JPS61267056A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の層する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いて像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　〕が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性に適合した吸収スペクトル特性を有すること
、光応答性が速ぐ、所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性が重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目さ庇ている光受容材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−ｓｉと表記する。）
があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
ての使用、また、独国公開第２９３３４１１号公報には
光電変換読取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ　−Ｓｉで構成された光受容層
を有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等
の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の
点、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々
、個々には特性の向上が計られているが、総合的な特性
向上を計る上で更に改良される余地が多々存在するのが
実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来法では
その使用時において残留電位が残る場合が度々観測され
、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続けると、
繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ずる所
謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が少な
くなかった。

又、ａ　−ｓｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光受容層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光受容層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにプレードを用い
るとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたシしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したシ、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると、俗に云う画像のボケが生ずる場合が
少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過ととも
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決されるべき問題がいくつかある。

また更に、ａ　−Ｓｔで構成された光受容層を有する光
受容部材は、全波長にわたり高い感度を有しいて、特に
長波長域における光感度が、セレン系感光体等に比べて
優れているという特徴を有している。しかし、近年、半
導体レーザ（７７０〜８００μｍ）を光源とする電子写
真法を用いたレーザプリンタの実用化が試みられてきて
いるところ、この種のプリンタにあっては高速化が要求
されることから、ａ−８ｔで構成された光受容層を有す
る光受容部材の長波長域における更なる増感が必要とな
ってきている。

従ってａ　−Ｓｉ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光受容部材を設計する際に、上記した様な問題が解
決され、且つまた前述の要求が満たされる様に工夫され
る必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、ａ　−８ｉで構成された光受容層を有す、る
光受容部材について、上述の諸問題を解決し、そして上
述の要求を満たすようにすることを目的とするものであ
る。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない、ａ−８ｉで構成さ
れた光受容層を有する光受容部材を提供することにある
。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体し、−ザとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｔで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ　−Ｓｔで構成された光
受容層を有する光受容部材を提供することにある。　　
　　　　　　　　　　　　〔本発明の他の目的は、支持
体上に設けられる・　　層と支持体との間や積層される
層の各層間に於ける密着性に優れ、構造配列的に緻密で
安定的であシ、層品質の高い、ａ　−Ｓｔで構成された
光受容層を有する光受容部材を提供することにある０ 本発明の更に他の目的は、長期の使用にあっても画像欠
陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ること
のできるａ　−Ｓｔで構成された光受容層を有する電子
写真用の光受容部材を提供することにある０ 本発明のもう一つの他の目的は、電子写真用像形成部材
として適用した場合、静電像形成のための帯電処理の際
の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る優れた電子写真特性を有する、ａ−
８ｔで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

発明の構成〕 本発明は、上述の目的を達成するものであって、電子写
真用像形成部材や、固体撮像装置、読取装置等に使用さ
れる光受容部材としてのａ−８ｉの製品成立性、適用性
、応用性等の事項を含めて総括的に鋭意研究を続けた結
果、シリコン原子（Ｓｔ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）
を母体とする非晶質材料、特にシリコン原子とゲルマニ
ウム原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はノ蔦ロゲン原
子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有する非晶質材
料、いわゆる水素化アモルファスシリコンゲルマニウム
、ハロゲン化アモルファスシリコンゲルマニウム、ある
いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム〔以下、「ａ−ｓｉｏｅ（ｕ、Ｘ）Ｊと表記する。

〕で構成される層領域を有する光受容部材の層構成を以
下に記載する様に特定化して作成された光受容部材が、
実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光
受容部材と比較してもあらゆる点において凌駕している
こと、特に電子写真用の光受容部材として著しく優れた
特性を有し　　。

ていること、及び、長波長側に於ける吸収スペクトル特
性に優れていることを見い出したことに基づいて完成せ
しめたものである。

即ち、本発明の光受容部材は支持体と、該支持体上に、
シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成され光導電
性を有する第一の層と、シリコン原子を母体とし炭素原
子および伝導性を制御する物質を含有する非晶質材料で
構成される第二の層とを積層してなる光受容層とからな
り、前記光受容層が、ゲルマニウム原子を前記窮−の層
の支持体と接する一部の層領域に均一な分布状態で含有
し、かつ伝導性を制御する物質を前記第一の層の全層領
域又は一部の層領域（不均一な分布状態で含有し、さら
に酸素原子を、少くとも前記第一の層の全層領域又は一
部り層領域および前記第二の層の中のいずれか−りに含
有していることを特徴とするものである。

そして前記第一の層を構成するシリコン原子を母体とす
る非晶質材料として、特にシリコン双子（８ｉ）を母体
とし水素原子（Ｈ）又はハロゲン京、子（Ｘ）の少なく
ともいずれか一方を含有するアモルファス材料、即ち、
ａ−８ｉ　（ＨｅＸ：）を用ハる。前記第二の層を構成
するシリコン原子を母体とし、炭素原子（Ｃ）および伝
導性を制御する物質を含有する非晶質材料として、特に
シリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、炭素原子（Ｃ）、伝
導性を制御する物質および水素原子（Ｈ）又はノ・ロゲ
ン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有するアモ
ルファス材料〔以下、［ａ　−ＳｔＣＭ（ＨｓＸ）」（
但し、Ｍは伝導性を制御する物質を表わす。）と表記す
る。〕を用いる。

前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分野に於
柘いう、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第
■族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期
律表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称
す。）を用いる。具体的には、第■族原子としては、Ｂ
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ　（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等が挙げられ
るが、特に好ましくは、Ｂ、、Ｇａを用いる。また、第
Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、ＡＳ（砒素）、ｓｂ　（
アンチモン）、Ｂｉ　（ビスマス）等が挙げられるが、
特に好ましくは、Ｐ、ＡＳを用いる。そして、第一の層
に含有せしめる伝導性を制御する物質と、第二の層に含
有せしめる伝導性を制御する物質とは、同じであっても
、或いは、異なっていてもよい。

ところで、本発明の光受容部材において、第一の層の支
持体と接する一部の層領域中にゲルマニウムを均一な分
布状態で含有せしめる目的は、長波長側における吸収ス
ペクトル特性を向上せしめることにある。そしてゲルマ
ニウム原子を支持体と接する一部の層領域中に均一な分
布状態で含有してなる第一の層を有する本発明の光受容
部材は、特に電子写真用の光受容部材として用いた場合
、全可視光域において光感度が高く、かつ光応答性に優
れているといった際立った特性を示す。また、本発明の
光受容部材では支持体と接する一部の層領域にゲルマニ
ウム原子を含有せしめるため、特に半導体レーザー等の
長波長のものを用いた場合において、ゲルマニウム原子
を含有する該層領域が、該長波長側の光を完全に吸収す
るため、支持体表面からの反射によって生ずる干渉とい
う現象の発生を防止することができるものである。

また、本発明の光受容部材は、第一の層の全層領域又は
一部の層領域に前記の伝導性を制御する物質である第■
族原子又は第Ｖ族原子を不均一な分布状態で含有するも
のであるが、第一の層に伝導性を制御する物質を含有せ
しめることにより、第一の層の伝導型又はｌ及び伝導率
の制御、電荷阻止層の形成、第一の層と第二の層との間
の電荷の移送の向上、あるいは、帯電処理時における見
掛は上の暗抵抗の増大等の作用効果を奏するものである
。

そして後に詳しく述べるように、伝導性を制御する物質
を含有せしめる第一の層の層領域が全層領域であるか又
は一部の層領域であるか、あるいは第一の層に含有せし
める伝導性を制御する物質の伝導型が第二の層に含有せ
しめる伝導性を制御する物質の伝導型と同じであるか又
は異なっているかによって、前述の奏される作用効果は
異なるものであり、目的及び期待する作用効果に応じて
、伝導性を制御する物質を含有せしめる層領域および伝
導性を制御する物質の伝導型を適宜選択する必要がある
。

