JPS61264776A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ概、要〕
本発明は、トランジスタなど通常の電子デバイスと半導
体レーザとで集積回路を構成した光半導体装置に於いて
、半絶縁性結晶基板上に高抵抗化合物半導体クラッド層
と化合物半導体活性層と高抵抗化合物半導体クラッド層
とを順に形成し、表面から不純物を導入して前記化合物
半導体活性層をストライプ状に挟んで対向するｐ型不純
物拡散領域及びｎ型不純物拡散領域を形成し、前記化合
物半導体活性層と前記ｐ型不純物拡散領域との界面でレ
ーザ発振する半導体レーザを備えるようにしたことに依
り、プレーナ型で年って、且つ、電極を同一表面から取
り出すことが可能であり、しかも、レーザ発振に寄与し
ない無駄な電流は殆ど流れず、また、表面は電子回路を
形成するのに好適な高抵抗の層で構成できるようにした
ものである。
体レーザとで集積回路を構成した光半導体装置に於いて
、半絶縁性結晶基板上に高抵抗化合物半導体クラッド層
と化合物半導体活性層と高抵抗化合物半導体クラッド層
とを順に形成し、表面から不純物を導入して前記化合物
半導体活性層をストライプ状に挟んで対向するｐ型不純
物拡散領域及びｎ型不純物拡散領域を形成し、前記化合
物半導体活性層と前記ｐ型不純物拡散領域との界面でレ
ーザ発振する半導体レーザを備えるようにしたことに依
り、プレーナ型で年って、且つ、電極を同一表面から取
り出すことが可能であり、しかも、レーザ発振に寄与し
ない無駄な電流は殆ど流れず、また、表面は電子回路を
形成するのに好適な高抵抗の層で構成できるようにした
ものである。
本発明は、通常の電子デバイス、例えばＭＥＳＦＥＴ
（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃ。
（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃ。
ｎｄｕｃｔｏｒ）などと集積化するのに好適な構造を有
する半導体レーザをもつ光半導体装置に関する。
する半導体レーザをもつ光半導体装置に関する。
一般に、光デバイスと通常の電子デバイスとをモノリシ
ックに集積化して光半導体装置を作成する際に要求され
る条件としては、 （１） ブレーナ型にすることが可能であること（２
） 同一面上に電極を取り出すことが可能であること の二つの条件が挙げられる。
ックに集積化して光半導体装置を作成する際に要求され
る条件としては、 （１） ブレーナ型にすることが可能であること（２
） 同一面上に電極を取り出すことが可能であること の二つの条件が挙げられる。
第６図は従来技術に依り作成された光半導体装置に於け
る半導体レーザを説明する為の要部切断正面図である。
る半導体レーザを説明する為の要部切断正面図である。
図に於いて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は半導体レ
ーザ部分、３はｎ側電極、４はｐ側電極をそれぞれ示し
ている。
ーザ部分、３はｎ側電極、４はｐ側電極をそれぞれ示し
ている。
この従来例では、基板１とレーザ部分２の各表面が同一
高さになってはいるが、レーザ部分２は基板１に形成さ
れた深い凹所内に存在しているので、電極・配線の取り
出しに関しては、該凹所に於ける段差の存在が問題とな
る。
高さになってはいるが、レーザ部分２は基板１に形成さ
れた深い凹所内に存在しているので、電極・配線の取り
出しに関しては、該凹所に於ける段差の存在が問題とな
る。
第７図は第６図に関して説明した光半導体装置とは異な
る同じ〈従来技術に依り作成された光半導体装置に於け
る半導体レーザを説明する為の要部切断正面図であり、
第６図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或
いは同じ意味を持つものとする。
る同じ〈従来技術に依り作成された光半導体装置に於け
る半導体レーザを説明する為の要部切断正面図であり、
第６図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或
いは同じ意味を持つものとする。
この従来例では、基板１に深い凹所を形成する必要はな
いが、基板１の表面に単純にレーザ部分２を形成しであ
るので、電極・配線の取り出しに関しては、第４図に見
られる従来例よりも困難である。
いが、基板１の表面に単純にレーザ部分２を形成しであ
るので、電極・配線の取り出しに関しては、第４図に見
られる従来例よりも困難である。
前記（１）及び（２）の条件を満足する半導体レーザと
しては、僅かにＴＪＳ （ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｊｕｎ
ｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）レーザが存在する。
しては、僅かにＴＪＳ （ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｊｕｎ
ｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）レーザが存在する。
第８図はＴＪＳレーザの要部切断正面図を表している。
図に於いて、１１は絶縁性ＧａＡｓ基板、工２はｎ型Ａ
ｊ？ＧａＡｓクラッド層、１３はｎ型ＧａＡｓ活性層、
１４はｎ型Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、１５ｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、１６はＺｎ拡散にて形成したｐ゛型不
純物拡散領域、１７はＺｎ拡散にて形成したｐ型不純物
拡散領域、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極、２０はボ
ンディング用金属膜、２１は発光点をそれぞれ示してい
る。
ｊ？ＧａＡｓクラッド層、１３はｎ型ＧａＡｓ活性層、
１４はｎ型Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、１５ｎ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、１６はＺｎ拡散にて形成したｐ゛型不
純物拡散領域、１７はＺｎ拡散にて形成したｐ型不純物
拡散領域、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極、２０はボ
ンディング用金属膜、２１は発光点をそれぞれ示してい
る。
このレーザに於いては、電流がｐ側電極１８−Ｏｐ゛型
不純物拡散領域１ （ｉ＝＞ｐ型不純物拡散領域１７→
ｎ型ＧａＡｓ活性層１３→ｎ型ＡｆｆｉＧａＡｓクラッ
ド層１４−＞ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１５”Ｏｆｉ側
電極１９の経路で流れてレーザ発振が行われ、発光点２
１からレーザ光を放射するようになっている。
不純物拡散領域１ （ｉ＝＞ｐ型不純物拡散領域１７→
ｎ型ＧａＡｓ活性層１３→ｎ型ＡｆｆｉＧａＡｓクラッ
ド層１４−＞ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１５”Ｏｆｉ側
電極１９の経路で流れてレーザ発振が行われ、発光点２
１からレーザ光を放射するようになっている。
図から明らかなように、このＴＪＳレーザは、ブレーナ
型であり、また、ｐ側電極１８及びｎ側電極１９は共に
表面から導出される構成になっているので、前記二つの
条件を満足している。
型であり、また、ｐ側電極１８及びｎ側電極１９は共に
表面から導出される構成になっているので、前記二つの
条件を満足している。
第６図及び第７図に関して説明した各従来例は前記二つ
の条件を満足しないので問題外として、第８図に関して
説明したＴＪＳレーザは前記各条件を満足してはいるも
のの、他に大きな欠点を持っている。
の条件を満足しないので問題外として、第８図に関して
説明したＴＪＳレーザは前記各条件を満足してはいるも
のの、他に大きな欠点を持っている。
ＴＪＳレーザに於いて、電流がｐ型不純物拡散領域１７
からｎ型ＧａＡｓ活性層１３に流れ、ｎ型ＡｌｌＧａＡ
ｓクラッド層１２或いは１４に直接流れないのは、Ｚ
ｎ ／ ｎ型Ａｎ！ＧａＡｓのビルト・イン・ポテンシ
ャルがＺ ｎ ／ ｎ型ＱａＡｓのそれに比較して高く
維持され、０．３ ［Ｖ）の差を有していることに依存
している。然しなから、温度が上昇した場合には、この
ビＩレト・イン・ポテンシャルの差は役に立たなくなり
、ｐ型不純物拡散領域１７とｎ型Ａｊ！ＧａＡｓクラッ
ド層１２及び１４との接合に電流が流れてしまう。また
、このような問題以外にも、表面が導電性であるｎ型Ａ
ｌ１ＧａＡｓで構成されている為、そこに電子回路を作
り込むには適していない。
からｎ型ＧａＡｓ活性層１３に流れ、ｎ型ＡｌｌＧａＡ
ｓクラッド層１２或いは１４に直接流れないのは、Ｚ
ｎ ／ ｎ型Ａｎ！ＧａＡｓのビルト・イン・ポテンシ
ャルがＺ ｎ ／ ｎ型ＱａＡｓのそれに比較して高く
維持され、０．３ ［Ｖ）の差を有していることに依存
している。然しなから、温度が上昇した場合には、この
ビＩレト・イン・ポテンシャルの差は役に立たなくなり
、ｐ型不純物拡散領域１７とｎ型Ａｊ！ＧａＡｓクラッ
ド層１２及び１４との接合に電流が流れてしまう。また
、このような問題以外にも、表面が導電性であるｎ型Ａ
ｌ１ＧａＡｓで構成されている為、そこに電子回路を作
