JPS61267340A - リ−ド位置決め方法及び装置 - Google Patents

リ−ド位置決め方法及び装置

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JPS61267340A
JPS61267340A JP61113838A JP11383886A JPS61267340A JP S61267340 A JPS61267340 A JP S61267340A JP 61113838 A JP61113838 A JP 61113838A JP 11383886 A JP11383886 A JP 11383886A JP S61267340 A JPS61267340 A JP S61267340A
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JP61113838A
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アスリ・ラーハバン
サテイシ・ナーツ
レーモンド・フーラン
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Kulicke and Soffa Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イメージの処理システムおよヒ方法に関する
もので、特に、ワイヤボンディング装置によって、リー
ド線を集積回路チ゛ンプリードフレームのビームリード
に接合する際に、ビームの位置な精密に決定する方法及
び装置に関するものである。
〔概 要〕
この方法ではリードフレームを照明し1反射光を得、こ
の反射光に対応するディジタルデータを得る。このデー
タはメモリに書き込1れる。メモリに書き込1れたデー
タに基づいてリードの境界の情報信号を得、これによV
リードの位置を決定する。従って、リード間の反射物体
の影響を除去したリード位置決定が可能になる。
〔従来の技術とその問題店〕
従来技術においては、集積回路チップは、複数個のワイ
ヤボンディングによってリードフレームとの電気的接続
を形成1.ていた。
集積回路チップの回路密度は、従来に比較し増大してい
るので、ワイヤボンディングヘッドでワイヤボンディン
グ(リード接着)を行う際にこのへ・ンドの集積回路チ
ップのポンディングパッドに関しての位置を正確に決定
することは、ポンディングパッドが種々異なっているの
で、益々困難になりつ\ある。米国特許第4.44.1
.205号明細書には、ワイヤボンディングへ・ンドを
集積回路テ゛ンプのポンディングパッドに関しての位置
付けについてのこの困難を低減するための パターン認
識システム が開示されているが、チップ密度が増大し
てきている現状では、新たな問題に直面[7ている。
集積回路の密度は増大1.てきており、また回路も複雑
化してきているので、チ゛ンプに入力および出力を与え
るリードフレームの形状も、′!F″f−Fす複雑にな
っている。リード線と接合するリード・フレームのビー
ムリードは、lj’−Ej小すく且つ数を増加しなけれ
ばならず、従って、リード線のビームへの接合はでjl
す難゛シ〈なっている。しかし、このようなリードフレ
ームのビームリードの小寸法化が唯一の問題であるわけ
ではなく、他の問題、すなわち、リードフレームに製造
上の公差があるために、与えられた11−ドフレームの
ビームリードの位置がリードフレーム毎に異ってくると
デう問題も生じている。集積回路チ・ツブそれ自体を製
作するための技術は非常に高度な精密性を有するので、
チップに付属スるポンディングパッドの位置についてチ
゛ンプ毎の差が成る範囲に抑えられている。しかし、リ
ードフレームを形成する技術の精密度は比較的低いので
、与えられたリードフレームのビームリードの位置は、
リードフレーム毎に異なるのが現実である。チップ密度
の増大1−5てさた現状から、リード線をリードフレー
ム上と一ムリードヘボンデイングする過程も一層難しく
なってきているが、それは、リード線とビームリードと
のボンディング膚の標的面積が、従来と比較して一層小
さく形成され、かつこれ等標的面積の位置が一定でない
からである。
初期においては、ワイヤボンディングへウドのリードフ
レームのビームリードに対する位置付けは盲目的になさ
れていた。すなわち、盲目的ボンディング法では、ワイ
ヤボンディング装置は、リード線と接合されるべきリー
ドフレームのビームリードを、予定した場所に正確に位
置せしめ得ると、簡単に仮定していたので1寸法の比較
的大言いり一ドフレームのビームリードに対しては適用
できるが、リードフレームのビームリードが小さくなる
につれて、かつチ゛ンプ密度の増大するにつれて、この
ような方法はもはや適用できなくなった。
ワイヤボンディングヘッドをリードフレームのビームリ
ードに関して位置付けるのに、初期の方法ニ続いて用い
られたのは1手動操作方法であった。この技法では、リ
ードフレームのビームの相対位置は、操作者によって、
リード線のボンディングを行なう前に、ワイヤボンディ
ングヘッドに関して変えることが可能である。このよう
な手動操作による方法は、非常に非能率的であり、かつ
労働も厳j〜い。
適用された第3の方法は、リードフレームのビームリー
ドのワイヤボンディングヘッドに対する位置ヲ、リード
フレームのビームリードから反射された光如よって感知
されたリードフレームのビームリードの位置に従って調
節するものである。
この方法では、光源からの光がリードフレーム上で焦点
を結ぶようになっている。リードフレームのビームリー
ドから反射された光は、光検知器によって感知され、こ
の光検知器からの出力がり一ト°フレームのビームリー
ト°位置の指示を与える。
かくシテリードフレームのワイヤボンディングヘッドに
関しての相対位置が、ワイヤボンディングのなされる以
前の感知位置に応じて変更される。
このような反射光をfU用した方法が2種以上適用され
てきたが、これ等には幾つかの欠陥があり。
特に幾つかの型式の集積回路リート°パ・ンケージにつ
いての欠点を有している。リードパンケージには2つの
種類(型式)があり、第1の種類では。
リードフレームが、集積回路チップに関して、ワイヤボ
ンディングfよって接合された後に、チップとフレーム
パッケージとが熱可塑性材料で包装される。このような
パッケージは1反射光を用いてビームリードの位置付け
を行う方法に適するが。
その理由は、これ等パッケージ中のリードフレームのビ
ームリードの反射率が背景のそれとは判然と異なるから
である。これに対1−で、集積回路パッケージの第2の
種類では、リードフレームが先ず、セラミック材にて包
装され1次いで、集積回路チップが、先のセラミック包