更に、本発明の光受容部材は、第一の層の全層領域又は
一部の層領域および第二の層の全層領域の少なくともい
ずれかに、酸素原子を均−又は不均一な分布状態で含有
するものであシ、第一の層に酸素原子を含有せしめるこ
とにより、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化、およ
び支持体と第一の層の間又は第一の層と第二の層の間の
密着性の良化等の作用効果を奏するものである。そして
、これらの作用効果についても、酸素原子を第一の層の
全層領域に含有せしめるか、又は第一の層の一部の層領
域に含有せしめるか、又は第二の層に含有せしめるか、
あるいは均一な分布状態で含有せしめるか又は不均一な
１分布状態で含有せしめるかによって異なっているもの
であり、目的と期待する作用効果に応じて、酸素原子を
含有せしめる層又は層領域および分布状態を適宜選択す
る必要がある。

本発明の光受容部材の第二の層は光受容部材の耐湿性、
連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、お
よび耐久性を向上させるために第一の層上に設けられる
ものであって、このことは第二の層に炭素原子を含有せ
しめることに゛よシ達成できる。さらに、こうした第二
の層を第一の層上に設けると、残留電位の発生およ、　
び帯電処理時における静電荷的痕跡傷の発生等の問題を
生ずる場合が多々あるが、第二の層に前述の伝導性を制
御する物質である第■族原子又は第■族原子を含有せし
めることによりこうした問題の発生を未然に防止できる
。

本発明の光受容部材の第一の層および第二の層には必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を含有せしめる。該ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体
的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特
に好ましいものはフッ素および塩素である。そして、本
発明の第一の層および第二の層に含有せしめる水素原子
（Ｈ）の量またはハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水
素原子とハロゲン原子（Ｈ＋Ｘ）の量の和は、一般的に
はＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−２〜４　Ｘ　Ｉ　Ｏａｔｏｍｉｃチ
とするが、好ましくは５　Ｘ　ｌ　□−２〜３×１０ａ
ｔｏｍｉｃ　％、最適にはｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’　〜２５
　ａｔｏｍｉｃ　％とする。

以下、図面により本発明の光受容部材の具体的層構成に
ついて詳しく説明する。

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構成を説明するた
めの模式図であシ、各図において１００は光受容部材、
１０１は支持体、１０２は第一の層、＋０３は第二の層
、１０４は自由表面を、１０５〜１１０は層領域を示す
。

支持体 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ　。

ステンレス、Ａ！、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ
、　Ｖ。

Ｔｉ　、　１ｋｔ−、Ｂｂ等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル
、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられ
る。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側
に光受容層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ｋｌｌ　、　Ｃｒ　、　ＭＯｌＡｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、
　Ｔａ、　Ｖ、、Ｔｉ。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ５、ＳｎＯ□、ＩＴＯ（
Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けること
によって導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ｋＪｌ、
Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ。

Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性を付与する
。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状が使用可能でおる。用途、所望によって、その形状は
適宜に決めることのできるものであるが、例えば、電子
写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成
しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能を充分発揮し
うる範囲内で可能な限シ薄くすることができる。しかし
ながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上にされる。

第一の層 第−の層１０２は、前記支持体１０１上に設けるもので
あって、支持体側よりゲルマニウム原子を含有するａ−
８ｉ（Ｈ＊Ｘ）、即ちａ　−５ｉＧｅ（Ｈｔ　ｘ　）で
構成される層領域１０５とゲルマニラ拳原子を含有しな
いａ　−ｓｉ　（Ｈｓ　Ｘ　）で構成される層領域１０
６とが順に積層された層構成を有するものである。第２
図は該層構成を模式的に示すものである。そして、本発
明の光受容部材の第一の層１０２には、伝導性を制御す
る物質である第■族原子又は第■族原子、および必要に
応じて酸素原子を含有するものであり、第■族原子又は
第■族原子は該層１０２の全層領域又は一部の層領域に
均一な分布状態で分布しており、酸素原子は該層１０２
の全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一な分布状
態で分布している。ここで均一な分布状態とは、含有せ
しめる原子の分布状態が、第一の層の支持体表面と平行
な面方向および第一の層の層厚方向の双方において均一
であることをいい、不均一な分布状態とは、含有せしめ
る原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平行な面
方向においては均一であるが、第一の層の層厚方向にお
いては不均一であることをいう。

本発明の光受容部材は、第一の層１０２の支持体と接す
る一部の層領域１０５にゲルマニウム原子を均一な分布
状態で含有しているため、長波長側における吸収スペク
トル特性が向上し、比較的短波長から比較的長波長まで
の全可視光域において光感度が高く、且つ光応答性が優
れているといった際立った特性を有するところのものと
なる。そして、半導体レーザー等の長波長のものを光源
として用いた場合、ゲルマニウム原子を含有しない層領
域＋０６では殆んど吸収しきれない長波長域の光を、ゲ
ルマニウム原子を含有する層領域１０５では実質的に完
全に吸収することができるため、支持体表面からの反射
による干渉といった現象の発生を未然に防止できる。し
たがって、支持体と接する一部の層領域１０５にゲルマ
ニウム原子を含有せしめることは、特に重要である。そ
して、第一の層の支持体と接する一部の層領域１０５に
含有せしめるゲルマニウム原子の量は、本発明の目的を
達成しうる所望の特性に従って適宜決められるものであ
り、通常はＩ　〜９．５　Ｘ　Ｉ　Ｏ５ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとするが、好ましくはＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ２〜８　Ｘ
　Ｉ　Ｏ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

最適には５　Ｘ　Ｉ　０２〜７　Ｘ　Ｉ　Ｏ５ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。

ゲルマニウム原子を含有する層領域１０５の層厚（ＴＧ
）とゲルマニウム原子を含有しない層領域１０６の層厚
（Ｔ）とは、本発明の目的を効率的に達成する為には重
要な要因の一つであり、形成される光受容部材に所望の
特性が充分に与えられる様に、光受容部材の設計の際に
はこれ等の層厚について充分な注意を払わなければなら
ないが、層領域１０５０層厚（Ｔａ）は通常３　Ｘ　Ｉ
　Ｏ−３〜５０μとするが好ましくは４　Ｘ　Ｉ　Ｑ−
：３〜４０μ、最適には５　Ｘ　Ｉ　□−３〜５０μと
するのが望ましい。

また、層領域１０６の層厚（Ｔ）は通常０．５〜９０μ
とするが、好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とするのが望ましい。

さらに、層領域１０５の層厚（ＴＢ）と層領域１０６の
層厚（Ｔ）との和（ＴＢ　＋　Ｔ）は、両方の層領域に
要求される特性と第一の層全体に要求される特性、さら
には光受容層全体に要求される特性との相互的かつ有機
的関連性に基づいて、光受容部材の層形成の際に充分に
考慮して決定する必要があり、通常は１〜１００μとす
るが、好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μとす
るのが望ましい。

さらにまた、上記の層領域１０５０層厚（Ｔｎ　）と層
領域１０６の層厚（Ｔ）は、Ｔ、／Ｔ≦１なる関係を満
足するように、各々を決定するのが望ましく、−ｔ　Ｄ
　好ｔ　Ｌ　＜　ハＴＢ／’ｒ≦０．９、最適にはＴ＋
ｓ／Ｔ≦Ｏ８なる関係を満足するように決定するのが望
ましいＯ 前記層領域１０５０層厚は、該層領域！０５に含有せし
めるゲルマニウム原子の量も考慮して決める必要があり
、例えば、含有せしめるゲルマニウム原子の量がＩ　Ｘ
　Ｉ　Ｏ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上である場合には層
領域１０５０層厚（ＴＢ　）としてはかなシ薄くするの
が望ましく、具体的には３０μ以下、好ましくは２５μ
以下、最適には２０μ以下とするのが望ましい。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第■族原子を含有せしめることによって奏され
る作用、効果は、後述するごとく、該原子の分布状態に
よって、あるいは、第一の層に含有せしめる第■族原子
又は第Ｖ族原子の伝導型が、第二の層に含有せしめる第
■族原子又は第■族原子の伝導型と同じであるか又は異
なっているかによって異なるものである。

