JPS6126898B2 - - Google Patents
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Description
本発明は新規な液晶物質に関し、更に詳しくは
誘電異方性が負で、かつその値が著るしく大な液
晶化合物及びその類似物質に関する。 誘電異方性が負の液晶材料は電圧の印加により
液晶層が動的散乱を生ずることを応用した光散乱
型の液晶表示装置、及び液晶の傾きを制御するこ
とにより液晶の複屈折性を利用して偏光板により
多色表示をするいわゆるDAP型液晶表示装置、
更には特定の色素を含有させた液晶材料を用いる
いわゆるゲスト・ホスト（Guest・Host）型の色
表示装置の重要な構成要素であることは既に一般
によく知られている。 本発明はこれらの液晶表示装置に用いられる液
晶材料を構成するために好適な誘電異方性が負で
大きい新規な液晶化合物を提供するものである。 上記の如き液晶表示装置に於ては、電圧の印加
に対して液晶が応答を開始するに必要な最低電
圧、即ち閾電圧を低下させるためには、又目視に
対して充分なコントラストを示すに必要な動作電
圧を低下させるためには、液晶材料の誘電異方性
（△ε）は大きな負の値をもつことが要求され
る。しかるにたとえば誘電異方性がの液晶として
よく知られているMBBA（メトキシベンジリデン
ブチルアニリン）では△εは約−0.5、又安息香
酸フエニルエステル類よりなる液晶では△εは
高々−0.4の程度である。従つて△εが更に大き
な負の値を持つ液晶物質の出現が望まれている。
その様な要望に応える物質の一つとして分子の側
方にシアノ基を１ケ有する物質が提案されてい
る。 即ちビス―（4′―ｎ―アルキルベンジリデン）
―２―シアノ―１，４―フエニレンジアミン や４―アルキル―4′―ビフエニルカルボン酸４―
アルキル２―シアノフエニルエステル などが出願、公開されている。これらのCN基を
１ケ有する物質は△εの値はたしかに前のMBBA
等に比較して負の大きい値を示すがその液晶温度
範囲は室温より高いためこれだけで使用すること
出来ず、室温に於て液晶状態を保つためには液晶
温度範囲が室温にあり、−△ε値の小さい他の液
晶材料と混合して使用される。しかし上記の様な
動作電圧の低下の効果をもたらす程度にこれらの
物質を添加することによつて他の物性、即ち応答
速度などには好ましくない影響が表われる。それ
はこれ等の物質が比較的分子量が大きな物質であ
るために粘度の増大するためと推定される。従つ
て添加量を出来るだけ少くして且つ充分な効果を
得るためには△εが更に負の大きな値を有する物
質が望まれるわけである。 本発明者らはこの点に着目しCN基を２個同じ
側に有する液晶物質を探索し、下記()式の化合
物がその目的にかなう物質であることを見出し本
発明を完成するに至つた。 （但し上式に於て、R1，R2は水素又は炭素数
１〜10のアルキル基、アルキルオキシ基を表わ
す） ()式に於てR1，R2はそれがアルキル基又はア
ルコキシ基である場合はカルボキシル基に対して
トランスの配置を有する。即ちトランス―４―ア
ルキル（又はアルコキシ）シクロヘキサンカルボ
ン酸のエステルである。上記の化合物に於て
R1，R2は一つの化合物に於て同じでも、異つて
いてもよいが、同じであることがその製造上の観
点からは好ましい。又()式の化合物は必ずしも
すべてが液晶化合物とならず、例えばＲ，R2が
共に水素であるような場合はこの化合物は液晶性
を示さないが−△εの値は大きいので他の液晶を
示す物質と同様な使い方で利用できる。しかし最
も好ましい化合物はR1，R2が炭素数３〜７のア
ルキル基又はアルコキシ基でかつR1とR2が同じ
場合である。 これ等の化合物を具体的に示すと ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（シクロヘキ
シルカルボキシ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―メチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―エチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―プロピルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ブチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ペンチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘキシルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘプチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―オクチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ノニルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―デシルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―メトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―エトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―プロポキシシクロヘキシルカルボキシ）ベ
ンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ブトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ペンチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘキシルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘプチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―オクチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ノニルオキシシクロヘキシルカルボキシ）
ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―デシルオキシシクロヘキシルカルボキシ）
ベンゼン、 などである。 これ等()式の化合物は次に示す様な方法で製
造される。即ちシクロヘキサンカルボン酸又はト
ランス―４―アルキルシクロヘキサンカルボン酸
又はトランス―４―アルコキシシクロヘキサンカ
ルボン酸を塩化チオニル、五塩化燐等の塩素化剤
により相当する酸塩化物とし、これらの２モルに
対して２，３―ジシアノ―１，４―ハイドロキノ
ンを１モルの割合でピリジン等の塩基性溶媒中で
反応させることにより得られる。反応液より常法
に従つて目的物を取り出し、更にアルコール又は
酢酸エチルのような溶媒から再結晶することによ
つて無色の結晶体が得られる。ここで原料の一方
である２，３―ジシアノ―１，４―ハイドロキノ
ンは古くから知られた物質であり、例えば本献
Thiele and Meisenheimen、Berichte、33、
675、1900に従つて含成される。又もう一方のト
ランス―４―アルキル（又はアルコキシ）シクロ
ヘキサンカルボン酸は相当する置換安息香酸を水
素添加することによつて合成される。更にシクロ
ヘキサンカルボン酸は市販品がある。又()式に
於て一つの化合物ででR1とR2が異なるものはエ
ステル化を２段階に行う逐次エステル化によつて
得ることが出来る。 ()式の化合物はその１％エタノール溶液の紫
外線吸収スペクトルの測定結果から、350mμｍ
以上の波長の紫外線を実質上吸収しないことがわ
かつており、このため既知の実用的液晶のいずれ
と組み合せてもその光化学的安定性を害する恐れ
がない。 又、()式の化合物は誘電異方性（△ε）の値
が−20以上にもなる。前記の()式の化合物の△
εが約−４であることと比較すればこの値が極め
て大きい負の値であるということは明らかであ
る。△εの値は最も簡便には次の様にして求める
ことが出来る。即ち例えばｐ―メトキシ安息香酸
ｐ―ペンチルフエニルエステルとｐ―ヘキシルオ
キシ安息香酸p′―ペンチルフエニルエステルの
３：１混合物（これは15〜48℃のネマチツク温度
範囲を有し、△εの値は＋0.1である）9gに、
２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―４
―ブチルヘキシルカルボキシ）ベンゼン（()式
でR1，R2＝C4H9のもの）1.1gを溶解したものを
垂直に配向処理した電極間距離約10μｍのセルに
封入して周波数1KHzで電圧―電流特性を測定す
ると△εとして−2.3という値が求められる。即
ち()式の化合物（但しR1，R2＝C4H9）を10.9％
含有することによつて△εの値が＋0.1から−2.3
になる。この結果から、外挿法によつて()式の
化合物（R1，R2＝C4H9）自体の△εは約−22と求
められる。更にこの液晶混合物について、垂直配
向状態にある液晶材料の電圧駆動による平行配向
への再配列の電気的閾電圧は2.5Vという小さい
値であることがわかつた。 又、上記液晶混合物にBDH社製アントラキノ
ン系色素D16を１％添加したゲスト・ホスト効果
用液晶のゲスト・ホスト効果の閾電圧は3.3V、
飽和電圧は4.5Vである。このことは()式の化合
物が高い負の△ε値を有することにより配向状態
の変化に必要とする電圧が著るしく減少している
ことを明瞭に示している。 次に化合物()は比較的高い融点を有するた
め、この単一物質を他の液晶材料に対して10％以
上添加すると室温又はそれ以上の温度に於て化合
物()の分離が起るので、これを用いた表示装置
な特別な保温装置を必要とする。特別な保温装置
を取付けない様な場合のためには化合物()の単
