JPH0917702A - Ｓｉ基板及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｉ基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0917702A JPH0917702A JP7163996A JP16399695A JPH0917702A JP H0917702 A JPH0917702 A JP H0917702A JP 7163996 A JP7163996 A JP 7163996A JP 16399695 A JP16399695 A JP 16399695A JP H0917702 A JPH0917702 A JP H0917702A
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- Japan
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- substrate
- film
- wafer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｉ基板の反りを低減でき、かつ、矯正によ
りＳｉ基板に割れ等が生じない新規なＳｉ基板及びその
製造方法を提供する。 【構成】 Ｓｉウエハ１０の表面にＳｉＯ2 等の膜１１
を作製したＳｉ基板１４において、上記膜１１を切断し
て溝を形成してなり、膜１１によりＳｉウエハ１０に一
様に加えられていた応力が部分的に解放され、反りｔを
低減できるＳｉ基板１４を作製することができる。
りＳｉ基板に割れ等が生じない新規なＳｉ基板及びその
製造方法を提供する。 【構成】 Ｓｉウエハ１０の表面にＳｉＯ2 等の膜１１
を作製したＳｉ基板１４において、上記膜１１を切断し
て溝を形成してなり、膜１１によりＳｉウエハ１０に一
様に加えられていた応力が部分的に解放され、反りｔを
低減できるＳｉ基板１４を作製することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉウエハの表面に膜を
作製したＳｉ基板に係り、特に膜により生じるＳｉ基板
の反りを低減できるＳｉ基板及びその製造方法に関する
ものである。
作製したＳｉ基板に係り、特に膜により生じるＳｉ基板
の反りを低減できるＳｉ基板及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉウエハの表面に、光学的素子や回路
を形成するためのガラス膜や強誘電体膜等の膜を作製し
たＳｉ基板は、作製後、Ｓｉウエハと膜の線膨脹係数の
違いにより反りを生じる。
を形成するためのガラス膜や強誘電体膜等の膜を作製し
たＳｉ基板は、作製後、Ｓｉウエハと膜の線膨脹係数の
違いにより反りを生じる。
【０００３】図４は、Ｓｉ基板に反りが生じた状態を示
したものである。
したものである。
【０００４】図４に示すように、Ｓｉウエハ２１の上部
表面にＳｉＯ2 等の膜２０を作製したＳｉ基板３０は、
膜２０によりＳｉウエハ２１に一様に応力が加わるた
め、反りｔが生じる。このため、Ｓｉ基板３０に生じた
反りｔを矯正させるための様々な方法が採られてきた。
表面にＳｉＯ2 等の膜２０を作製したＳｉ基板３０は、
膜２０によりＳｉウエハ２１に一様に応力が加わるた
め、反りｔが生じる。このため、Ｓｉ基板３０に生じた
反りｔを矯正させるための様々な方法が採られてきた。
【０００５】図５（Ａ），（Ｂ）は従来のＳｉ基板の反
りの低減方法を示したものである。
りの低減方法を示したものである。
【０００６】これまでのＳｉ基板３０の反りの低減方法
は、図５（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板３０を複数の吸
引穴２３を備えた表面が平坦な治具２２上に載せ、吸引
穴２３から矢印方向Ｐ，Ｐに真空引きすることにより、
Ｓｉ基板３０の反りｔを矯正するか、図５（Ｂ）に示す
ように、Ｓｉ基板３０をー表面が平坦な治具２５上に載
せ、Ｓｉ基板３０の上面に矢印方向Ｑから圧力を加え
て、Ｓｉ基板３０と治具２５間の接着剤２４を硬化させ
ることによってＳｉ基板３０の反りｔを矯正する等の方
法があった。
は、図５（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板３０を複数の吸
引穴２３を備えた表面が平坦な治具２２上に載せ、吸引
穴２３から矢印方向Ｐ，Ｐに真空引きすることにより、
Ｓｉ基板３０の反りｔを矯正するか、図５（Ｂ）に示す
ように、Ｓｉ基板３０をー表面が平坦な治具２５上に載
せ、Ｓｉ基板３０の上面に矢印方向Ｑから圧力を加え
て、Ｓｉ基板３０と治具２５間の接着剤２４を硬化させ
ることによってＳｉ基板３０の反りｔを矯正する等の方
法があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｓｉ基板の反りの低減方法は、Ｓｉ基板の反りをＳｉ基