したがって、目的に応じた所望の特性を有する光受容部
材を得るためには、第■族原手又は第Ｖ族原子を不均一
な分布状態で含有せしめる層領域を全層領域とするか又
は一部の層領域とするか、また、第■族原子又は第Ｖ族
原子の伝導型を第二の層のものと同じにするか、又は異
なるものとするかを適宜選択する必要がある。さらに、
第一の層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量
も、目的とする作用効果に応じて異なることから、目的
に応じた所望の特性を有する光受容部材を得るためには
、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量についても適宜選択する必要がある。

即ち、第一の層の全層領域に第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめる場合には、第一の層の伝導性及びｌ又は
伝導率を制御するという作用効果を奏する。そしてこの
場合、第一の層領域に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の量は比較的少量でよく、通常はｌ　Ｘ　Ｉ　□
−３〜ｌ　Ｘ　ｌ　６３　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする
が、好ましくは５　Ｘ　ｌ　Ｏ−２〜５　Ｘ　Ｉ　Ｏ２
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−”〜
２　Ｘ　Ｉ　Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望まし
い。又、この場合、第一の層に含有せしめる伝導性を制
御する物質の伝導型は、後述する第二の層に含有せしめ
るものの伝導型と同じであっても、あるいは異なってい
てもよい。

また、第一の層について、支持体と接す５る側において
第■族原子又は第Ｖ族原子の含有量が比較的多量となり
、第二の層と接する側において第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量が比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近く゛なるようにした場合、第■族原子又は第■族原
子を比較的多量に含有する層領域によって電荷阻止層が
形成されるという作用効果を奏する。この場合、第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量は比較
的多量であって、通常は３×１０〜５　Ｘ　Ｉ　Ｏ４ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは５×１０〜ｌ
　Ｘ　Ｉ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適にはＩ　
Ｘ　Ｉ　０２〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとする
。

次に第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層との界面に向って減少し、第二の層と
の界面付近においては、比較的少量となるかあるいは実
質的にゼロに近くなるように、第■族原子又は第Ｖ族原
子を分布させる場合の典型的例のいくつかを、第５図乃
至第１３図によって説明するが、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない０ 各図において、横軸は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃを、縦軸は第一の層１０２の層厚を示し、ｔＢは
支持体１引側と第一の層との界面位置を、ｔＴは第二の
層１０３と第一の層との界面位置を示す。

第５図は、第一の層中に含有せしめる第■族原子又は第
■族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示して
いる。該例では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する
第一の層と支持体表面とが接する界面位置１．より位置
ｔ、までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが
０１なる一定値をとり、位置ｔ、より第一の層が第二０
層と接する界面位置１Ｔまでは、第■族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面
位装置ｔＴにおいては第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度ＣがＣ８となる。

第６図は、他の典型例の一つを示している。

該例では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ、から位置１Ｔにいたる
まで、濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる。

第７図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度ｃ６なる一定
値を保ち、位置ｔ２から位置１Ｔにいたるまでは、第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１から徐々
に連続的に減少して位置ｔτにおいては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合をいう
。

第８図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ６
から連続的に徐々に減少し、位置ｔアにおいｈｍ族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第９図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔａよシ位置ｔ３の間、においては濃度
Ｃ０の一定値にあシ、位置ｔ３から位置１０図に示す例
では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、位置
１．よシ位置ｔ、にいたるまでは濃度ＣＯの一定値にあ
シ、位置ｔ、より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２から濃度Ｃ
１３となるまで一次関数的に減少する。

第１１図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔａから位置ｔＴにいたるまで
、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に
減少する。

第１２図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５％にいたるまで濃度
ＣＩ５から濃度Ｃｔａとなるまで一次関数的に減少し、
位置ｔ、から位置１１１では濃度Ｃ１６の一定値を保つ
。

最後に、＠１３図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ？であ
シ、位置ｔａから位置ｔ６までは濃度Ｃ１？からはじめ
はゆつくシ減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、
位置ｔ６では濃度Ｃ１ａとなる。

次に、位置ｔ６から位置ｔ、までははじめのうちは急激
に減少し、その後は緩かに徐々に減少し、位置ｔ、にお
いては濃度Ｃ９となる。更に位置ｔ。

と位置ｔ、の間では極めてゆっくりと徐々に減少し、位
置ｔ８において濃度Ｃ２ｏとなる。また更に、位置１ｓ
から位置ｔ↑にいたるまでは、濃度Ｃ２０から実質的に
ゼロとなるまで徐々に減少する。

第２図〜第１０図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、第一の層の第二の層との界面側にお
いては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては
、支持体側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好
ましくは該局在領域Ａを支持体表面と接触する界面位置
から５μ以内に設けることにより、第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止
層を形成するという前述の作用効果がよシ一層効率的に
奏される。

また、上述の場合とは逆に、第一の層の第二の層と接す
る側において伝導性を制御する物質である第■族原子又
は第Ｖ族原子が比較的多量となるように含有せしめる場
合、第一の層と第二の層に含有せしめる伝導性を制御す
る物質の伝導型が同じであれば、第一の層と第二の層の
間のエネルギーレベル的整合性を向上せしめ、両層間で
の電荷の移送を高めるという作用効果が奏され、この作
用効果は第二の層の層厚が厚く、暗抵抗が高い場合に特
に顕著である。

さらに、第一の層の第二の層と接する側において比較的
多量となるように伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第■族原子を含有せしめる場合において、第一の
層と第二の層に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝
導型が異なっていれば、該多量に含有せしめた層領域は
積極的に第一の層と第二の層の接合部となり、帯電処理
時における見掛は上の暗抵抗の増大をはかるという作用
効果が奏される。

いずれの場合にも、第一の層の第二の層と接する側にお
いて第■族原子又は第Ｖ族原子を比較的多量となるよう
に含有せしめる場合の、第■族原子又は第Ｖ族原子の第
一の層における分布状態の典型例のいくつかは、前述の
第５図乃至第１１図によシ示した典型例の層厚方向を逆
にしたもの、すなわち、ｔＢを第二の層１０３と第一の
層１０２との界面位置とし、１Ｔを支持体と第一の層の
界面位置としたものによって、同様に説明される。そし
て、第二の層と接する側において、第■族原子又は第Ｖ
族原子を比較的多量に含有せしめる場合は、その量は比
較的わずかな量でよく、通常はｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−３〜Ｉ
　Ｘ　Ｉ　Ｏ３ａｔｏｍｉｃｐｐｍとするが、好ましく
は５　Ｘ　Ｉ　□−２〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適にはｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−１〜２Ｘ　ｌ　０２ａ
ｔｃｒｎｉｃｐｐｍとするのが望ましい。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。

本発明の光受容部材は第一の層に酸素原子を含有せしめ
ることにより、第一の層の光感度および暗抵抗が増大し
、さらに、支持体と第一の層又は第一の層と第二の層の
密着性が良化するものである。

