JPS6126245A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6126245A JPS6126245A JP14900684A JP14900684A JPS6126245A JP S6126245 A JPS6126245 A JP S6126245A JP 14900684 A JP14900684 A JP 14900684A JP 14900684 A JP14900684 A JP 14900684A JP S6126245 A JPS6126245 A JP S6126245A
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- JP
- Japan
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- film
- insulating film
- conductive
- wiring
- deposition
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体基板上に下層配線と上層配線を層間
絶縁膜を挾んで形成し１層間ｉ縁層忙形成した接続用大
忙埋込んだ導電物質によシ双方の配線を接続する。半導
体装置の製造方法に関する。
絶縁膜を挾んで形成し１層間ｉ縁層忙形成した接続用大
忙埋込んだ導電物質によシ双方の配線を接続する。半導
体装置の製造方法に関する。
従来のこの種の半導体装置の製造方法は、第１図に工程
順に示す要部断直図のように形成されていた。まず、第
１図（ａ）に示すように、半導体基板（以下「基板」と
称する）（１）上に絶縁膜（２）を形成し、この上に導
電材からなる下層配線（３）を写真製版手段などにより
形成する。上記絶縁膜（２）上及び下層配線（３）上に
眉間絶縁膜（４）を形成する。
順に示す要部断直図のように形成されていた。まず、第
１図（ａ）に示すように、半導体基板（以下「基板」と
称する）（１）上に絶縁膜（２）を形成し、この上に導
電材からなる下層配線（３）を写真製版手段などにより
形成する。上記絶縁膜（２）上及び下層配線（３）上に
眉間絶縁膜（４）を形成する。
つづいて、第１図（ｂ）のように１層間絶縁膜（４）Ｋ
エツチングによシ接続用穴（４ａ）をあける。
エツチングによシ接続用穴（４ａ）をあける。
つぎに、第１図（ｃ）のように１層間絶縁膜（４）上に
上層配線（５）を形成し、接続用穴（４ａ）で上層配線
（５）材により下層配線（３）に結合接続する。
上層配線（５）を形成し、接続用穴（４ａ）で上層配線
（５）材により下層配線（３）に結合接続する。
上記従来方法では、接続用穴（４ａ）部の中央部で上層
配線（５）が深く落込み、配線膜厚さにくびれが生じ薄
くなシ、断線やエレクトロマイグレーションのおそれが
あった。
配線（５）が深く落込み、配線膜厚さにくびれが生じ薄
くなシ、断線やエレクトロマイグレーションのおそれが
あった。
この発明は１層間絶縁膜上に導電物質の付着を抑制する
抑制着膜を施し、この抑制着膜及び層間絶縁膜に接続用
穴を形成し、この状態で導電物質の堆積処理をし接続用
穴部のみを埋め、上記抑制着膜を除去し層間絶縁膜上及
び接続用穴の導電接続層上に上層配線を形成し、接続用
穴部での上層配線の落込みをなくシ、上層配線が下層配
線に確実に接続され、断線やエレクトロマイグレーショ
ンをなくした半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
抑制着膜を施し、この抑制着膜及び層間絶縁膜に接続用
穴を形成し、この状態で導電物質の堆積処理をし接続用
穴部のみを埋め、上記抑制着膜を除去し層間絶縁膜上及
び接続用穴の導電接続層上に上層配線を形成し、接続用
穴部での上層配線の落込みをなくシ、上層配線が下層配
線に確実に接続され、断線やエレクトロマイグレーショ
ンをなくした半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
この発明の一実施例による半導体装置の製造方法を、第
２図に工程順に示す要部断面図により説明する。まず、
第１図（ａ）に示すように、基板（１）上に絶縁膜（２
）を形成し、この上に導電材からなる下層配線（３）を
写真製版手段などによシ形成する。上記絶縁１１１１１
（２）上及び下層配線（３）上に層間絶縁膜（４）を
成形する。この層間絶縁膜（４）上に導電物質の付着を
抑制する抑制基膜αηを施す。
２図に工程順に示す要部断面図により説明する。まず、
第１図（ａ）に示すように、基板（１）上に絶縁膜（２
）を形成し、この上に導電材からなる下層配線（３）を
写真製版手段などによシ形成する。上記絶縁１１１１１
（２）上及び下層配線（３）上に層間絶縁膜（４）を
成形する。この層間絶縁膜（４）上に導電物質の付着を
抑制する抑制基膜αηを施す。
つづいて、第２図（ｂ）のように、抑制着膜αの及び層
間絶縁膜（４）ｋエツチングによル接続用穴（１１ａ）
及び（４ａ）を形成する。
間絶縁膜（４）ｋエツチングによル接続用穴（１１ａ）
及び（４ａ）を形成する。
ついで、第２図（Ｑ）のように、導電物質を堆積法など
によシ付着させると、抑制４＃＠（ロ）部上は付着が阻
止され、接続用穴（ｌｌａ）のみに付着して埋込まれ導
電接続層（２）が形成される。そこで、抑制基膜（ロ）
をエツチングによシ除去する。
によシ付着させると、抑制４＃＠（ロ）部上は付着が阻
止され、接続用穴（ｌｌａ）のみに付着して埋込まれ導
電接続層（２）が形成される。そこで、抑制基膜（ロ）
をエツチングによシ除去する。
つぎに、第２図（（１）のように１層間絶縁１１１［（
４）上及び導電接続層（２）上に上層配線（２）を形成
し、導電接続層（２）に接合して下層配線（３）と接続
される。
４）上及び導電接続層（２）上に上層配線（２）を形成
し、導電接続層（２）に接合して下層配線（３）と接続
される。
以上のように、この発明の方法によれば１層間絶縁膜上
に導電物質の付着を抑制する抑制ａＷｓを施し、この抑
制基膜と層間絶縁膜とに接続用穴を形成し、この状態で
導電物質の堆積処理により層間絶縁膜の接続用穴のみに
埋込み、導電接続層を形成し、上記抑制基膜を除去し層
間絶縁膜上及び導電接続層上に上層配線を形成するよう
にしたので、接続用穴部での上層配線の落込みがなくな
シ。
に導電物質の付着を抑制する抑制ａＷｓを施し、この抑
制基膜と層間絶縁膜とに接続用穴を形成し、この状態で
導電物質の堆積処理により層間絶縁膜の接続用穴のみに
埋込み、導電接続層を形成し、上記抑制基膜を除去し層
間絶縁膜上及び導電接続層上に上層配線を形成するよう
にしたので、接続用穴部での上層配線の落込みがなくな
シ。
上層配線と下層配線が確実に接続され、断線やエレクト
ロマイグレーションをなくシ、信頼性が向上される。
ロマイグレーションをなくシ、信頼性が向上される。
第１図は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す要
部断面図、第２図はこの発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を工程順に示す要部断面図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３川下層配線。 ４・・・層間絶縁膜、 ４ａ・・・接続用穴、１１・・
・抑制映。 １１ａ・・・接続用穴、１２・・・導電接続層、１３
用上層配線 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
部断面図、第２図はこの発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を工程順に示す要部断面図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３川下層配線。 ４・・・層間絶縁膜、 ４ａ・・・接続用穴、１１・・
・抑制映。 １１ａ・・・接続用穴、１２・・・導電接続層、１３
用上層配線 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に下層
配線を形成し、この下層配線及び上記絶縁膜上に層間絶
縁膜を形成し、導電物質の堆積を抑制する抑制膜を上記
層間絶縁膜上に形成し、この抑制膜及び上記層間絶縁膜
に接続用穴をエッチングにより形成し、この状態の上面
に導電物質の堆積処理を施し、上記抑制膜上を除き上記
接続用穴部のみに導電物質を埋込み導電接続層を形成し
、上記抑制膜を除去し、上記層間絶縁膜及び上記導電接
続層上に上層配線を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14900684A JPS6126245A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14900684A JPS6126245A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126245A true JPS6126245A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15465603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14900684A Pending JPS6126245A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126245A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023585A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14900684A patent/JPS6126245A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023585A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 |
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