装リードフレームに接合されるものである。このような
パッケージは、 一般にセラミック・デュアル・インラ
イン・パッケージ又はセルジブス(cerdips )
と呼ばれている。このセラミック・デュアル・インライ
ン・パッケージの場合、集積回路のビームリードの反射
率は、各リードフレームのビームリード間で認められる
硝子様材質の表面の反射率と同様である。この種のパッ
ケージ中で、リードフレームのビームリード間に位置す
る成る材料(以下において時々、リード間ガラスと記述
する)は、ビームリードそれ自体の金属に匹敵する反射
性を有する。
この事実のために、セラミックパッケージは1位置を感
知するための反射光を用いる土述の光学系に狂いが生じ
、その結果、リード線の接合が間違った位置に形成され
ることが知られている。
ワイヤボアディング装置に用いられる位置感知システム
にとっては、リード間ガラスを含1ない標準リードフレ
ームはもちろんのこと、リード間ガラスの反射率による
問題を抱えるセラミック・デュアル・インライン・パッ
ケージに使用するのに適当であることが重要であるので
、従来型の位置感知システムは不適合であった。
本件出願人によって販売された反射光ケ利用1゜た位置
感知システムrおいては、リード間ガラスによってひき
起される反射率の問題に加えて、新たな問題が生じた。
すなわち、このシステムにおいては、リードフレームパ
゛ンケージの各り−Fフレームのビームリードが、光澱
兼光検知器に関して、そのリードフレームのビームが精
密に知られるでて移動された。その後に、リードフレー
ムのビームリードの位置が、ワイヤボンディングヘッド
に関して1次のよう圧、即ちワイヤボンディングが適幽
な位置に形成されるように調節された。
このような方法では、リードフレームがワイヤボンディ
ング装置に関して不適光な間欠運動が生じ1   るこ
とが認められ、この間欠運動は、ワイヤボンディングヘ
ッドの駆動機構に苛酷な9荷を及ぼした。
以上から1本発明の目的は、リードフレームのワイヤボ
ンディングヘット°に対する相対位置を正確に位置付け
ろためのワイヤボンディング装置用のイメージ処理にょ
ろり−Fの位置決め方法及び装置を提供することにある
本発明の他の目的は、極めて小寸法のリードフレームの
ビームリードの多数の相対位置を決定するためのワイヤ
ボンディング装置用のイメージ処理によるリードの位置
決め方法及び装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、手動操作方法と比Mして能
率の改善されたワイヤボンディング装置用のイメージ処
理によるリードの位置決め方法及び装置を提供すること
にある。
本発明のさらに他の目的は1反射光を用いるものではあ
るけれども、セラミ゛ンクバウケージのリード間ガラス
又はこれに類似するものによって生じる反射率と、リー
ドフレームそれ自体とを区別することがでさる方法及び
装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、複数個のり−ト°フレーム
のビームリードの位置を正確に決めるための、但し慣性
の問題を可能な限り少なくするのに行すうリードフレー
ムのビームリードのワイヤボンディングヘッドに関して
の複雑な運動を不必要にすることが可能な方法及び装置
を提供することにある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
上記目的を達成するための本発明においては。
リードフレームが光源からの光に当てられる。このリー
ドフレームからの反射光が感知され、この反射光を示す
ディジタルデータが発生される。この発生ディジタルデ
ータはメモリに記憶される。
このメモリにおいては、制御手段によって、長さ及び幅
を有する領域即ちコリーダ(corridor )が限
定される。この領域の範囲内のデータに基づいて第1の
信号即ちジグニチャ(Signature )が得られ
ろ。この信号は領域の長さに沿った各点におけるデータ
の幅方向の和である。領域の長さに沿った第1の信号の
1次導関数(微分値)が決定され、かつ第1のアレーに
記憶される。第1のアレーは、リート°の境界の特長を
有する1次導関数の点を決定するために走査される。境
界の特長を有さない1次導関数はアレーから消去される
。第1のアレーは制御手段によって走査されて、リード
の境界の候補(境界又はこれに類似のもの)間の範囲が
決定され、この範囲の位置が第2のアレーに記憶される
。第2の了し−の走査によって、リードの境界の候補間
の範囲が、各リート°の最小寸法以上の寸法を有するか
とうかが決定される。
本発明の1つの実施例においては、半導体リードフレー
ムがセラミック・デュアル・インライン・パッケージで
ある。この場合においては、第1の領域に直交する第2
の領域を限定する段階を含む。第2の領域に基づく第2
の信号を解析し、リード間物質の反射による問題を除去
したリード位置決めを達成する。
〔作 用〕
本発明では1反射光検知対応データに基づいてリードの
境界を知る。そして、この境界に基づいてリードの位置
を決定する。このため正確な位置決めを達成jろことが
できろ。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は、リード線を集積回路チ゛ンプ及びリードフレ
ームへ接合するためのシステム全体についての模式図で
ある。この全システムの一部であるリード線をチップに
接合するための部分は、米国特許第4.44).205
号明細書て開示されているものと同一であるので、ここ
には図示されていない。リード線を集積回路リードフレ
ームのビームリード群に接合するための部分が本発明の
主題である。システム全体について、複数のポンディン
グパッド(12)を備えたチップa01が集積回路リー
ドフレーム(14)に取付けられる。このリードフレー
ムロ力は複数個のビームリード06)を備え、各ビーム
リード(161は、従来の端子1例えば整列されたビン
又はこれに類似のものに取付けられるだけの十分大さい
ものである。I)−ドフレームα4は、模式的に図示さ
れており、ここでは、ホスト(主)接合機上に配設され
たボス状のインデックス手段即ち指標手段(20)に係
合するU字溝から成る係合手段(18)’&備えている
。主接合機は、指標手段(20)の配置しであるテーブ
ル(図示せず)を備えているが、このテーブルハ、コン
トローラ(22iの制御によって矢印で指示したように
、互いに直交する2方向に移動可能になっている。この
接合機は、寸たリード線を集積回路チップ00)のポン
ディングパッド(12)(7) A txらず、リード
フレームα滲のビームリード(■6)へも接合するため
の手段を備えるものである。要するに。
基準に対するリード又はパ゛ンドの位置を知す、リード