第一の層の酸素原子を含有せしめる層領域は、第一の層
の全層領域であってもよく、また、一部の層領域であっ
てもよい。さらに、該層領域における酸素原子の分布状
態は、均一であってもよく、また、不均一であってもよ
い。そして、後述するごとく、酸素原子を含有せしめる
層領域が全層領域であるか又は一部の層領域であるかに
より、あるいは酸素原子の該領域における分布状態が均
一であるか不均一であるかによって、奏されるところの
作用効果は異なるものである。したがって、所望の目的
および期待する作用効果を効率的に達成しうる光受容部
材を得るためには、酸素原子を含有せしめる層領域およ
び分布状態を適宜選択する必要がある。さらに、第一の
層に含有せしめる酸素原子の量も、目的及び期待する作
用効果に応じて異なるものであることから、所望の目的
・作用効果を奏する光受容部材を得るためには、第一の
層に含有せしめる酸素原子の量についても適宜選択する
必要がある。

即ち、第１図において模式的に示すごとく、第一の層の
全層領域に酸素原子を含有せしめる場合、第一の層の光
感度および暗抵抗を増大させるという効果が奏される。

この場合、第一の層に含有せしめる酸素原子の量は、高
光感度を維持するために、比較的少量とする。

また、第２図において模式的に示すごとく、第一の層の
支持体と接する一部の層領域＋０５に酸素原子を含有せ
しめるか、あるいは第一の層の支持体と接する側で酸素
原子の分布濃度が比較的高り九妃よのγ、酸素原子を含
有せしめる場合には、支持体１０１と第一の層の密着性
が良化するという作用効果が奏される。さらに、第３図
において模式的に示すごとく、第一の層の第二の層と接
する一部の層領域＋０７に酸素原子を含有せしめるか、
あるいは第一の層の第二の層と接する側で酸素原子の分
布濃度が比較的高くなるように酸素原子を含有せしめる
場合には、第一の層と第二の層の密着性が良化するとい
う作用効果が奏される。

更にまた、第一の層と第二の層の密着性を良化させると
いう作用効果は後に述べるところの第二の層に酸素原子
を均一な分布状態で含有せしめることによっても達成し
うるものである。

第一の層の支持体側または第一の層の第二の層と接する
側において酸素原子が比較的多量となるように不均一に
分布せしめるについては、先に記述した第■族原子又は
第Ｖ族原子を不均一に分布せしめる場合と同様であシ、
その典型的な例は第５図乃至第１３図に示されているが
、本発明においてはそれらの例に限定されるものではな
い。

そして、支持体と第一の層、又は第一の層と第二の層の
密着性の良化を図って酸素原子を含有せしめる場合、第
一の層に含有せしめる酸素原子の量は、密着性を確実と
するために比較的多量とするのが好ましい。

さらに、前述のごとく本発明においては酸素原・子を第
一の層の支持体と接する側において比較的高濃度に含有
せしめることにより支持体と第一の層の密着性を向上せ
しめることが可能となるが、この場合、酸素原子を高濃
度で含有せしめた局在領域を有するようにすると、より
一層密着性の向上を図ることができる。この様な局在領
域は第５図乃至第１３図に示す記号を用いて記載すれば
、界面位置１．よ９５２以内に設けることが望ましく、
このような局在領域は酸素原子を含有する一部の層領域
＋０５の全部であってもよく、また、一部の層領域のさ
らに一部であってもよい。

以上、酸素原子の分布状態について各々にその作用効果
を記載したが、本発明の光受容部材において、これらの
作用効果の二つ以上を同時に奏するようにするためには
、酸素原子を含有。

せしめる層領域および酸素原子の分布状態を適宜組み合
わせて用いることはいうまでもない。

例えば、支持体と第一の層との間の密着性の良化および
第一の層の光感度の暗抵抗の向上の双方を達成しうるよ
うにするためには、第一の層の支持体側において比較的
高濃度となるように酸素原子を分布せしめ、その他の層
領域においては比較的低濃度となるように酸素原子を分
布せしめればよい。

本発明において第一の層に含有せしめる酸素原子の量は
第一の層自体に要求される特性、あるいは支持体又は第
二の層と接する一部の層領域に含有せしめる場合におい
ては隣接する層又　　　−は支持体の特性との関係等、
相互的且つ有機的関連性を考慮して決定され、通常はｌ
　Ｘ　Ｉ　Ｏ−３〜５０　ａｔｏｍｉｃチとするが、よ
り好ましくは２×Ｉ　□−３〜４０　ａｔｏｍｉｅｓ、
最適には３　Ｘ　＋　Ｏ−３〜３０ａｔｏｍｉｃｌとす
る。また、酸素原子を第一の層の全層領域に含有せしめ
るか、あるいは酸素原子を含有する一部の層領域の第一
の層に占める割合が充分に大きい場合には、酸素原子の
量の上限は、前記の値よシ充分小さくすることが望まし
い。例えば酸素原子を含有する一部の層領域の層厚が、
第一の層の層厚の５分の２以上となるような場合には、
該一部の層領域に含有せしめる酸素原子の量の上限は、
通常３０　ａｔｏｍｉｅｓとするが、よシ好ましくは２
０　ａｔｏｍｉｅｓ、最適にはｌ　Ｏａｔｏｍｉｃチ以
下とする。

さらに、酸素原子を高濃度に含有する局在領域を形成す
る場合、酸素原子の層厚方向の分布状態として、酸素原
子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが通常５　Ｘ　ｌ　０２
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好ましくはεＸ　ｌ
　Ｑ２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１×１０３
１０３ａｔｏ　ｐｐｍ以上となるような分布状態を形成
することが望ましい。

本発明の第一の層には、以上の説明のごとく、ゲルマニ
ウム原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子が含有
せしめるものであるが、これらの各々の原子は、本発明
において目的とする所望の特性を効率的に得るように、
各原子の含有量および各原子の分布状態を適宜選択して
用いるものであって、各々の原子を含有せしめる層領域
は互いに異なっていてもよく、あるいは異なっていても
よく、さらには互いに一部が重々り合っていてもよい。

以下、第４図にその１例を示すが、該例によって本発明
が限定されることはない。第４図に示す例では、第一の
層が支持体側より、層領域１０８、層領域１０９、層領
域１１０の層領域から成るものであり、層領域＋ｏｇは
ゲルマニウム原子および第■族原子又は第・Ｖ族原子を
高濃度に含有し、さらに酸素原子を含有しているものと
し、層領域１０９は第■族原子又は第Ｖ族原子を低濃度
に含有し、さらに酸素原子を含有しているものとする。

そして、層領域１１０はゲルマニウム原子および第■族
原子又は第Ｖ族原子、および酸素原子のいずれも含有し
ないものとする。

第一の層１０２０層厚は、本発明の目的を効率的に達成
するための重要な要因の一つであシ、所望の目的に応じ
て適宜決定するものである。

また、第一の層に含有せしめるゲルマニウム原子、第■
族原子又は第■族原子、酸素原子、および水素原子又は
ｌ及びハロゲン原子の量、あるいは第一の層と第二の層
相互の層厚等の関係において、要求される特性に応じて
、相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要もある。

更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点において
も充分に考慮する必要がある。こうしたことから第一の
層の層厚は通常は１〜１Ｘ１０２μとするが、好ましく
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとするのが望ましい
。

本発明の光受容部材の第二の層＋０３は、ａ−ＳｉＣ（
Ｈ、Ｘ　）で構成され、該層の全層領域に伝導性を制御
する物質を均一な分布状態で含有しているものであって
、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、および耐久性等を向上させる目的で、第一の層
上に設けられる。そしてこの目的は、第二の層を構成す
るアモルファス材料に炭素原子を構造的に導入せしめる
ことにより達成できる。第二の層に炭素原子を構造的に
導入する場合、炭素原子の量の増加に伴って、前述の特
性は向上するが、炭素原子の量が多すぎると層品質が低
下し、電気的および機械的特性も低下する。こうしたこ
とから、炭素原子の含有量は通常は、ｌＸｌ０−３〜ｑ
　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とし、好ましくはｌ　〜９０ａｔ
ｏｍｉｃチ、最適には１０〜Ｂ　Ｏａｔｏｍｉｃチとす
る。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向上のため
には、第二の層の層厚を厚くすることが好ましいが、層
厚が厚くなると残留電位の発生原因となる。そうした残
留電位の発生は、第二の層に伝導性を制御する物質、即
ち、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめることによ
り防止するかあるいは実質的な影響がない程度に抑止す
ることができる。