一物質の添加量は大体３％程度が限界である。し
かしDAP効果、ゲスト・ホスト効果、動的散乱
効果の表示の動作電圧を低下させるために−△ε
を大きくしたいならば化合物()の多種類のもの
を各々は低濃度で使用し、結果的に化合物()の
含有量を上げて目的を達し得ることは容易に考え
られることである。実施例７にはその様な使用例
が示される。 化合物()を添加するためのベースになる液晶
材料は△εが負の値の液晶、又は正であつても小
さい値の液晶である。例えばMBBA（メトキシベ
ンジリデンブチルアニリン）、EBBA（エトキシ
ベンジリデンブチルアニリン）で代表されるシツ
フ系液晶化合物、シアノ基をパラ位に有しないエ
ステル系液晶（例えば前記のｐ―メトキシ安息香
酸p′―ペンチルフエニルエステル）、又ｐ―メト
キシ―p′―ブチルアゾキシベンゼン、ｐ―メトキ
シ―p′―エチルアゾキシベンゼンの様なアゾキシ
ベンゼン系液晶化合物などがあげられる。又化合
物()の大きな負の誘電異方性の故に、このもの
を誘電異方性が正の液晶材料に微量添加すること
によつてベース液晶の他の特性を殆んど変えるこ
となく、誘電異方性の値のみを減少させるのに役
立つ。 以下に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ （２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス
―４―ヘキシルシクロヘキシルカルボキシ）ベ
ンゼンの製造） トランス―４―ｎ―ヘキシルシクロヘキサンカ
ルボン酸46g（0.22モル）を塩化チオニル50ml、
トルエン100mlとともに還流冷却器をつけたフラ
スコ中で40分間ウオーターバスで加熱したのち過
剰の塩化チオニルと約30mlのトルエンを溜去す
る。一方、２，４―ジシアノ―１，４―ハイドロ
キノン16g（0.1モル）を300mlのピリジンと600ml
のトルエンの混合液にとかし、これを水冷し、撹
拌する。ここに先にえられたカルボン酸の酸塩化
物のトルエン溶液を20分間で滴下し、10分間撹拌
を継続し、更にウオーターバス上で40分間加熱撹
拌する。氷冷して6N塩酸を滴下して酸性にし、
分液し、有機層を6N塩酸、次いで飽和食塩水で
洗浄し、更に2N苛性ソーダ、飽和食塩水、水の
順で洗浄したのちトルエンを溜去すると残渣とし
て結晶体が得られる。この結晶体をエタノールか
ら再結晶すると、目的物である２，３―ジシアノ
―１，４―ビス（トランス―４―ヘキシルシクロ
ヘキシルカルボキシ）ベンゼンの無色の結晶
30.6g（２，４―ジシアノ―１，４―ハイドロキ
ノンに対して68.4％の収率）が得られた。このも
のは融点131.5℃でネマチツク液晶になり、206℃
で等方性液体になる。又目的物であることは下記
の元素分析値及び第１図に示す赤外線吸収２ペク
トル図により確認された。
誘電異方性が負で、かつその値が著るしく大な液
晶化合物及びその類似物質に関する。 誘電異方性が負の液晶材料は電圧の印加により
液晶層が動的散乱を生ずることを応用した光散乱
型の液晶表示装置、及び液晶の傾きを制御するこ
とにより液晶の複屈折性を利用して偏光板により
多色表示をするいわゆるDAP型液晶表示装置、
更には特定の色素を含有させた液晶材料を用いる
いわゆるゲスト・ホスト（Guest・Host）型の色
表示装置の重要な構成要素であることは既に一般
によく知られている。 本発明はこれらの液晶表示装置に用いられる液
晶材料を構成するために好適な誘電異方性が負で
大きい新規な液晶化合物を提供するものである。 上記の如き液晶表示装置に於ては、電圧の印加
に対して液晶が応答を開始するに必要な最低電
圧、即ち閾電圧を低下させるためには、又目視に
対して充分なコントラストを示すに必要な動作電
圧を低下させるためには、液晶材料の誘電異方性
（△ε）は大きな負の値をもつことが要求され
る。しかるにたとえば誘電異方性がの液晶として
よく知られているMBBA（メトキシベンジリデン
ブチルアニリン）では△εは約−0.5、又安息香
酸フエニルエステル類よりなる液晶では△εは
高々−0.4の程度である。従つて△εが更に大き
な負の値を持つ液晶物質の出現が望まれている。
その様な要望に応える物質の一つとして分子の側
方にシアノ基を１ケ有する物質が提案されてい
る。 即ちビス―（4′―ｎ―アルキルベンジリデン）
―２―シアノ―１，４―フエニレンジアミン や４―アルキル―4′―ビフエニルカルボン酸４―
アルキル２―シアノフエニルエステル などが出願、公開されている。これらのCN基を
１ケ有する物質は△εの値はたしかに前のMBBA
等に比較して負の大きい値を示すがその液晶温度
範囲は室温より高いためこれだけで使用すること
出来ず、室温に於て液晶状態を保つためには液晶
温度範囲が室温にあり、−△ε値の小さい他の液
晶材料と混合して使用される。しかし上記の様な
動作電圧の低下の効果をもたらす程度にこれらの
物質を添加することによつて他の物性、即ち応答
速度などには好ましくない影響が表われる。それ
はこれ等の物質が比較的分子量が大きな物質であ
