JPS61281059A - 導電性セラミツクス焼結体の製造法 - Google Patents
導電性セラミツクス焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPS61281059A JPS61281059A JP60120703A JP12070385A JPS61281059A JP S61281059 A JPS61281059 A JP S61281059A JP 60120703 A JP60120703 A JP 60120703A JP 12070385 A JP12070385 A JP 12070385A JP S61281059 A JPS61281059 A JP S61281059A
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- Japan
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- sintered body
- conductive
- ceramic sintered
- conductive ceramic
- powder
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- Pending
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性セラミックス焼結体の製造法に係るも
のであり、待に耐酸化性、耐熱衝撃性等が要求される部
材に使用される新規な構成の導電性セラミックス焼結体
の製造法に関するものである。
のであり、待に耐酸化性、耐熱衝撃性等が要求される部
材に使用される新規な構成の導電性セラミックス焼結体
の製造法に関するものである。
導電性セラミックスは、その機能を生かしてグロープラ
グ、各種ヒーターなどの抵抗発熱体、電極、センサーな
どへの用途開発が進められているが、このほかにも、例
えば特開昭５７−１８８４５３号公報、特開昭５７−２
００２６５号公報、特開昭５８−２０７８２号公報、特
開昭５９−２０７８８１号公報などに開示されているよ
うに、導電性を利用し放電加工をするもの等各分野への
利用が図られている。・従来上り知られているこれらの
導電性セラミックスは、いずれもｆＶａ ＳＶａ １Ｖ
ｉａ族の酸化。
グ、各種ヒーターなどの抵抗発熱体、電極、センサーな
どへの用途開発が進められているが、このほかにも、例
えば特開昭５７−１８８４５３号公報、特開昭５７−２
００２６５号公報、特開昭５８−２０７８２号公報、特
開昭５９−２０７８８１号公報などに開示されているよ
うに、導電性を利用し放電加工をするもの等各分野への
利用が図られている。・従来上り知られているこれらの
導電性セラミックスは、いずれもｆＶａ ＳＶａ １Ｖ
ｉａ族の酸化。
物、窒化物、炭化物、硼化物あるいはこれらの化合物等
の導電性物質を、導電性を有しないセラミックス中に分
散させ、これらの導電性物質の寄与により導電性を得て
いるものである、〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、導電性物質を添加し非導電性セラミック
ス中に分散させて導電性を得る方法においては、導電性
添加物の量は少なくとも１０ Ｖｏ１％以上が必要とさ
れ、多い場合には５０ｖｏ１％程度にも及んでおり、こ
れがために基本である非導電性セラミックスが本米持っ
ている性質に悪影響を与える場合がある。
の導電性物質を、導電性を有しないセラミックス中に分
散させ、これらの導電性物質の寄与により導電性を得て
いるものである、〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、導電性物質を添加し非導電性セラミック
ス中に分散させて導電性を得る方法においては、導電性
添加物の量は少なくとも１０ Ｖｏ１％以上が必要とさ
れ、多い場合には５０ｖｏ１％程度にも及んでおり、こ
れがために基本である非導電性セラミックスが本米持っ
ている性質に悪影響を与える場合がある。
例えば、一般に耐酸化性はＡｌ２Ｏ＊、ＺｒＯ２、Ｓｉ
Ｃ，５ｉｓＮ４、サイアロン等の非導電性セラミックス
に比べ、上記導電性物質の方が低いため、結果としてこ
れらを添加して得られる導電性セラミックスの耐酸化性
は、これらを添加しない場合に比べて低下するという問
題がある。
Ｃ，５ｉｓＮ４、サイアロン等の非導電性セラミックス
に比べ、上記導電性物質の方が低いため、結果としてこ
れらを添加して得られる導電性セラミックスの耐酸化性
は、これらを添加しない場合に比べて低下するという問
題がある。
また、Ｓｉ、Ｎ、、サイアロンなどのように耐熱１衝撃
性に優れる材料においては、熱膨張係数１が大きい導電
性物質を添加することにより耐熱衝撃性が低下する。
性に優れる材料においては、熱膨張係数１が大きい導電
性物質を添加することにより耐熱衝撃性が低下する。
また、機械的性質においても、導電性物質を添加するこ
とにより一般に低下する傾向にある。
とにより一般に低下する傾向にある。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決すべくなされた
ものであり、導電性を付与することによる悪影響を極力
排除した新規なセラミック焼結体の製造法を提供するこ
とを目的とするものである。
ものであり、導電性を付与することによる悪影響を極力
排除した新規なセラミック焼結体の製造法を提供するこ