板の吸引・圧着等のように外部力によって矯正するた
め、矯正力によりＳｉ基板に割れが生じる問題がある。
また、ある一定以上の反りｔを有するＳｉ基板において
は、矯正が不可能であるといった問題があった。
Ｓｉ基板の反りの低減方法は、Ｓｉ基板の反りをＳｉ基
板の吸引・圧着等のように外部力によって矯正するた
め、矯正力によりＳｉ基板に割れが生じる問題がある。
また、ある一定以上の反りｔを有するＳｉ基板において
は、矯正が不可能であるといった問題があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、Ｓｉ基板の反りを低減でき、かつ、矯正によりＳｉ
基板に割れ等が生じない新規なＳｉ基板及びその製造方
法を提供することにある。
し、Ｓｉ基板の反りを低減でき、かつ、矯正によりＳｉ
基板に割れ等が生じない新規なＳｉ基板及びその製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、Ｓｉウエハの表面にＳｉＯ2 等の
膜を作製したＳｉ基板において、上記膜を切断して溝を
形成したものである。
に請求項１の発明は、Ｓｉウエハの表面にＳｉＯ2 等の
膜を作製したＳｉ基板において、上記膜を切断して溝を
形成したものである。
【００１０】請求項２の発明は、上記溝は、上記膜に縦
・横の２方向にのみ形成されるものである。
・横の２方向にのみ形成されるものである。
【００１１】請求項３の発明は、Ｓｉウエハの表面にＳ
ｉＯ2 等の膜を作製するＳｉ基板の製造方法において、
成膜後、上記膜にダイシングまたはエッチングにより溝
加工を施したものである。
ｉＯ2 等の膜を作製するＳｉ基板の製造方法において、
成膜後、上記膜にダイシングまたはエッチングにより溝
加工を施したものである。
【００１２】
【作用】上記の構成によれば、Ｓｉウエハの表面に作製
された膜に、ダイシング加工またはエッチング加工によ
って、膜を切断して溝を縦・横の２方向にのみ形成する
ことにより、膜によりＳｉウエハに一様に加わっていた
応力が部分的に解放され、Ｓｉ基板の反りを低減するこ
とができ、かつ、矯正によるＳｉ基板の割れ等が生じる
おそれもなくなる。
された膜に、ダイシング加工またはエッチング加工によ
って、膜を切断して溝を縦・横の２方向にのみ形成する
ことにより、膜によりＳｉウエハに一様に加わっていた
応力が部分的に解放され、Ｓｉ基板の反りを低減するこ
とができ、かつ、矯正によるＳｉ基板の割れ等が生じる
おそれもなくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００１４】図１は、本発明のＳｉ基板の平面図を示
し、図２（Ａ）は、図１におけるａ−ａ線矢視図、図２
（Ｂ）は、図２（Ａ）における丸枠Ｃの拡大図、図３
は、図１におけるｂ−ｂ線矢視図を示している。
し、図２（Ａ）は、図１におけるａ−ａ線矢視図、図２
（Ｂ）は、図２（Ａ）における丸枠Ｃの拡大図、図３
は、図１におけるｂ−ｂ線矢視図を示している。
【００１５】図１〜３に示すように、Ｓｉ基板１４は、
Ｓｉウエハ１０の表面に膜（例えばＳｉＯ2 等のガラス
膜もしくは強誘電体膜など）１１を作製して形成され
る。
Ｓｉウエハ１０の表面に膜（例えばＳｉＯ2 等のガラス
膜もしくは強誘電体膜など）１１を作製して形成され
る。
【００１６】Ｓｉウエハ１０の表面に、ガラス膜や強誘
電体等膜の膜１１を作製したＳｉ基板１４は、光学的素
子や回路として用いられる。
電体等膜の膜１１を作製したＳｉ基板１４は、光学的素
子や回路として用いられる。
【００１７】Ｓｉウエハ１０は、例えば、Ｓｉ融液から
Ｓｉ結晶を成長させるＣＺ（引上）法とＦＺ（浮游帯域
溶融）法等によって作製されるＳｉインゴットをスライ
スして作製される。膜１１は、例えば、熱酸化法、陽極
酸化法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等によって作製される。
Ｓｉ結晶を成長させるＣＺ（引上）法とＦＺ（浮游帯域
溶融）法等によって作製されるＳｉインゴットをスライ
スして作製される。膜１１は、例えば、熱酸化法、陽極
酸化法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等によって作製される。
【００１８】さて、本発明においては、Ｓｉウエハ１０
の表面に作製された膜１１には、その膜１１を格子状に
切断する横溝１２および縦溝１３が形成される。この横
溝１２および縦溝１３の交差角度αは、例えば９０°に
形成する。
の表面に作製された膜１１には、その膜１１を格子状に
切断する横溝１２および縦溝１３が形成される。この横
溝１２および縦溝１３の交差角度αは、例えば９０°に
形成する。
【００１９】図１に示す縦溝１３は、図２（Ａ）に示す
ように、ダイシングまたはエッチングによって膜１１を
切断する深さまで形成される。すなわち、図２（Ｂ）に
