JPS61261723A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPS61261723A JPS61261723A JP10262385A JP10262385A JPS61261723A JP S61261723 A JPS61261723 A JP S61261723A JP 10262385 A JP10262385 A JP 10262385A JP 10262385 A JP10262385 A JP 10262385A JP S61261723 A JPS61261723 A JP S61261723A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１亙芳１
本発明は、液晶表示素子や、液晶−光シヤツター等に用
いられる液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初
期配向状態を改善し、液晶層厚の均一性を高めることに
より、表示ならびに、駆動特性を改善した液晶素子に関
する。
いられる液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初
期配向状態を改善し、液晶層厚の均一性を高めることに
より、表示ならびに、駆動特性を改善した液晶素子に関
する。
１菓且遣
従来より広く用いられているＴＮ液晶素子などの双安定
性を有さない液晶素子では、時分割駆動などの場合、ク
ロス］・−り、コン］・ラスト低ドを起すなど種々の問
題が多い。このような従来型の液晶素子を改善するため
にＣ１ａｒｋ およびＬａｇｅ ｒｗａ ｌ ｌによ
り、双安定性を有する液晶素子の利用が提案された。双
安定性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメク
ティンクＣ相または他のカイラルスメクティック相が用
いられる。しかしながら従来の双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子においては、液晶分子軸が基板面に
ほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が必ずしも満
足に形成されていなかったために充分な特性が得られな
かった。このため、双安定状態間での反転閾電圧も不均
一化し、駆動特性の悪化を招く。特に、このような欠点
は、ストライプ状電極を用いて７トリクス駆動を行う際
に顕著に認められた。
性を有さない液晶素子では、時分割駆動などの場合、ク
ロス］・−り、コン］・ラスト低ドを起すなど種々の問
題が多い。このような従来型の液晶素子を改善するため
にＣ１ａｒｋ およびＬａｇｅ ｒｗａ ｌ ｌによ
り、双安定性を有する液晶素子の利用が提案された。双
安定性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメク
ティンクＣ相または他のカイラルスメクティック相が用
いられる。しかしながら従来の双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子においては、液晶分子軸が基板面に
ほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が必ずしも満
足に形成されていなかったために充分な特性が得られな
かった。このため、双安定状態間での反転閾電圧も不均
一化し、駆動特性の悪化を招く。特に、このような欠点
は、ストライプ状電極を用いて７トリクス駆動を行う際
に顕著に認められた。
発」Ｌム」［酌
本発明の主要な目的は、高密度のストライプ状′市極を
用いてマトリクス駆動を行なう際にも、均−なモノドメ
インが形成され、また反転閾電圧の］゛・ 不均一
性を除去した強誘電型液晶素子を提供することにある。
用いてマトリクス駆動を行なう際にも、均−なモノドメ
インが形成され、また反転閾電圧の］゛・ 不均一
性を除去した強誘電型液晶素子を提供することにある。
゛・ｊ′・□ 一
本発明者らが、上述の目的で研究した結果、ス、・、
ドライブ状電極を高密度で配列する場合には、スト
ライプ状電極を覆って絶縁膜を形成した場合にも、基板
の液晶接触面に凹凸が残存し、これが均一なモノドメイ
ンの形成ならびに反転閾電圧の均。７ｊ１． −化１
°ｆ１°゛６Ｍ１−ｃ＄＋６＝ｋｈ＜ＪｌｉＳｈｔ＝。