又ハパ゛ンドとボンディングヘッドとを一致すせてボン
ディングを達成するものである。この種のワイヤボンデ
ィング法は公知であるので、詳細は省略する。
チ・ンプ、ボンディングパ・ラド02).リードフレー
ムのビームリード(161とホスト接合機との関係をコ
ントローラ(社)に指示するために、光の(24)と、
光学カメラ手段C0とが設けられている。光学カメラ手
段(26)は、撮像管、ビジコン、固体センサ又は類似
のものでよく、視領域に対応する領域全体にわたってラ
スター走査をするもので構成し得る。カメラ手段061
のアナログ信号出力は、アナログ−ディジタル・コンバ
ータ弼により、カメラに当たる光を、各位置に相当した
光強度を指示するディジタル信号に公知の方法で変換さ
れる。典型的には。
カメラ(2θの視野は、その表面上のNXM個配列配列
形域群部ち画素に分割され、NxN個の画素の各々には
、その域内で光強度として灰色レベルを示すディジタル
値が与えられる。本発明の好ましい実施例では1画素を
表示するのに、光強度を16段階で指示jろことのでき
る4ビ゛ント語が用いられている。画素は、0.000
25平方からなる。
即ち、1ミルについて4画素があることになる。
A/Dコンバータ(2〜から出力されるディジタル信号
は、ビデオダイロケータ回路(video dielo
cator circuit )即ちチ゛ンプ位會決め
回路(29)に供給される。このチップ位置決め回路(
2靭は、上述の米国特許第4.44),205号明細書
に眸述されているものと同一であるので、その説明を省
略する。A/Dコンバータ(財)の出力ディジタル信号
は。
本発明のイメージ処理システムに従って、ビデオリード
ロケータ回路(video  1ead  1ocat
or  circuit)即ちリード位置決め回路C(
])にも供給される。
チップ位置決め回路(29)及びリード位置決め回路C
31)。
それぞれの出力は共にマイクロプロセッサ(301K 
供給される。このマイクロプロセ゛ンサ00)はランダ
ム・アクセス・メモリ(3ツに接続されている。バンフ
ァ増幅器Gaは、ビデオ発生器(3G)を駆動するため
に設けられたもので、ビデオ発生器(支))は、テレビ
ジョンスクリーン關に、カメラ(26)によって捕廠ら
れる視界の画像を供給し、操作中、テップaO1とリー
ドフレームQ4)との基準位置に対する操作者による位
置決定を助けるもので、この概要については後述する。
マイクロプロセ゛ンサ(30)は、でた1本発明の方法
により発生される情報をオンライン記憶手段(40)、
例えば概略図示したフロッピーディスク・ドライブに供
給し、記憶を行なわせてpい。これについては後に詳細
に説明することとする。
第1図に図示した全体システムを第2図を参照して詳述
することに゛する。第2図に示すように。
カメラ(26)によって検知されるイメージデータはA
/Dコンバータ硫に供給すれ、このコンバータ(28)
から本発明に従うイメージプロセッサのリード位置決め
回路C3])、及び前記の米国特許第4.44)゜20
5号に関連して説明さねたチ゛ンプ位置決め回路(29
)とへ供給される。チ゛ンプ位置決め回路(29)は。
集積回路チップCl0Iのボンディングパウド(12)
(7) 正iな位置を与える出力をマイクロプロセッサ
(至)に与えるために作る。これが遂行されるための態
様については、前記米国特許に説明されている。本発明
に関係するリード位置決め回路Oυもまた。出力を、出
力バスC33)を経て、マイクロプロセッサ例に供給す
る。リード位置決め回路c31)からの出力は。
リードフレームα4の個々のビームリード(161の正
確な位置についての指示を与えるもので、この出力1 
  は、さらに、ラインG5)を経てビデオ発生器(至
)へ送られ、そこから操作者のモニタースクリーン上に
表示される。
第3図は代表的なリードフレームQ4)の一部のレイア
ウトを示す。集積回路チ゛ンプ上のポンディングパッド
と、リード線(42)の一端との間で接合が形成され、
リード線(4zの他端はフレームα4のビームリード(
16+に接続される。リードフレーム(14)ハ、第3
図に示されるように、セラミック・テュアル・インライ
ン・パ゛ンケージであり、従って、ビームリード帥の相
互間にリード間tラミ・ンク材(44Jが配置されてい
る。典型的には、このようなセラミ・ンク材(44)の
表面上には、ガラス状層(以下において時折りリード間
ガラスと呼ぶ)が形成されている。
リード間ガラスは典型的には、リードフレームのビーム
リードa61に近い反射率ケ有し、従って、第3図に図
解するように、カメラ(20にとっては、鏡のような反
射域(46)は、リードフレームのビームリードaθに
類似して見えることが認められよう。リードフレームの
ビームリード(161の位置を決定するにおいて、鏡の
ような反射域帥と、隣接するリードフレームのビームI
)−ド(161と’Y IZ 別’f ルこトカ重要で
、これにより、鏡のような反射域でのワイヤボンディン
グな避けることが可能である。
やはり第3図に示されるように、はん点のようtx I
f 域(48)が、リードフレームのビームリード帥の
表面上で、カメラ(261によって時々検出される。こ
のような暗域(48)は、リードフレームのビームリー
ド(161の表面金属化が不規則に行われるために生じ
ることは確実である。従って、リードフレームのビーム
リード061の精密な位置を決定するにおいて。
リードフレームのビームリード(161自体と、それを
取巻くリード間セラミック材(44)とを、ビームリー
ド161上に暗域(4印が存在する場合でも、イメージ
処理システムによって区別可能であることが重要である
。第1図に概略を、そして第2図で詳細に図解したシス
テム′を用いて、この目的を達成するには、リード位置
決め回路01)は、第6図〜第9図に示されている処理
を行うために、第4図に図示すルバードウエアを備えて
いる。
リード位置決め回路c31)のハードウェアは図4゛に
示ス。A/Dコンバータ(28)からのディジタル入力
はバッフ了(59)を経て入力バス(60)に導入され
る。ディジタル入力は入力バス(60)を経てフレーム
メモリのへ供給され、そこでラスタ走査順に、かつフレ
ーム毎に記憶される。従って、メモリ(62)Vc’は
カメラ(イ)で検知した画面に対応するデータの配列が
得られる。マイクロプロセッサ(財)が設けられ、これ
はデータバス(66)およびアドレス無制御ライン關ヲ
経てメモリ(6zに接続されている。マイクロプロセッ
サ(財)は後述するように、メモリ鞄に記憶されたディ
ジタルデータ゛に基づいて動作し、ビームリードα6)
を鏡のような反射域(46)や暗域(48)と識別する
本発明の好ましい実施例では、独立した乗算器(70)
