JP2014133253A - 基板の切断加工方法及び切断加工装置 - Google Patents
基板の切断加工方法及び切断加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014133253A JP2014133253A JP2013003308A JP2013003308A JP2014133253A JP 2014133253 A JP2014133253 A JP 2014133253A JP 2013003308 A JP2013003308 A JP 2013003308A JP 2013003308 A JP2013003308 A JP 2013003308A JP 2014133253 A JP2014133253 A JP 2014133253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- cutting
- sealed
- sealed substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】基板上の電子部品を樹脂封止した積層基板Ｗの反りを測定すると共に、この反りを矯正した状態で積層基板Ｗを電子部品モジュールＷ３毎に切断して分離する。
【解決手段】積層基板Ｗを供給する基板供給工程と、この積層基板Ｗの反りを測定する反り測定工程と、この積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合に該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射してスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、この積層基板Ｗを係止し且つその反りを矯正した状態で保持する反り矯正工程と、この積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ３を照射或は切断用ブレードによる切断加工を行うことによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に切断分離（Ｓ１）する基板切断工程と、該各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容工程とを備える積層基板の切断加工方法及び装置。
【選択図】図１
【解決手段】積層基板Ｗを供給する基板供給工程と、この積層基板Ｗの反りを測定する反り測定工程と、この積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合に該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射してスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、この積層基板Ｗを係止し且つその反りを矯正した状態で保持する反り矯正工程と、この積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ３を照射或は切断用ブレードによる切断加工を行うことによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に切断分離（Ｓ１）する基板切断工程と、該各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容工程とを備える積層基板の切断加工方法及び装置。
【選択図】図１
Description
本発明は、基板の切断加工方法と切断加工装置に関し、特に、基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板の反りを測定して検知すると共に、この反りを矯正した状態で樹脂封止済基板を電子部品モジュール毎に切断して分離するようにした基板の切断加工方法及び切断加工装置の改良に関する。
例えば、大形の円形状半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼付すると共に、この半導体ウエハを、粘着テープを介して切断加工装置における保持部に供給し、この状態で、半導体ウエハにおける切断予定ラインを切断加工するように構成したレーザ加工装置が提案されている。また、この半導体ウエハに反りが発生している場合は、変位検出手段によって、その変位を検出し半導体ウエハの反りの位置・程度を測定すること、そして、その測定結果に基づいて、半導体ウエハの厚さ方向における集光点位置を調整しながらレーザ光を照射して加工位置を一定にすること、また、半導体ウエハの反りを吸引手段や押圧手段を介して水平状に矯正した後に切断加工すること等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に開示された半導体ウエハは、裏面に貼付した粘着テープの中央部に電子部品の樹脂封止成形体を配置しており、また、この半導体ウエハを加工装置の保持部に装着する場合はその樹脂封止成形体の外周縁部（リングフレーム）を切断加工装置の保持部に保持させるように構成している。
即ち、半導体ウエハを加工装置の保持部に装着する場合、半導体ウエハにおける電子部品の樹脂封止成形体と加工装置の保持部との両者が接触しないので、この電子部品の樹脂封止成形体の部分に反り等の異常が発生していたとしても、半導体ウエハを加工装置の保持部に装着する作用については何等支障が無いと云った利点を有している。
即ち、半導体ウエハを加工装置の保持部に装着する場合、半導体ウエハにおける電子部品の樹脂封止成形体と加工装置の保持部との両者が接触しないので、この電子部品の樹脂封止成形体の部分に反り等の異常が発生していたとしても、半導体ウエハを加工装置の保持部に装着する作用については何等支障が無いと云った利点を有している。
ところで、基板上に装着した半導体素子等の電子部品を樹脂材料にて封止成形した樹脂封止済基板（以下、積層基板と略称する。）を切断加工装置へ搬送供給すると共に、該積層基板を切断加工装置における吸着ステージ上に直接的に吸着保持させた状態でその切断予定ラインを切断加工するような場合は、特許文献１に開示された技術をそのまま応用することができない。
即ち、この積層基板は、例えば、吸着作用を利用した吸着搬送手段等を介して、そのままの状態で切断加工装置へ搬送供給するように設けられている。そして、切断加工装置における吸着ステージ上に直接的に吸着保持させるものである。
従って、積層基板に一定以上の反りが発生している場合、例えば、２ｍｍ以上の反りが発生していると、積層基板を吸着搬送手段等で切断加工装置へ搬送供給したとき、切断加工装置の吸着ステージ上に吸着保持させることが困難であると云った問題がある。
また、２ｍｍ以上の反りが発生している積層基板を、特許文献１に示すような吸引手段や押圧手段等の機械的な反り矯正手段を用いて強制的に矯正したり、或は、これを切断加工装置における基板搬送機構や吸着ステージ上に強制的に吸着保持させるような場合は、積層基板の矯正作用や吸着保持作用が困難であるのみならず、該積層基板にクラックが発生する等、基板切断加工作業上の重大な問題がある。
即ち、この積層基板は、例えば、吸着作用を利用した吸着搬送手段等を介して、そのままの状態で切断加工装置へ搬送供給するように設けられている。そして、切断加工装置における吸着ステージ上に直接的に吸着保持させるものである。
従って、積層基板に一定以上の反りが発生している場合、例えば、２ｍｍ以上の反りが発生していると、積層基板を吸着搬送手段等で切断加工装置へ搬送供給したとき、切断加工装置の吸着ステージ上に吸着保持させることが困難であると云った問題がある。
また、２ｍｍ以上の反りが発生している積層基板を、特許文献１に示すような吸引手段や押圧手段等の機械的な反り矯正手段を用いて強制的に矯正したり、或は、これを切断加工装置における基板搬送機構や吸着ステージ上に強制的に吸着保持させるような場合は、積層基板の矯正作用や吸着保持作用が困難であるのみならず、該積層基板にクラックが発生する等、基板切断加工作業上の重大な問題がある。
本発明は、積層基板を切断加工装置における吸着ステージ上に基板搬送機構で直接的に吸着保持させる場合において、一定以上（例えば、２ｍｍ以上）の反りが発生している積層基板についても、該積層基板の損傷を防止しながらその反りを効率良く且つ確実に矯正することができると共に、該積層基板を基板搬送機構で吸着ステージ上に効率良く且つ確実に吸着保持させることができ、更に、該積層基板における所定の切断予定ラインを効率良く且つ確実に切断加工することができる基板の切断加工方法とこの方法を実施するための切断加工装置を提供することを目的とする。
また、上記した目的を達成するための本発明に係る基板の切断加工方法は、基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工方法であって、
前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍの供給部１に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に吸着保持させる吸着ステージ上への基板吸着保持工程と、
前記吸着ステージ上への基板吸着保持工程を経た前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする。
前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍの供給部１に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に吸着保持させる吸着ステージ上への基板吸着保持工程と、
前記吸着ステージ上への基板吸着保持工程を経た前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする。
上記した目的を達成するための本発明に係る他の基板の切断加工方法は、基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工方法であって、
前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍの供給部１に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段４・40にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする。
前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍの供給部１に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段４・40にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする。
また、上記した目的を達成するための本発明に係る基板の切断加工装置は、基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工装置であって、
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部１と、