ドライブ状電極を高密度で配列する場合には、スト
ライプ状電極を覆って絶縁膜を形成した場合にも、基板
の液晶接触面に凹凸が残存し、これが均一なモノドメイ
ンの形成ならびに反転閾電圧の均。７ｊ１． −化１
°ｆ１°゛６Ｍ１−ｃ＄＋６＝ｋｈ＜ＪｌｉＳｈｔ＝。
そして、このような基板の液晶接触面の凹凸は、・″
液晶層厚設定に用いるスペーサの配置を適当に設、
′ 、・、１ 定することにより、解決できることを知見
して本′： １ 発明を完成した。
液晶層厚設定に用いるスペーサの配置を適当に設、
′ 、・、１ 定することにより、解決できることを知見
して本′： １ 発明を完成した。
７ ′“＊３“°″′＆８″″”′−４°、＆＆ＩＩ
Ｊ］・、、！□ ｔ：＊ａｔ＊ｔａｅ＊ｔ＊°１４１０
“°゛８°゛１゛） 該一対の基板の″′少″＜２も
一方０基板１°′パ″１ 複数のストライプ状透明電
極、該透明電極を覆う”、、、ｊ え、わ−、−一い
□。−オ６Ｚ１５４ｉあ１゛冬 透明電極間の間隙
を覆う形態で設けた液晶層厚を設定するスペーサを順次
に設けてなることを特徴とするものである。
Ｊ］・、、！□ ｔ：＊ａｔ＊ｔａｅ＊ｔ＊°１４１０
“°゛８°゛１゛） 該一対の基板の″′少″＜２も
一方０基板１°′パ″１ 複数のストライプ状透明電
極、該透明電極を覆う”、、、ｊ え、わ−、−一い
□。−オ６Ｚ１５４ｉあ１゛冬 透明電極間の間隙
を覆う形態で設けた液晶層厚を設定するスペーサを順次
に設けてなることを特徴とするものである。
の ≠
以下、本発明の解決すべき問題点をより具体的に説明す
るとともに、本発明の構成について説明する。
るとともに、本発明の構成について説明する。
第１図は、高密度に配設したストライプ状電極を有する
強誘電性液晶素子の部分拡大断面図であり、第２図はこ
のような強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の顕微鏡
視野の模式図である。
強誘電性液晶素子の部分拡大断面図であり、第２図はこ
のような強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の顕微鏡
視野の模式図である。
すなわち、第１図に示す強誘電性液晶素子ｌＯは、一対
の平行基板１１と１２を有しており、基板１１と１２に
はそれぞれマトリクス電極構造をなすストライプ状の電
極線１３と１４が設けられている。このストライプ状の
電極線１３と１４は、一般にＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）などの透明導電膜によって形成
されているが、例えば電極線を１６ｐｅｌ（１６本／
ｍ ｍ ）程度の高密度で配線する場合では、電極線の
線幅が極端に細くなって高抵抗となるため、通常の電卓
やウォッチなどで使用されているセグメント電極に較べ
肉厚にすること、具体的には１０００人〜３０００人程
度とすることが、低抵抗化する上で必要となっている。
の平行基板１１と１２を有しており、基板１１と１２に
はそれぞれマトリクス電極構造をなすストライプ状の電
極線１３と１４が設けられている。このストライプ状の
電極線１３と１４は、一般にＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）などの透明導電膜によって形成
されているが、例えば電極線を１６ｐｅｌ（１６本／
ｍ ｍ ）程度の高密度で配線する場合では、電極線の
線幅が極端に細くなって高抵抗となるため、通常の電卓
やウォッチなどで使用されているセグメント電極に較べ
肉厚にすること、具体的には１０００人〜３０００人程
度とすることが、低抵抗化する上で必要となっている。
このような高密度画素の液晶素子では、基板の面と電極
の面との間に電極の膜厚分（１０、、） ００人〜
３０００人）の段差Ａが形成され、その□ 上にそれ
ぞれ厚さが１０００人程度０絶縁膜（兼゛１′）１′ パ 配向制御膜）１５と１６を設けると、この配向
制柁］ −）、 御膜にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂ
が電極：１１゛ □１ のほぼ膜厚分で生ずる。
の面との間に電極の膜厚分（１０、、） ００人〜
３０００人）の段差Ａが形成され、その□ 上にそれ
ぞれ厚さが１０００人程度０絶縁膜（兼゛１′）１′ パ 配向制御膜）１５と１６を設けると、この配向