また、通常の場合のこの種の第二の層は、機械的耐久性
には優れているが、先端が鋭角なもので該層の表面を摺
擦したシ、あるいは押圧したりすると、表面にいわゆる
傷として残らないにしても、帯電処理時には静電荷的痕
跡傷となって現われ、トナー転写画像の画像品質の低下
をきたしてしまう場合が多々ある。こうした場合にも、
第二の層に前述の伝導性を制御する物質を含有せしめる
ことにより、そうした問題の発生を未然に防止できる。

したがって、第二の層に伝導性を制御する物質であると
ころの第■族原子又は第■族原子を含有せしめることは
、本発明の目的を達成し得る所望の特性を有する第二の
層を形成するについて重要である。そして、第二の層に
含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量は、通常は
１．　Ｏ〜Ｉ　ｏ４ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍトスルカ、好
ましくはｌ　Ｏ〜５　Ｘ　Ｉ　Ｏａｔｏｍｚｃｐｐｍ。

最適にはＩ　Ｏ２〜５　Ｘ　Ｉ　Ｏ３ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとするのが望ましい。

本発明の光受容部材の第二の層１０３には、第一の層１
０２と第二の層１０３との間の密着性を良化するため、
酸素原子を該層１０３の全層領域に均一な分布状態で含
有せしめることもでき、特に、第一の層１０２が酸素原
子を含有しない場合には、第二の層１０３に酸素原子を
含有せしめる。

そして、第二の層１０３に含有せしめる！！−ｉ−≠棲
酸素原子の量は、通常はｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−３〜５０　ａ
ｔｏｍｉｃ％とするが、より好ましくは２ＸＩＯ−３〜
４０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には３　Ｘ　Ｉ　Ｏ−３
〜３０ａｔｏｍｉｃチとする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある０即ち、シリコン原子、炭素
原子、水素原子及びｌ又はノ１０ゲン原子、および第■
族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする物質は、各構成
原子の含有量やその他の作成条件によって、形態は結晶
状態から非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性か
ら、半導電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導
電的性質から非光導電的性質までを、各々示すため、目
的に応じた所望の特性を有する第二の層１０３を形成し
うるように、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶこ
とが重要である。

例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層＋０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する０ 又、第二の層１０３を連続繰返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として設ける場合には、第二の層
＋０３を構成する非晶質材料は、前述の電気的絶縁性の
度合はある程度緩和するが、照射する光に対しである程
度の感度を有するものとして形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の一つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる第■族原子、第■族原子、炭素原子、ハロ
ゲン原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求され
る特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する
必要がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性
の点においても考慮する必要もある。こうしたことから
、第二の層の層厚は通常は３　Ｘ　Ｉ　Ｏ−３〜３０μ
とするが、より好ましくは４　Ｘ　Ｉ　□−３〜２０μ
、特に好ましくは５×１０−３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前述のごとき層構成としたことに
よシ、アモルファスシリコンで構成された光受容層を有
する従来の光受容部材の諸問題の総てを解決でき、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す他、全可視光域において光感度
が高く、特に半導体レーザーとのマツチング性に優れ、
且つ光応答性が速いといった際立った特性を有するとこ
ろのものとなる。そして本発明の光受容部材を、電子写
真用像形成部材として適用した場合には、画像形成への
残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定して
おシ高感度で、高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲
労、繰返し使用特性に優れ、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。ス 又、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、また、支持体との密着性
および支持体上に設けられた各層間の密着性に優れてい
るため、高速で長時間連続的に繰返し使用することがで
きる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタ、リング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であシ、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（）１）導入用の又はｌ及びノ・ロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置した所定の支持体表面上１’ａａ　−ｓｉ
　（Ｈ、Ｘ　）から成る層を形成する。

必要に応じて層中に含有せしめる・・ロゲン原子（Ｘ）
としては、具体的にはフッ素、′塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられるが唄★フッ素、塩素が好ましい。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２
Ｈ６、ｓ　ｉ、　Ｈ，、Ｓｉ、Ｈｌ。等のガス状態の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、殊
に、層作成作業のし易さ、８ｉ供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ，、Ｓｉ、Ｉ（６が好ましい。

前記水素原子供給用の原料ガスとしては、Ｈ２ガス、Ｈ
ＣＩ　、　ＨＦ　、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等の）・ロゲン
化物、ＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ４Ｈ１
ｏ　等の前記水素化硅素、あるいはＳ　ｉ　Ｈ２Ｆ２、
ＳｉＨ，、Ｘ２、Ｓｉ八へ１２．５ｉＨｃｚ３．５ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ５等のハロゲン置換水素化硅素等
のガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ
、これ等の原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは
光電的特性の制御という点で極めて有効であるところの
水素原子の含有量の制御を容易にできるため、有効であ
る。さらにハロゲン化水素又はノ・ロゲン置換水素化硅
素を用いた場合には、水素原子の導入とともにハロゲン
原子も導入されるので有効である。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的には、ハロゲン化合物とし
ては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ
ｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ、　、ＢｒＦ
３、ＩＦ３、ＩＦ７、ＩＣＡ、　ＩＢｒ等のハロゲン間
化合物を挙げることができ、ハロゲン原子を含む硅素化
合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、ＳｉＦ、、５ｉ２Ｆ、、５ｉＣ４，５ｉＢｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げられる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を使用してグロ
ー放電法により形成する場合には、Ｓｔを供給し得る原
料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上に７１０ゲン原子を含むａ　−Ｓｉから成る
層を形成する事ができる。・・ロゲン原子導入用の原料
ガスとしそ前記のハロゲン化合物或いはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用できるが、これ等の
他に、ＨＰ、、ＨＣＩＩ、　ＨＢｒ５ＨＩ等のハロゲン
化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．３ｉＨ２Ｉ２、Ｓ　１Ｈ２Ｃ１
２，５ｉＨＣＡ？ｓ、５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等
の・・ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の一つとするハロゲ
ン化物も有効な出発物質として挙げる事ができる。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入しうるので、
好適なハロゲン原子導入用の原料として使用できる。

グロー放電法を用いて、ハロゲン原子を含む層を形成す
る場合、基本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスであるハロ
ゲン化硅素ガスとＡｒ、Ｈｅ等のガス等を所定の混合比
とガス流量になる様にして堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所定の支持体上に層を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水
素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合してもよい
Ｏ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の温合比で複数種混
合して使用してもよい。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ　−Ｓｔ　（Ｈｒ　Ｘ　）から成る層を形成す
るには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉから成
るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰
囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の
場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行うことができる。

その際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合でも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入
するについては、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のノ
・ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えばＨ２或いは前記したシラン類等のガスを
スパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやればよい。

具体的には例えば、反応スパッタリング法の場合には、
Ｓｉターゲットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及
びＨ２ガスを必要に応じてＨｅ。

Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積室内に導入してプラズ
マ雰囲気を形成し、前記Ｓｉターゲットをスパッタリン
グすることによって、支持体上にａ−１Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いてａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）にゲルマニウム
原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子あるいはさ
らに酸素原子、水素原子又はｌ及びハロゲン原子、ある
いは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成される層
を形成するには、前述のａ　−Ｓｉ　（Ｈ＃　Ｘ　）で
構成される層形成の際に、ゲルマニウム原子、第■族原
子又は第■族原子、水素原子又は／及びハロゲン原子、
炭素原子導入用の出発物質をａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質と共に使用し、形成する層中へのそれぞれの
量を制御しながら行なう。