前記樹脂封止済基板の供給部１に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部２と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部２にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
前記封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにスリット状の溝Ｓを形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段４・40と、
前記矯正保持手段４・40に保持した前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送する基板移送手段５と、
前記切断加工装置の吸着ステージ９上に吸着保持させた前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部６と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部６にて得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えたことを特徴とする。
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部１と、
前記樹脂封止済基板の供給部１に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部２と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部２にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
前記封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにスリット状の溝Ｓを形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段４・40と、
前記矯正保持手段４・40に保持した前記樹脂封止済基板を切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送する基板移送手段５と、
前記切断加工装置の吸着ステージ９上に吸着保持させた前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部６と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部６にて得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えたことを特徴とする。
上記した目的を達成するための本発明に係る他の基板の切断加工装置は、基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工装置であって、
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部１と、
前記樹脂封止済基板の供給部１に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部２と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部２にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
前記封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにスリット状の溝Ｓを形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段４・40と、
前記矯正保持手段４・40にて保持した前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段４・40にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部６と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部６にて得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容部７とを備えたことを特徴とする。
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部１と、
前記樹脂封止済基板の供給部１に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部２と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部２にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
前記封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにスリット状の溝Ｓを形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段４・40にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして（反りを解消して）水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段４・40と、
前記矯正保持手段４・40にて保持した前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段４・40にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部６と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部６にて得られた前記各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して収容する成形品収容部７とを備えたことを特徴とする。
本発明に係る基板の切断加工方法及び切断加工装置によれば、積層基板Ｗの反りを測定して一定以上（例えば、２ｍｍ以上）の反りが発生している積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射してスリット状の溝Ｓを形成する。そして、この封止樹脂層Ｗ２に形成したスリット状の溝Ｓによって、該積層基板の損傷を防止しながらその反りを効率良く且つ確実に矯正することができる。
従って、反りを矯正した積層基板を、反りが発生していない積層基板の場合と同様に、基板搬送機構等に効率良く且つ確実に吸着保持させることができると共に、この状態で、該積層基板を移送することができる。
また、吸着ステージ９上に移送した積層基板を該吸着ステージ９上に効率良く且つ確実に吸着保持させることができる。
また、この積層基板の反りを矯正した状態でその切断予定ライン（スリット状の溝）に沿って切断加工することにより、該積層基板を電子部品モジュール毎に切断して分離することができる。
また、基板の切断加工装置Ｍに、基板の反り測定部２と積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２への溝形成部３及び基板の矯正保持手段４とを配設したので、該切断加工装置Ｍに一定以上の反りが発生している積層基板が供給された場合でもその切断加工作業を中断する必要がないので、積層基板Ｗの全体的な切断加工作業を効率良く行うことができる。
従って、反りを矯正した積層基板を、反りが発生していない積層基板の場合と同様に、基板搬送機構等に効率良く且つ確実に吸着保持させることができると共に、この状態で、該積層基板を移送することができる。
また、吸着ステージ９上に移送した積層基板を該吸着ステージ９上に効率良く且つ確実に吸着保持させることができる。
また、この積層基板の反りを矯正した状態でその切断予定ライン（スリット状の溝）に沿って切断加工することにより、該積層基板を電子部品モジュール毎に切断して分離することができる。
また、基板の切断加工装置Ｍに、基板の反り測定部２と積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２への溝形成部３及び基板の矯正保持手段４とを配設したので、該切断加工装置Ｍに一定以上の反りが発生している積層基板が供給された場合でもその切断加工作業を中断する必要がないので、積層基板Ｗの全体的な切断加工作業を効率良く行うことができる。
以下、図に示す本発明の実施例について説明する。
図１及び図２は本発明の第一実施例であって、図１はその切断加工装置の構成を示しており、また、図２はその切断加工方法の説明図である。
図１及び図２には、基板Ｗ１と該基板Ｗ１上に装着した多数の電子部品を樹脂封止した封止樹脂層Ｗ２とから成る樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工装置Ｍを例示している。
この切断加工装置Ｍは、次の構成を備えている。
即ち、積層基板Ｗを供給するための基板の供給部１と、
基板の供給部１に供給した積層基板Ｗの反りを測定する基板の反り測定部２と、
基板の反り測定部２にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、例えば、積層基板Ｗに２ｍｍを超えるような反りが発生しているときに、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを係合保持すると共に、この係合保持作用時に該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する基板の矯正保持手段４と、
基板の矯正保持手段４に保持した積層基板Ｗを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送する基板移送手段と、
吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を切断することによって、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板の切断加工部６と、
基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えている。
この切断加工装置Ｍは、次の構成を備えている。
即ち、積層基板Ｗを供給するための基板の供給部１と、
基板の供給部１に供給した積層基板Ｗの反りを測定する基板の反り測定部２と、
基板の反り測定部２にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、例えば、積層基板Ｗに２ｍｍを超えるような反りが発生しているときに、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを係合保持すると共に、この係合保持作用時に該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する基板の矯正保持手段４と、