制柁］ −）、 御膜にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂ
が電極：１１゛ □１ のほぼ膜厚分で生ずる。
；々 −１
コ このような基板の液晶面の形成する段差は、
液ｉｔ 、１ （，９，５１１晶層厚がｌＯ給程度のＴＮ型液晶におい
ては、特′、パブ１．３□ｋｆｔｆ’ｙｔｔ。、７２、
オッ、。−６−イ、□□ ｉ ましく用いられる液晶素子は双安定性を発現させ
１ るために、液晶層厚を十分に薄＜（１０ｐ−以下
、好ましくは５ｇｍ以下）する必要があるため特に問題
となる。すなわち、本発明で使用する強誘電性液晶とし
ては、一般にカイラルスメクチッ： り０層または他
のカイラルスメクチック層の液晶゛１・ ′□ が用いられるが、これらカイラルスメクチック
液晶が、双安定性を効果的に発現させるためには、電界
の非印加時においても非らせん構造をとり、その双極子
モーメントが上または下向きに配向した双安定状態を形
成するために層厚が充分薄い必要があるからである。こ
のような薄い強誘電液晶層に対して、基板の液晶との接
触面に１０００人あるいはそれ以上の段差Ｂがあると、
降温過程を利用して配向制御を行なう詩、上述の段差Ｂ
が原因となって、その段差Ｂを堺にして強誘電性液晶１
７に配向欠陥を生じることになる。
液ｉｔ 、１ （，９，５１１晶層厚がｌＯ給程度のＴＮ型液晶におい
ては、特′、パブ１．３□ｋｆｔｆ’ｙｔｔ。、７２、
オッ、。−６−イ、□□ ｉ ましく用いられる液晶素子は双安定性を発現させ
１ るために、液晶層厚を十分に薄＜（１０ｐ−以下
、好ましくは５ｇｍ以下）する必要があるため特に問題
となる。すなわち、本発明で使用する強誘電性液晶とし
ては、一般にカイラルスメクチッ： り０層または他
のカイラルスメクチック層の液晶゛１・ ′□ が用いられるが、これらカイラルスメクチック
液晶が、双安定性を効果的に発現させるためには、電界
の非印加時においても非らせん構造をとり、その双極子
モーメントが上または下向きに配向した双安定状態を形
成するために層厚が充分薄い必要があるからである。こ
のような薄い強誘電液晶層に対して、基板の液晶との接
触面に１０００人あるいはそれ以上の段差Ｂがあると、
降温過程を利用して配向制御を行なう詩、上述の段差Ｂ
が原因となって、その段差Ｂを堺にして強誘電性液晶１
７に配向欠陥を生じることになる。
第２図は、後述の比較例で示す強誘電性液晶素子をクロ
スニコルの偏光顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中
の白線２１は液晶素子に使用したスペーサ（第１図の１
８）のラインに対応し、線２２は第１図の基板１１上の
段差Ｂに、線２３は第１図の基板１２上の段差Ｂに対応
して観察されている。また、図中の部分２４は対向電極
間に挾まれた強誘電性液晶である。偏光顕微鏡中に多数
現出した刃状線２５は、強誘電性液晶の配向欠陥を表わ
している。
スニコルの偏光顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中
の白線２１は液晶素子に使用したスペーサ（第１図の１
８）のラインに対応し、線２２は第１図の基板１１上の
段差Ｂに、線２３は第１図の基板１２上の段差Ｂに対応
して観察されている。また、図中の部分２４は対向電極
間に挾まれた強誘電性液晶である。偏光顕微鏡中に多数
現出した刃状線２５は、強誘電性液晶の配向欠陥を表わ
している。
この様に強誘電性液晶の接する面で１０００Å以上の段
差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘電
性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘電
性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
本発明の液晶素子は、上述の問題点を、液晶層厚を設定
するスペーサの配置を適当に設定することにより解決せ
んとするものであり、第３図にその一実施例３０の厚さ
方向断面図を示す。
するスペーサの配置を適当に設定することにより解決せ
んとするものであり、第３図にその一実施例３０の厚さ
方向断面図を示す。
第３図を参照して、カラス、プラスチック等からなる一
対の平行な透明基板１１および１２の一方の基板１１上
に、ＩＴＯ（インジウム−すず−オキサイド）、Ｓ ｎ
０２ 、Ｉ ｎ２０３等からなり、幅が１００〜１００