例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ６ｅ・；（Ｈ
，Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給しうるＳｉ供給用の原料ガスと
共に、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給しうるＧｅ供給
用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給しうるＨ供給用
の又はｌ及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうるＸ供給用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置した所定の支持体表面上にａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ＃
　Ｘ　）から成る層を形成する。

前記Ｇｅ供給用の原料ガスとしてはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ
６、Ｇｅ３Ｈ，、Ｇｅ４Ｈ１，、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６
Ｈ１４、Ｇｅ、、Ｈｔａ　　、　　Ｇｅ８Ｈ１８゜Ｇｅ
、Ｈ２０等のガス状態の又はガス化しうる水！綱ルマニ
ウムが挙げられ、特に層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６および
Ｇｅ３Ｈ，が好マシイ。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法を
用いてａ　−５ｉＧｅ　（Ｈｅ　Ｘ　）から成る層を形
成するには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｔか
ら成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二つを、
或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使用して、これ
を所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イ
オンブレーティング法の場合には、例えば、多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボート収容し
、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロンビーム法
（ＰＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過させる。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子゛を導入
するには、前記のハロゲン化金物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやればよいものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又はｌ
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやればよい。

例えばグロー放電法によって第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有するａ　−Ｓｉ（Ｈ＋　Ｘ　）から構成される層
又は層領域を形成するには、前述のＢ　−Ｓｉ（Ｈｅ　
Ｘ　）形成用の原料ガスと、第■族原子又は第Ｖ族原子
導入用の原料ガスと、必要に応じてＨｅガス、Ａｒガス
等の稀釈ガスとを所定量の混合比で混合して、支持体ｌ
ｏｔの設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入
されたガスをグロー放電を生起させることでガスプラズ
マ化して前記支持体１０１上に第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）を堆積させればよい。

そのような第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
としては第■族原子又は第■族原子を構成原子とするガ
ス状態の物質又はガス化しうる物質をガス化したもので
あれば、いずれのものであってもよい。

本発明において第■族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入用
として、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４　Ｈ１ｏＳＢ５　Ｈ９，１３ｓ
Ｈｔｔ　、ＢＩＩＨＩＯ、Ｂ６Ｈ１２、”６Ｈ１４等の
水素化硼素、ＢＦ３、Ｂ（Ｊ３、ＢＢｒ、等のハロゲン
化硼素等を挙げることができるが、この他、ＡｌＣｌ３
、ＧａＣｌ３．１ｎ（Ｊ３、ＴｌＣ４等も挙げることが
できる。

本発明において第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
ＰＨ８、Ｐ２　Ｈ４０等の水素比隣、ＰＨ，Ｉ、　ＰＦ
３、ＰＦ、　、ＰＣｌ３、ＰＣＩ、　、ＰＢｒ３、ＰＢ
　ｒ、、ＰＩ。

等のハロゲン北隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ２、Ａ
ｓＦ３、ＡｓＣｌ２、ＡＳＢｒ８、ＡｓＦ３、ＳｂＨ３
、ＳｂＦ３、ＳｂＦ、、５ｂＣ１３，５ｂＣｌ、　、　
Ｂ１Ｈ８、ＢｉＣｌ３、Ｂ１Ｂｒ、等も挙げることがで
きる。

また例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロー放
電法形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又ｄびノ・ロゲン
原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）
を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素
原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所
望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ
　）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ
　）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の三つを構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することができる
。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０□）、オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ）、
二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二
酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒素（ＮｚＯ４）、五
二゛酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シ
リコン原子（８ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，Ｓ　
ｉｔｓ　ｉＨ，）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ
２０８ｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることがで
きる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又はＳｉ
Ｏ２ウェーハ、又はＳｔとｓｉｏ、が混合されて含有さ
れているウェーハをターゲットとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又はｌ及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈Ｊ）で
稀釈り六メＡ岡タサング月０堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをス
パッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと５ｉｎ２　とは別々のターゲットと
して、又はＳｉと５ｉｎ２の混合した一つのターゲット
を使用することによって、スパッタリング用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ
）又はｌ及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成
される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

例えば、第二の層は第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
るａ　−ＳｉＣ（Ｈ、Ｘ　）　Ｃ以下、ａ−ＳｉＣＭ（
Ｈ，Ｘ）（但し、Ｍは第■族原子又は第Ｖ族原子を表わ
す。）と表記する。〕で構成されるものであるが、グロ
ー放電法によって第二の層を形成するには、ａ−ＳｉＣ
Ｍ（Ｈ，Ｘ）形成外の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スと所定量の混合比で混合して、支持体１０１の配置し
である真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを
グロー放電を生起させることでガスプラズマ化して前記
支持体上に既に形成されである第一の層上にａ−ＳｉＣ
Ｍ（Ｈ，Ｘ）を堆、積させればよいＯ ａ−ＳｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）形成用の原料ガスとしては、Ｓ
ｔ、Ｃ，Ｈ及びｌ又はハロゲン原子、及び第■族原子又
は第■族原子の中の少なくとも一つを構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものであ
れば、いずれのものであってもよい。

５ｉＸＣ，Ｈ及びｌ又はハロゲン原子、第■族原子又は
第■族原子の中の一つとしてＳｉを構成原子とする原料
ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子とする原
料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈ及び／又
はハロゲン原子を構成原子とする原料ガスと第■族原子
又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Ｓｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃ及びＨ及びｌ又はハロゲン原子を構成原
子とする原料ガスと、第■族原子又は第Ｖ族原子を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｓ
ｉ、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子の三つを構成原子
とする原料ガスと第■族原子又は第■族原子を構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨ及びｌ又はハロゲン原子とを構成
原子とする原料ガスにＣを構成原子とする原料ガスと第
■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスとを
混合して使用してもよい。

ａ　−ＳｉＣ（Ｈ、Ｘ　）で構成される層形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原
子とするＳｉＨ，、Ｓｉ、Ｈ６，８ｉ３Ｈ８、ｓｔ、Ｈ
ｌ。

等のシラン（Ｓ　１ｌａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈａ）、ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈ１Ｇ　）、ペンタ７　（Ｃ５Ｈ１２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
　、プロピレン（ＣｓＨａ）、ブテン−＋　（Ｃ４Ｈ１
１）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（０４Ｈ
８）、ペンテン（Ｃｓ　Ｈｔｏ　）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｊ（ｉ　Ｉ）、メチル
アセチレン（０３Ｈ４）、ブチン（ｃａｌ、等が挙げら
れる。

ｓｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、３
　ｉ　（ＣＨｓ　）４、Ｓ　ｉ　（Ｃ２Ｈｓ　）４等の
ケイ化アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガ
スの他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用で
きる０ 第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ、Ｈ６、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ、Ｈ，、Ｂ
５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０％　Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の
水素化硼素、ＢＦ３　、ＢＣＡ！３　、ＢＢｒ３等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、）ｓＪｌｃｌ８
、ＧａＣＩＢ　、Ｇａ（ＣＨ３）２、Ｉｎ（Ｊ３、’Ｉ
’１Ｃ１３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ
４Ｉ、ＰＦｓ　、ＰＦｓ　、ＰＣｌ３、ｐｃｉ５、ＰＢ
ｒ３、ＰＢｒ６　、ＰＩ、等のハロゲン北隣が挙げられ
る。この他、Ａ８Ｈ３、ＡｓＦ３、Ａ３Ｃｌ５　、Ａｓ
Ｂｒ３、Ａｓｈｓ　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５
．５ｂＣ１３，５ｂＣ１６、ＢＩＨ３、ＢＩＣＪ？ｓ、
Ｂ１Ｂｒ、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