基板の矯正保持手段４に保持した積層基板Ｗを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送する基板移送手段と、
吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を切断することによって、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板の切断加工部６と、
基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えている。
上記した基板の供給部１は、多数枚の積層基板Ｗを収納した基板マガジン１ａを載置すると共に、該基板マガジン１ａから積層基板Ｗを一枚づつ順次に送り出して切断加工装置Ｍの移送プレート８上に供給するように設けている。
なお、このような基板マガジン１ａを配設することに替えて、例えば、積層基板Ｗを適当な搬送機構（図示なし）を介して、切断加工装置Ｍの外部から移送プレート８上に搬送供給するように設けてもよい。
なお、このような基板マガジン１ａを配設することに替えて、例えば、積層基板Ｗを適当な搬送機構（図示なし）を介して、切断加工装置Ｍの外部から移送プレート８上に搬送供給するように設けてもよい。
上記した基板の反り測定部２には、移送プレート８を介して、該基板の反り測定部２に移送した積層基板Ｗについて発生している反りの有無及び反りの程度を測定するための変位センサ２ａを備えている。
この変位センサ２ａは、例えば、図１(2) に示すように、積層基板Ｗに照射して反射したレーザ光Ｌ２を利用して反りが発生していない正常な積層基板の基準位置との変位を測定して検出した積層基板Ｗの反りの有無及びその程度を検出する。
そして、この測定値が上記基準位置から一定以下（例えば、２ｍｍ未満）の変位である場合は、吸着ステージ９上に積層基板Ｗを係合固定させることが容易である。
このため、直ちに、適宜な基板移送手段（図示なし）にて切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上に移送（移載）することができる。
この変位センサ２ａは、例えば、図１(2) に示すように、積層基板Ｗに照射して反射したレーザ光Ｌ２を利用して反りが発生していない正常な積層基板の基準位置との変位を測定して検出した積層基板Ｗの反りの有無及びその程度を検出する。
そして、この測定値が上記基準位置から一定以下（例えば、２ｍｍ未満）の変位である場合は、吸着ステージ９上に積層基板Ｗを係合固定させることが容易である。
このため、直ちに、適宜な基板移送手段（図示なし）にて切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上に移送（移載）することができる。
なお、例えば、基板の矯正保持手段４と移送プレート８との両者は、基板の矯正保持手段４に係合固定させて保持した積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上に移送（移載）するための基板移送手段の機能を備えている。
従って、この場合は、専用の基板移送手段（図示なし）が不要となるため、切断加工装置Ｍの全体的な構成を簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
従って、この場合は、専用の基板移送手段（図示なし）が不要となるため、切断加工装置Ｍの全体的な構成を簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
また、前記した測定値が上記基準位置から一定以上（例えば、２ｍｍ以上）の変位である場合は、基板の切断時に、積層基板Ｗを吸着ステージ９上に吸着保持することができない。これを機械的に保持しようとすると積層基板Ｗを強圧することとなるため、該積層基板Ｗにクラックを発生させる（積層基板Ｗを損傷する）等の重大な弊害がある。
従って、この場合は、図１(3) に示すように、該積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４によって移送プレート８上に係止する。即ち、積層基板Ｗに対して、該積層基板Ｗを変形させるような過大な押圧力を加えない程度の弾性押圧力Ｐ１にて移送プレート８上に固定させればよい。
従って、この場合は、図１(3) に示すように、該積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４によって移送プレート８上に係止する。即ち、積層基板Ｗに対して、該積層基板Ｗを変形させるような過大な押圧力を加えない程度の弾性押圧力Ｐ１にて移送プレート８上に固定させればよい。
上記した溝形成部３には、積層基板Ｗに設定されている切断予定ライン（図示なし）にレーザ光Ｌ１を照射してその封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するためのレーザ発振器３ａを備えている（図１(3) 参照）。
積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するには、図１(3) に示すように、基板の矯正保持手段４にて積層基板Ｗを移送プレート８上に係合固定させると共に、この状態で、レーザ発振器３ａにてその封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射すればよい。
なお、このスリット状の溝Ｓの深さは最大で封止樹脂層Ｗ２の厚み程度となるように設定すればよい。
積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するには、図１(3) に示すように、基板の矯正保持手段４にて積層基板Ｗを移送プレート８上に係合固定させると共に、この状態で、レーザ発振器３ａにてその封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射すればよい。
なお、このスリット状の溝Ｓの深さは最大で封止樹脂層Ｗ２の厚み程度となるように設定すればよい。
上記した基板の矯正保持手段４は、図１(4) に示すように、溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを、矯正保持手段４による弾性押圧力Ｐ２にて移送プレート８側へ更に押圧することにより、該積層基板の反りを無くして水平状に矯正すると共に、この状態で、該積層基板を移送プレート８上に保持させるものである。
なお、このとき、封止樹脂層Ｗ２にはその切断予定ラインに沿ってスリット状の溝Ｓを形成してあるため、矯正保持手段４の弾性押圧力Ｐ２によって、該積層基板の全体を効率良く水平状に変形させることができる。
即ち、スリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４に係合保持させる過程において、該積層基板の反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段４によって移送プレート８上に確実に保持させることができる。
なお、このとき、封止樹脂層Ｗ２にはその切断予定ラインに沿ってスリット状の溝Ｓを形成してあるため、矯正保持手段４の弾性押圧力Ｐ２によって、該積層基板の全体を効率良く水平状に変形させることができる。
即ち、スリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４に係合保持させる過程において、該積層基板の反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段４によって移送プレート８上に確実に保持させることができる。
また、上記した溝形成部３でスリット状の溝Ｓを形成し且つ水平状に矯正した積層基板Ｗを、適宜な基板移送手段にて切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送（移載）することができる。
なお、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９における吸着機構９ａを介して該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができるように設けている（図１(5) 参照）。
なお、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９における吸着機構９ａを介して該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができるように設けている（図１(5) 参照）。
上記した基板の切断加工部６には、積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２に形成した溝Ｓの各部位に合わせてレーザ光Ｌ３を照射することにより、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１するためのレーザ発振器６ａを備えている（図１(5) 参照）。
上記した成形品収容部７には、基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３（成形品）を収容する成形品収容用具７ａを備えている。
なお、レーザ発振器３ａには集塵機構10が設けられている。また、レーザ発振器６ａにおいては、レーザ光Ｌ３の照射にアシストガスの噴射を併用することができる。また、吸着ステージ９（９ａ）における積層基板Ｗを吸着する側にはゴム弾性を有する材料にて形成された吸着部11が設けられている。
次に、積層基板Ｗの反りを矯正して保持すると共に、該積層基板Ｗを切断予定ラインに沿って切断加工することにより、該積層基板Ｗから各電子部品モジュールＷ３を分離する基板の切断加工方法について詳細に説明する。
まず、図２(1) に示すように、積層基板Ｗを切断加工装置Ｍにおける基板の供給部１の移送プレート８上に搬送すると共に、該積層基板の基板Ｗ１側を移送プレート８上の所定位置に載置し且つその封止樹脂層Ｗ２が上側となるように供給セットする基板供給工程を行う。
次に、図２(2) に示すように、基板供給工程にて供給した移送プレート８上の積層基板Ｗを基板の反り測定部２に移送すると共に、変位センサ２ａを介して、該積層基板Ｗの反りを測定する反り測定工程を行う。
次に、図２(3) に示すように、反り測定工程にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、移送プレート８を介して、該積層基板を溝形成部３に移送する。そして、基板の矯正保持手段４を介して、移送プレート８上の積層基板における基板Ｗ１を押圧して係止する。
なお、前記したように、基板の矯正保持手段４による積層基板Ｗの係止状態は、積層基板Ｗの基板Ｗ１に対して該矯正保持手段４による弾性押圧力Ｐ１を加えることにより、該積層基板Ｗが移送プレート８上の所定位置から容易に移動しない状態であればよい。
そして、このときの弾性押圧力Ｐ１は、積層基板Ｗを移送プレート８側へ押圧変形させない程度の弾性押圧力となるように設定している。