るために粘度の増大するためと推定される。従つ
て添加量を出来るだけ少くして且つ充分な効果を
得るためには△εが更に負の大きな値を有する物
質が望まれるわけである。 本発明者らはこの点に着目しCN基を２個同じ
側に有する液晶物質を探索し、下記()式の化合
物がその目的にかなう物質であることを見出し本
発明を完成するに至つた。 （但し上式に於て、R1，R2は水素又は炭素数
１〜10のアルキル基、アルキルオキシ基を表わ
す） ()式に於てR1，R2はそれがアルキル基又はア
ルコキシ基である場合はカルボキシル基に対して
トランスの配置を有する。即ちトランス―４―ア
ルキル（又はアルコキシ）シクロヘキサンカルボ
ン酸のエステルである。上記の化合物に於て
R1，R2は一つの化合物に於て同じでも、異つて
いてもよいが、同じであることがその製造上の観
点からは好ましい。又()式の化合物は必ずしも
すべてが液晶化合物とならず、例えばＲ，R2が
共に水素であるような場合はこの化合物は液晶性
を示さないが−△εの値は大きいので他の液晶を
示す物質と同様な使い方で利用できる。しかし最
も好ましい化合物はR1，R2が炭素数３〜７のア
ルキル基又はアルコキシ基でかつR1とR2が同じ
場合である。 これ等の化合物を具体的に示すと ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（シクロヘキ
シルカルボキシ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―メチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―エチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―プロピルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ブチルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ペンチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘキシルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘプチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―オクチルシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ノニルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―デシルシクロヘキシルカルボキシ）ベンゼ
ン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―メトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―エトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―プロポキシシクロヘキシルカルボキシ）ベ
ンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ブトキシシクロヘキシルカルボキシ）ベン
ゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ペンチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘキシルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ヘプチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―オクチルオキシシクロヘキシルカルボキ
シ）ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―ノニルオキシシクロヘキシルカルボキシ）
ベンゼン、 ２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―
４―デシルオキシシクロヘキシルカルボキシ）
ベンゼン、 などである。 これ等()式の化合物は次に示す様な方法で製
造される。即ちシクロヘキサンカルボン酸又はト
ランス―４―アルキルシクロヘキサンカルボン酸
又はトランス―４―アルコキシシクロヘキサンカ
ルボン酸を塩化チオニル、五塩化燐等の塩素化剤
により相当する酸塩化物とし、これらの２モルに
対して２，３―ジシアノ―１，４―ハイドロキノ
ンを１モルの割合でピリジン等の塩基性溶媒中で
反応させることにより得られる。反応液より常法
に従つて目的物を取り出し、更にアルコール又は
酢酸エチルのような溶媒から再結晶することによ
つて無色の結晶体が得られる。ここで原料の一方
である２，３―ジシアノ―１，４―ハイドロキノ
ンは古くから知られた物質であり、例えば本献
Thiele and Meisenheimen、Berichte、33、