が設けられ、これは、データバス(66)を経てマイク
ロプロセッサf64)に接続されている。さらに、  
4に×16ランダム・アクセス・メモリσ3がマイクロ
プロセッサ(64Iに接続されている。乗算器σ0)お
よびランダム・アクセス・メモリσ2は、いずれも、所
要の演算速度が早いことが望でしいが、必らずしも必要
ではない。さらに1本発明の好ましい実施例として、マ
イクロコード化コントローラ釘が設けられ、これは2つ
のマイクロプロセッサt64)(至)間に接続配置され
ている。マイクロコード化コントローラσ4)ハマイク
ロプロセッサ(財)の動作を制御し。
マイクロプロセッサ(至)は、リード位置決め回路0υ
によって得られる結果をホストコントローラ(22へ出
力するに当っての調整仲介機能を果す。
第5図および第6図によって、マイクロプロセッサ(財
)の操作法について次に説明する。第5図はカメラ(2
6)によってその与えられた視野から受取られるビデオ
像を模式的に示したもので、この図に示されるように、
リードフレームのビーム11−トQ61はリード間セラ
ミック材(44)1Cよって隔てられている。リードフ
レームのビー去り一ド061の一個に暗域(4印が存在
し、且つリード間セラミック材(44)に鏡のような反
射域(46)も存在している。本発明に従つり一ド位置
決め回路c31)は、リードフレームのビームリード(
1G+の縁l501 (52)54)邸)の位置を確実
に決定するもので、その際、暗域囮または鏡のような反
射域(46]が存在しても、それ等には影響を受けない
「 第5図に示すように、マイクロプロセッサ(Baは。
先ず、フレーム記憶メモリ(64内で鎖線で描かれたよ
うにコリダ(corridor )即ちデータ抽出のた
めの第1の領域の7)を限定する。この第1の領域67
)は幅がW、長さがL″′Cある。この第1の領域(5
7)の幅Wは、最大の鏡のような反射域(46)の幅?
十分に越えるものである(第5図参照)。第1の領域の
長さLは、典型的には、カメラ(26)の視野の長さに
等しい。
次如第6図により説明するが1本方法の第1段階は、第
1の領域67)に沿っての整理された信号(signa
ture即ちSIGN)−g得ることである。コノ第1
の信号(SIGN)は、第1の領域5′7)の長さLに
沿った各点におけるデータの幅方向加算信号である。第
5図の領域(57)に対応する第1の信号をアナログ的
にプロットして示すと、第5図下側の線(591になる
。この第1の信号はフレームメモリ(62)のデータに
基づいて容易に得られる。
第1の信号(8IGN)は1本発明の好ましい実施例で
は、長さ方向において、各画素の第】の信号の平均値を
長さ方向において比較することによって得られる。第1
の信号の値があるクリップレ。
ベルに対して先行する5個の画素の第1の信号の最低の
平均値を越えるならば、第1の信号は最低の平均値にク
リップレベルを加算したものとされる。
第6図に示すように1本発明に従う方法の次の段階徹は
、第1の信号(8IGN)が得られた後。
その1次導関数(FD) (first order 
derivatives)を決定し、この1次導関数即
ち微分値Zメモ1)12)の第1のアレー(配列)に記
憶させることからなり、1次導関数(FD)は軽重しく
は次式に従って求める。
FD=(SIGN[’A+1]+5IGN[A+2])
−(SIGN[A−1]+5IGN[A、−2] )1
次導関数の決定を、勿論周知の別の方法で行ってもよい
本発明の好ましい実施例においては、第1の信号(SI
GN)の1次導関数(微分値)が1つのアレーに記憶さ
れ、このアレーは、リードの境界特有の1次導関数を有
する第1の領域6η上の点を決定するために走査される
。そして、リードの境界に関係のない他の1次導関数は
そのアレーから消去される。この方法を実施する場合、
マイクロプロセッサ(財)は、このアレーを走査する。
このアレー走査は、正値が介在しないで連続する負値な
有する1次導関数の範囲および負値が介在しない連続す
る正値またはゼロ値の1次導関数の範囲に対して行われ
る。次に、このような範囲における1次導関数の累算合
計を求める。これはこのような範囲における総和(SU
N)と呼ばれる。さ−らに。
各この種範囲の局fMS最高値が決定されて、その範囲
の1次導関数の総和(S UN )と置き換えられる。
本発明の好ましい実施例においては、第1のアレーに記
憶された1次導関数の2個連続の正値または2個連続の
負値が存在する場合、これは、正の1次導関数の1つ、
或いは負の1次導関数の1つが、リードの境界を限定す
るものでないことン示す。従って、もし第1の了し−の
ある要素の1次導関数がそのアレーの先の要素の1次導
関数よりもスレッシホールド以上大きい場合は、そのア
レー〇前の要素がゼロに設定され、かつ次の要素が2つ
の要素の1次導関数の合計に等しくなるように調節され
る。
第1のアレーが、リードの境界特有の1次導関数を有す
る第1の領域(5ηに沿った諸漬のみしが含1ず、かつ
境界に無関係の他の1次導関数がそのアレーから消去さ
れるとデうことが一旦起ると。
本発明に従うリード位置決定法の次の段階が始って良い
ことになる。この段階では、露出リード即ちボンディン
グ可能な1]−ド範囲が第6図の段階@O)に示される
ように見つけ出される。これは、可能性のあるリードの
境界間の範囲を解析するように第1のアレーな走査する
ことによって遂行される。本発明に従う実施例として、
これは、1次導関数(FD)の第1正値および第1角値
を見出すように第1のアレーを走査することによって遂
行される。正負側1次導関数の範囲は、一応リードであ
ると考えられ、このような範囲の位置がメモリ1   
  (62)の第2のアレーに記憶される。
露出υ−ドの位置を決定するための第6図の(80)で
示した段階に続く本発明に゛従う段階として、これ等の
範囲(1次導関数の正と狛との間の範囲)が、解析され
る集積回路パッケージのリードの予想最低許容幅より小
さい幅を有する範囲を除く基準(最低リード幅以下に設
定された基準値)と比較される。この段階は第6図で特
により符示されている。この段階(82においては、露
出リードの範囲が、解析される集積回路パッケージのリ
ードの予想最小寸法より大きい寸法を有するが否かを決
定するために、上記第2のアレーが走査される。
第6図の本発明に従う判定段階(財)では、解析される
半導体リードフレーム装置が、セラミック・インライン
・パッケージでなくて、従って一上述した望1しくない
鏡のような反射の問題が生じない場合は1判定結果がN
Oとなり1本発明に従うリード位置判定操作は1段階(
8ωに進んで完了する。
一方、セラミック・インライン・パッケージ(cBR,
DIP)であれば、一連の段階(76)〜(82)にお