０ ｇ ｍ、厚さが５００〜３０００人程度のストライ
プ状透明電極３３を、ｌＯ〜ｌｏＯｐｍ程度の間隔（Ｇ
）で設け、この上に厚さが５００〜３０００人程度のポ
リイミド、ポリビニルアルコール等からなる絶縁膜３５
を設け、更に」１記ストライプ状電極３３の間隙を覆う
形態でストライプ状のスペーサ３８を形成する。
対の平行な透明基板１１および１２の一方の基板１１上
に、ＩＴＯ（インジウム−すず−オキサイド）、Ｓ ｎ
０２ 、Ｉ ｎ２０３等からなり、幅が１００〜１００
０ ｇ ｍ、厚さが５００〜３０００人程度のストライ
プ状透明電極３３を、ｌＯ〜ｌｏＯｐｍ程度の間隔（Ｇ
）で設け、この上に厚さが５００〜３０００人程度のポ
リイミド、ポリビニルアルコール等からなる絶縁膜３５
を設け、更に」１記ストライプ状電極３３の間隙を覆う
形態でストライプ状のスペーサ３８を形成する。
一般に、絶縁膜３８に生ずる四部は、ス］・ライブ状電
極３３間の間隔よりも内側に生成するので、スペーサ３
８のＩｌｌ Ｄは、電極間間隔Ｇと同等であればよいが
、好ましくは、これより若干大きめ（例えばＤ＝ １．
２Ｇ〜１．５Ｇ）とする。
極３３間の間隔よりも内側に生成するので、スペーサ３
８のＩｌｌ Ｄは、電極間間隔Ｇと同等であればよいが
、好ましくは、これより若干大きめ（例えばＤ＝ １．
２Ｇ〜１．５Ｇ）とする。
また他方の透明基板１２１：にも、」二記と同様に、ス
トライプ状透明電極３４および絶縁膜３６を設け、この
透明電極３４間の間隙を覆う形態でスペーサ（図示せず
）を設けである。次いで、これらストライプ状電極３３
および３４を有する基板１１および１２のいずれか一方
あるいは双方について、必要に応じてラビング等による
配向処理を施したのち、両電極が直交する形態で５両基
板を対向させ、周辺をエポギシ樹脂等の接着剤（図示せ
ず）で固定して、形成されたセル空間中に、等吉相まで
加熱した液晶３７を注入し、注入孔を封孔した後、セル
全体を液晶が等吉相を呈する温度からスメチック相形成
温度まで冷却することにより、本発明の液晶素子３０が
得られる。
トライプ状透明電極３４および絶縁膜３６を設け、この
透明電極３４間の間隙を覆う形態でスペーサ（図示せず
）を設けである。次いで、これらストライプ状電極３３
および３４を有する基板１１および１２のいずれか一方
あるいは双方について、必要に応じてラビング等による
配向処理を施したのち、両電極が直交する形態で５両基
板を対向させ、周辺をエポギシ樹脂等の接着剤（図示せ
ず）で固定して、形成されたセル空間中に、等吉相まで
加熱した液晶３７を注入し、注入孔を封孔した後、セル
全体を液晶が等吉相を呈する温度からスメチック相形成
温度まで冷却することにより、本発明の液晶素子３０が
得られる。
」肚五文１
１−記のような構成を採ることにより、絶縁膜３５（あ
るいは更に３６）の形成後にストライプ状電極３３に起
因する段差Ｂが残存する場合にも、この段差Ｂを覆って
、スペーサ３８が形成されるので、絶縁膜３５の液晶接
触面は平坦になり、基板上の液晶接触面における段差に
基づく、配向欠陥か防止される。このため、高密度のス
トライプ状電極を用いて強誘電性液晶のマトリクス駆動
を行なう際に、均一なモノドメインが形成され、反転閾
値電圧の均一な強誘電液晶素子が得られる。
るいは更に３６）の形成後にストライプ状電極３３に起
因する段差Ｂが残存する場合にも、この段差Ｂを覆って
、スペーサ３８が形成されるので、絶縁膜３５の液晶接
触面は平坦になり、基板上の液晶接触面における段差に
基づく、配向欠陥か防止される。このため、高密度のス
トライプ状電極を用いて強誘電性液晶のマトリクス駆動
を行なう際に、均一なモノドメインが形成され、反転閾
値電圧の均一な強誘電液晶素子が得られる。
なお、」−記においては絶縁膜とスペーサをいずれもポ
リイミド等の樹脂により形成する態様について説明した
が、絶縁膜をＳｉＯ斜方蒸着により形成し、次いでポリ
イミド等のスペーサを形成する態様；あるいはポリイミ
ド絶縁層を形成後、５ｉ０２スペーサを形成する態様も
可能であり。
リイミド等の樹脂により形成する態様について説明した
が、絶縁膜をＳｉＯ斜方蒸着により形成し、次いでポリ
イミド等のスペーサを形成する態様；あるいはポリイミ
ド絶縁層を形成後、５ｉ０２スペーサを形成する態様も
可能であり。
いずれもストライプ状電極間隙を覆う形態でスペーサを
形成することにより、所定の効果が得られる。
形成することにより、所定の効果が得られる。