とを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するために、導電性物質をセラ
ミックス粒子の表面にコーティングした粉末を原料とし
て用いることを特徴とするものである。
ミックス粒子の表面にコーティングした粉末を原料とし
て用いることを特徴とするものである。
このような方法にすることにより耐酸化性、耐熱衝撃性
、機械的特性等の本来非導電性セラミックスが持ってい
る特性を殆ど損なうことなく導電性を与えることができ
る利点がある。
、機械的特性等の本来非導電性セラミックスが持ってい
る特性を殆ど損なうことなく導電性を与えることができ
る利点がある。
本発明において、非導電性のセラミックス粒子にコーテ
ィングする導電性物質としては、従来上り知られている
ＩＶａ 、Ｖａ 、Ｗａ族の炭化物、窒化物等のうちの
任意の物質を選ぶことができる。またコーティングされ
るセラミックス粉末としては、耐酸化性が要求される場
合には酸化物等の高い材質のセラミックス粉末を用い、
耐熱衝撃性が要求される場合には低い熱膨張係数をもつ
組成のセラミックス粉末を用い、さらには機械的性質の
うち、例えば靭性が要求される場合には母材となる非導
電性セラミックスと熱膨張係数が異なるセラミックス粉
末を用いるというように、要求される特性に合ったもの
を適宜選ぶことができる。また、これらセラミックス粉
末の選び方によっては非導電性セラミックスの特性を改
良することも可能である。
ィングする導電性物質としては、従来上り知られている
ＩＶａ 、Ｖａ 、Ｗａ族の炭化物、窒化物等のうちの
任意の物質を選ぶことができる。またコーティングされ
るセラミックス粉末としては、耐酸化性が要求される場
合には酸化物等の高い材質のセラミックス粉末を用い、
耐熱衝撃性が要求される場合には低い熱膨張係数をもつ
組成のセラミックス粉末を用い、さらには機械的性質の
うち、例えば靭性が要求される場合には母材となる非導
電性セラミックスと熱膨張係数が異なるセラミックス粉
末を用いるというように、要求される特性に合ったもの
を適宜選ぶことができる。また、これらセラミックス粉
末の選び方によっては非導電性セラミックスの特性を改
良することも可能である。
また、本発明において、導電性物質のセラミックス粒子
へのコーティング方法としては、ＣＶＤ法、Ｐ、ＶＤ法
、溶液浸漬法等のうちから適当な方法を選ぶことが可能
であり、必ずしも特定１の方法に限定されない。
へのコーティング方法としては、ＣＶＤ法、Ｐ、ＶＤ法
、溶液浸漬法等のうちから適当な方法を選ぶことが可能
であり、必ずしも特定１の方法に限定されない。
例えばＳｉ、Ｎ、粒子表面上にＴｉＮをＣＶＤ法により
コーティングする場合には、流動層中でＳ ｉ３Ｎ 、
粉末を Ｎ２〃スにより浮遊させ、ＴｉＣｊ！、および
Ｈ２のガスを流しながらＣＶＯ法を行なう方法が適用で
き、これによりＳ ｉ、Ｎ 。
コーティングする場合には、流動層中でＳ ｉ３Ｎ 、
粉末を Ｎ２〃スにより浮遊させ、ＴｉＣｊ！、および
Ｈ２のガスを流しながらＣＶＯ法を行なう方法が適用で
き、これによりＳ ｉ、Ｎ 。
粒子表面上にＴｉＮをコーティングすることができる。
また、本発明においては、導電性物質をコーティングし
たセラミックス粉末と非導電性セラミックスとを混合し
、該混合粉をプレス成形、ラバープレス成形、スリップ
キャスト成形またはインジェクション成形など各種の成
形法により成形し、常圧焼結、雰囲気加圧焼結、ホット
プレスその他の公知の焼結方法により焼結してセラミッ
クス焼結体を得ることができる。
たセラミックス粉末と非導電性セラミックスとを混合し
、該混合粉をプレス成形、ラバープレス成形、スリップ
キャスト成形またはインジェクション成形など各種の成
形法により成形し、常圧焼結、雰囲気加圧焼結、ホット
プレスその他の公知の焼結方法により焼結してセラミッ
クス焼結体を得ることができる。
以下、本発明を実施例により詳述する。
（実施例１）
平均粒径０，８μ船のＡｎ！２０．粉末にＣＶＤ法によ
り０．１μｍのＴｉＣをコーティングし、これとＡｌｚ
Ｏｚ粉末とを第１表に示す種々の体積比率で配合し、こ
れに１ｗｔ％のＭｇＯをｊＭｉ−で混合した後、２．Ｏ
ｔ／ｃｍ２でプレス成形し、次いで１６００℃Ｘ２ｈｒ
焼結した。
り０．１μｍのＴｉＣをコーティングし、これとＡｌｚ
Ｏｚ粉末とを第１表に示す種々の体積比率で配合し、こ
れに１ｗｔ％のＭｇＯをｊＭｉ−で混合した後、２．Ｏ
ｔ／ｃｍ２でプレス成形し、次いで１６００℃Ｘ２ｈｒ
焼結した。
得られた焼結体について、電気抵抗率を測定した結果を
第１表に示す。
第１表に示す。
第１表
（実施例２）
平均粒径Ｏ６５μｍのＳｉＣ粉末にＣＶＤ法により０．
０５μｍのＺ ｒ Ｂ ２をコーティングし、これと粉
末を第２表に示す種々の体積比率で配合し、これらに２
ｗｔ％のＡｔｌ、Ｏ，を添加して混合後、１ 、５ ｔ
／ ｅｌｌ”で成形し、真空中にて２゜５０°ＣＸ１ｈ
ｒ、２００ ｋｇ／ ｃｍ２の条件でホットプレスして
焼結体を得た。
０５μｍのＺ ｒ Ｂ ２をコーティングし、これと粉
末を第２表に示す種々の体積比率で配合し、これらに２
ｗｔ％のＡｔｌ、Ｏ，を添加して混合後、１ 、５ ｔ
／ ｅｌｌ”で成形し、真空中にて２゜５０°ＣＸ１ｈ
ｒ、２００ ｋｇ／ ｃｍ２の条件でホットプレスして
焼結体を得た。
得られた焼結体について、それぞれ電気抵抗率および曲
げ強度を測定した結果を第２表に示す。
げ強度を測定した結果を第２表に示す。
第２表
注） 曲げ強度は３点曲げ、スパン３０ｍ５による。
（実施例３）
平均粒径０．８μＷの５ｉｐＮ４粉にＣＶＤ法によりＯ