いて見つけ出されたリード位置が、リード間のセラミッ
ク材(44)の表面の鏡のような反射域(46)に関係
なく正確に決定されることを保証するように巳なければ
ならない。このため、セラミック・デュアル・インライ
ン・パッケージを用いる場合は、本発明に従う段階(ハ
)を笑施し、鏡のような反射をり−ドと誤認することの
ないようにする。
第6図の段階(財)における鏡のような反射の誤認を解
消することの説明に椙って、再び第5図を参照して考え
る。鏡のような反射域帥の誤認を解消する第1段階とし
ては、第1の領域6ηに沿って行った先の主走査に対し
直交する方向(幅方向)に副走査を行なうことである。
この副走査ケ行うことによって、一連の第2の領域(9
01即ちコリダ(COrridors )が限定される
。この第2の領域軸は。
第1の領域の7)の長さLK@交する長さ1を、同様に
幅WK直9する幅Wを有する。本発明に関係する重要な
特徴に従えば、第2の領域■の長さ1が第1の領域の7
)の幅W、1:II)大きいことが望1しく。
他方、第2の領域軸の幅Wが第Jの領域57)の長さL
に比べて極端に短いことが望ましい。
本発明に関係てる別の重要な特徴として、前記一連の2
次領域(9CRについての副走査が、前取てほぼi認さ
れたり一ト°の境界(境界の候補)の各虚で行われる。
第5図に見られるように、副走査は。
ビームリード帥の前縁(501(54)’、後縁f52
561 、および暗域(4印の前縁と後縁、鏡のような
反射域(46)の前縁と後縁において行われる。要する
に、第5図の信号(59)に基づいて、正又は角の微分
出力(1次導関数)が得られる点を副走査する。
本発明に関係する1だ別の重要な特徴として。
一連の第2の領域(9o)の各々において第2の信号即
ちシグニチャ(signature )が計算される。
第2の信号も第1の信号と同様に求めるもので、第2の
領域(901の長さlに沿っての各声での幅方向におけ
るディジタル値の和である。
1g8図の段階(ハ)で鏡のような反射域の誤認を解消
するために、上述に続いて1例えば、前記第2の信号の
内の最も大きい方から3つの値(3つの最大値)と、最
も小さい方から3つの値(3つの最小値)とが取り出さ
れ、これ等の合計が求められる。名菓2の領域について
の1例えば3つの最も大きい値(最高値)の合計と1例
えば3つの最も小さい値(最低値)の合計との差(DI
FF)が計算される。この差(DIF’F)は前以て決
定された最大値と比較される。この差が、もし前以て決
定された最大値より小さい場合は、第2の領域(90)
がリードの境界にあって、暗域(48)’Pたは鏡のよ
うな反射域(46)の前縁(左側)または後縁(右側)
には位置しないとの結論が得られることになる。
本発明による他の実施例として、第2の領域(90)の
各々における第2の信号の例えば3つの最高値および3
つの最低値とが計算され、さらに、これ等最高値の合計
と最低値の合計との差(DIFF)も計算される。この
差が、前以て決定された最大値より小さく、且つその対
応する点における第16信号が、前以て決定された最小
値より大きい場合には、リードの境界50)(52)5
4) 66+の存在が確認される。リードの境界が上述
した2つの実施例のいずれかによって一旦確認されると
1本発明に従う方:   法においては、第6図の段階
(9吐して、見掛上の細いリード(非リードデータ)の
消去が行われる。
これは前述の段階(82)と同様にして遂行される。
前述の両実施%I において、与えられた第2の領域に
おいて副走査を実施し、この副走査によってリードの境
界位置が確認されない場合は、新しい第2の領域を前の
第2の領域に直接接するように設定し、再び副走査する
。この段階はリードの境界位置が確認される1で繰り返
される。
次如、第7図を参照して ティーチ(t6ach )”
モード即ち教え込みモードにおける本発明に従うイメー
ジ作成システムの動作について説明する。
第6図について述べたリード位置決定動作の開始に先立
って、ワイヤボンディングをしなげればならない特別な
リードフレーム組立体は、教え込み動作で走査され、か
ぐして、−酸パラメータが解析され、かつ記憶される。
教え込み操作は、第7図のブロック(94+に従って光
源(24)の必要な照明を選択する段階から始する。次
に、ブロック翰に第1の領域6ηの限定に利用される走
査方向が決定される。次いで、ブロック陣に示すように
、リート°位置決定動作が行われる。この動作は上述の
第6図1に説明した方法に従、つて行われる。リード位
置動作の結果は、ブロック(100)に示すように操作
者の確認用モニタ38)上に表示される。この結果が。
操作者に関する限り、満足(YF3)されるものであれ
ば、ブロック(104)に従って接合がなされるべきで
ある基準リードフレームのパラメータがメモリ[2)に
記憶される。ブロック(102)の判定結果が不満足(
NO)である場合には、満足なパラメータが得られる1
でブロック(94)〜(102)の動作−bz繰り返さ
れる。
第8図に示すように、一旦、教え込みパラメータが記憶
されると、操作者は1本発明に従ってイメージ処理シス
テムを使用し、ビームリードの位置決定と、それへのリ
ード線の自動接合を開始して良い。本発明に従うイメー
ジ処理システムの実行モードは第8図に示した通りで、
1ずブロック(106)に示すように光源(財)の照明
を設定し1次いでブロック(108)に示すように走査
方向の設定が行われる。続いて、ブロック(110)に
示すように。
第6図において説明した手順でリード位置の決定操作を
行う。本発明に従う好ましい実施例においては、一旦、
リードの位置決定が行なわれると。
次に、リードの幅が所望の公差範囲内にあるかどうかが
チェックされる。ブロック(114)においてリードが
位置決定され、かつ公差内にあることが確認されれば、
ブロック(116)に示すように、満足の報告がモニタ
C38)に映し出され、さもなければ。
ブロック(118)に示すように不満足の報告が映し出
される。
リード位置の正確なデータが得られれば、公知の方法で
目的とするワイヤボンディングを正確に達成することが
できる。
以上において本発明の好ましい実施例について説明した
が1本発明によるシステムおよび方法は。
その本質的原理および範囲から逸脱しない限り。
改良改変をなされて良く、従って1本発明は上述の実施
例によって限定されるものではなく、特許請求の範囲に
よってのみ解釈丁べきである。
〔発明の効果〕
上述から明らかな如く1本発明ではリードの境界の情報
に基づいてリード位置を決定するので。
正確なリード位置決めが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に従うイメージ処理方式の一部