図２（Ａ）の丸枠Ｃの部分の詳細を示すように、Ｓｉウ
エハ表面１０ａからの深さｄを零以上の深さまで形成す
ることで、膜１１は縦溝１３で完全に切断される。
ように、ダイシングまたはエッチングによって膜１１を
切断する深さまで形成される。すなわち、図２（Ｂ）に
図２（Ａ）の丸枠Ｃの部分の詳細を示すように、Ｓｉウ
エハ表面１０ａからの深さｄを零以上の深さまで形成す
ることで、膜１１は縦溝１３で完全に切断される。
【００２０】また、図１に示す横溝１２は、図３に示す
ように、図２に示した縦溝１３と同様の深さまで形成さ
れる。
ように、図２に示した縦溝１３と同様の深さまで形成さ
れる。
【００２１】このように、格子状に切断され、ブロック
状にされたそれぞれの膜１１には、新たなＳｉＯ2 等の
ガラス膜や強誘電体膜等を作製したり、ホトエッチング
やエッチング加工等を施すことにより、独立した光学的
素子や回路が形成される。
状にされたそれぞれの膜１１には、新たなＳｉＯ2 等の
ガラス膜や強誘電体膜等を作製したり、ホトエッチング
やエッチング加工等を施すことにより、独立した光学的
素子や回路が形成される。
【００２２】その後、それぞれの光学的素子や回路は個
々に分割され、光デバイス等の製品となる。
々に分割され、光デバイス等の製品となる。
【００２３】従って、横溝１２および縦溝１３の各間隔
は、形成する光学的素子に応じた間隔で形成するか、或
いは、Ｓｉ基板１４の反り状況に応じて、反りを最適に
低減できる間隔に形成する。またＳｉ基板１４に、あら
かじめ所定の幅で、横溝１２および縦溝１３を形成する
ことにより、Ｓｉ基板１４を個々に分割する際に、膜１
１を切断する必要がなく、切断が容易になる。
は、形成する光学的素子に応じた間隔で形成するか、或
いは、Ｓｉ基板１４の反り状況に応じて、反りを最適に
低減できる間隔に形成する。またＳｉ基板１４に、あら
かじめ所定の幅で、横溝１２および縦溝１３を形成する
ことにより、Ｓｉ基板１４を個々に分割する際に、膜１
１を切断する必要がなく、切断が容易になる。
【００２４】次に実施例の作用を説明する。
【００２５】Ｓｉウエハ１０の表面に作製された膜１１
に、膜１１を切断して溝を縦・横の２方向にのみ形成す
ることにより、成膜直後、膜１１によりＳｉウエハ１０
に一様に加えられていた応力が部分的に解放され、Ｓｉ
基板１０の反りを低減でき、また矯正の必要もなくな
る。
に、膜１１を切断して溝を縦・横の２方向にのみ形成す
ることにより、成膜直後、膜１１によりＳｉウエハ１０
に一様に加えられていた応力が部分的に解放され、Ｓｉ
基板１０の反りを低減でき、また矯正の必要もなくな
る。
【００２６】尚、本実施例では、横溝１２と縦溝１３は
直交しているが、溝の方向は縦・横の２方向にのみであ
れば、溝が交差してなす交差角度αは９０°でなくても
よいことは勿論である。
直交しているが、溝の方向は縦・横の２方向にのみであ
れば、溝が交差してなす交差角度αは９０°でなくても
よいことは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、Ｓｉウエ
ハの表面に作製された膜により反りが生じたＳｉ基板に
おいて、その膜に溝を縦・横の２方向にのみ形成するこ
とにより、膜によりＳｉウエハに一様に加えられていた
応力が部分的に解放されるため、反りが低減されたＳｉ
基板を作製することができるという優れた効果を発揮す
る。
ハの表面に作製された膜により反りが生じたＳｉ基板に
おいて、その膜に溝を縦・横の２方向にのみ形成するこ
とにより、膜によりＳｉウエハに一様に加えられていた
応力が部分的に解放されるため、反りが低減されたＳｉ
基板を作製することができるという優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明のＳｉ基板の平面図である。
【図２】図１におけるａ−ａ線矢視図である。
【図３】図１におけるｂ−ｂ線矢視図である。
【図４】Ｓｉ基板の反りが生じた状態図である。
【図５】従来のＳｉ基板の反りの低減方法を示す概略図
である。
である。
１０ Ｓｉウエハ １１ 膜 １４ Ｓｉ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺岡 達夫 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉウエハの表面にＳｉＯ2 等の膜を作
製したＳｉ基板において、上記膜を切断して溝を形成し
たことを特徴とするＳｉ基板。 - 【請求項２】 上記溝は、上記膜に縦・横の２方向にの
み形成される請求項１記載のＳｉ基板。 - 【請求項３】 Ｓｉウエハの表面にＳｉＯ2 等の膜を作
製するＳｉ基板の製造方法において、成膜後、上記膜に
ダイシングまたはエッチングにより溝加工を施すことを