スパッタリング法によっテａ　−ＳｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶
のＳｉウエハハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又は
ＳｉとＣが混合されて含有されているウェーハをターゲ
ットとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行う。

例、ｔ　Ｉｄ　Ｓ　ｉウエーノ・をターゲットとして使
用する場合には、炭素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、および水素原子又は／及びノ・ロゲン原子を導入する
だめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ。

Ｈｅ等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓｉウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｔとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして第■族原子又は
第Ｖ族原子、および水素原子又はｌ及びハロゲン原子導
入用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、
スパッタリング用の堆積室内に導入し、ガスプラズマを
形成してスパッタリングすればよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層の
第一の層および第二の層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法等を用いて形成するが、第一の層および第二の層
に含有せしめるゲルマニウム原子、第■族原子又は第Ｖ
族原子、窒素原子あるいはさらに酸素原子、炭素原子、
あるいは水素原子及び／又はハロゲン原子の各各の含有
量の制御は、堆積室内へ流入する、各各の原子供給用出
発物質のガス流量あるいは各各の原子供給用出発物質間
のガス流量比を制御することにより行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する
場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、
炭素原子等を含有せしめたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成する場合には、支持体温度は、通常５０〜３５
０℃とするが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜ｌ　’ｌ’ｏｒｒ
とするが、特に好′ましぐはα１〜０．５　Ｔｏｒｒと
する。また、放電パワーは０．００５〜５０ＷｌｃｒＩ
Ｉｔとするのが通常であるが、より好ましくは０．０１
〜３０Ｗ／ｄ、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｆｆ
ｌとする。

ａ　−５ｘＧｅ　（Ｈｗ　Ｘ　）からなる層を形成する
場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子等
を含有せしめたａ　−５ｉＧｅ　（Ｈｓ　Ｘ　）からな
る層を形成する場合については、支持体温度は、通常５
０〜３５０℃とするが、よシ好ましくは５０〜３００℃
、特に好ましくは１００〜３００℃とする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５Ｔｏｒ
ｒとするが、好ましくは、０．００１〜３　Ｔｏｒｒと
し、特に好ましくはα１〜ｌ　Ｔｏｒｒとする。また、
放電パワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃｉｔとするのが通
常であるが、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃｒｌとし
て、特に好ましくはα０１〜２０Ｗ／ｃＩ７Ｆとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものであるｏし
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい０ ところで、本発明において第一の層中および第二の層中
に含有せしめるゲルマニウム原子、第■族原子又は第Ｖ
族原子、酸素原子及び、炭素原子の分布状態を均一とす
るためには、第一の層および第二の層を形成するに際し
て、前記の諸条件を一定に保つことが必要である。

また本発明において、第一の層の形成の際に、該層中に
含有せしめる第■族原子又は第■族原子あるいは酸素原
子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の
分布状態を有する第一の層を形成するには、グロー放電
法を用いる場合であれば、第■族原子又は第■族原子導
入用の出発物質あるいは酸素原子導入用の出発物質のガ
スの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望の変化率
に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体的
には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用い
られている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設
けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる
操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型であ
る必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ
設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含
有率曲線を得ることもできる。

また、第一の層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、第■族原子又は第■族原子あるいは酸素原子の層厚
方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向
の分布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場合
と同様に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質
あるいは酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し
、該ガスを堆積室内へ導入する際のガス流量を所望に従
って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１２に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、第一の層および第二の層をグロー
放電法を用いて形成した。第１４図はグロー放電法によ
る本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２０２．２０３．２０４．２０５．２０６のガス
ボンベには、本発明の夫々の層を形成するだめの原料ガ
スが密封されており、その１例として、たとえば、２０
２はＨｅで稀釈されたＳｉＨ４ガス（純度ｑｑ、ｑｑｑ
　ｅｓ、以下ＳｉＨ，／Ｈｅと略す）ボンベ、２０３は
Ｈｅで稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、
以下Ｂ２Ｈａ／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０４はｌｅｅ
で稀釈された０□ガス（純度ｑｑ、ｑｑｑ％、以下０．
／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０５はＣ２Ｈ４ガス（純度
ｑｑ、ｑｑｑｓ　）ボンベ、２０６はＨｅで稀釈された
ＧｅＩ４４ガス（純度ｑｑ、ｑｑｑ％、以下ＧｅＨ４／
Ｈｅと略す。）ボンベである。

形成される層中にハロゲン原子を導入する場合には、Ｓ
ｉＨ，ガスに代えて、例えば、Ｓｉｒ、ガスを用いる様
にボンベを代えればよい。

これらのガスを反応室２０＋に流入させるにはガス導／
べ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パルプ
２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パル
プ２３２　、２３３が開かれていることを確認して、先
ずメインパルプ２３４を開いて反応室２０１、ガス配管
内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５　Ｘ　Ｉ
　０−６Ｔｏｒｒになった時点で、補助パルプ２３２　
、２３３、流出パルプ２１７〜２２１を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第一の層１０２を形成する場
合の１例をあげる。ガスボンベ２０２よシＳｉＨ，／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ２０３よｐＢ２Ｈ６／Ｈｅガス、ガ
スボンベ２０４よｐｏ、／Ｈｅガス、ガスボンベ２０６
よりＧｅＨ４／　Ｈｅガスの夫々をパルプ２２２゜２２
３　、２２４　、２２６を開いて出口圧ゲージ２２７゜
２２８　、２２９　、２３１の圧を＋ｋｙ／ｃｄに調整
し、流入パルプ２１２　、２１３　、２１４　、２１６
を徐々に開けて、マス７０コントローラ２０７　、２０
８　、２０９　、２１１内に流入させる。引き続いて流
出パルプ２１７゜２１８　、２１９　、２２１補助パル
プ２３２　、２３３を徐々に開いてガスを反応室２０＋
内に流入させる。このときのＳｉＨ，／Ｈｅガス流量、
８２Ｈｓ／Ｈｅガス流量０、／　Ｈｅガス流量およびＧ
ｅＨ４／Ｈｅガス流量の比が所望の値になるように流出
パルプ２１７　、２１８　。

２１９　、２２１を調整し、又、反応室２０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２３６の読みを見ながら
メインパルプ２３４の開口を調整する。そして基体シリ
ンダー２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜
４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１
内にグロー放電を生起せしめるとともに、マイクロコン
ピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ設計され
た変化率線に従って、Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量、０
２１Ｈｅガス流量、ＳｉＨ，／Ｈｅガス流量の比を制御
しながら、基体シリンダー２３７上に先ず、ゲルマニウ
ム原子、硼素原子及び酸素原子を含有する層領域を形成
する。

次に所定時間経過後、Ｂ２Ｈ６／　Ｈｅガス、０２／Ｈ
ｅガス及びＧｅＨ，／　Ｈｅガスの反応室２０＋内への
導入を各対応するガス導入管のパルプを閉じて遮断し、
引き続きグロー放電を所定時間続けることによって、硼
素原子、酸素原子、及びゲルマニウム原子を含有しない
層を形成せしめる。

第一の層中にハロゲン原子を含有せしめる場合には、上
記のガスに例えば８ｉＦ、／Ｈｅガスを更に付加して反
応室に送り込めばよい。

上記の様な操作によって、基体シリンダー２３７上に形
成された第一の層上に第二の層を形成するには、第一の
層の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉ
Ｈ４ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＰＨ，ガスの夫々を、必要に
応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量比で反
応室２０１中に流し、所望の条件に従って、グロー放電
を生起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルブ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるために、必
要に応じて流出パルプ２１７〜２２１を閉じ補助パルプ
２３２゜２３３を開いてメインバルブ２３４を全開して
系内を一旦高真空に排気する操作を行う。