更に、図２(3) 及び図２(4) に示すように、レーザ発振器３ａを介して、移送プレート８上に係止した積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程を行う。
なお、前記したように、基板の矯正保持手段４による積層基板Ｗの係止状態は、積層基板Ｗの基板Ｗ１に対して該矯正保持手段４による弾性押圧力Ｐ１を加えることにより、該積層基板Ｗが移送プレート８上の所定位置から容易に移動しない状態であればよい。
そして、このときの弾性押圧力Ｐ１は、積層基板Ｗを移送プレート８側へ押圧変形させない程度の弾性押圧力となるように設定している。
更に、図２(3) 及び図２(4) に示すように、レーザ発振器３ａを介して、移送プレート８上に係止した積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程を行う。
次に、図２(4) に示すように、基板の矯正保持手段４を介して、溝形成工程を経た積層基板Ｗを弾性押圧力Ｐ２にて更に移送プレート８側へ押圧して該積層基板を水平状に変形させることにより、該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程を行う。
なお、このとき、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２には溝形成工程によってスリット状の溝Ｓを形成してあるので、前記したように、該積層基板Ｗを矯正保持手段４に係合保持させる過程において該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板Ｗを該矯正保持手段４によって移送プレート８上に確実に保持させることができる。
なお、このとき、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２には溝形成工程によってスリット状の溝Ｓを形成してあるので、前記したように、該積層基板Ｗを矯正保持手段４に係合保持させる過程において該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板Ｗを該矯正保持手段４によって移送プレート８上に確実に保持させることができる。
次に、図２(5) に示すように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９（吸着部11）上に移送して移載することにより、該積層基板Ｗを該吸着ステージ９上に吸着保持させる吸着ステージ上への基板吸着保持工程を行う。
反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板移送手段によって確実に保持されると共に、この状態で、該積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上の所定位置に移送（移載）することができる。
なお、この吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９に設けられる吸着機構９ａを介して、該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができる。
反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板移送手段によって確実に保持されると共に、この状態で、該積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上の所定位置に移送（移載）することができる。
なお、この吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９に設けられる吸着機構９ａを介して、該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができる。
次に、図２(6) に示すように、レーザ発振器６ａを介して、吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工（フルカット）Ｓ１することにより、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行う。
次に、図２(7) に示すように、基板切断工程を経て得られた各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して、収容用具７ａ等に収容する成形品収容工程を行う。
この実施例の構成によれば、積層基板Ｗの反りを測定して一定以上の反りが発生している積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにスリット状の溝Ｓを形成することにより、該積層基板の損傷を防止しながらその反りを効率良く且つ確実に矯正することができる。
従って、反りを矯正した積層基板を、反りが発生していない積層基板の場合と同様に、基板移送手段に効率良く且つ確実に保持させることができると共に、この状態で、該積層基板を移送することができる。
また、吸着ステージ９上に移送した積層基板を該吸着ステージ９上に効率良く且つ確実に吸着保持させることができる。
また、この積層基板の反りを矯正した状態でその切断予定ライン（スリット状の溝）に沿って切断加工することにより、該積層基板を電子部品モジュール毎に切断して分離することができる。
また、基板の切断加工装置Ｍに、基板の反り測定部２と積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２への溝形成部３及び基板の矯正保持手段４とを配設したので、該切断加工装置Ｍに一定以上の反りが発生している積層基板が供給された場合でもその切断加工作業を中断する必要がないので、積層基板Ｗの全体的な切断加工作業を効率良く行うことができる。
従って、反りを矯正した積層基板を、反りが発生していない積層基板の場合と同様に、基板移送手段に効率良く且つ確実に保持させることができると共に、この状態で、該積層基板を移送することができる。
また、吸着ステージ９上に移送した積層基板を該吸着ステージ９上に効率良く且つ確実に吸着保持させることができる。
また、この積層基板の反りを矯正した状態でその切断予定ライン（スリット状の溝）に沿って切断加工することにより、該積層基板を電子部品モジュール毎に切断して分離することができる。
また、基板の切断加工装置Ｍに、基板の反り測定部２と積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２への溝形成部３及び基板の矯正保持手段４とを配設したので、該切断加工装置Ｍに一定以上の反りが発生している積層基板が供給された場合でもその切断加工作業を中断する必要がないので、積層基板Ｗの全体的な切断加工作業を効率良く行うことができる。
次に、本発明に係る第二実施例の形態を、図３及び図４に基づいて説明する。
図３及び図４は本発明の第二実施例であって、図３はその切断加工装置の構成を示しており、また、図４はその切断加工方法の説明図である。
第二実施例が第一実施例のものと異なる点は、切断加工装置Ｍにおいて、基板の反り測定部２から基板の切断加工部６まで吸着ステージ９の構成を用いる点であり、その他の点については第一実施例のものと実質的に同じである。
従って、異なる点に関して説明すると共に、第一実施例のものと実質的に同じ構成部材については同じ符号を付して、説明の重複を避ける。
なお、図３(2) 及び図４(2) に示す基板の反り測定部２において、吸着ステージ９の吸着機構９ａを作動させる構成を用いてもよい。
第二実施例が第一実施例のものと異なる点は、切断加工装置Ｍにおいて、基板の反り測定部２から基板の切断加工部６まで吸着ステージ９の構成を用いる点であり、その他の点については第一実施例のものと実質的に同じである。
従って、異なる点に関して説明すると共に、第一実施例のものと実質的に同じ構成部材については同じ符号を付して、説明の重複を避ける。
なお、図３(2) 及び図４(2) に示す基板の反り測定部２において、吸着ステージ９の吸着機構９ａを作動させる構成を用いてもよい。
第二実施例において、反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板の矯正保持手段４と吸着ステージ９（吸着部11）とによって確実に保持することができる（図３(4) 参照）。
従って、この状態で、該積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工Ｓ１することによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行えばよい（図３(5) 参照）。
従って、この状態で、該積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工Ｓ１することによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行えばよい（図３(5) 参照）。
図３(4) 及び図３(5) に示すように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２に形成した溝Ｓの各部位に、レーザ発振器６ａを介して、レーザ光Ｌ３を照射することにより完全に切断加工Ｓ１することができる。
即ち、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４と吸着ステージ９（吸着部11）とによって確実に係合保持させた状態で、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
即ち、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４と吸着ステージ９（吸着部11）とによって確実に係合保持させた状態で、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
また、図３(5) 及び図４(5) は基板の切断加工部６を示している。
この切断加工部６においては、前記したように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４と吸着ステージ９（吸着部11）とによって確実に係合保持させた状態で、該積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
この切断加工部６においては、前記したように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段４と吸着ステージ９（吸着部11）とによって確実に係合保持させた状態で、該積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
また、上記基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３（成形品）を、適宜な搬送機構（図示なし）を介して、成形品収容部７の成形品収容用具７ａに収容すればよい（図４(6) 参照）。