り込むには適していない。
本発明は、前記二つの条件を満足し、且つ、リーク電流
が少なく、電子デバイスとの集積化に好適な構造の半導
体レーザを有する光半導体装置を提供する。
が少なく、電子デバイスとの集積化に好適な構造の半導
体レーザを有する光半導体装置を提供する。
本発明一実施例を解説する為の第１図を借りて説明する
。
。
本発明の光半導体装置では、半絶縁性結晶基板（例えば
半絶縁性ＧａＡｓ基板２１）上に高抵抗化合物半導体ク
ラッド層（例えば高抵抗Ａｎ！ＧａＡｓクラッド層）及
び化合物半導体活性層（例えばｎ型ＧａＡｓ活性層）及
び高抵抗化合物半導体クラッド層（例えば高抵抗ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層）を順に成長させ、前記化合物半導体
活性層をストライプ状に挟んで対向するｐ型不純物拡散
領域（例えばＺｎを拡散して構成したｐ型不純物拡散領
域２５）及びｎ型不純物拡散領域（例えばＳを拡散して
形成したｎ型不純物拡散領域２６）を形成し、前記化合
物半導体活性層と前記ｐ型不純物拡散領域との界面でレ
ーザ発振する半導体レーザを備えてなる構成を採ってい
る。
半絶縁性ＧａＡｓ基板２１）上に高抵抗化合物半導体ク
ラッド層（例えば高抵抗Ａｎ！ＧａＡｓクラッド層）及
び化合物半導体活性層（例えばｎ型ＧａＡｓ活性層）及
び高抵抗化合物半導体クラッド層（例えば高抵抗ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層）を順に成長させ、前記化合物半導体
活性層をストライプ状に挟んで対向するｐ型不純物拡散
領域（例えばＺｎを拡散して構成したｐ型不純物拡散領
域２５）及びｎ型不純物拡散領域（例えばＳを拡散して
形成したｎ型不純物拡散領域２６）を形成し、前記化合
物半導体活性層と前記ｐ型不純物拡散領域との界面でレ
ーザ発振する半導体レーザを備えてなる構成を採ってい
る。
前記手段に依ると、光半導体装置に於ける半導体レーザ
は、プレーナ型であって、且つ、電極・配線２９及び３
０は共に同一表面から取り出すことが可能であり、しか
も、レーザ発振に寄与しない無駄な電流は殆ど流れず、
また、表面は電子回路を形成するのに好適な高抵抗Ａｊ
！ＧａＡｓクラッド層２４で構成されている。
は、プレーナ型であって、且つ、電極・配線２９及び３
０は共に同一表面から取り出すことが可能であり、しか
も、レーザ発振に寄与しない無駄な電流は殆ど流れず、
また、表面は電子回路を形成するのに好適な高抵抗Ａｊ
！ＧａＡｓクラッド層２４で構成されている。
第１図は本発明一実施例の要部切断正面図を表している
。
。
図に於いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２は高抵
抗ＡｌＧａＡｓクラッド層、２３はｎ型ＧａＡｓ活性層
、２４は高抵抗ＡｊｌＧａＡｓクラッド層、２５はｐ型
不純物拡散領域、２６はｎ型不純物拡散領域、２７は発
光点、２８はｎ型ＧａＡｓ能動層、２９及び３０は電極
・配線をそれぞれ示している。
抗ＡｌＧａＡｓクラッド層、２３はｎ型ＧａＡｓ活性層
、２４は高抵抗ＡｊｌＧａＡｓクラッド層、２５はｐ型
不純物拡散領域、２６はｎ型不純物拡散領域、２７は発
光点、２８はｎ型ＧａＡｓ能動層、２９及び３０は電極
・配線をそれぞれ示している。
本実施例に於いて、ｐ型不純物拡散領域２５を形成する
にはＺｎを、そして、ｎ型不純物拡散領域２６を形成す
るにはＳを不純物としてそれぞれ導入することで達成さ
れる。また、ｎ型ＧａＡｓ能動層２８はＭＥＳＦＥＴを
形成するためのものである。
にはＺｎを、そして、ｎ型不純物拡散領域２６を形成す
るにはＳを不純物としてそれぞれ導入することで達成さ
れる。また、ｎ型ＧａＡｓ能動層２８はＭＥＳＦＥＴを
形成するためのものである。
さて、この半導体レーザに於ける発振動作はＴＪＳレー
ザと変わりないが、ｐ型不純物拡散領域２５からｎ型不
純物拡散領域２６に流れる電流はそれら不純物拡散領域
２５及び２６の間に在るｎ型ＧａＡｓ活性層２３を確実
に通る。
ザと変わりないが、ｐ型不純物拡散領域２５からｎ型不
純物拡散領域２６に流れる電流はそれら不純物拡散領域
２５及び２６の間に在るｎ型ＧａＡｓ活性層２３を確実
に通る。
その理由は、ｎ型ＧａＡｓ活性層２３が高抵抗ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層２２及び２４に挟まれている構成になっ
ていて、しかも、距離が短いことに依る。
Ａｓクラッド層２２及び２４に挟まれている構成になっ
ていて、しかも、距離が短いことに依る。
第２図は本発明に於ける他の実施例の要部切断正面図を
表し、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