を示す概略図、 第2図は第1図に示した方式のチップ(ダイ)の位置決
め装置を詳しく示すブロック図。 第3図は暗域を有するビームリードと反射域を有するセ
ラミック材とを含むリードフレームの一部を示す図。 第4図は第1図のイメージ処理方式のビームリードのN
@な位置決定のためのリード位置決め装置を示す回路図
。 第5図はリードフレームのビームリードのディジタル表
示、即ち画素を第4図のリード位置決め装置によって加
算し1本発明に従う限定された領域の独特な信号を得る
方法を説明するだめの図、第6図は第1図のイメージ処
理方式のリード位置決定操作の流れ図。 第7図は第1図の方式における教え込み操作を示す流れ
図。 第8図は第1図の方式の運転過程を説明する流れ図であ
る。 04)・・リードフレーム、 (161・・・ビームリ
ート、C3+1・・・リード位置決め@置、 +44)
・・セラミック材、(46)・・・反射域、 (48)
・・・暗域、6η・・・第1の領域、 (591・・、
第1の信号、(9I・・第2の領域。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ワイヤボンディング装置に相対的に半導体リード
    フレーム上におけるリードを位置決めする方法であつて
    、 上記リードフレームを光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータを発生させること、 上記ディジタルデータをメモリに記憶させること、 上記メモリ上に所定の長さと幅を有する第1の領域を限
    定すること、 上記領域の長さ方向に沿つた各点における上記データの
    幅方向合計からなる第1の信号を得ること、 上記第1の領域の長さ方向に沿つて上記第1の信号の1
    次導関数を決定し、かつこの第1次導関数を第1のアレ
    ーに記憶させること、 上記第1のアレーを走査し、リードの境界特有の1次導
    関数を有する上記第1の領域に沿つた点を決定すると共
    に、他の1次導関数を上記第1のアレーから抹消するこ
    と、 上記第1のアレーを走査し、リードの境界特有の値を有
    する部分間の範囲を決定し、この範囲の位置を第2のア
    レーに記憶させること、 上記第2のアレーを走査し、上記範囲がリードの最小寸
    法以上の寸法を有するかを決定すること、を含んでいる
    リード位置決め方法。
  2. (2)リードとこのリードの反射率に近い反射率を有す
    るリード間物質とを含む半導体リードフレームの上記リ
    ードをワイヤボンディング装置に相対的に位置決めする
    方法であつて、 上記リードフレームを光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータを発生させること、 上記ディジタルデータをメモリに記憶させること、 上記メモリ上に所定の長さと幅を有する第1の領域を限
    定すること、 上記領域の長さ方向に沿つた各点における上記データの
    幅方向合計からなる第1の信号を得ること、 上記第1の領域の長さ方向に沿つて上記第1の信号の1
    次導関数を決定し、かつこの第1次導関数を第1のアレ
    ーに記憶させること、 上記第1のアレーを走査し、リードの境界特有の1次導
    関数を有する上記第1の領域に沿つた点を決定すると共
    に、他の1次導関数を上記第1のアレーから抹消するこ
    と、 上記第1のアレーを走査し、リードの境界特有の値を有
    する部分間の範囲を決定し、この範囲の位置を第2のア
    レーに記憶させること、 上記第2のアレーを走査し、上記範囲がリードの最小寸
    法以上の寸法を有するかを決定すること、それぞれが所
    定の長さと幅を有し、上記長さが上記第1の領域の長さ
    と直交しており、リードの境界の特色を有する上記第1
    の領域に沿う点に位置決めされている第2の領域を限定
    すること、上記第2の領域の長さに沿うデータの幅方向
    の合計から成る第2の信号を上記第2の領域ごとに得る
    こと、 上記リード間物質の鏡のような反射から上記リードを区
    別するように上記第2の信号の各々を解析すること、 を含むリード位置決め方法。
  3. (3)上記第2の領域の各々の長さが上記第1の領域の
    幅より大きいこと、並びに上記第2の領域の幅が上記第
    1の領域の長さより小さいことを特徴とする特許請求の
    範囲第2項記載のリード位置決め方法。
  4. (4)上記解析が、 上記第2の信号の各々についての最高値と最低値との間
    の差を決定すること、 この差を前以て決定された最高値と比較して、この差が
    上記の前以て決定された最高値より小さい時は上記リー
    ドの境界位置が確認されたことにすること、 を含むものである特許請求の範囲第3項記載のリード位
    置決め方法。
  5. (5)上記解析が、 上記第2の信号の各々の最高値と最低値との間の差を決
    定すること、 この差の各々を、前以て決定された最高値と比較するこ
    と、 上記リードの境界の特色を有する各点における第1の信
    号と前以て決定された最低値と比較し、上記第2の信号
    の最高値と最低値との間の差が上記の前以て決定された
    最高値より小さく且つこの各点に対応する上記第1の信
    号が上記前以て決定された最低値より大きい時に上記リ
    ードの境界位置を確認したこととすること、 を含むものである特許請求の範囲第3項記載のリード位
    置決め方法。
  6. (6)上記解析において、相隣接するリードの境界間の
    寸法を、前以て決定された寸法と比較して、上記リード
    の境界間が上記前以て決定された寸法以上の時に上記リ
    ードの位置決めがされたものとすることを特徴とする特
    許請求の範囲第4項または第5項記載のリード位置決め
    方法。
  7. (7)半導体リードフレーム上におけるリードの位置を
    決定する方法であり、 上記リードフレームを光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータのセットを発生させ
    ること、 長さと幅を有する第1の領域を上記データセットの中に
    限定すること、 上記第1の領域の長さに沿つた上記第1の領域内の上記
    データセットからなる第1の信号を得ること、 上記第1の信号の1次導関数を決定し、かつこの1次導
    関数を一方のアレーに記憶すること、上記第1の領域の
    長さ方向に沿つている上記リードの一般的特長を有して
    いる範囲を決定するために上記一方のアレーを走査する
    こと、 上記範囲の位置を他方のアレーに記憶させること、 上記他方のアレーを走査して、上記リードの最低寸法以
    上の寸法を有する上記範囲を決定すること、 を含むリード位置決め方法。
  8. (8)リードとこのリードの反射率に近い反射率を有す
    るリード間物質とを含む半導体リードフレームの上記リ
    ードを位置決めする方法であり、上記リードフレームを
    光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータのセットを発生させ
    ること、 長さと幅を有する第1の領域を上記データセットの中に
    限定すること、 上記第1の領域の長さに沿つた上記第1の領域内の上記
    データセットからなる第1の信号を得ること、 上記第1の信号の1次導関数を決定し、かつこの1次導
    関数を一方のアレーに記憶すること、上記第1の領域の
    長さ方向に沿つている上記リードの一般的特長を有して
    いる範囲を決定するために上記一方のアレーを走査する
    こと、 上記範囲の位置を他方のアレーに記憶させること、 上記他方のアレーを走査して、上記リードの最低寸法以
    上の寸法を有する上記範囲を決定すること、 上記第1の領域の長さと直交する所定の長さと、所定の
    幅とを有する第2の領域を限定すること、上記範囲の各
    々の境界において上記第2の領域の長さ方向における上
    記データセットに対応する第2の信号を得ること、 上記リード間物質から得られる鏡のような反射から上記
    リードを区別するように上記第2の領域内の上記第2の
    信号を解析すること、 を含むリード位置決め方法。
  9. (9)上記解析が、 上記第2の信号の各々の最高値と最低値との間の差を決
    定すること、 上記差の各々を前以て決定された最高値と比較し、上記
    の差が上記の前以て決定された最高値より小さいことに
    基づいて上記リードの境界を鏡のような反射から区別す
    ること、 から成ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の
    リード位置決め方法。
  10. (10)上記解析が、 上記第2の信号の各々の最高値と最低値との間の差を決
    定すること、 この差を前以て決定された最高値と比較すること、 上記範囲の境界の各々における上記第1の信号と前以て
    決定された最低値とを比較し、上記差が上記の前以て決
    定された最大値より小さく、かつ上記第1の信号が上記
    の前以て決定された最低値より大きいことに基づいて、
    上記リードの境界を鏡のような反射と区別すること、 から成ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の
    リード位置決め方法。
  11. (11)上記解析において、相隣接する上記リードの境
    界間の寸法と前以て決定された寸法とを比較して、上記
    リードの境界間が、上記の前以て決定された寸法以上の
    時に上記リードの位置決めがされたものとすることを特
    徴とする特許請求の範囲第9項または第10項記載のリ
    ード位置決め方法。
  12. (12)上記第1の領域の限定は、前記ディジタルデー
    タのセットをメモリに記憶させ、このメモリの中に上記
    第1の領域を限定することである特許請求の範囲第7項
    記載のリード位置決め方法。
  13. (13)ワイヤボンディング装置に相対的に半導体リー
    ドフレーム上におけるリードを位置決めする方法であつ
    て、 上記リードフレームを光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータを発生させること、 上記ディジタルデータをメモリに記憶させること、 長さと幅とを有する第1の領域を上記メモリ内に限定す
    ること、 上記第1の領域の長さに沿う各点の上記データの幅方向
    の和から成る第1の信号を上記第1の領域の長さ方向に
    沿つて得ること、 上記第1の信号に基づいて上記リードの境界の候補の位
    置を決定し、かつこの位置を第1のアレーに記憶させる
    こと、 上記第1のアレーを走査して、上記リードの特色を有す
    る境界の上記候補間の範囲を決定し、この範囲の位置を
    第2のアレーに記憶させること、上記第2のアレーを走
    査して、上記範囲がリードの最小寸法以上の寸法を有す
    るかを決定すること、 を含むリード位置決め方法。
  14. (14)リードとこのリードの反射率に近い反射率を有
    するリード間物質とを含む半導体リードフレームの上記
    リードをワイヤボンディング装置に相対的に位置決めす
    る方法であつて、 上記リードフレームを光源からの光で照明すること、 上記リードフレームからの反射光を感知すること、 上記反射光を示すディジタルデータを発生させること、 上記ディジタルデータをメモリに記憶させること、 長さと幅とを有する第1の領域を上記メモリ内に限定す
    ること、 上記第1の領域の長さに沿う各点の上記データの幅方向
    の和から成る第1の信号を上記第1の領域の長さ方向に
    沿つて得ること、 上記第1の信号に基づいて上記リードの境界の候補の位
    置を決定し、かつこの位置を第1のアレーに記憶させる
    こと、 上記第1のアレーを走査して、上記リードの特色を有す
    る境界の上記候補間の範囲を決定し、この範囲の位置を
    第2のアレーに記憶させること、上記第2のアレーを走
    査して、上記範囲がリードの最小寸法以上の寸法を有す
    るかを決定すること、 各々が所定の長さと幅とを有し、上記長さが上記第1の
    領域の長さ方向に直交しており、リードの境界の特長を
    有するように決定された上記第1の領域に沿う点に位置
    決めされている第2の領域を限定すること、 上記第2の領域の長さに沿つての上記データの幅方向に
    おける和から成る第2の信号を上記第2の領域の各々に
    ついて得ること、 上記リードを上記リード間物質の鏡のような反射から区
    別するように上記第2の領域における上記第2の信号の
    各々を解析すること、 を含むリード位置決め方法。
  15. (15)上記第2の領域の長さが上記第1の領域の幅よ
    り大きく設定され、上記第2の領域の幅が上記第1の領
    域の長さより小さく設定されていることを特徴とする特
    許請求の範囲第14項記載のリード位置決め方法。
  16. (16)上記解析が、 上記第2の信号の各々の最高値および最低値との間の差
    を決定すること、 上記差の各々を、前以て決定された最高値と比較し、与