また、図には、積層基板の封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するためのレーザ発振器３ａと、積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１するためのレーザ発振器６ａとを個別に配設した場合を示しているが、該両レーザ発振器３ａ・６ａを兼用することができるようなレーザ発振器（図示なし）を設けるようにしてもよい。
この第二実施例の構成によれば、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上に移送する必要がないため、基板移送手段を省略し得て切断加工装置Ｍの全体的な構成を更に簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
次に、本発明に係る第三実施例の形態を、図５及び図６に基づいて説明する。
図５及び図６は本発明の第三実施例であって、図５はその切断加工装置の構成を示しており、また、図６はその切断加工方法の説明図である。
第三実施例が前各実施例のものと大きく異なる点は、基板の供給部１の移送プレート８上に搬送供給される積層基板Ｗが、逆の姿勢で、即ち、その基板Ｗ１が上側となり且つその封止樹脂層Ｗ２が下側となる上下逆の姿勢で移送プレート８上の所定位置に搬送供給される点であり、更に、これに基づき、該積層基板Ｗの矯正保持手段の構造等を変更した点である。
第三実施例が前各実施例のものと大きく異なる点は、基板の供給部１の移送プレート８上に搬送供給される積層基板Ｗが、逆の姿勢で、即ち、その基板Ｗ１が上側となり且つその封止樹脂層Ｗ２が下側となる上下逆の姿勢で移送プレート８上の所定位置に搬送供給される点であり、更に、これに基づき、該積層基板Ｗの矯正保持手段の構造等を変更した点である。
図５及び図６には、基板Ｗ１と該基板Ｗ１上に装着した多数の電子部品を樹脂封止した封止樹脂層Ｗ２とから成る樹脂封止済基板（積層基板Ｗ）における切断予定ラインを切断して電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板の切断加工装置Ｍを例示している。
この切断加工装置Ｍは、前各実施例に示すものと実質的に同じ構成を備えている。
即ち、積層基板Ｗを供給するための基板の供給部１と、
基板の供給部１に供給した積層基板Ｗの反りを測定する基板の反り測定部２と、
基板の反り測定部２にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、例えば、積層基板Ｗに２ｍｍを超えるような反りが発生しているときに、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを係合保持すると共に、この係合保持作用時に該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する基板の矯正保持手段40と、
基板の矯正保持手段40に保持した積層基板Ｗを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送する基板移送手段５と、
吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を切断することによって、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板の切断加工部６と、
基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えている。
この切断加工装置Ｍは、前各実施例に示すものと実質的に同じ構成を備えている。
即ち、積層基板Ｗを供給するための基板の供給部１と、
基板の供給部１に供給した積層基板Ｗの反りを測定する基板の反り測定部２と、
基板の反り測定部２にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、例えば、積層基板Ｗに２ｍｍを超えるような反りが発生しているときに、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射することにより、該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成部３と、
溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを係合保持すると共に、この係合保持作用時に該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する基板の矯正保持手段40と、
基板の矯正保持手段40に保持した積層基板Ｗを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送する基板移送手段５と、
吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を切断することによって、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板の切断加工部６と、
基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３を収容する成形品収容部７とを備えている。
上記した基板の供給部１は、多数枚の積層基板Ｗを収納した基板マガジン１ａを載置すると共に、該基板マガジン１ａから積層基板Ｗを一枚づつ順次に送り出して切断加工装置Ｍの移送プレート８上に供給するように設けている。
なお、このような基板マガジン１ａを配設することに替えて、例えば、積層基板Ｗを適当な搬送機構（図示なし）を介して、切断加工装置Ｍの外部から移送プレート８上に搬送供給するように設けてもよい。
また、移送プレート８上に供給した積層基板Ｗは、前記したように、その基板Ｗ１が上側となり且つその封止樹脂層Ｗ２が下側となる姿勢で該移送プレート８上の所定位置に供給されている（図５(2) 参照）。
なお、このような基板マガジン１ａを配設することに替えて、例えば、積層基板Ｗを適当な搬送機構（図示なし）を介して、切断加工装置Ｍの外部から移送プレート８上に搬送供給するように設けてもよい。
また、移送プレート８上に供給した積層基板Ｗは、前記したように、その基板Ｗ１が上側となり且つその封止樹脂層Ｗ２が下側となる姿勢で該移送プレート８上の所定位置に供給されている（図５(2) 参照）。
上記した基板の反り測定部２には、移送プレート８を介して、該基板の反り測定部２に移送した積層基板Ｗについて発生している反りの有無及び反りの程度を測定するための変位センサ２ａを備えている。
この変位センサ２ａは、例えば、図５(2) に示すように、積層基板Ｗに照射して反射したレーザ光Ｌ２を利用して反りが発生していない正常な積層基板の基準位置との変位を測定して検出した積層基板Ｗの反りの有無及びその程度を検出する。
そして、この測定値が上記基準位置から一定以下（例えば、２ｍｍ未満）の変位である場合は、基板の矯正保持手段40（41、５）を介して、例えば、図に示すようなチャック機構(５)、又は、吸着支持機構（図示なし）を介して、該積層基板を、直ちに、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送することができる。
この変位センサ２ａは、例えば、図５(2) に示すように、積層基板Ｗに照射して反射したレーザ光Ｌ２を利用して反りが発生していない正常な積層基板の基準位置との変位を測定して検出した積層基板Ｗの反りの有無及びその程度を検出する。
そして、この測定値が上記基準位置から一定以下（例えば、２ｍｍ未満）の変位である場合は、基板の矯正保持手段40（41、５）を介して、例えば、図に示すようなチャック機構(５)、又は、吸着支持機構（図示なし）を介して、該積層基板を、直ちに、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送することができる。
なお、このとき、基板の矯正保持手段40は、該基板の矯正保持手段40に保持した積層基板Ｗを切断加工装置の吸着ステージ９上に移送する基板移送手段５の機能を備えている。
従って、この場合は、専用の基板移送手段（図示なし）が不要となるため、切断加工装置Ｍの全体的な構成を簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
従って、この場合は、専用の基板移送手段（図示なし）が不要となるため、切断加工装置Ｍの全体的な構成を簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
また、前記した測定値が上記基準位置から一定以上（例えば、２ｍｍ以上）の変位である場合は、図５(3) に示すように、該積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40にて係止する。即ち、積層基板Ｗに対して、該積層基板Ｗを変形させるような過大な押圧力を加えない程度の弾性押圧力Ｐ３にて該矯正保持手段40に係止させればよい。
なお、一般的に、図例のような基板の矯正保持手段40（基板移送手段５）によって、積層基板Ｗを機械的に保持しようとすると、当該積層基板Ｗにとって過大な押圧力を加えることになり、積層基板Ｗを強圧することになるため、該積層基板Ｗにクラックを発生させる（積層基板Ｗを損傷する）等の重大な弊害が発生する。この場合、基板の矯正保持手段40にて積層基板Ｗを基板の損傷なしで確実に保持することができない。
なお、一般的に、図例のような基板の矯正保持手段40（基板移送手段５）によって、積層基板Ｗを機械的に保持しようとすると、当該積層基板Ｗにとって過大な押圧力を加えることになり、積層基板Ｗを強圧することになるため、該積層基板Ｗにクラックを発生させる（積層基板Ｗを損傷する）等の重大な弊害が発生する。この場合、基板の矯正保持手段40にて積層基板Ｗを基板の損傷なしで確実に保持することができない。
上記した溝形成部３には、積層基板Ｗに設定されている切断予定ライン（図示なし）にレーザ光Ｌ１を照射してその封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するためのレーザ発振器３ａを備えている（図５(3) 参照）。
積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するには、図５(3) に示すように、積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40に係止させた状態で、レーザ発振器３ａにてその封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射すればよい。
なお、このスリット状の溝Ｓの深さは最大で封止樹脂層Ｗ２の厚み程度となるように形成すればよい。
積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するには、図５(3) に示すように、積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40に係止させた状態で、レーザ発振器３ａにてその封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿ってレーザ光Ｌ１を照射すればよい。