表し、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。
本実施例が第１図に見られる実施例と相違する点は、ｎ
型不純物拡散領域２６を形成すべき部分に予め凹所２３
Ａが形成され、その後からＳを導入してｎ型不純物拡散
領域２６を形成するようにしている。
型不純物拡散領域２６を形成すべき部分に予め凹所２３
Ａが形成され、その後からＳを導入してｎ型不純物拡散
領域２６を形成するようにしている。
このようにする理由は、第１図に見られるような深いｎ
型不純物拡散領域２６を良く制御された状態で形成する
ことが実験室段階では容易であるが、製造ラインでは若
干の困難を伴うことに依るものであり、本実施例では、
ｎ型不純物拡散領域２６を形成する時間は極めて短くで
済み、また、その再現性は良、好である。尚、凹所２３
Ａを形成しても、半導体レーザとしての動作は第１図に
見られる実施例或いはＴＪＳレーザと変わりなく、また
、電極・配線引き出しの難易度に関しては第１図の実施
例と全く変わりない。
型不純物拡散領域２６を良く制御された状態で形成する
ことが実験室段階では容易であるが、製造ラインでは若
干の困難を伴うことに依るものであり、本実施例では、
ｎ型不純物拡散領域２６を形成する時間は極めて短くで
済み、また、その再現性は良、好である。尚、凹所２３
Ａを形成しても、半導体レーザとしての動作は第１図に
見られる実施例或いはＴＪＳレーザと変わりなく、また
、電極・配線引き出しの難易度に関しては第１図の実施
例と全く変わりない。
第３図は本発明に於ける更に他の実施例の要部切断正面
図を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
図を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
本実施例が第２図に見られる実施例と相違する点は、ｐ
型不純物拡散領域２５を形成すべき部分にも予め凹所２
３Ｂを形成しておき、その後からＺｎを導入してｐ型不
純物拡散領域２５を形成したことである。
型不純物拡散領域２５を形成すべき部分にも予め凹所２
３Ｂを形成しておき、その後からＺｎを導入してｐ型不
純物拡散領域２５を形成したことである。
このようにする理由は、製造上の困難性に起因するもの
ではなく、ｐ型不純物拡散領域２５を形成する時間が短
くて済むことに依る。
ではなく、ｐ型不純物拡散領域２５を形成する時間が短
くて済むことに依る。
さて、本実施例に関しては、製造上の要点について説明
する。
する。
（ａ） 分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用
することに依り、半絶縁性ＧａＡＳ基板２１上に高抵抗
Ａ＃ＧａＡｓクラッド層２２、ｎ型ＧａＡｓ活性層２３
、高抵抗ＡｌＧａＡｓクラッド層２３、ｎ型ＧａＡｓ能
動層２８を成長させる。尚、各層を成長させるには、Ｍ
ＢＥ法の他、有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌ。
ａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用
することに依り、半絶縁性ＧａＡＳ基板２１上に高抵抗
Ａ＃ＧａＡｓクラッド層２２、ｎ型ＧａＡｓ活性層２３
、高抵抗ＡｌＧａＡｓクラッド層２３、ｎ型ＧａＡｓ能
動層２８を成長させる。尚、各層を成長させるには、Ｍ
ＢＥ法の他、有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌ。
ｒｇａｎｉｃｓ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐ。
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法或いは
液相成長（ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘ
ｙ：ＶＰＥ）法などを適用することも可能である。
液相成長（ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘ
ｙ：ＶＰＥ）法などを適用することも可能である。
各層の厚さを例示すると、
クラッド層２２：１．５〜２〔μｍ〕
活性層２３：０．１〜０．５〔μｍ〕
クラッド層ｚ３：ｔ、ｓ〜２〔μｍ〕
能動層２８ ： ０．２〜０．４ Ｃμｍ）である。
（ｂ） 通常のフォト・リソグラフィ技術を適用する
ことに依り、能動層２８を適当にバターニングした後、
深さ！１が３〜４〔μｍ〕、また、幅Ｉｔ２が〜１０（
μｍ）である凹所２３Ａ及び２３Ｂを形成する。