    えられた差が上記の前以て決定された最高値より小さい
    ことに基づいてリードの境界位置を確認すること、 を含むものである特許請求の範囲第15項記載のリード
    位置決め方法、
  17. (17)上記解析が、 上記第2の信号の各々の最高値と最低値との間の差を決
    定すること、 この差を前以て決定された最高値と比較すること、 リードの境界の特長を有する各点の第1の信号の値と前
    以て決定された最低値と比較し、第2の信号の最高値と
    最低値の間の差が、上記の前以て決定された最高値より
    小さく、かつ各点に対応する第1の信号が上記最低値よ
    り大きいことに基づいて、リードの境界位置を確認する
    こと、 を含むものである特許請求の範囲第14項記載のリード
    位置決め方法。
  18. (18)上記解析が、相隣接するリードの境界間の寸法
    を前以て決定された寸法と比較し、リードの境界間が、
    上記の前以て決定された寸法がより大きい時にリードの
    精密な位置が得られたとすることを含むものである特許
    請求の範囲第16項または第17項記載のリード位置決
    め方法。
  19. (19)ワイヤボンディング装置に相対的に半導体リー
    ドフレーム上のリードの位置を決定するための装置であ
    つて、 上記リードフレームを照明する光源と、 上記リードフレームからの反射光を感知する手段と、 上記反射光に対応するディジタルデータを発生する手段
    と、 上記ディジタルデータを記憶するメモリ手段と、このメ
    モリ内に長さと幅を有する第1の領域を限定し、この第
    1の領域の長さに沿つた各点においての上記データの幅
    方向の和から成る第1の信号を求め、さらに、上記第1
    の信号に基づいてリードの境界の候補の位置を決定して
    第1のアレーに記憶させ、上記第1のアレーを走査して
    、リードの特長を示すリードの境界の候補間の範囲を決
    定し、この範囲を第2のアレーに記憶させ、該第2のア
    レーを走査してリードの最小寸法以上の寸法を有する範
    囲を決定するための制御手段と、を具備したリード位置
    決め装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5991435A (en) * 1992-06-30 1999-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inspecting apparatus of mounting state of component or printing state of cream solder in mounting line of electronic component
US5555316A (en) * 1992-06-30 1996-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inspecting apparatus of mounting state of component or printing state of cream solder in mounting line of electronic component
US6510240B1 (en) * 1995-05-09 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Automatic detection of die absence on the wire bonding machine
JP2786160B2 (ja) * 1996-05-30 1998-08-13 九州日本電気株式会社 ボンディング方法
JP3298795B2 (ja) * 1996-07-16 2002-07-08 株式会社新川 リードフレームの搬送データ設定方法
KR100234122B1 (ko) * 1997-08-30 1999-12-15 윤종용 Ic 패키지 리드핀 검사장치 및 그 제어방법과 레이저센서의포커스 검출장치 및 그 포커스검출방법
US6363293B1 (en) * 1998-01-05 2002-03-26 Texas Instruments Incorporated Video wire bonded system and method of operation
US6289492B1 (en) 1998-12-18 2001-09-11 Cognex Corporation Methods and apparatuses for defining a region on an elongated object
US6723951B1 (en) 2003-06-04 2004-04-20 Siemens Westinghouse Power Corporation Method for reestablishing holes in a component
US7375550B1 (en) * 2005-07-15 2008-05-20 Tabula, Inc. Configurable IC with packet switch configuration network
KR101267197B1 (ko) * 2007-03-13 2013-05-27 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 본딩 기계의 동작 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH643959A5 (de) * 1978-04-14 1984-06-29 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zur automatischen lageerkennung von halbleiterchips.
US4441025A (en) * 1981-07-13 1984-04-03 Mccoy Jr William J Protective devices
US4442542A (en) * 1982-01-29 1984-04-10 Sperry Corporation Preprocessing circuitry apparatus for digital data

Also Published As

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US5125036A (en) 1992-06-23

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