なお、このスリット状の溝Ｓの深さは最大で封止樹脂層Ｗ２の厚み程度となるように形成すればよい。
上記した基板の矯正保持手段40は、図５(4) に示すように、溝形成部３にて封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを、矯正保持手段40による弾性押圧力Ｐ４にて該矯正保持手段の本体41側へ更に押圧することにより、該積層基板の反りを無くして水平状に矯正すると共に、この状態で、該積層基板を基板の矯正保持手段40に係止して保持させるものである。
なお、このとき、封止樹脂層Ｗ２にはその切断予定ラインに沿ってスリット状の溝Ｓを形成してあるため、矯正保持手段40の弾性押圧力Ｐ４によって、該積層基板の全体を効率良く水平状に変形させることができる。
即ち、スリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40に係止して保持させる過程において、該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段40によってその本体41側に確実に保持することができる。
なお、このとき、封止樹脂層Ｗ２にはその切断予定ラインに沿ってスリット状の溝Ｓを形成してあるため、矯正保持手段40の弾性押圧力Ｐ４によって、該積層基板の全体を効率良く水平状に変形させることができる。
即ち、スリット状の溝Ｓを形成した積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40に係止して保持させる過程において、該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段40によってその本体41側に確実に保持することができる。
上記した基板移送手段５は、水平状に矯正した状態の積層基板Ｗを切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９上に移送するものである。
そして、基板の矯正保持手段40は水平状に矯正した状態の積層基板Ｗを確実に保持すると共に、これを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送することができるので、前記した基板移送手段５の機能を備えている。このため、該矯正保持手段40は基板移送手段５を兼ねた構成となっている。
なお、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９における吸着機構９ａを介して該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができるように設けている（図５(5) 参照）。
そして、基板の矯正保持手段40は水平状に矯正した状態の積層基板Ｗを確実に保持すると共に、これを切断加工装置における吸着ステージ９上に移送することができるので、前記した基板移送手段５の機能を備えている。このため、該矯正保持手段40は基板移送手段５を兼ねた構成となっている。
なお、切断加工装置の吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９における吸着機構９ａを介して該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができるように設けている（図５(5) 参照）。
上記した基板の切断加工部６には、積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２に形成した溝Ｓの各部位に合わせてレーザ光Ｌ３を照射することにより、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１するためのレーザ発振器６ａを備えている（図５(5) 参照）。
上記した成形品収容部７には、基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３（成形品）を収容する成形品収容用具７ａを備えている。
なお、レーザ発振器３ａには集塵機構10が設けられている。また、レーザ発振器６ａにおいては、レーザ光Ｌ３の照射にアシストガスの噴射を併用することができる。また、吸着ステージ９（９ａ）における積層基板Ｗを吸着する側にはゴム弾性を有する材料にて形成された吸着部11が設けられている。
次に、積層基板Ｗの反りを矯正して保持すると共に、該積層基板Ｗを切断予定ラインに沿って切断加工することにより、該積層基板Ｗから各電子部品モジュールＷ３を分離する基板の切断加工方法について詳細に説明する。
まず、図６(1) に示すように、積層基板Ｗを切断加工装置Ｍにおける基板の供給部１の移送プレート８上に搬送すると共に、該積層基板の封止樹脂層Ｗ２側を移送プレート８上の所定位置に載置し且つその基板Ｗ１が上側となるように供給セットする基板供給工程を行う。
次に、図６(2) に示すように、基板供給工程にて供給した移送プレート８上の積層基板Ｗを基板の反り測定部２に移送すると共に、変位センサ２ａを介して、該積層基板Ｗの反りを測定する反り測定工程を行う。
次に、図６(3) に示すように、反り測定工程にて検出した積層基板Ｗの反り測定値が基準値以上である場合、基板の矯正保持手段40を介して、移送プレート８上の積層基板における基板Ｗ１を係止すると共に、この状態で、該積層基板を溝形成部３に移送する。
この係止状態は、積層基板Ｗの基板Ｗ１に対して該積層基板Ｗが移動しない程度の弾性押圧力Ｐ３を加えた状態であり、従って、この基板Ｗ１に対する弾性押圧力Ｐ３は該積層基板Ｗを基板の矯正保持手段の本体41側へ押圧変形させない程度の弾性押圧力となるように設定している。
更に、図６(3) 及び図６(4) に示すように、レーザ発振器３ａを介して、基板の矯正保持手段40に係止した積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程を行う。
この係止状態は、積層基板Ｗの基板Ｗ１に対して該積層基板Ｗが移動しない程度の弾性押圧力Ｐ３を加えた状態であり、従って、この基板Ｗ１に対する弾性押圧力Ｐ３は該積層基板Ｗを基板の矯正保持手段の本体41側へ押圧変形させない程度の弾性押圧力となるように設定している。
更に、図６(3) 及び図６(4) に示すように、レーザ発振器３ａを介して、基板の矯正保持手段40に係止した積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインにレーザ光Ｌ１を照射して該封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成する溝形成工程を行う。
次に、図６(4) に示すように、基板の矯正保持手段40を介して、溝形成工程を経た積層基板Ｗを弾性押圧力Ｐ４にて更に基板の矯正保持手段の本体41側へ押圧して該積層基板を水平状に変形させることにより、該積層基板Ｗの反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程を行う。
なお、このとき、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２には溝形成工程によってスリット状の溝Ｓを形成してあるので、前記したように、積層基板Ｗを矯正保持手段の本体41側へ押圧状に係合保持させる過程において該積層基板の反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段40にて確実に保持させることができる。
なお、このとき、該積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２には溝形成工程によってスリット状の溝Ｓを形成してあるので、前記したように、積層基板Ｗを矯正保持手段の本体41側へ押圧状に係合保持させる過程において該積層基板の反りを無くして水平状に矯正することができると共に、矯正した積層基板を該矯正保持手段40にて確実に保持させることができる。
次に、図６(5) に示すように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを切断加工装置Ｍにおける吸着ステージ９（吸着部11）上に移送（移載）すると共に、該積層基板Ｗを該吸着ステージ９上に吸着保持させる吸着ステージ上への基板吸着保持工程を行う。
反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板の矯正保持手段40（基板移送手段５）によって確実に保持されているので、この状態で、該積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上の所定位置に移送することができる。
なお、この吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９に設けられる吸着機構９ａを介して、該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができる。
また、前記したように、基板の矯正保持手段40は基板移送手段５の機能を備えている。
しかしながら、反り矯正工程を経た積層基板Ｗはその反りが矯正されているので、図例に示したような基板移送手段５（40）に替えて、反りの無い正常な積層基板を搬送するための適宜な他の基板移送機構（図示なし）を並設するようにしてもよい。
反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板の矯正保持手段40（基板移送手段５）によって確実に保持されているので、この状態で、該積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上の所定位置に移送することができる。
なお、この吸着ステージ９上に移送した積層基板Ｗは、該吸着ステージ９に設けられる吸着機構９ａを介して、該吸着ステージ９上の所定位置に吸着保持させることができる。
また、前記したように、基板の矯正保持手段40は基板移送手段５の機能を備えている。
しかしながら、反り矯正工程を経た積層基板Ｗはその反りが矯正されているので、図例に示したような基板移送手段５（40）に替えて、反りの無い正常な積層基板を搬送するための適宜な他の基板移送機構（図示なし）を並設するようにしてもよい。
次に、図６(6) に示すように、レーザ発振器６ａを介して、吸着ステージ９上に吸着保持させた積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工（フルカット）Ｓ１することにより、該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行う。
次に、図６(7) に示すように、基板切断工程を経て得られた各電子部品モジュールＷ３を収容部７へ搬送して、収容用具７ａ等に収容する成形品収容工程を行う。
この実施例の構成によれば、第一実施例のものと実質的に同じ効果が得られる。
次に、本発明に係る第四実施例の形態を、図７及び図８に基づいて説明する。
図７及び図８は本発明の第四実施例であって、図７はその切断加工装置の構成を示しており、また、図８はその切断加工方法の説明図である。