675、1900に従つて含成される。又もう一方のト
ランス―４―アルキル（又はアルコキシ）シクロ
ヘキサンカルボン酸は相当する置換安息香酸を水
素添加することによつて合成される。更にシクロ
ヘキサンカルボン酸は市販品がある。又()式に
於て一つの化合物ででR1とR2が異なるものはエ
ステル化を２段階に行う逐次エステル化によつて
得ることが出来る。 ()式の化合物はその１％エタノール溶液の紫
外線吸収スペクトルの測定結果から、350mμｍ
以上の波長の紫外線を実質上吸収しないことがわ
かつており、このため既知の実用的液晶のいずれ
と組み合せてもその光化学的安定性を害する恐れ
がない。 又、()式の化合物は誘電異方性（△ε）の値
が−20以上にもなる。前記の()式の化合物の△
εが約−４であることと比較すればこの値が極め
て大きい負の値であるということは明らかであ
る。△εの値は最も簡便には次の様にして求める
ことが出来る。即ち例えばｐ―メトキシ安息香酸
ｐ―ペンチルフエニルエステルとｐ―ヘキシルオ
キシ安息香酸p′―ペンチルフエニルエステルの
３：１混合物（これは15〜48℃のネマチツク温度
範囲を有し、△εの値は＋0.1である）9gに、
２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス―４
―ブチルヘキシルカルボキシ）ベンゼン（()式
でR1，R2＝C4H9のもの）1.1gを溶解したものを
垂直に配向処理した電極間距離約10μｍのセルに
封入して周波数1KHzで電圧―電流特性を測定す
ると△εとして−2.3という値が求められる。即
ち()式の化合物（但しR1，R2＝C4H9）を10.9％
含有することによつて△εの値が＋0.1から−2.3
になる。この結果から、外挿法によつて()式の
化合物（R1，R2＝C4H9）自体の△εは約−22と求
められる。更にこの液晶混合物について、垂直配
向状態にある液晶材料の電圧駆動による平行配向
への再配列の電気的閾電圧は2.5Vという小さい
値であることがわかつた。 又、上記液晶混合物にBDH社製アントラキノ
ン系色素D16を１％添加したゲスト・ホスト効果
用液晶のゲスト・ホスト効果の閾電圧は3.3V、
飽和電圧は4.5Vである。このことは()式の化合
物が高い負の△ε値を有することにより配向状態
の変化に必要とする電圧が著るしく減少している
ことを明瞭に示している。 次に化合物()は比較的高い融点を有するた
め、この単一物質を他の液晶材料に対して10％以
上添加すると室温又はそれ以上の温度に於て化合
物()の分離が起るので、これを用いた表示装置
な特別な保温装置を必要とする。特別な保温装置
を取付けない様な場合のためには化合物()の単
一物質の添加量は大体３％程度が限界である。し
かしDAP効果、ゲスト・ホスト効果、動的散乱
効果の表示の動作電圧を低下させるために−△ε
を大きくしたいならば化合物()の多種類のもの
を各々は低濃度で使用し、結果的に化合物()の
含有量を上げて目的を達し得ることは容易に考え
られることである。実施例７にはその様な使用例
が示される。 化合物()を添加するためのベースになる液晶
材料は△εが負の値の液晶、又は正であつても小
さい値の液晶である。例えばMBBA（メトキシベ
ンジリデンブチルアニリン）、EBBA（エトキシ
ベンジリデンブチルアニリン）で代表されるシツ
フ系液晶化合物、シアノ基をパラ位に有しないエ
ステル系液晶（例えば前記のｐ―メトキシ安息香
酸p′―ペンチルフエニルエステル）、又ｐ―メト
キシ―p′―ブチルアゾキシベンゼン、ｐ―メトキ
シ―p′―エチルアゾキシベンゼンの様なアゾキシ
ベンゼン系液晶化合物などがあげられる。又化合
物()の大きな負の誘電異方性の故に、このもの
を誘電異方性が正の液晶材料に微量添加すること
によつてベース液晶の他の特性を殆んど変えるこ
となく、誘電異方性の値のみを減少させるのに役
立つ。 以下に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ （２，３―ジシアノ―１，４―ビス（トランス
―４―ヘキシルシクロヘキシルカルボキシ）ベ
ンゼンの製造） トランス―４―ｎ―ヘキシルシクロヘキサンカ
ルボン酸46g（0.22モル）を塩化チオニル50ml、
トルエン100mlとともに還流冷却器をつけたフラ
スコ中で40分間ウオーターバスで加熱したのち過
剰の塩化チオニルと約30mlのトルエンを溜去す
る。一方、２，４―ジシアノ―１，４―ハイドロ
キノン16g（0.1モル）を300mlのピリジンと600ml
のトルエンの混合液にとかし、これを水冷し、撹
拌する。ここに先にえられたカルボン酸の酸塩化
物のトルエン溶液を20分間で滴下し、10分間撹拌
を継続し、更にウオーターバス上で40分間加熱撹
拌する。氷冷して6N塩酸を滴下して酸性にし、
分液し、有機層を6N塩酸、次いで飽和食塩水で
洗浄し、更に2N苛性ソーダ、飽和食塩水、水の
順で洗浄したのちトルエンを溜去すると残渣とし
て結晶体が得られる。この結晶体をエタノールか
ら再結晶すると、目的物である２，３―ジシアノ