ことに依り、能動層２８を適当にバターニングした後、
深さ！１が３〜４〔μｍ〕、また、幅Ｉｔ２が〜１０（
μｍ）である凹所２３Ａ及び２３Ｂを形成する。
この場合、エツチング液を
Ｈ２ＳＯ４： Ｈ２Ｏ２： Ｈ２Ｏ（１： １ ： ８
）なる混合液としたウェット・エツチング法を適用する
ことができる。尚、エツチング・ガスとしてＣ４ｚ系を
用いたりアクティブ・イオン・エツチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｆａｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を適
用しても良い。
）なる混合液としたウェット・エツチング法を適用する
ことができる。尚、エツチング・ガスとしてＣ４ｚ系を
用いたりアクティブ・イオン・エツチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｆａｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を適
用しても良い。
（Ｃ） ｐ型不純物拡散領域２５を形成する為と、ｎ
型不純物拡散領域２６を形成する為の２回に亙る気相拡
散、即ち、ｐ型不純物であるＺｎとｎ型不純物であるＳ
の拡散を行った後、熱処理を行って深さｊＩ４及びＩＶ
５が０．５乃至１．５〔μｍ〕であるｐ型不純物拡散領
域２５及びｎ型不純物拡散領域２６を形成する。尚、不
純物の拡散には気相拡散法の他、イオン注入法などを適
用することもできる。
型不純物拡散領域２６を形成する為の２回に亙る気相拡
散、即ち、ｐ型不純物であるＺｎとｎ型不純物であるＳ
の拡散を行った後、熱処理を行って深さｊＩ４及びＩＶ
５が０．５乃至１．５〔μｍ〕であるｐ型不純物拡散領
域２５及びｎ型不純物拡散領域２６を形成する。尚、不
純物の拡散には気相拡散法の他、イオン注入法などを適
用することもできる。
これに依り、不純物拡散領域２５及び２６の間にあるス
トライプ状の活性層２３の幅ｊ！３はｌ乃至４〔μｍ〕
となる。
トライプ状の活性層２３の幅ｊ！３はｌ乃至４〔μｍ〕
となる。
（ｄ） この後、通常の技法を適用することに依り、
ＭＥＳＦＥＴなどを形成する。
ＭＥＳＦＥＴなどを形成する。
この実施例も、その動作及び得られる効果については、
第１図及び第２図に関して説明した各実施例と同様であ
り、これ等の実施例とは、製造が容易であることで相違
しているのみである。
第１図及び第２図に関して説明した各実施例と同様であ
り、これ等の実施例とは、製造が容易であることで相違
しているのみである。
第４図は前記説明した半導体レーザとＭＥＳＦＥＴとを
集積化した光半導体装置を具体的に表した要部切断正面
図であり、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
集積化した光半導体装置を具体的に表した要部切断正面
図であり、第１図乃至第３図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、３１はドレイン電極、３２はソース電極、
３３はゲート電極をそれぞれ示している。
３３はゲート電極をそれぞれ示している。
本実施例は第１図に関して説明した半導体レーザにＭＥ
ＳＦＥＴを組み合わせたものであり、ｎ型ＧａＡｓ能動
層２８の不純物濃度はｌＸｌ０ｌフ〔１−町程度、ドレ
イン電極３１及びソース電極３２の材料はＴ ｉ ／
Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ 、ゲート電極３３の材料はＡ Ｊ
！ ／ Ｔ ｉ ／ Ａ ｕ或いはＡＩである。
ＳＦＥＴを組み合わせたものであり、ｎ型ＧａＡｓ能動
層２８の不純物濃度はｌＸｌ０ｌフ〔１−町程度、ドレ
イン電極３１及びソース電極３２の材料はＴ ｉ ／
Ｐ ｔ ／ Ａ ｕ 、ゲート電極３３の材料はＡ Ｊ
！ ／ Ｔ ｉ ／ Ａ ｕ或いはＡＩである。
第５図は第４図の実施例と同様に半導体レーザとＭＥ
Ｓ Ｆ ＥＴとを集積化したものを表す要部切断正面図
であり、第１図乃至第４図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
Ｓ Ｆ ＥＴとを集積化したものを表す要部切断正面図
であり、第１図乃至第４図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
本実施例は第３図に関して説明した半導体レーザにＭＥ
ＳＦＥＴを組み合わせたものである。
ＳＦＥＴを組み合わせたものである。
第４図及び第５図に見られる各実施例は、いずれも、ク
ラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４の成長時に
