JPH02201990A - 二方向注入型半導体レーザ装置 - Google Patents
二方向注入型半導体レーザ装置Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は埋込み型半導体レーザに関するものであり、特
にキャリアの注入を二方向から行えるようにした半導体
レーザ装置に関する。
にキャリアの注入を二方向から行えるようにした半導体
レーザ装置に関する。
従来の埋め込み型半導体レーザには縦注入型と横注入型
とがある。
とがある。
第４図は縦注入型半導体レーザ装置の構造を示す図で、
ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上にｎＡｊ！ＧａＡｓ層３０２
、ＧａＡｓ活性層３０３、ｐ−ＡβＧａＡｓ ３０４か
らなる二重へテロ構造を形成すると共に、Ｚｎ拡散層３
０７を形成し、二重へテロ構造の左右にｐ−Ａｊ！Ｇａ
Ａｓクラッド層３０６を形成してストライブ構造とした
ものである。
ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上にｎＡｊ！ＧａＡｓ層３０２
、ＧａＡｓ活性層３０３、ｐ−ＡβＧａＡｓ ３０４か
らなる二重へテロ構造を形成すると共に、Ｚｎ拡散層３
０７を形成し、二重へテロ構造の左右にｐ−Ａｊ！Ｇａ
Ａｓクラッド層３０６を形成してストライブ構造とした
ものである。
このような半導体レーザにおいて、電極３０８．３０９
間に電流を流してＺｎ拡散層３０７の部分に電流を集中
させると二重へテロ構造により注入キャリアが閉じ込め
られ、さらに横方向においてはストライブ構造により電
流が制限されて大きな電流密度及び内部量子効率が得ら
れる。また、クラッド層により発光が有効に閉じ込めら
れて小さなしきい値電流でレーザ発振が行われる。
間に電流を流してＺｎ拡散層３０７の部分に電流を集中
させると二重へテロ構造により注入キャリアが閉じ込め
られ、さらに横方向においてはストライブ構造により電
流が制限されて大きな電流密度及び内部量子効率が得ら
れる。また、クラッド層により発光が有効に閉じ込めら
れて小さなしきい値電流でレーザ発振が行われる。
第５図は横注入型半導体レーザ装置の構造を示す図で、
Ｃｒドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板４０１上にアンド
ープＡｆＧａＡｓ層４０２．４０４でＧａＡｓ活性層４
０３をサンドイッチし、活性層の左右にｎ−Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ層４０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層４０７を埋め込み形
成して二重へテロ構造を構成し、その上にキャップ層４
０６．４０８を形成し、さらにその上に電極４０９．４
１０を形成したものである。
Ｃｒドープした半絶縁性ＧａＡｓ基板４０１上にアンド
ープＡｆＧａＡｓ層４０２．４０４でＧａＡｓ活性層４
０３をサンドイッチし、活性層の左右にｎ−Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ層４０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層４０７を埋め込み形
成して二重へテロ構造を構成し、その上にキャップ層４
０６．４０８を形成し、さらにその上に電極４０９．４
１０を形成したものである。
横注入型半導体レーザにおいては、同一平面に設けられ
た電極４０９．４１０間に電流を流し、左右のｎ−Ａｆ
ｌＧａＡｓ層４０５、ｐ −Ａ ＩＩ Ｇ ａＡｓ層４
０７から活性層４０３へのキャリア注入をしている点が
縦注入型のものと異なっている。
た電極４０９．４１０間に電流を流し、左右のｎ−Ａｆ
ｌＧａＡｓ層４０５、ｐ −Ａ ＩＩ Ｇ ａＡｓ層４
０７から活性層４０３へのキャリア注入をしている点が
縦注入型のものと異なっている。
また、半絶縁性基板上に形成されているため、素子間の
絶縁をとることができ、その結果集債化を行うことがで
きる特徴を有している。
絶縁をとることができ、その結果集債化を行うことがで
きる特徴を有している。
このような埋め込み型半導体レーザはしきい値電流が小
さくとれるため通信用光源等に広く用いられているが、
第４図あるいは第５図から分かるようにキャリア注入は
一方向であり、いわゆる２端子構成である。このような
２端子の半導体レーザの駆動は、通常、第６図に示すよ
うに直流電流分と交流電流（あるいはパルス電流）分を
外部電子回路で重畳して加える必要がある。
さくとれるため通信用光源等に広く用いられているが、
第４図あるいは第５図から分かるようにキャリア注入は
一方向であり、いわゆる２端子構成である。このような
２端子の半導体レーザの駆動は、通常、第６図に示すよ
うに直流電流分と交流電流（あるいはパルス電流）分を
外部電子回路で重畳して加える必要がある。
すなわち、第６図（ａ）においては、ＤＣ電源によりレ
ーザダイオード５００に直流電流を供給すると共に、信
号発生器５０３から交流電流を重畳して加えており、ま
た第６図（ｂ）においては、レーザダイオードにＤＣ電
源からバイアス電圧を加えると共に、信号発生器５１１
によりトランジスタ５１２のインピーダンスを変えて直
流分と電流分が重畳してレーザダイオードを流れるよう
にしている。
ーザダイオード５００に直流電流を供給すると共に、信
号発生器５０３から交流電流を重畳して加えており、ま
た第６図（ｂ）においては、レーザダイオードにＤＣ電
源からバイアス電圧を加えると共に、信号発生器５１１
によりトランジスタ５１２のインピーダンスを変えて直
流分と電流分が重畳してレーザダイオードを流れるよう
にしている。
このように、従来の埋め込み型半導体レーザは２端子構
造であるために、その駆動方式が制約を受けてしまうと
いう問題があった。
造であるために、その駆動方式が制約を受けてしまうと
いう問題があった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、キャリア注
入を二方向とすることにより、それぞれ独立したキャリ
ア注入を行うことができ、レーザの駆動方式の自由度を
大きくすることができる二方向注入型半導体レーザ装置
を提供することを目的とする。
入を二方向とすることにより、それぞれ独立したキャリ
ア注入を行うことができ、レーザの駆動方式の自由度を
大きくすることができる二方向注入型半導体レーザ装置
を提供することを目的とする。
本発明の二方向注入型半導体レーザ装置は、キャリアの
注入が左右から独立して行うことができることを特徴と
している。
注入が左右から独立して行うことができることを特徴と
している。
第１図は本発明の二方向注入型半導体レーザ装置の構造
を示す図である。図中、１００はＣｒドープ半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板、１０１は高抵抗／ＩＧａＡＳ層、１０２は
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、１０３はｐ−Ａｌ１ＧａＡｓク
ラッド層、１０４ａ、１０４ｂはｎ−Ａｊ！ＧａＡｓク
ラッド層、１０５ａ、１０５ｂはｎ−ＧａＡｓヰ＋−／
プ層、１０６はｐ−ＧａＡｓキ＋７プ層、１０７ ａ、
１０７ ｂ、 ｌ Ｏ８は電極である。
を示す図である。図中、１００はＣｒドープ半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板、１０１は高抵抗／ＩＧａＡＳ層、１０２は
Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、１０３はｐ−Ａｌ１ＧａＡｓク
ラッド層、１０４ａ、１０４ｂはｎ−Ａｊ！ＧａＡｓク
ラッド層、１０５ａ、１０５ｂはｎ−ＧａＡｓヰ＋−／
プ層、１０６はｐ−ＧａＡｓキ＋７プ層、１０７ ａ、
１０７ ｂ、 ｌ Ｏ８は電極である。
図において、半絶縁性基板１００上に高抵抗Ａ１！Ｇａ
Ａｓ層１０１を形成し、その上に形成された光を発生す
るＧａΔＳ活性層（ノンドープあるいはｐ型ドープ）１
０２の左右両サイドにｎ−ＡｆＧａＡｓクラッド層１０
４ａ、１０４ｂを埋め込み形成し、さらに活性層の上側
にはｐ−ＡβＧａＡｓクラッド層が形成すると共に、各
クラッド層上には、それぞれキャップ層ｎ−ＧａＡｓ１
０５ａ、１０５ｂ、Ｉ）−ＧａＡｓ１０６及び、電極１
０７ａ、１０７ｂ、１０８を形成した構造となっている
。
Ａｓ層１０１を形成し、その上に形成された光を発生す
るＧａΔＳ活性層（ノンドープあるいはｐ型ドープ）１
０２の左右両サイドにｎ−ＡｆＧａＡｓクラッド層１０
４ａ、１０４ｂを埋め込み形成し、さらに活性層の上側
にはｐ−ＡβＧａＡｓクラッド層が形成すると共に、各
クラッド層上には、それぞれキャップ層ｎ−ＧａＡｓ１
０５ａ、１０５ｂ、Ｉ）−ＧａＡｓ１０６及び、電極１
０７ａ、１０７ｂ、１０８を形成した構造となっている
。
このような構造において、電極１０８と１０７ａ、１０
７ｂ間に電流を供給すると、上側のｐ −Ａ Ｉ Ｇ
ａΔＳクラッド層１０３から正孔が注入され、左側ある
いは右側のｎ−Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層から電子が注
入される。したがって、活性層には二方向からキャリア
の注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うこと
ができる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層１０１
は高抵抗層で左右のｎ−／１７ＧａＡｓの電気的に分離
できるので、これらの素子を同一基板上に集積化するこ
とが可能である。もちろん、活性層の上側クラッド層を
ｎ型とし、活性層の左右両サイドのクラブド層をｐ型と
してもよく、また活性層もｐ型（あるいはｐ型）として
もよい。また、本例では材料としてＧａＡｓ５ＡｌＧａ
Ａｓ系を例示しているが、他の材料、例えばＩｎＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成できる。
７ｂ間に電流を供給すると、上側のｐ −Ａ Ｉ Ｇ
ａΔＳクラッド層１０３から正孔が注入され、左側ある
いは右側のｎ−Ａｊ！ＧａＡｓクラッド層から電子が注
入される。したがって、活性層には二方向からキャリア
の注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うこと
ができる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層１０１
は高抵抗層で左右のｎ−／１７ＧａＡｓの電気的に分離
できるので、これらの素子を同一基板上に集積化するこ
とが可能である。もちろん、活性層の上側クラッド層を
ｎ型とし、活性層の左右両サイドのクラブド層をｐ型と
してもよく、また活性層もｐ型（あるいはｐ型）として
もよい。また、本例では材料としてＧａＡｓ５ＡｌＧａ
Ａｓ系を例示しているが、他の材料、例えばＩｎＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成できる。
また、さらに本発明の素子は第１図において、ｐ型層の
端子をオープンとし、左右のｎ型クラッド層間に電圧を
加えると、光入射があるとキャリアが発生し、これが左
右のクラッド層間を通して流れるので、同一構造で光検
出器の１種であるホトトランジスタとしても動作する。
端子をオープンとし、左右のｎ型クラッド層間に電圧を
加えると、光入射があるとキャリアが発生し、これが左
右のクラッド層間を通して流れるので、同一構造で光検
出器の１種であるホトトランジスタとしても動作する。
そして、本発明の素子は高抵抗層上に形成されているの
で、同一構造の素子を同一基板上に複数個形成し、集積
化が可能である。
で、同一構造の素子を同一基板上に複数個形成し、集積
化が可能である。
第２図は第１図の構造の素子を同一基板上に集積化し、
ホトトランジスタ、半導体レーザ装置を形成したもので
ある。
ホトトランジスタ、半導体レーザ装置を形成したもので
ある。
第２図において、高抵抗層１００上に第１図の構造の素
子を複数個タンデム形に形成し、図のように１つの素子
については活性層の上側タララド層上に形成された電極
１０８ａをオーブンとし、電極１０８ｂと電極１０７ｂ
間、電極１０８ｂと１０７ｃ間に図示のような極性の電
圧Ｖａ、Ｖｂを接続すると、光トランジスタ部２００と
半導体レーザ部２０１とが形成される。
子を複数個タンデム形に形成し、図のように１つの素子
については活性層の上側タララド層上に形成された電極
１０８ａをオーブンとし、電極１０８ｂと電極１０７ｂ
間、電極１０８ｂと１０７ｃ間に図示のような極性の電
圧Ｖａ、Ｖｂを接続すると、光トランジスタ部２００と
半導体レーザ部２０１とが形成される。
即ち、光トランジスタ部２００においては、このままで
は電極１０８ｂと電極１０７ｂ間は絶縁されているが、
光入射があって活性層１０２ａにキャリアが発生すると
、クラッド層１０４ａ、１０４ｂを通して電流が流れる
。一方、半導体レーザ２０１においては、クラッド層１
０３ｂと１０４ｃとからキャリア注入が行われるので、
レーザダイオードとして動作する。
は電極１０８ｂと電極１０７ｂ間は絶縁されているが、
光入射があって活性層１０２ａにキャリアが発生すると
、クラッド層１０４ａ、１０４ｂを通して電流が流れる
。一方、半導体レーザ２０１においては、クラッド層１
０３ｂと１０４ｃとからキャリア注入が行われるので、
レーザダイオードとして動作する。
以上述べたように、本発明の二方向注入型半導体レーザ
装置は３端子となっており、独立した２つのキャリア注
入が行える利点を有している。
装置は３端子となっており、独立した２つのキャリア注
入が行える利点を有している。
また、第２図に示したように同一構造で、電圧の加え方
により光検出器の１種であるホ））ランジスタとしても
動作する。このように光検出器とレーザが同一構造で１
つの基板の上に製作可能であるので、モノリシック集積
化光送受倍回路を構成することも可能である。
により光検出器の１種であるホ））ランジスタとしても
動作する。このように光検出器とレーザが同一構造で１
つの基板の上に製作可能であるので、モノリシック集積
化光送受倍回路を構成することも可能である。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示す構造の素子の製作過程は以下の通りである
。基板はＣｒドープ半絶縁性ＧａＡｓである。この上に
ＭＯＣＶＤ法により高抵抗Ａｌ１ＧａＡｓ層（ＡＩｌ含
有率約０．４．厚さ約１．５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ活性
層（厚さ約０．１５μｍ） 、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ａ
Ｉｌ含有率約０．４．厚さ約１．０μｍ＞ 、ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層をエピタキシャル成長させる。次にエツ
チングにより第１図に示すｎ−ＡｌＧａＡｓ層を埋め込
むための穴を掘り、ｎ型Ａｉ！ＧａＡｓ層（Ａｆｆｌ含
有率約０．３５） 、７１型ＧａＡｓキャップ層を成長
させる。次にｎ、ｐ電極を付けた後、それをマスクとし
てｎ、ｐ接合面に接するキャップ層を部分的にエツチン
グして除去するこれはキャリアがキャップ層間で再結合
するのを防止するためである。活件層幅は約２μ以下が
望ましい。また、活性層としては第３図に示すような通
常の多重量子井戸構造も可能である。
。基板はＣｒドープ半絶縁性ＧａＡｓである。この上に
ＭＯＣＶＤ法により高抵抗Ａｌ１ＧａＡｓ層（ＡＩｌ含
有率約０．４．厚さ約１．５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ活性
層（厚さ約０．１５μｍ） 、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ａ
Ｉｌ含有率約０．４．厚さ約１．０μｍ＞ 、ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層をエピタキシャル成長させる。次にエツ
チングにより第１図に示すｎ−ＡｌＧａＡｓ層を埋め込
むための穴を掘り、ｎ型Ａｉ！ＧａＡｓ層（Ａｆｆｌ含
有率約０．３５） 、７１型ＧａＡｓキャップ層を成長
させる。次にｎ、ｐ電極を付けた後、それをマスクとし
てｎ、ｐ接合面に接するキャップ層を部分的にエツチン
グして除去するこれはキャリアがキャップ層間で再結合
するのを防止するためである。活件層幅は約２μ以下が
望ましい。また、活性層としては第３図に示すような通
常の多重量子井戸構造も可能である。
第３図は多重量子井戸構造を説明するための図である。
活性層の厚みを２０ｎｍ以下とすると債子効果が出てき
て、電子は極めて限られた準位しかとれなくなり、その
ため限られた準位で遷移が生ずるため発光効率が上がり
、その結果しきい値電流を下げることが可能となる。多
重量子井戸構造はこのようなことを利用したものであり
、図の上下のクラッド層３１．３２間に形成される活性
層３３の厚みを極めて薄くし、ＡｌＧａＡｓ層リア層３
４とＧａＡｓ量子井戸３５を繰り返し形成する。この場
合、光を有効に活性層に閉じ込めるためにバリア層のΔ
βの混晶比をクラッド層のそれよりも小さくしており、
また、通常、縦方向に電流を流す構造では上下の量子井
戸でのキャリア注入が変化してしまうので井戸数、バリ
ア層の厚み、及びバリア層の混晶比に制限がある（通常
、量子井戸数５個、バリア層の厚み６〜２０ｎｍ。
て、電子は極めて限られた準位しかとれなくなり、その
ため限られた準位で遷移が生ずるため発光効率が上がり
、その結果しきい値電流を下げることが可能となる。多
重量子井戸構造はこのようなことを利用したものであり
、図の上下のクラッド層３１．３２間に形成される活性
層３３の厚みを極めて薄くし、ＡｌＧａＡｓ層リア層３
４とＧａＡｓ量子井戸３５を繰り返し形成する。この場
合、光を有効に活性層に閉じ込めるためにバリア層のΔ
βの混晶比をクラッド層のそれよりも小さくしており、
また、通常、縦方向に電流を流す構造では上下の量子井
戸でのキャリア注入が変化してしまうので井戸数、バリ
ア層の厚み、及びバリア層の混晶比に制限がある（通常
、量子井戸数５個、バリア層の厚み６〜２０ｎｍ。
バリア層のＡｆＡｓ比０．２〜０．３）が、横接合型レ
ーザではこれらの制限を受けない。こうして図示するよ
うなコンダクションバンドＥｃとバレンスパントＥｖの
エネルギバンド構造が得られ、量子井戸にキャリアが注
入されて電子とホールの再結合による発光が行われ、各
量子井戸間では相互作用があるために出力光のコヒーレ
ンシーが保たれる。なお、クラッド層と最初の量子井戸
との間隔を大きくしているのは、クラッド層のエネルギ
レベルが高いため、他の量子井戸とエネルギバンド構造
の相似性が崩れないようにするためである。また、量子
井戸を活性層に用いることにより電極間容量が極めて小
さな値になる。
ーザではこれらの制限を受けない。こうして図示するよ
うなコンダクションバンドＥｃとバレンスパントＥｖの
エネルギバンド構造が得られ、量子井戸にキャリアが注
入されて電子とホールの再結合による発光が行われ、各
量子井戸間では相互作用があるために出力光のコヒーレ
ンシーが保たれる。なお、クラッド層と最初の量子井戸
との間隔を大きくしているのは、クラッド層のエネルギ
レベルが高いため、他の量子井戸とエネルギバンド構造
の相似性が崩れないようにするためである。また、量子
井戸を活性層に用いることにより電極間容量が極めて小
さな値になる。
以上のように本発明によれば、従来不可能であった２つ
の独立したキャリア注入機構を有する半導体レーザ装置
が実現できる。また、同一構造で、電圧の加え方により
光検出器の１種であるホトトランジスタとしても動作す
るので、光検出器とレーザが同一構造で１つの基板の上
に製作してモノリシック集積化光送受信回路を構成する
ことも可能である。
の独立したキャリア注入機構を有する半導体レーザ装置
が実現できる。また、同一構造で、電圧の加え方により
光検出器の１種であるホトトランジスタとしても動作す
るので、光検出器とレーザが同一構造で１つの基板の上
に製作してモノリシック集積化光送受信回路を構成する
ことも可能である。
第１図は本発明の二方向注入型半導体レーザ装置の構造
を示す図、第２図は第１図の構造の素子を同一基板上に
集積化した例を示す図、 第３図は多重量子井戸構造を
説明するだめの図、第４図は縦注入型半導体レーザ装置
の構造を示す図、第５図は横注入型半導体レーザ装置の
構造を示す図、第６図は従来の半導体レーザ層の駆動方
式を示す図でである。 １００・−Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０１−
・・高抵抗ＡＪＧａＡｓ層、１０２−ＧａＡｓ活性層、
１０３・・・ｐ−ＡβＧａＡｓクラッド層、１０４ ａ
、 １０４ ｂ−−−ｎ−Ａｆ２ＧａＡｓクラッド層、
ｌ ０５ ａ、 １０５ ｂ−ｎ−ＧａＡｓキ＋−／
ブ層、１０６・＝ｐ−ＧａＡｓキ＋−／ブ層、１０７
ａ。 １０７ｂ、１０８・・・電極。 出 願 人 工業技術院長（外１名）第２図
を示す図、第２図は第１図の構造の素子を同一基板上に
集積化した例を示す図、 第３図は多重量子井戸構造を
説明するだめの図、第４図は縦注入型半導体レーザ装置
の構造を示す図、第５図は横注入型半導体レーザ装置の
構造を示す図、第６図は従来の半導体レーザ層の駆動方
式を示す図でである。 １００・−Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０１−
・・高抵抗ＡＪＧａＡｓ層、１０２−ＧａＡｓ活性層、
１０３・・・ｐ−ＡβＧａＡｓクラッド層、１０４ ａ
、 １０４ ｂ−−−ｎ−Ａｆ２ＧａＡｓクラッド層、
ｌ ０５ ａ、 １０５ ｂ−ｎ−ＧａＡｓキ＋−／
ブ層、１０６・＝ｐ−ＧａＡｓキ＋−／ブ層、１０７
ａ。 １０７ｂ、１０８・・・電極。 出 願 人 工業技術院長（外１名）第２図
Claims (3)
- （１）活性層の上側クラッド層あるいは活性層及び上側
クラッド層をｐ型（あるいはｎ型）とし、活性層の左右
両サイドのクラッド層をｎ型（あるいはｐ型）とし、活
性層の下側のクラッド層を高抵抗層とした構造を有する
二方向注入型半導体レーザ装置。 - （２）さらに活性層の上側及び左右のクラッド層上に、
キャップ層及び電極を設けた二方向注入型半導体レーザ
装置。 - （３）請求項２記載のレーザ装置を同一基板上に複数個
作製し、一部をレーザダイオード、他をホトダイオード
とした二方向注入型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2041689A JP2815165B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 二方向注入型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2041689A JP2815165B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 二方向注入型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201990A true JPH02201990A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2815165B2 JP2815165B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=12026434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2041689A Expired - Lifetime JP2815165B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 二方向注入型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815165B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993020604A1 (en) * | 1992-03-31 | 1993-10-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH05315706A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61264776A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| JPS62106687A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体光集積回路装置 |
| JPS63104494A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63178577A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2041689A patent/JP2815165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61264776A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| JPS62106687A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体光集積回路装置 |
| JPS63104494A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63178577A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993020604A1 (en) * | 1992-03-31 | 1993-10-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5544189A (en) * | 1992-03-31 | 1996-08-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH05315706A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815165B2 (ja) | 1998-10-27 |
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