―１，４―ビス（トランス―４―ヘキシルシクロ
ヘキシルカルボキシ）ベンゼンの無色の結晶
30.6g（２，４―ジシアノ―１，４―ハイドロキ
ノンに対して68.4％の収率）が得られた。このも
のは融点131.5℃でネマチツク液晶になり、206℃
で等方性液体になる。又目的物であることは下記
の元素分析値及び第１図に示す赤外線吸収２ペク
トル図により確認された。
【表】
実施例 ２〜６
実施例と同様にして()式でR1及びR2が共に
Ｈ、C3H7、C4H9、C5H11、C8H17、C6H13Oであ
る化合物を製造した。そのＣ―Ｎ点及びＮ―Ｉ点
を下記に記す。（実施例１の結果も一緒に示す）
Ｈ、C3H7、C4H9、C5H11、C8H17、C6H13Oであ
る化合物を製造した。そのＣ―Ｎ点及びＮ―Ｉ点
を下記に記す。（実施例１の結果も一緒に示す）
【表】
実施例 ７（応用例）
ｐ―メトキシ安息香酸p′―ｎ―ペンチルフエニ
ルエステル 33.5部 ｐ―ヘキシルオキシ安息香酸―p′―ｎ―ペンチ
ルフエニルエステル 16.5部 トランス―４―ｎ―ブチルシクロヘキサンカル
ボン酸―p′―エトキシフエニルエステル 16.5部 トランス―４―ｎ―ブチルシクロヘキサンカル
ボン酸―p′―ヘキシルオキシフエニルエステル
33.5部 なる液晶組成物はは誘電異方性は負であり、Ｎ―
Ｉ点は58.4℃、−５℃で長期保存しても結晶の析
出は認められない。このベース液晶にBDH社製
アントラキノン系色素D16を１重量％を添加した
ものを、垂直配向処理を施した厚さ10μｍのセル
に封入し670mμの光を用い電圧による光透過度
の変化を測定することによりゲスト・ホスト効果
を観測し、その動作特性を求めたところ、その閾
電圧は4.8V、飽和電圧は6.3Vであつた。このベ
ース液晶90部に２，３―ジシアノ―１，４―ビス
（トランス―４―プロピルシクロヘキシルカルボ
キシ）ベンゼン３部、２，３―ジシアノ―１，４
―ビス（トランス―４―ブチルシクロヘキシルカ
ルボキシ）ベンゼン３部、２，３―ジシアノ―
１，４―ビス（トランス―４―ベンチルシクロヘ
キシルカルボキシ）ベンゼン４部を添加溶解した
液晶組成物のＮ―Ｉ点は66.4℃で、−５℃で長期
間保存しても結晶の析出は認められなかつた。又
その△ε値−2.3である。これに先の場合と同じ
色素を１重量％添加し、同様にしてそのゲスト・
ホスト効果の閾電圧を測定したところ3.2V、飽
和電圧は4.5Vといずれも先のベース液晶の値よ
り大分低い値になつた。この様に本発明の()式
の化合を添加することにより閾電圧及飽和電圧を
低下させることができるということはゲスト・ホ
スト効果でポジタイプの色表示を行う際の動作電
圧を著るしく低下させることを意味し液晶の利用
の上で非常に意義のあることは明らかである。
ルエステル 33.5部 ｐ―ヘキシルオキシ安息香酸―p′―ｎ―ペンチ
ルフエニルエステル 16.5部 トランス―４―ｎ―ブチルシクロヘキサンカル
ボン酸―p′―エトキシフエニルエステル 16.5部 トランス―４―ｎ―ブチルシクロヘキサンカル
ボン酸―p′―ヘキシルオキシフエニルエステル
33.5部 なる液晶組成物はは誘電異方性は負であり、Ｎ―
Ｉ点は58.4℃、−５℃で長期保存しても結晶の析
出は認められない。このベース液晶にBDH社製
アントラキノン系色素D16を１重量％を添加した
ものを、垂直配向処理を施した厚さ10μｍのセル
に封入し670mμの光を用い電圧による光透過度
の変化を測定することによりゲスト・ホスト効果
を観測し、その動作特性を求めたところ、その閾
電圧は4.8V、飽和電圧は6.3Vであつた。このベ
ース液晶90部に２，３―ジシアノ―１，４―ビス
（トランス―４―プロピルシクロヘキシルカルボ
キシ）ベンゼン３部、２，３―ジシアノ―１，４
―ビス（トランス―４―ブチルシクロヘキシルカ
ルボキシ）ベンゼン３部、２，３―ジシアノ―
１，４―ビス（トランス―４―ベンチルシクロヘ
キシルカルボキシ）ベンゼン４部を添加溶解した
液晶組成物のＮ―Ｉ点は66.4℃で、−５℃で長期
間保存しても結晶の析出は認められなかつた。又
その△ε値−2.3である。これに先の場合と同じ
色素を１重量％添加し、同様にしてそのゲスト・
ホスト効果の閾電圧を測定したところ3.2V、飽
和電圧は4.5Vといずれも先のベース液晶の値よ
り大分低い値になつた。この様に本発明の()式
の化合を添加することにより閾電圧及飽和電圧を
低下させることができるということはゲスト・ホ
スト効果でポジタイプの色表示を行う際の動作電
圧を著るしく低下させることを意味し液晶の利用
の上で非常に意義のあることは明らかである。
図は実施例１で得られた２，３―ジシアノ―
１，４―ビス（トランス―４―ｎ―ヘキシルシク
ロヘキシルカルボキシ）ベンゼンの赤外線吸収ス
ペクトルである。
１，４―ビス（トランス―４―ｎ―ヘキシルシク
ロヘキシルカルボキシ）ベンゼンの赤外線吸収ス
ペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （但し上式に於て、R1，R2は水素原子又は炭