ｎ型ＧａＡｓ能動層も成長させておき、半導体レーザが
完成してからＭＥＳＦＥＴを作成するようにしている。
ラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４の成長時に
ｎ型ＧａＡｓ能動層も成長させておき、半導体レーザが
完成してからＭＥＳＦＥＴを作成するようにしている。
尚、本発明に依る場合、ｎ型ＧａＡｓ能動層２８の下方
には、高抵抗ＡＪ！ＧａＡｓクラッド層２４を介して導
電層であるｎ型ＧａＡｓ活性層２３が存在しているが、
これは厚さが０．１〜０．５〔μｍ〕と極めて薄いので
問題にならない。
には、高抵抗ＡＪ！ＧａＡｓクラッド層２４を介して導
電層であるｎ型ＧａＡｓ活性層２３が存在しているが、
これは厚さが０．１〜０．５〔μｍ〕と極めて薄いので
問題にならない。
本発明に依る光半導体装置では、半絶縁性結晶基板上に
順に形成された高抵抗化合物半導体クラッド層及び化合
物半導体活性層及び高抵抗化合物半導体クラッド層と、
該化合物半導体活性層をストライプ状に挟んで対向する
ように表面から不純物を導入して形成されたｐ型不純物
拡散領域及びｎ型不純物拡散領域とを有する構成を採っ
ている。
順に形成された高抵抗化合物半導体クラッド層及び化合
物半導体活性層及び高抵抗化合物半導体クラッド層と、
該化合物半導体活性層をストライプ状に挟んで対向する
ように表面から不純物を導入して形成されたｐ型不純物
拡散領域及びｎ型不純物拡散領域とを有する構成を採っ
ている。
この構成に依り、光半導体装置はプレーナ型となり、且
つ、電極・配線は全て同じ側の表面から取り出すことが
可能となり、また、活性層は高抵抗のクラッド層に挟ま
れているのでレーザ発振に寄与しない無駄な電流は殆ど
流れず、また、高抵抗のクラフト層上に他のデバイスを
形成する能動層を形成することになるので、電子回路を
集積化するのに好都合である。
つ、電極・配線は全て同じ側の表面から取り出すことが
可能となり、また、活性層は高抵抗のクラッド層に挟ま
れているのでレーザ発振に寄与しない無駄な電流は殆ど
流れず、また、高抵抗のクラフト層上に他のデバイスを
形成する能動層を形成することになるので、電子回路を
集積化するのに好都合である。
第１図乃至第３図は本発明に於けるそれぞれ異なる実施
例を説明する為の要部切断正面図、第４図及び第５図は
ＭＥＳＦＥＴを形成した状態を説明する為の要部切断正
面図、第６図乃至第８図はそれぞれ異なる従来例を説明
する為の要部切断正面図を表している。 図に於いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２゛２は高
抵抗Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、２３はｎ型ＧａＡｓ活
性層、２４は高抵抗Ａ６ＧａＡｓクラッド層、２５はｐ
型不純物拡散領域、２６はｎ型不純物領域、２７は発光
点、２８はｎ型ＧａＡｓ能動層、２９及び３０は電極・
配線をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 本発明一実施例の要部切断正面図 第１図 本％明−実施例の要部切断正面図 第２図 本完明−実施例の要部切断正面図 本完明−実施例の要部切断正面図 本児明−実施例の要部切断正面図 第５図 従来例の要部切断正面図 第６図 従来例の要部切断正面図 第７図 ＴＪＳレーザ゛の要部切断正面図 第８図
例を説明する為の要部切断正面図、第４図及び第５図は
ＭＥＳＦＥＴを形成した状態を説明する為の要部切断正
面図、第６図乃至第８図はそれぞれ異なる従来例を説明
する為の要部切断正面図を表している。 図に於いて、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２゛２は高
抵抗Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層、２３はｎ型ＧａＡｓ活
性層、２４は高抵抗Ａ６ＧａＡｓクラッド層、２５はｐ
型不純物拡散領域、２６はｎ型不純物領域、２７は発光
点、２８はｎ型ＧａＡｓ能動層、２９及び３０は電極・
配線をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 本発明一実施例の要部切断正面図 第１図 本％明−実施例の要部切断正面図 第２図 本完明−実施例の要部切断正面図 本完明−実施例の要部切断正面図 本児明−実施例の要部切断正面図 第５図 従来例の要部切断正面図 第６図 従来例の要部切断正面図 第７図 ＴＪＳレーザ゛の要部切断正面図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半絶縁性結晶基板上に順に形成された高抵抗化合物半導