６１μωのＴｉＮをコーティングし、これとＳ ｉ３１
’Ｊ ４． Ｙ ２０ ｊ、 Ａ １２０−粉末を第３
表に示す各組成となるように混合し、２．ＯＬ／ｃＪで
ラバープレス後、Ｎ２７ｙス中で１８００’ＣＸ １
ｈｒの焼結を行なった。
６１μωのＴｉＮをコーティングし、これとＳ ｉ３１
’Ｊ ４． Ｙ ２０ ｊ、 Ａ １２０−粉末を第３
表に示す各組成となるように混合し、２．ＯＬ／ｃＪで
ラバープレス後、Ｎ２７ｙス中で１８００’ＣＸ １
ｈｒの焼結を行なった。
得られた焼結体の特性および放電加工性の可否を第３＆
に示す。
に示す。
本発明によれば、非導電性セラミックスの耐酸化性、耐
熱衝撃性、機械的特性等を損なう事なく、セラミックス
に導電性を付与することが可能であり、これにより導電
セラミックスの用途の拡大およびこれらセラミックスの
放電加工が可能となったものである、
熱衝撃性、機械的特性等を損なう事なく、セラミックス
に導電性を付与することが可能であり、これにより導電
セラミックスの用途の拡大およびこれらセラミックスの
放電加工が可能となったものである、
Claims (4)
- （１）導電性物質をセラミックス粒子の表面にコーティ
ングした粉末と非導電性セラミックス粉末とを混合し、
さらに所望により焼結助剤を添加混合して成形後焼結す
ることを特徴とする導電性セラミックス焼結体の製造法
。 - （２）上記導電性セラミックス焼結体の主成分ががＡｌ
＿２Ｏ＿３またはＺｒＯ＿２であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の導電性セラミックス焼結体の
製造法。 - （３）上記導電性セラミックス焼結体の主成分ががＳｉ
Ｃであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
導電性セラミックス焼結体の製造法。 - （４）上記非導電性セラミックス粉末の主成分ががＳｉ
＿３Ｎ＿４であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の導電性セラミックス焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120703A JPS61281059A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 導電性セラミツクス焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120703A JPS61281059A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 導電性セラミツクス焼結体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281059A true JPS61281059A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14792892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60120703A Pending JPS61281059A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 導電性セラミツクス焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281059A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222317A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Tokin Corp | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
| JP2004203671A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Tosoh Corp | 導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP60120703A patent/JPS61281059A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222317A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Tokin Corp | 薄膜磁気ヘツド用基板材料 |
| JPH0477372B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1992-12-08 | Tokin Corp | |
| JP2004203671A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Tosoh Corp | 導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法 |
| JP4544394B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2010-09-15 | 東ソー株式会社 | 導電性ジルコニア焼結体およびその製造方法 |
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