以下実施例に従い本発明を更に具体的に説明する。
災ｊ１例
第３図の如き液晶素子を形成した。
すなわち、ピッチ２００にで幅１３５ｇｍ、厚さ１２０
０人のス］・ライブ状のＩＴＯ膜３３を電極として３０
ＪＬｍの間隔で設けたガラス基板１−にポリイミド形成
溶液（日立化成工業（株）製）のｒＰＩＱＪｉ不揮発分
濃度１４．５ｗｔ％）をスピナー塗布機で１０００人の
膜厚に塗布し、１２０°Ｃで３０分、２００°Ｃで６０
分、そして３５０°Ｃで３０分間加熱を行ない、絶縁膜
３６を形成した。
０人のス］・ライブ状のＩＴＯ膜３３を電極として３０
ＪＬｍの間隔で設けたガラス基板１−にポリイミド形成
溶液（日立化成工業（株）製）のｒＰＩＱＪｉ不揮発分
濃度１４．５ｗｔ％）をスピナー塗布機で１０００人の
膜厚に塗布し、１２０°Ｃで３０分、２００°Ｃで６０
分、そして３５０°Ｃで３０分間加熱を行ない、絶縁膜
３６を形成した。
次いで、」二記の方法と同様にポリイミド形成溶液を塗
布し、その上層にフォトレジスト剤を塗布して、パター
ン露光を行ないエンチングすることにより、絶縁膜上の
上記電極間隔の位置にｉ］ ５０ル、高さｌｐのポリイ
ミド・スペーサーを形成した。
布し、その上層にフォトレジスト剤を塗布して、パター
ン露光を行ないエンチングすることにより、絶縁膜上の
上記電極間隔の位置にｉ］ ５０ル、高さｌｐのポリイ
ミド・スペーサーを形成した。
また対向基板１２Ｆに、以−■、と同様の操作によ６斥
リＩＴＯストライプ電極３４および絶縁層３６
を□゛形成た。内基板にう□ピング処理した後、ストラ
、 □ １．′□′、 イブ状ＩＴ’Ｏ透明電極が直交するよ
うにセル組し、；□、、、、 ｉ。Ｃ（７） −１！
Ａｚ ｋ４ Ｄ ＯＢ Ａ Ｍ Ｂ Ｃ（７” ’ｙ
Ｏ＋ ’ｙ ＜ ｙジリデン−ｐ′−アミノ−２−メ
チルブチルシンナメート）を等吉相を示す１３０℃まで
昇温して充填し、１時間に０ 、５ ’０の速度で降温
すること、２ により徐冷してＳｍＣ”を与える温
度範囲に設定、１ す６０と°″り本発明の液晶ｉ″
を得１・゛ ル１１１」 置 上記実施例において、ＩＴＯ電極間隙を５０
終−ｍとし、ポリイミド絶縁膜を形成した後、電極間ハ
１ 、・ 隙に位置する形態で巾３０ＩＬｍ、高さＩｇの
ポリイミドスペーサを形成した以外は同様にして液晶セ
ルを形成した。
リＩＴＯストライプ電極３４および絶縁層３６
を□゛形成た。内基板にう□ピング処理した後、ストラ
、 □ １．′□′、 イブ状ＩＴ’Ｏ透明電極が直交するよ
うにセル組し、；□、、、、 ｉ。Ｃ（７） −１！
Ａｚ ｋ４ Ｄ ＯＢ Ａ Ｍ Ｂ Ｃ（７” ’ｙ
Ｏ＋ ’ｙ ＜ ｙジリデン−ｐ′−アミノ−２−メ
チルブチルシンナメート）を等吉相を示す１３０℃まで
昇温して充填し、１時間に０ 、５ ’０の速度で降温
すること、２ により徐冷してＳｍＣ”を与える温
度範囲に設定、１ す６０と°″り本発明の液晶ｉ″
を得１・゛ ル１１１」 置 上記実施例において、ＩＴＯ電極間隙を５０
終−ｍとし、ポリイミド絶縁膜を形成した後、電極間ハ
１ 、・ 隙に位置する形態で巾３０ＩＬｍ、高さＩｇの
ポリイミドスペーサを形成した以外は同様にして液晶セ
ルを形成した。
Ｌ較１」
上記比較例１において、ポリイミドスペーサと絶縁膜と
の形成順序を逆にする以外は同様にして、液晶セルを形
成した。
の形成順序を逆にする以外は同様にして、液晶セルを形
成した。
、１
．１１１
上記で得られた実施例および比較例による液晶−ｔ＝’
Ｊｌｚ ヲ、一対ノクロスニコルとした偏光板に挾持
して顕微鏡観察したところ、゛実施例によるセルは、絶
縁層膜厚の不均一性が小さくすなわち、液晶層厚の不均
一性が小さいため、゛液晶のモノドメイシ性がよく、比
較例に比して欠陥が格段に少なかった。なお、スペーサ
まで形成した基板について膜厚測定計により、絶縁層面
の不均一性を計測した結果は、実施例においては±２０
０人の不均一性が認められたが、これに比して比較例は
±７００人であり、スペーサー近傍で顕著であった。
Ｊｌｚ ヲ、一対ノクロスニコルとした偏光板に挾持
して顕微鏡観察したところ、゛実施例によるセルは、絶
縁層膜厚の不均一性が小さくすなわち、液晶層厚の不均
一性が小さいため、゛液晶のモノドメイシ性がよく、比
較例に比して欠陥が格段に少なかった。なお、スペーサ
まで形成した基板について膜厚測定計により、絶縁層面
の不均一性を計測した結果は、実施例においては±２０