特徴とするＳｉ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163996A JPH0917702A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Ｓｉ基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163996A JPH0917702A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Ｓｉ基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917702A true JPH0917702A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15784784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163996A Pending JPH0917702A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | Ｓｉ基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917702A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031524A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006043813A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 保護膜付きマイクロシステム構造体及びその製造方法 |
| US7387945B2 (en) | 2004-05-11 | 2008-06-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip, semiconductor device and electronic equipment including warpage control film, and manufacturing method of same |
| JP2009094316A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014133253A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Towa Corp | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 |
| JP2014207386A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2016165015A (ja) * | 2009-05-07 | 2016-09-08 | クアルコム，インコーポレイテッド | 不連続な薄い半導体ウェハ表面のフィーチャ |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP7163996A patent/JPH0917702A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031524A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7387945B2 (en) | 2004-05-11 | 2008-06-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip, semiconductor device and electronic equipment including warpage control film, and manufacturing method of same |
| JP2006043813A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 保護膜付きマイクロシステム構造体及びその製造方法 |
| JP2009094316A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016165015A (ja) * | 2009-05-07 | 2016-09-08 | クアルコム，インコーポレイテッド | 不連続な薄い半導体ウェハ表面のフィーチャ |
| JP2014133253A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Towa Corp | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 |
| JP2014207386A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |