットのスラ
イス方法。 - （２）上記インゴットがＧａＡｓから成る化合物半導体
単結晶であり、上記インゴットの結晶面の方向が、回転
ブレードの切込方向に垂直な面において、インゴットス
ライス面に対しウェハのそりをウェハ中央で接近し上記
垂直な面に沿う両側で離反させるような［０１１］方向
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体結晶インゴットのスライス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125018A JPH0761647B2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体結晶インゴットのスライス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125018A JPH0761647B2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体結晶インゴットのスライス方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283508A true JPS61283508A (ja) | 1986-12-13 |
| JPH0761647B2 JPH0761647B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=14899820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60125018A Expired - Lifetime JPH0761647B2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 半導体結晶インゴットのスライス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761647B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004512251A (ja) * | 2000-10-20 | 2004-04-22 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 単結晶を切断するための方法および装置ならびに調節装置ならびに結晶方位を決定するためのテスト方法 |
| JP2011166154A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Siltronic Ag | 半導体材料から成る結晶から多数のウェハを切断する方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129114A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of cutting monocrystal |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60125018A patent/JPH0761647B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129114A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of cutting monocrystal |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004512251A (ja) * | 2000-10-20 | 2004-04-22 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 単結晶を切断するための方法および装置ならびに調節装置ならびに結晶方位を決定するためのテスト方法 |
| JP2011166154A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Siltronic Ag | 半導体材料から成る結晶から多数のウェハを切断する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0761647B2 (ja) | 1995-07-05 |
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