又、第二の層の層形成を行っている間は層形成の均一化
を図るため基体シリンダー２３７は、モータ２３９によ
って所望される速度で一定に回転させる。

実施例１ 第１４図に示した製造装置を用いて、第１表に示す層形
成条件に従って、通常の方法で洗浄したドラム状アルミ
ニウム基体上に層形成を行なった。この際、Ｂ２Ｈ６／
　Ｓ　１ｆ−１，ガス流量比の変化は、予め設計した第
五図に示す流量比変化線に従って、マイクロコンピュー
タ−制御によシ、自動的に調整した。

こうして得られた電子写真用のドラム状光受容部材を、
実験用に改造したキャノン製高速複写機に設置し、キャ
ノン製テストチャートを原稿として、画像形成プロセス
条件（光源はタングステンランプを使用）を適宜選択し
、複写テストを行なったところ、解像力に優れた高品質
の画像を得ることができた。

実施例２ 第２表に示す層形成条件により、Ｂ２　Ｈ６／　ｓ　ｉ
Ｈ。

ガス流量比及びｏ２１ｓｉＩ（４ガス流量比を各々第８
図および第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制御した以
外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容
部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なったとこ
ろ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例３ 第３表に示す層形成条件により、Ｂ２Ｈ６／５ＩＨ４ガ
ス流量比及び０２／ＳｉＨ４ガス流量比を各々第８図お
よび第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制御した以外は
実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部材
を得、実施例１と同様の複写テストを行なったところ、
解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例４ 第４表に示す層形成条件により、Ｂ２Ｈ１ｌ／ＳｉＨ４
ガス流量比を第り図に示す流量比変化線に従って制御し
た以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光
受容部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なった
ところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができ
た。

実施例５ 第５表に示す層形成条件によシ、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ。

ガス流量比を第８図に示す流量比変化線に従って制御し
た以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光
受容部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なった
ところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができ
た。

実施例６ 第６表に示す層形成条件にょシ、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４ガ
ス流量比及びｏ２／ｓ　ｉｎ４ガス流量比を各々第Ｆ図
および第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制御した以外
は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部
材を得、実施例１と同様の複写テストを行なったところ
、解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例７ 第７表に示す層形成条件により、Ｂ２ｍ／ＳｉＨ４ガス
流量比を第Ａ図に示す流量比変化線に従って制御した以
外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容
部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なったとこ
ろ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例８ 第８表に示す層形成条件により、Ｂ２Ｈ，／！１３ｉＨ
。

ガス流量比を第八図に示す流量比変化線に従って制御し
た以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光
受容部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なった
ところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができ
た。

実施例９ 第１表に於ける、第二の層（ＩＩ）の形成の際に、その
層厚を第９表に示す如く種々変化させた以外は、実施例
１と同様の手順と略々同様の条件で各光受容部材（試料
Ｎ０５９０１〜９０７）を作成し、各々に実施例１と同
様の画像形成プロセスを適用して評価を行ったところ、
第９表に示す結果を得た。

実施例１０ 第１表に於ける、第二の層（Ｉ［）の形成の際にガス流
量比Ｃ２Ｈ４／ＳｉＨ，の値を第１０表に示す値とした
以外は、実施例１と同様の手順と略同様の条件で各光受
容部材（試料Ｎｏ、　　１００１〜＋００７　）を作成
し、実施例１と同様の評価を行ったところ、各々に於い
て中間調の再現性が良く、高品質の画像を得ることがで
きた。

又、繰返し連続使用による耐久性試験に於いても、初期
の画像品質に較べても何等遜色のない品質の画像を得る
ことができ、耐久性にも優れていることが実証された。

実施例１１ 第１表に於ける、第一の層（Ｉ）の形成の際にガス流量
比ＧｅＨ４／３　ｉ）１．の値を第１１表に示す値とし
た以外は、実施例１と同様の手順と略同様の条件で各光
受容部材（試料ＮＯ，１ｌＯ１〜＋１０５）を作成し、
実施例１と同様の評価を行ったところ、各々に於いて中
間調の再現性が良く、高品質の画像を得ることができた
。

又、繰返し連続使用による耐久性試験に於いても、初期
の画像品質に較べても何等遜色のない品質の画像を得る
ことができ、耐久性にも優れていることが実証された。

実施例１２ 実施例１〜１１に於いて、光源をタングステ７ランプの
代りにｇｌｏＩｉＥのＧａＡｓ系半導体レーザ（Ｉ　Ｏ
ｍＷ）を用いて、静電像の形成を行うと共に、反転現像
を施す以外は、各実施例と同様の画像形成プロセスを適
用して、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解
像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品質の画像を得
ることができた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材はａ　−ａｔ　（Ｈ＊　Ｘ　）で構
成された光受容層を有するものであって、該光受容部材
の層構成を前述のごとき特定のものとすることによｐ、
ａ−８ｉで構成された光受容層を有する従来の光受容部
材における諸問題を全て解決することができたものであ
る。即ち、本発明の光受容部材は特に優れた耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性及び耐
久性等を有するものであシ、また光感度及び暗抵抗性が
向上する他、全可視光域において光感度が高く、特に、
半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ光応答性
が速いといった際豆った特性を有するところのものとな
る。そして、本発明め受容部材を電子写真用像形成部・
材として適用させた場合には、残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており、それを用いて得ら
れた画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る等
、すぐれた極めて秀でたものとなる。

また、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受
容層は、層自体が強靭であって、また、支持体との密着
性および支持体上に設けらＡ層間の密着性に優れている
ため高速で長時間連続的に繰返し使用することができる
０

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構造を模式的に示
した図であり、第５〜１３図は本発明の光受容部材の第
一の層中における第■族慮子又は第Ｖ族原子あるいは酸
素原子の分布状態の典型例を示すための濃度分布図であ
シ、第１４図は本発明の光受容部材を製造するための装
置の一例で、グロー放電法による製造装置の模式的説明
図であり、第Ａ−Ｆ図は本発明の光受容部材の層形成に
おけるガス流量比の変化の状態を示す図である。 ＋００・・・・・・光受容部材、１０１・・・・・・支
持体、＋０２・・・・・・第一の層、１０３・・・・・
・第二の層、１０４・・・・・・自由表面、１０５〜１
１０・・・・・・層領域、２０１　・・・・・・反応室
、２０２〜２−０６・・−・・ガスボンベ、２０７〜２
１１・・・・・・マスフロコントローラ、２１２〜２１
６・・・・・・流入パルプ、２１７〜２２１・・・・・
・流出パルプ、２２２〜２２６・・・・・・パルプ、２
２７〜２３１・・−・圧力調整器、２３２　、２３３・
・・・・・補助パルプ、２３４・・−・・メインパルプ
、２３５・・・・・・リークパルプ、２３６・・−・・
真空計、２３７・・・・・・基本シリンダー、２３８・
・・・・・加熱ヒーター、２３９・・・・・・モーター
、２４０−・高周波電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され光導電性を有する第一の層と
   、シリコン原子を母体とし炭素原子および伝導性を制御
   する物質を含有する非晶質材料で構成される第二の層と
   を積層してなる光受容層とからなり、前記光受容層が、
   ゲルマニウム原子を前記第一の層の支持体と接する一部
   の層領域に均一な分布状態で含有し、かつ伝導性を制御
   する物質を前記第一の層の全層領域又は一部の層領域に
   不均一な分布状態で含有し、さらに、酸素原子を、少く
   とも前記第一の層の全層領域、その一部の層領域および
   前記第二の層の少なくともいずれかに含有していること
   を特徴とする光受容部材。