第四実施例が第三実施例のものと異なる点は、例えば、図５(5)に示すような切断加工装置Ｍの吸着ステージ９の構成を省略した点であり、その他の点については第三実施例のものと実質的に同じである。
従って、異なる点に関して説明すると共に、第三実施例のものと実質的に同じ構成部材については同じ符号を付して、説明の重複を避ける。
第四実施例が第三実施例のものと異なる点は、例えば、図５(5)に示すような切断加工装置Ｍの吸着ステージ９の構成を省略した点であり、その他の点については第三実施例のものと実質的に同じである。
従って、異なる点に関して説明すると共に、第三実施例のものと実質的に同じ構成部材については同じ符号を付して、説明の重複を避ける。
第三実施例において、反り矯正工程を経た積層基板Ｗは、基板の矯正保持手段40によって確実に保持することができる（図７(4) 参照）。
従って、この状態で、該積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工Ｓ１することによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行えばよい（図７(5) 参照）。
なお、積層基板Ｗを係着する基板の矯正保持手段40の本体41には、積層基板Ｗを吸着して保持する吸着ステージ９が設けられている。また、基板の矯正保持手段40の吸着ステージ９には吸着機構９ａと、積層基板Ｗの側に設けられて積層基板Ｗを吸着して保持し且つゴム弾性材料で形成された吸着部11とが設けられて構成されている。従って、積層基板Ｗ、或いは電子部品モジュールＷ３（成形品）を効率良く吸着して保持することができるように構成されている。
従って、この状態で、該積層基板の封止樹脂層Ｗ２における切断予定ラインに沿って該積層基板を完全に切断加工Ｓ１することによって該積層基板を電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行えばよい（図７(5) 参照）。
なお、積層基板Ｗを係着する基板の矯正保持手段40の本体41には、積層基板Ｗを吸着して保持する吸着ステージ９が設けられている。また、基板の矯正保持手段40の吸着ステージ９には吸着機構９ａと、積層基板Ｗの側に設けられて積層基板Ｗを吸着して保持し且つゴム弾性材料で形成された吸着部11とが設けられて構成されている。従って、積層基板Ｗ、或いは電子部品モジュールＷ３（成形品）を効率良く吸着して保持することができるように構成されている。
図７(4) 及び図８(4) に示すような反り矯正工程を経た積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２に形成した溝Ｓの各部位に、レーザ発振器６ａを介して、レーザ光Ｌ３を照射することにより完全に切断加工Ｓ１（フルカット）することができる。
即ち、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40によって確実に係止して保持させた状態で、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１（フルカット）して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
即ち、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40によって確実に係止して保持させた状態で、該積層基板を完全に切断加工Ｓ１（フルカット）して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
また、図７(5) 及び図８(5) は基板の切断加工部６を示している。
この切断加工部６においては、前記したように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40によって確実に係止して保持させた状態で、該積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
このとき、基板の矯正保持手段40の吸着部11にて各電子部品モジュールＷ３を吸着保持することができる。
なお、溝形成部３において、基板の矯正保持手段40の吸着ステージ９（吸着機構９ａ）にて積層基板Ｗを吸着することにより、積層基板Ｗの反りを矯正することができる。
この切断加工部６においては、前記したように、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを基板の矯正保持手段40によって確実に係止して保持させた状態で、該積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１して各電子部品モジュールＷ３毎に分離する基板切断工程を行うことができる。
このとき、基板の矯正保持手段40の吸着部11にて各電子部品モジュールＷ３を吸着保持することができる。
なお、溝形成部３において、基板の矯正保持手段40の吸着ステージ９（吸着機構９ａ）にて積層基板Ｗを吸着することにより、積層基板Ｗの反りを矯正することができる。
また、上記基板の切断加工部６にて得られた各電子部品モジュールＷ３（成形品）を、適宜な搬送機構（図示なし）を介して、成形品収容部７の成形品収容用具７ａに収容すればよい（図４(6) 参照）。
また、図には、積層基板の封止樹脂層Ｗ２にスリット状の溝Ｓを形成するためのレーザ発振器３ａと、積層基板Ｗを完全に切断加工Ｓ１するためのレーザ発振器６ａとを個別に配設した場合を示しているが、該両レーザ発振器３ａ・６ａを兼用することができるようなレーザ発振器（図示なし）を設けるようにしてもよい。
この第四実施例の構成によれば、反り矯正工程を経た積層基板Ｗを切断加工装置Ｍの吸着ステージ９上に移送（移載）する必要がないため、該吸着ステージ９を省略し得て切断加工装置Ｍの全体的な構成を更に簡略化若しくは省略化することができると云った利点がある。
なお、前記した各実施例においては、基板の切断加工部６にレーザ切断機構（レーザ発振器６ａ）を配設して構成した場合を示したが、図９に示すように、このレーザ切断機構に替えて、所謂、ブレード切断機構を採用するようにしてもよい。
また、基板の切断加工部６にブレード切断機構を採用する場合においては、例えば、図９(1) に示すように、積層基板Ｗの封止樹脂層Ｗ２側を吸着ステージ９（吸着部11）上に吸着保持させ且つその基板Ｗ１が上側となるように設置し、この状態で、図９(2) に示すように、封止樹脂層Ｗ２に形成したスリット状の溝Ｓ（即ち、切断予定ライン）に沿ってブレードＢによる切断加工を行うようにしてもよい。
また、基板の切断加工部６にブレード切断機構を採用する場合において、吸着ステージ９上に吸着保持させる積層基板Ｗの姿勢（吸着状態）を上下逆向きにする必要があるときは、例えば、積層基板Ｗを該吸着ステージ９上で適宜な積層基板反転手段にて上下反転可能に設けることによって、積層基板Ｗの姿勢を上下反転させることができるような構成（図示なし）を採用すればよい。
更に、基板の切断加工部６に、レーザ切断機構（レーザ発振器６ａ）とブレード切断機構（ブレードＢ）とを並設することにより、例えば、積層基板Ｗの素材や構造その他の性状に基づいて予測される、より好適な切断機構を適宜に選択して用いることができる構成を採用してもよい。
１ 基板の供給部
１ａ 基板マガジン
２ 基板の反り測定部
２ａ 変位センサ
３ 溝形成部
３ａ レーザ発振器
４ 基板の矯正保持手段
５ 基板移送手段
６ 基板の切断加工部
６ａ レーザ発振器
７ 成形品収容部
７ａ 収容用具
８ 移送プレート
９ 吸着ステージ
９ａ 吸着機構
10 集塵機構
11 吸着部
40 基板の矯正保持手段
41 基板の板矯正保持手段本体
Ｂ ブレード
Ｌ１ レーザ光
Ｌ２ レーザ光
Ｌ３ レーザ光
Ｍ 基板の切断加工装置
Ｐ１ 弾性押圧力
Ｐ２ 弾性押圧力
Ｐ３ 弾性押圧力
Ｐ４ 弾性押圧力
Ｓ スリット状の溝
Ｓ１ 切断加工（フルカット）
Ｗ 積層基板（樹脂封止済基板）
Ｗ１ 基板
Ｗ２ 封止樹脂層
Ｗ３ 電子部品モジュール（成形品）
１ａ 基板マガジン
２ 基板の反り測定部
２ａ 変位センサ
３ 溝形成部
３ａ レーザ発振器
４ 基板の矯正保持手段
５ 基板移送手段
６ 基板の切断加工部
６ａ レーザ発振器
７ 成形品収容部
７ａ 収容用具
８ 移送プレート
９ 吸着ステージ
９ａ 吸着機構
10 集塵機構
11 吸着部
40 基板の矯正保持手段
41 基板の板矯正保持手段本体
Ｂ ブレード
Ｌ１ レーザ光
Ｌ２ レーザ光
Ｌ３ レーザ光
Ｍ 基板の切断加工装置
Ｐ１ 弾性押圧力
Ｐ２ 弾性押圧力
Ｐ３ 弾性押圧力
Ｐ４ 弾性押圧力
Ｓ スリット状の溝
Ｓ１ 切断加工（フルカット）
Ｗ 積層基板（樹脂封止済基板）
Ｗ１ 基板
Ｗ２ 封止樹脂層
Ｗ３ 電子部品モジュール（成形品）
Claims (4)
- 基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工方法であって、
前記樹脂封止済基板を切断加工装置の供給部に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインにレーザ光を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置における吸着ステージ上に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程を経た前記樹脂封止済基板を切断加工装置における吸着ステージ上に吸着保持させる吸着ステージ上への基板吸着保持工程と、
前記吸着ステージ上への基板吸着保持工程を経た前記樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュール毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールを収容部へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする基板の切断加工方法。 - 基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工方法であって、
前記樹脂封止済基板を切断加工装置の供給部に搬送供給する基板供給工程と、
前記基板供給工程にて供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する反り測定工程と、
前記反り測定工程にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインにレーザ光を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程を経た前記樹脂封止済基板を矯正保持手段にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する反り矯正工程と、
前記反り矯正工程を経た前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュール毎に分離する基板切断工程と、
前記基板切断工程を経て得られた前記各電子部品モジュールを収容部へ搬送して収容する成形品収容工程とを備えたことを特徴とする基板の切断加工方法。 - 基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工装置であって、