素数１〜10のアルキル基、アルキルオキシ基を表
わす。） で表わされる２，３―ジシアノ―ｐ―ハイドロキ
ノンのシクロヘキサンカルボン酸エステル類。 ２ 一般式 （但し上式に於て、R1，R2は水素原子又は炭
素数１〜10のアルキル基、アルキルオキシ基を表
わす。） で表わされる２，３―ジシアノ―ｐ―ハイドロキ
ノンのシクロヘキサンカルボン酸エステル類であ
るところの液晶組成物用配合剤。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11559178A JPS5543016A (en) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | Dicyanohydroquinonecyclohexanecarboxylic ester |
| US06/074,655 US4279770A (en) | 1978-09-20 | 1979-09-12 | Liquid crystal 2,3-dicyano-hydroquinone derivatives |
| DE2937700A DE2937700C2 (de) | 1978-09-20 | 1979-09-18 | 2,3-Dicyano-hydrochinon-Derivate und Flüssigkristallmaterialien, die diese Derivate enthalten |
| CA335,840A CA1131655A (en) | 1978-09-20 | 1979-09-18 | 2,3-dicyano-hydroquinone derivatives |
| CH845579A CH642345A5 (de) | 1978-09-20 | 1979-09-19 | 2,3-dicyano-hydrochinon derivate. |
| GB7932598A GB2035303B (en) | 1978-09-20 | 1979-09-20 | 2,3-dicyano-hydroquinone derivatives |
| FR7923469A FR2436777A1 (fr) | 1978-09-20 | 1979-09-20 | Derive de la 2,3-dicyano-hydroquinone et leur application aux liquides |
| DD79215670A DD146187A5 (de) | 1978-09-20 | 1979-09-20 | Verfahren zur herstellung von 2-chlor-6-nitroanilinen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11559178A JPS5543016A (en) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | Dicyanohydroquinonecyclohexanecarboxylic ester |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5543016A JPS5543016A (en) | 1980-03-26 |
| JPS6126898B2 true JPS6126898B2 (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=14666385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11559178A Granted JPS5543016A (en) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | Dicyanohydroquinonecyclohexanecarboxylic ester |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5543016A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0749468B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1995-05-31 | ポリプラスチックス株式会社 | 改良ポリエステル樹脂の製造法 |
| CN117105817B (zh) * | 2023-10-25 | 2023-12-26 | 山东佰隆医药有限公司 | 一种2,3-二氰基对苯二酚的合成方法 |
-
1978
- 1978-09-20 JP JP11559178A patent/JPS5543016A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5543016A (en) | 1980-03-26 |
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