０人の不均一性が認められたが、これに比して比較例は
±７００人であり、スペーサー近傍で顕著であった。
また、液晶を反転させる閾電圧は、本発明の液晶素子で
は一部反転電圧と全部反転電圧の差が小さく、従って閾
電圧が広い面積で一様なものが得られた。
は一部反転電圧と全部反転電圧の差が小さく、従って閾
電圧が広い面積で一様なものが得られた。
第１図および第３図は、それぞれ比較例１および実施例
にかかる液晶素子の厚さ方向部分断面図、第２図は第１
図の素子について偏光顕微鏡観察により認められた配向
欠陥を示すスオツチである。 ５、ｌ １０．３０・・・液晶セル、１１．１２
・・・透明基板、 ゛１３．１４．３３．３
４・舎・透明電極、１５．１６．３５．３６・・舎絶縁
膜、厘 １７・・・強誘電性液晶、 １８．３８・・・スペーサ。 ：１ 仁り屋上１１１
にかかる液晶素子の厚さ方向部分断面図、第２図は第１
図の素子について偏光顕微鏡観察により認められた配向
欠陥を示すスオツチである。 ５、ｌ １０．３０・・・液晶セル、１１．１２
・・・透明基板、 ゛１３．１４．３３．３
４・舎・透明電極、１５．１６．３５．３６・・舎絶縁
膜、厘 １７・・・強誘電性液晶、 １８．３８・・・スペーサ。 ：１ 仁り屋上１１１
Claims (1)
- 一対の基板間に強誘電液晶を挾持してなる液晶素子にお
いて、該一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、
複数のストライプ状透明電極、該透明電極を覆う絶縁層
および該絶縁層上の隣接するストライプ状透明電極間の
間隙を覆う形態で設けた液晶層厚を設定するスペーサを
順次に設けてなることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262385A JPH0679121B2 (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 液晶素子 |
| US06/862,978 US4775225A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-14 | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262385A JPH0679121B2 (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261723A true JPS61261723A (ja) | 1986-11-19 |
| JPH0679121B2 JPH0679121B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=14332368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262385A Expired - Lifetime JPH0679121B2 (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679121B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466287B1 (en) | 1999-06-29 | 2002-10-15 | Hyundai Display Technology Inc. | Method for forming a reflector of a reflective crystal display |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP10262385A patent/JPH0679121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466287B1 (en) | 1999-06-29 | 2002-10-15 | Hyundai Display Technology Inc. | Method for forming a reflector of a reflective crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0679121B2 (ja) | 1994-10-05 |
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