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部と、
前記樹脂封止済基板の供給部に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインにレーザ光を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝を形成する溝形成部と、
前記封止樹脂層における切断予定ラインにスリット状の溝を形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段と、
前記矯正保持手段に保持した前記樹脂封止済基板を切断加工装置における吸着ステージ上に移送する基板移送手段と、
前記切断加工装置の吸着ステージ上に吸着保持させた前記樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュール毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部にて得られた前記各電子部品モジュールを収容する成形品収容部とを備えたことを特徴とする基板の切断加工装置。 - 基板上に装着した多数の電子部品を樹脂材料にて封止した樹脂封止済基板における切断予定ラインを切断して電子部品モジュール毎に分離する基板の切断加工装置であって、
前記樹脂封止済基板を供給する樹脂封止済基板の供給部と、
前記樹脂封止済基板の供給部に供給した前記樹脂封止済基板の反りを測定する樹脂封止済基板の反り測定部と、
前記樹脂封止済基板の反り測定部にて検出した前記樹脂封止済基板の反り測定値が基準値以上である場合に、該樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインにレーザ光を照射して該封止樹脂層にスリット状の溝を形成する溝形成部と、
前記封止樹脂層における切断予定ラインにスリット状の溝を形成した樹脂封止済基板を矯正保持手段にて係合保持すると共に、この係合保持作用時に該樹脂封止済基板の反りを無くして水平状に矯正した状態で保持する樹脂封止済基板の矯正保持手段と、
前記矯正保持手段にて保持した前記樹脂封止済基板を、前記矯正保持手段にて係合保持させた状態で、前記樹脂封止済基板の封止樹脂層における切断予定ラインに沿って該樹脂封止済基板を切断することによって、該樹脂封止済基板を電子部品モジュール毎に分離する樹脂封止済基板の切断加工部と、
前記樹脂封止済基板の切断加工部にて得られた前記各電子部品モジュールを収容部へ搬送して収容する成形品収容部とを備えたことを特徴とする基板の切断加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013003308A JP5970381B2 (ja) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013003308A JP5970381B2 (ja) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014133253A true JP2014133253A (ja) | 2014-07-24 |
| JP5970381B2 JP5970381B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=51411963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013003308A Active JP5970381B2 (ja) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5970381B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017135265A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの加工方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917702A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Hitachi Cable Ltd | Ｓｉ基板及びその製造方法 |
| JPH10150218A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Hitachi Cable Ltd | エピタキシャルウエハ |
| JP2003188060A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2005251900A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Electronics Corp | 電子装置製造用治具、電子装置製造用治具セット及び該治具セットを用いた電子装置製造方法、及び該治具セットを用いた電子装置製造装置 |
| JP2010029927A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2011129683A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Asahi Engineering Kk | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
2013
- 2013-01-11 JP JP2013003308A patent/JP5970381B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917702A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Hitachi Cable Ltd | Ｓｉ基板及びその製造方法 |
| JPH10150218A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Hitachi Cable Ltd | エピタキシャルウエハ |
| JP2003188060A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2005251900A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Electronics Corp | 電子装置製造用治具、電子装置製造用治具セット及び該治具セットを用いた電子装置製造方法、及び該治具セットを用いた電子装置製造装置 |
| JP2010029927A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2011129683A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Asahi Engineering Kk | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017135265A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5970381B2 (ja) | 2016-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4698519B2 (ja) | 半導体ウエハマウント装置 | |
| TWI457976B (zh) | 保護帶剝離方法及其裝置 | |
| TWI512877B (zh) | 工件搬運方法及工件搬運裝置 | |
| TWI533366B (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| KR20150042734A (ko) | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| TW200527526A (en) | Protective tape joining method and apparatus using the same as well as protective tape separating method and apparatus using the same | |
| TWI464793B (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| JP2010278065A (ja) | ウエハマウント方法とウエハマウント装置 | |
| US9415519B2 (en) | Composite end effector and method of making a composite end effector | |
| TWI708310B (zh) | 支持體分離方法、及基板處理方法 | |
| JP2022075786A (ja) | 搬送装置、および基板処理システム | |
| JP2013198960A (ja) | ロボットハンド | |
| KR101486594B1 (ko) | 점착 테이프 부착 장치 | |
| JP5173940B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び切断装置 | |
| JP5970381B2 (ja) | 基板の切断加工方法及び切断加工装置 | |
| TWI677047B (zh) | 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 | |
| JP2021170659A (ja) | 基板処理システム、および基板処理方法 | |
| KR20060044663A (ko) | 초박 칩의 제조 프로세스 및 제조장치 | |
| CN105914164B (zh) | 加工装置 | |
| JP5688987B2 (ja) | 切削装置 | |
| TWI747296B (zh) | 法蘭盤端面修正裝置、切斷裝置、法蘭盤端面修正方法以及切斷品的製造方法 | |
| JP2006013073A (ja) | ボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2017079284A (ja) | レーザー加工装置 | |
| JP4229029B2 (ja) | プラズマ処理方法および部品実装方法 | |
| CN115249618A (zh) | Acf贴附装置以及acf贴附方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160413 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160711 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5970381 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |