JPS61264533A - 光磁気記録用スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録用スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61264533A JPS61264533A JP10380885A JP10380885A JPS61264533A JP S61264533 A JPS61264533 A JP S61264533A JP 10380885 A JP10380885 A JP 10380885A JP 10380885 A JP10380885 A JP 10380885A JP S61264533 A JPS61264533 A JP S61264533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
本発明は、光磁気記録用スパッタリングターゲットに関
するもので、特にアモルファス膜形成に有用な遷移金属
と希土類金属を含み、実質的に均一組成で、ほぼ理論密
度に等しい合金からなる光磁気記録用スパッタリングタ
ーゲットおよびその製造方法に関するものである。
するもので、特にアモルファス膜形成に有用な遷移金属
と希土類金属を含み、実質的に均一組成で、ほぼ理論密
度に等しい合金からなる光磁気記録用スパッタリングタ
ーゲットおよびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
光磁気記録は光の熱効果を用いて磁性材料に記録し、磁
気光学効果を用いてこの情報を読み出す方式である。
気光学効果を用いてこの情報を読み出す方式である。
電子計算機などの記録装置は半導体集積回路に代表され
る内部記憶装置と外部（補助）記録装置に大別され後者
は不揮発・高密度および大容量が求められ、磁気テープ
、磁気ドラム、フロッピーディスクさらには最近の磁気
ディスクなどがこれにあたる。
る内部記憶装置と外部（補助）記録装置に大別され後者
は不揮発・高密度および大容量が求められ、磁気テープ
、磁気ドラム、フロッピーディスクさらには最近の磁気
ディスクなどがこれにあたる。
光磁気記録は前述の種々の外部記録方式に対してさらに
高密度で非接触の読みとり、書き込み機能を持つ保存性
に優れた記録システムである。
高密度で非接触の読みとり、書き込み機能を持つ保存性
に優れた記録システムである。
光磁気記録材料としてはＭｎ３ ｉに始まる多結晶材料
やガドリニウム−鉄−ガーネット（Ｇｄ３Ｆｅ５０１２
）のようなガーネット材料についての研究開発が進めら
れたが、いくつかの問題点が明らかになり最近では遷移
金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）と希土類金属（Ｇｄ。
やガドリニウム−鉄−ガーネット（Ｇｄ３Ｆｅ５０１２
）のようなガーネット材料についての研究開発が進めら
れたが、いくつかの問題点が明らかになり最近では遷移
金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）と希土類金属（Ｇｄ。
Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｅｒなど）とのアモルファス
磁性薄膜合金が補償温度記録に加えキューリ一温度記録
にも適していることが解り 光磁気記録の本命となって
いる。これはアモルファスであるがため膜の組成をある
範囲で変えることができ飽和磁化ＫＶ。
磁性薄膜合金が補償温度記録に加えキューリ一温度記録
にも適していることが解り 光磁気記録の本命となって
いる。これはアモルファスであるがため膜の組成をある
範囲で変えることができ飽和磁化ＫＶ。
キューリ一点Ｔｃ、補償温度などをかなり制御でき、さ
らに結晶粒界がなく媒体雑音をほとんどゼロにできるか
らで、一方ではこの特徴を引き出せる成膜方法および材
料の開発が求められている。
らに結晶粒界がなく媒体雑音をほとんどゼロにできるか
らで、一方ではこの特徴を引き出せる成膜方法および材
料の開発が求められている。
このアモルファスの成膜方法としては真空蒸着法および
スパッタリング法があるが前者は二種以上の元素の場合
おたがいの蒸気圧がそれぞれ異なるため、目標とする合
金膜組成を安定して得ることが困難なことと、蒸発体の
持つ電子エネルギーが約０．１ｅ■と低いため、大部分
はスパッタリング法が採用されている。
スパッタリング法があるが前者は二種以上の元素の場合
おたがいの蒸気圧がそれぞれ異なるため、目標とする合
金膜組成を安定して得ることが困難なことと、蒸発体の
持つ電子エネルギーが約０．１ｅ■と低いため、大部分
はスパッタリング法が採用されている。
スパッタリング法の蒸発源としてはターゲットと呼ばれ
る材料を陰極とし これまでの研究開発では複合（モザ
イク様）ターゲットあるいは単一金属で構成されたター
ゲットを複数個用いた多元スパッタリング法が用いられ
てきた。これは膜組成の検討や単一金属の方が従来の合
金ターゲットに比らべ高純度の物が得られるためである
が、一方では装置構成の複雑さのため連続化が難かしく
生産性が低いという欠点があった。
る材料を陰極とし これまでの研究開発では複合（モザ
イク様）ターゲットあるいは単一金属で構成されたター
ゲットを複数個用いた多元スパッタリング法が用いられ
てきた。これは膜組成の検討や単一金属の方が従来の合
金ターゲットに比らべ高純度の物が得られるためである
が、一方では装置構成の複雑さのため連続化が難かしく
生産性が低いという欠点があった。
［発明が解決しようとしている問題点］本発明は上述の
ような従来の技術では難かしかった連続法によるスパッ
タリングを可能とする均一組成で大型で高生産性が図れ
る合金ターゲットおよびその製造法を提供することにあ
る。
ような従来の技術では難かしかった連続法によるスパッ
タリングを可能とする均一組成で大型で高生産性が図れ
る合金ターゲットおよびその製造法を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明は少なくとも一種の遷移金属とＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ
、ＥＬＪ、ＨＯ，Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよび１−ｕからな
る群より選ばれた希土類金属の少なくとも一種を含み実
質的に均一組成で、ほぼ理論密度に等しい合金からなる
光磁気記録用スパッタリングターゲットを提供するもの
であり、またその製造法として少なくとも一種の遷移金
属とＴｂ。
、ＥＬＪ、ＨＯ，Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂおよび１−ｕからな
る群より選ばれた希土類金属の少なくとも一種を含み実
質的に均一組成で、ほぼ理論密度に等しい合金からなる
光磁気記録用スパッタリングターゲットを提供するもの
であり、またその製造法として少なくとも一種の遷移金
属とＴｂ。
Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂをよびＬｕ
からなる群より選ばれた希土類金属の少なくとも一種と
を混合して得た混合物を真空下またはアルゴン、窒素、
ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で加熱溶解、鋳造し
これを急冷し、有機溶媒中で微粉砕し得られた粉末を冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）で圧粉体とし、さらにこの圧
粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）し、実質的に均一組
成でほぼ理論密度に等しい合金成形体とすることを特徴
とする光磁気記録用スパッタリングターゲットの製造方
法を提供するものである。
からなる群より選ばれた希土類金属の少なくとも一種と
を混合して得た混合物を真空下またはアルゴン、窒素、
ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で加熱溶解、鋳造し
これを急冷し、有機溶媒中で微粉砕し得られた粉末を冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）で圧粉体とし、さらにこの圧
粉体を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）し、実質的に均一組
成でほぼ理論密度に等しい合金成形体とすることを特徴
とする光磁気記録用スパッタリングターゲットの製造方
法を提供するものである。
本発明において合金ターゲットを構成する遷移金属とし
ては鉄！コバルト、ニッケルなどがあり。
ては鉄！コバルト、ニッケルなどがあり。
これらの金属は同時に二種以上含まれていてもよい。
またこれらの遷移金属と合金を構成する希土類金属とし
ては Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｈｏ。
ては Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｈｏ。
Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどが挙げられ、これらは単独
で用いてもよく、また二種以上混合して用いてもよい。
で用いてもよく、また二種以上混合して用いてもよい。
遷移金属と希土類金属との混合割合は得られたターゲッ
トの用途により適宜決定することができるが、一般には
前者に対して後者が８５〜６０ａｔ％−１５〜４０ａｔ
％が採用される。
トの用途により適宜決定することができるが、一般には
前者に対して後者が８５〜６０ａｔ％−１５〜４０ａｔ
％が採用される。
更に前二者の合金構成要素に加えアルカロイド類の一種
以上を添加し、得られたターゲットより成膜した光磁気
ディスクの磁気光学特性を向上させることができる。こ
のアルカロイド類としてはシリコン、ゲルマニウム、カ
ドリニウムなどが挙げられ、その使用ｍは１〜１０ａｔ
％が好ましい。
以上を添加し、得られたターゲットより成膜した光磁気
ディスクの磁気光学特性を向上させることができる。こ
のアルカロイド類としてはシリコン、ゲルマニウム、カ
ドリニウムなどが挙げられ、その使用ｍは１〜１０ａｔ
％が好ましい。
次に本発明のターゲットの製造法について説明する。
まず、所定量の遷移金属および希土類金属、更に、必要
に応じてアルカロイド類を溶解するために真空下または
アルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で
高周波誘導加熱炉、ＥＢ炉、アーク炉またはプラズマ溶
解炉などに装入し合金溶湯を得て、これをアルゴン、窒
素、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下でガスアトマイ
ズ法、急速で回転する水冷銅ロール上に注湯する方法ま
たは高速で回転するディスク上に注湯するアトマイズ法
によりマイクロインゴット、リボン状鋳塊を得る。 次
にこれらマイクロインゴット、リボン状鋳塊をより均一
かつ微粉化を行なうため真空下またはアルゴン、窒素、
ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下ヘキサンなどの有機
溶媒中にてボールミルまたは縦型ホールミルにて微粉化
を行う。
に応じてアルカロイド類を溶解するために真空下または
アルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で
高周波誘導加熱炉、ＥＢ炉、アーク炉またはプラズマ溶
解炉などに装入し合金溶湯を得て、これをアルゴン、窒
素、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下でガスアトマイ
ズ法、急速で回転する水冷銅ロール上に注湯する方法ま
たは高速で回転するディスク上に注湯するアトマイズ法
によりマイクロインゴット、リボン状鋳塊を得る。 次
にこれらマイクロインゴット、リボン状鋳塊をより均一
かつ微粉化を行なうため真空下またはアルゴン、窒素、
ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下ヘキサンなどの有機
溶媒中にてボールミルまたは縦型ホールミルにて微粉化
を行う。
次にこの微粉末をラバーなどの可どう性の容器に入れ冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）にて３〜５ｔ／ｃｄ 、３
〜１０分間加圧し圧粉体を得る。次にこの圧粉体を金属
容器に入れ真空封止し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）にて
８００〜１５００℃。
間静水圧プレス（ＣＩＰ）にて３〜５ｔ／ｃｄ 、３
〜１０分間加圧し圧粉体を得る。次にこの圧粉体を金属
容器に入れ真空封止し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）にて
８００〜１５００℃。
１〜３ｔ／ｃｓｆ で３０分〜１２０分間加熱加圧し
成形体を得る。
成形体を得る。
この成形体をワイヤー放電加工機、パントン−などの切
断加工機にて切断、仕上加工を行い所定の形状の光磁気
記録用スパッタリングターゲットとする。
断加工機にて切断、仕上加工を行い所定の形状の光磁気
記録用スパッタリングターゲットとする。
［発明の効果］
このようにして得られたターゲットは実質的に均一組成
であり、ほぼ理論密度に等しいものであり、またほとん
ど酸素汚染が認められない。
であり、ほぼ理論密度に等しいものであり、またほとん
ど酸素汚染が認められない。
本発明により得られた光磁気記録用ターゲットはスパッ
タリングにより成膜され光磁気ディスクとされる。この
場合、従来の複合ターゲット（モザイク様）、単一金属
に希土類金属のチップを乗せただけのターゲットより成
膜して得た光磁気ディスクに比らべ次のような利点があ
る。
タリングにより成膜され光磁気ディスクとされる。この
場合、従来の複合ターゲット（モザイク様）、単一金属
に希土類金属のチップを乗せただけのターゲットより成
膜して得た光磁気ディスクに比らべ次のような利点があ
る。
（１）ターゲットと同一組成の膜が得られスパッタリン
グ条件が簡便になる。
グ条件が簡便になる。
（２）ターゲットは酸素汚染が少ないためブリスパッタ
リング時間が短かくてよい。
リング時間が短かくてよい。
（３）スパッタリング条件において残留ガス圧を４．０
ｘ１０−６Ｔｏｒｒとした場合は膜組成が均一でキュー
リ一点が適当で保磁力が高い。
ｘ１０−６Ｔｏｒｒとした場合は膜組成が均一でキュー
リ一点が適当で保磁力が高い。
（４）低電圧でスパッタリングを行なうことができるた
め基板の温度上昇が少さく基板としてガラス以外の素材
たとえばＰＭＭＡ、ＰＣなども用いることができる。
め基板の温度上昇が少さく基板としてガラス以外の素材
たとえばＰＭＭＡ、ＰＣなども用いることができる。
［実施例］
以下本発明を実施例により説明する。本発明をこれらの
実施例により何ら限定されるものでない。
実施例により何ら限定されるものでない。
実施例１
高周波誘導溶解炉にて 約５０ＫＧの鋳塊を得るためＦ
ｅ７５ａｔ％、Ｔｂ２５ａｔ％（７）割合テアルゴンガ
ス５００層ＨＱ、１３５０〜１４５０℃で溶解し、溶湯
を銅製鋳型にて鋳造した。次いで得られた鋳塊をアルゴ
ンガス雰囲気下、シクロヘキサン中で高速ボールミルで
約１０分間粉化し、シクロヘキサンを分離乾燥後 粉体
特性を測定した。
ｅ７５ａｔ％、Ｔｂ２５ａｔ％（７）割合テアルゴンガ
ス５００層ＨＱ、１３５０〜１４５０℃で溶解し、溶湯
を銅製鋳型にて鋳造した。次いで得られた鋳塊をアルゴ
ンガス雰囲気下、シクロヘキサン中で高速ボールミルで
約１０分間粉化し、シクロヘキサンを分離乾燥後 粉体
特性を測定した。
この結果。
組成 Ｆｅ７４．ｓａｔ％
Ｔｂ２５．１ａｔ％
粒径 平均粒径 １０．９μｍ
酸素含量 ０．１５ｗｔ％ であった。
次にこの微粉末にＦｅの微粉末（平均粒径１０゜９μｍ
）を添加（アルゴン雰囲気下）混合しゴム型に充填し、
５ｔ／ｄ、３全間冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧
し圧粉体を得た。この圧粉体をステンレス容器に入れ真
空封止し、これを熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）にて１０
００℃、１ｔ／ｄで６０分間加熱加圧処理し成形体を得
た。
）を添加（アルゴン雰囲気下）混合しゴム型に充填し、
５ｔ／ｄ、３全間冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧
し圧粉体を得た。この圧粉体をステンレス容器に入れ真
空封止し、これを熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）にて１０
００℃、１ｔ／ｄで６０分間加熱加圧処理し成形体を得
た。
この成形体をワイヤー放電加工機にて切断加工し １０
０履φＸ６ａｗｔのターゲットを製造した。
０履φＸ６ａｗｔのターゲットを製造した。
各工程における酸素汚染状態は表１に示めすとおり本発
明の一つの特徴である酸素汚染の少ないものであった。
明の一つの特徴である酸素汚染の少ないものであった。
また熱間静水圧プレス（ＨＩＰ＞後、Ｉｌられた成形体
のインゴットは表−２に示めすとおりほとんど理論密度
に近いものであった。
のインゴットは表−２に示めすとおりほとんど理論密度
に近いものであった。
これにより得られたターゲットを以下の条件でスパッタ
し得られた膜の特性を評価したところ表−３に示したよ
う従来の方法で用いられていてた複合ターゲット（モザ
イク様）をスパッタし得られた膜と同等もしくは同等以
上の結果が得られた。
し得られた膜の特性を評価したところ表−３に示したよ
う従来の方法で用いられていてた複合ターゲット（モザ
イク様）をスパッタし得られた膜と同等もしくは同等以
上の結果が得られた。
スパッタ方式 ＤＣマグネトロンＳＰ
スパッタ電圧 ２６０ｖ
ガス雰囲気 ５ 、３ ｘ １０−３ＴｏｒｒＡ ｒ
プリスパッタ時間 ６０分 スパッタレート ２００Ａ／分 膜厚 ２００ＯＡ 基板 ガラス 実施例２ 高周波誘導溶解炉にて５０ＫＱの鋳塊を得るためＣ０７
７ａｔ％、Ｇｄ２３ａｔ％の割合テアルゴンガス５００
ｍｍＨａ、１４００〜１５００℃で溶解し、この溶湯を
アルゴンガス雰囲気下１円錐ジェットタイプのノズルを
用い人、ガス圧力８Ｋｇ／ｃｍ ２ 、ガス量１．２Ｎ
ｍ ３／Ｋｇ溶瀉の条件でガスアトマイズを行なった。
プリスパッタ時間 ６０分 スパッタレート ２００Ａ／分 膜厚 ２００ＯＡ 基板 ガラス 実施例２ 高周波誘導溶解炉にて５０ＫＱの鋳塊を得るためＣ０７
７ａｔ％、Ｇｄ２３ａｔ％の割合テアルゴンガス５００
ｍｍＨａ、１４００〜１５００℃で溶解し、この溶湯を
アルゴンガス雰囲気下１円錐ジェットタイプのノズルを
用い人、ガス圧力８Ｋｇ／ｃｍ ２ 、ガス量１．２Ｎ
ｍ ３／Ｋｇ溶瀉の条件でガスアトマイズを行なった。
得られた粉体は平均粒径約１００μｍの球形で１次にこ
れを゛高速縦型ボールミルで約１０分間粉砕した。その
粉体特性を測定した。
れを゛高速縦型ボールミルで約１０分間粉砕した。その
粉体特性を測定した。
この結果
組成 Ｃ０７７ａｔ％
Ｇｄ２３ａｔ％
粒径 平均粒径 ７．４μｍ
酸素含１０．１８ｗｔ％ であった。
次にこれをゴム型に充填し、４ｔ／ｅｉ、３分間冷間静
水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧し圧粉体を得た。この圧
粉体をステンレス容器に入れ真空封止し これを熱間静
水圧プレス（ＨＩ Ｐ’）にて１０００℃、１ｔ／ｃｄ
で８０分間加熱加圧処理し成型体を得た。
水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧し圧粉体を得た。この圧
粉体をステンレス容器に入れ真空封止し これを熱間静
水圧プレス（ＨＩ Ｐ’）にて１０００℃、１ｔ／ｃｄ
で８０分間加熱加圧処理し成型体を得た。
この成形体をワイヤー放電加工機にて切断加工し１５０
ＪＩＩφＸ６Ｍｔのターゲットを製造した。
ＪＩＩφＸ６Ｍｔのターゲットを製造した。
各工程における酸素汚染状態は表−１に示すとおり実施
例１と同様本発明の一つの特徴である酸素汚染の少ない
ものであった。熱間静水圧プレス（ＨＩＰ＞後、Ｉ！ら
れた成形体のインゴットは実施例１と同様表−２に示す
とおりほとんど理論密度に等しいものであった。
例１と同様本発明の一つの特徴である酸素汚染の少ない
ものであった。熱間静水圧プレス（ＨＩＰ＞後、Ｉ！ら
れた成形体のインゴットは実施例１と同様表−２に示す
とおりほとんど理論密度に等しいものであった。
これにより得られたターゲットを以下の条件でスパッタ
し 得られた膜の特性を評価したところ表−３に示した
よう従来の方法で用いられていた複合ターゲット（モザ
イク様）をスパッタし得られた膜と同等もしくは同等以
上の結果が得られた。
し 得られた膜の特性を評価したところ表−３に示した
よう従来の方法で用いられていた複合ターゲット（モザ
イク様）をスパッタし得られた膜と同等もしくは同等以
上の結果が得られた。
スパッタ方式 ＤＣマグネトロンＳＰ
スパッタ電圧 １３５■
ガス雰囲気 ５ ｘ １０−３ＴＯＲＲＡ ｒブリス
パッタ時間 ３０分 スパッタレート １８５Ａ／分 膜厚 １８５０人 基板 ガラス 以上の実施例で示したとおり本発明で得られたターゲッ
トは従来一部研究用として用いられていた複合ターゲッ
トや金属プレート上にチップを乗せただけのターゲット
に対して膜特性は同等もしくは同等以上の結果が得られ
た。
パッタ時間 ３０分 スパッタレート １８５Ａ／分 膜厚 １８５０人 基板 ガラス 以上の実施例で示したとおり本発明で得られたターゲッ
トは従来一部研究用として用いられていた複合ターゲッ
トや金属プレート上にチップを乗せただけのターゲット
に対して膜特性は同等もしくは同等以上の結果が得られ
た。
本発明によるターゲットを用いることにより次期記録メ
ディアの本命といわれる光磁気記録用の成膜がスパッタ
リングにより容易に行なえ、更にスパッタ装置の構造を
単純化出来、かつ連続化で両面スパッタも可能な高生産
性および低コスト化が図れるものである。
ディアの本命といわれる光磁気記録用の成膜がスパッタ
リングにより容易に行なえ、更にスパッタ装置の構造を
単純化出来、かつ連続化で両面スパッタも可能な高生産
性および低コスト化が図れるものである。
表−１各工程における酸素濃度
［単位：ｗｔ％Ｊ
表−２１−ＩＩＰ成形体の密度
［単位：ｇ／ａＩ］
表−３光磁気特性の比較
Claims (2)
- （１）少なくとも一種の遷移金属とＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、
Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群よ
り選ばれた希土類金属の少なくとも一種を含み、実質的
に均一組成でほぼ理論密度に等しい合金からなる光磁気
記録用スパッタリングターゲット。 - （２）少なくとも一種の遷移金属とＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、
Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群か
ら選ばれた希土類金属の少なくとも一種とを混合して得
た混合物を真空下又はアルゴン、窒素、ヘリウムどの不
活性ガス雰囲気下で加熱溶解、鋳造し、これを急冷し、
有機溶媒中で微粉化し、得られた粉末を冷間静水圧プレ
ス（ＣＩＰ）で圧粉体とし、更にこの圧粉体を熱間静水
圧プレス（ＨＩＰ）し、実質的に均一組成で、ほぼ理論
密度に等しい合金成形体とすることを特徴とする光磁気
記録用スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380885A JPS61264533A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 光磁気記録用スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380885A JPS61264533A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 光磁気記録用スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264533A true JPS61264533A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14363696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10380885A Pending JPS61264533A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 光磁気記録用スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243268A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Seiko Epson Corp | スパツタリング・タ−ゲツト |
| JP2020502368A (ja) * | 2016-12-22 | 2020-01-23 | ポスコＰｏｓｃｏ | 多層構造のめっき鋼板及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208815A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Kyocera Corp | マグネトロンスパツタリング装置における埋め込み式複合タ−ゲツト |
| JPS60230903A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Daido Steel Co Ltd | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10380885A patent/JPS61264533A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208815A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Kyocera Corp | マグネトロンスパツタリング装置における埋め込み式複合タ−ゲツト |
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