体クラッド層及び化合物半導体活性層及び高抵抗化合物
半導体クラッド層と、 該化合物半導体活性層をストライプ状に挟んで対向する
ように表面から不純物を導入して形成されたｐ型不純物
拡散領域及びｎ型不純物拡散領域と を備えて前記化合物半導体活性層と前記ｐ型不純物拡散
領域との界面でレーザ発振する半導体レーザを有してな
ることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10594685A JPS61264776A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10594685A JPS61264776A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264776A true JPS61264776A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14421007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10594685A Pending JPS61264776A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264776A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201990A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 二方向注入型半導体レーザ装置 |
| CN103427332A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-12-04 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基锗激光器及其制备方法 |
| GB2538594A (en) * | 2015-03-18 | 2016-11-23 | Ibm | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10594685A patent/JPS61264776A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201990A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 二方向注入型半導体レーザ装置 |
| CN103427332A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-12-04 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基锗激光器及其制备方法 |
| CN103427332B (zh) * | 2013-08-08 | 2015-09-09 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基锗激光器及其制备方法 |
| GB2538594A (en) * | 2015-03-18 | 2016-11-23 | Ibm | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
| US9601476B2 (en) | 2015-03-18 | 2017-03-21 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
| GB2538594B (en) * | 2015-03-18 | 2017-11-22 | Ibm | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
| US10283537B2 (en) | 2015-03-18 | 2019-05-07 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
| US10784292B2 (en) | 2015-03-18 | 2020-09-22 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
| US11114479B2 (en) | 2015-03-18 | 2021-09-07 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics and CMOS integration on GOI substrate |
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