JPS61260671A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
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- JPS61260671A JPS61260671A JP60101266A JP10126685A JPS61260671A JP S61260671 A JPS61260671 A JP S61260671A JP 60101266 A JP60101266 A JP 60101266A JP 10126685 A JP10126685 A JP 10126685A JP S61260671 A JPS61260671 A JP S61260671A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は密着形イメージセンサに係り、特に小形のセン
サ基板を構成するに好適な端子の引出し法を用いた密着
形イメージセンサに関する。
サ基板を構成するに好適な端子の引出し法を用いた密着
形イメージセンサに関する。
従来の密着形イメージセンサの電極端子の引出し方法に
ついては、例えば特開昭５９−４０５６８号公報や特開
昭５９−４５５６９号公報などに記載のように、センサ
基板のパターン配置が例示されているが、基板の両側へ
の引出し方法が一般であって片側への引出し方法につい
ては考慮されていない。このため両側への引出し方法に
よるセンナ基板が大形になるなどの問題点がある。
ついては、例えば特開昭５９−４０５６８号公報や特開
昭５９−４５５６９号公報などに記載のように、センサ
基板のパターン配置が例示されているが、基板の両側へ
の引出し方法が一般であって片側への引出し方法につい
ては考慮されていない。このため両側への引出し方法に
よるセンナ基板が大形になるなどの問題点がある。
本発明はセンサ基板の小形化などに好適な電極端子を基
板の片側へ取り出すパターン構成の密着形イメージセン
サを提供するにある。
板の片側へ取り出すパターン構成の密着形イメージセン
サを提供するにある。
本発明は、基板上に駆動用回路素子を搭載した密着形イ
メージセンサにおいて、光電変換素子をなすａ−８ｔ（
アモルファスシリコン）膜等を基板の一方の側に主走査
方向に帯状に配置し、その一方の側に共通線パターンを
配置できるが、その共通端子を取り出す方法として上記
ａ−８ｉ膜等の上に帯状に主走査方向に配置した透明導
電膜の１個所以上を駆動回路素子側の副走査方向に突出
して延在させ、この突出部より副走査方向に上記駆動回
路素子の駆動線パターンと同一方向に上記共通線パター
ンの共通端子を基板の他方の側まで取り出すようにして
、駆動用端子および共通端子を基板の片側に配置してな
る密着形イメージセンサである。
メージセンサにおいて、光電変換素子をなすａ−８ｔ（
アモルファスシリコン）膜等を基板の一方の側に主走査
方向に帯状に配置し、その一方の側に共通線パターンを
配置できるが、その共通端子を取り出す方法として上記
ａ−８ｉ膜等の上に帯状に主走査方向に配置した透明導
電膜の１個所以上を駆動回路素子側の副走査方向に突出
して延在させ、この突出部より副走査方向に上記駆動回
路素子の駆動線パターンと同一方向に上記共通線パター
ンの共通端子を基板の他方の側まで取り出すようにして
、駆動用端子および共通端子を基板の片側に配置してな
る密着形イメージセンサである。
以下に本発明の一実施例を図面により説明する０
まず、第２図（ａ）は本発明による密着形イメージセン
サの一実施例の対象とする密着形イメージセンサの回路
構成を例示するブロック図である。第２図（ａ）におい
て、１はセンサ基板、２は光電変換素子（群）をなすア
モルファスシリコンａ−８ｉダイオード（群）、３は駆
動用回路素子（群）、４は接続線パターン、５は共通端
子、６は回路駆動用端子（群）である。センサ基板１上
に光電変換素子をなすａ−８ｉダイオード２が主走査方
向に配列され、そのａ−８ｉダイオード２を駆動してａ
・Ｓｉダイオード２からの信号を接続線パターン４を介
し出力電圧として取り出す駆動用回路素子３が搭載され
る。このセンサ基板１からの接続線の引出し端子は共通
電極の共通端子５および回路の駆動用端子（群）６から
なる。これらの各素子が主走査方向に連続的に配置され
る。
サの一実施例の対象とする密着形イメージセンサの回路
構成を例示するブロック図である。第２図（ａ）におい
て、１はセンサ基板、２は光電変換素子（群）をなすア
モルファスシリコンａ−８ｉダイオード（群）、３は駆
動用回路素子（群）、４は接続線パターン、５は共通端
子、６は回路駆動用端子（群）である。センサ基板１上
に光電変換素子をなすａ−８ｉダイオード２が主走査方
向に配列され、そのａ−８ｉダイオード２を駆動してａ
・Ｓｉダイオード２からの信号を接続線パターン４を介
し出力電圧として取り出す駆動用回路素子３が搭載され
る。このセンサ基板１からの接続線の引出し端子は共通
電極の共通端子５および回路の駆動用端子（群）６から
なる。これらの各素子が主走査方向に連続的に配置され
る。
第２図（ｂ） 、 （ｃ）は第２図（ａ）の回路構成を
実際のセンサ基板上にレイアウトして光電変換素子のａ
−８ｔダイオード２および接続線パターン４を形成し駆
動用回路素子５を組み立てた状態を例示する従来の密着
形イメージセンサのパターン構成断面図、およびパター
ン配置平面図である。
実際のセンサ基板上にレイアウトして光電変換素子のａ
−８ｔダイオード２および接続線パターン４を形成し駆
動用回路素子５を組み立てた状態を例示する従来の密着
形イメージセンサのパターン構成断面図、およびパター
ン配置平面図である。
第２図（ｂ）、（ｃ）において、第２図（ａ）ほか各図
面を通じて同一符号は同一または相当部分を示すものと
し、２１は光電変換素子のａ−８ｉダイオード２のａ・
Ｓｉ膜、２２Ｖｉａ−８ｉダイオード２の上部電極をな
すＩＴＯ等の透明導電膜、４１けａ・Ｓｉダイオード２
の下部電極および接続線パターン４をなす下層の第１の
金属膜（パターン）、４２は接続線パターン４をなす下
層の第２の金属膜・ ５ ・ （パターン）、７は保護膜である。この密着形イメージ
センサは例えば次のプロセスで製造できる。まず、ガラ
ス基板１上ｌこａ・Ｓｉダイオード２の下部電極および
接続線パターン４をなすクロム等の下層の第１の金属膜
（パターン）４１と端子５，６および駆動用回路素子５
の接続線パターン４をなす金等の下層の第２の金属膜（
パターン）４２を形成する。次に光電変換材料であるａ
・Ｓｔ膜２１を形成し、次いで光電変換素子のａ−８ｉ
ダイオード２の上部電極をなすＩＴＯ等の透明導電膜２
２を形成し、さらにａ−８１膜を保護する保護膜７を形
成する。最後に駆動用回路素子３を搭載し、ワイヤボン
ディング等により接続線パターン４をなす下層の第２の
金属膜（パターン）４２に接続してセンサ基板が完成す
る０ 第２図（ｂ）、（ｃ）の従来のセンサにおいては、共通
電極の共通端子５は回路駆動用端子（群）６が形成され
る基板１の一方の側とは反対側に存在する状態で外部に
引き出されている。このよう、 ４ 。
面を通じて同一符号は同一または相当部分を示すものと
し、２１は光電変換素子のａ−８ｉダイオード２のａ・
Ｓｉ膜、２２Ｖｉａ−８ｉダイオード２の上部電極をな
すＩＴＯ等の透明導電膜、４１けａ・Ｓｉダイオード２
の下部電極および接続線パターン４をなす下層の第１の
金属膜（パターン）、４２は接続線パターン４をなす下
層の第２の金属膜・ ５ ・ （パターン）、７は保護膜である。この密着形イメージ
センサは例えば次のプロセスで製造できる。まず、ガラ
ス基板１上ｌこａ・Ｓｉダイオード２の下部電極および
接続線パターン４をなすクロム等の下層の第１の金属膜
（パターン）４１と端子５，６および駆動用回路素子５
の接続線パターン４をなす金等の下層の第２の金属膜（
パターン）４２を形成する。次に光電変換材料であるａ
・Ｓｔ膜２１を形成し、次いで光電変換素子のａ−８ｉ
ダイオード２の上部電極をなすＩＴＯ等の透明導電膜２
２を形成し、さらにａ−８１膜を保護する保護膜７を形
成する。最後に駆動用回路素子３を搭載し、ワイヤボン
ディング等により接続線パターン４をなす下層の第２の
金属膜（パターン）４２に接続してセンサ基板が完成す
る０ 第２図（ｂ）、（ｃ）の従来のセンサにおいては、共通
電極の共通端子５は回路駆動用端子（群）６が形成され
る基板１の一方の側とは反対側に存在する状態で外部に
引き出されている。このよう、 ４ 。
な状態で共通端子５を引き出すために図示のように第２
の金ｊｊｉ 膜４２の配置により基板寸法が大きくなり
、また最終的な組立てにおいて基板１の２辺から端子（
群）を取り出す必要がある。特に例えばＡ−Ａ線で切断
して基板を複数個接続することにより高歩留りのセンサ
基板１を得ようとする場合には、各々の基板から共進電
極の共通端子５を取り出す必要が生じて実装構成が複雑
になる。さらに第２図（ｂ）、（ｃ）のパターンを構成
するためには共通端子５の材質によりａ−８ｉ腺２１の
特性を劣化させる恐れがあり、両者の距離を十分能して
配置する必要があるため、基板１の寸法をさらに増大さ
せて製造価格も増大させる問題点がある。本発明はこの
問題点を解決するために電極端子を基板の片側へ取り出
すパターン構成のセンサを提供する。
の金ｊｊｉ 膜４２の配置により基板寸法が大きくなり
、また最終的な組立てにおいて基板１の２辺から端子（
群）を取り出す必要がある。特に例えばＡ−Ａ線で切断
して基板を複数個接続することにより高歩留りのセンサ
基板１を得ようとする場合には、各々の基板から共進電
極の共通端子５を取り出す必要が生じて実装構成が複雑
になる。さらに第２図（ｂ）、（ｃ）のパターンを構成
するためには共通端子５の材質によりａ−８ｉ腺２１の
特性を劣化させる恐れがあり、両者の距離を十分能して
配置する必要があるため、基板１の寸法をさらに増大さ
せて製造価格も増大させる問題点がある。本発明はこの
問題点を解決するために電極端子を基板の片側へ取り出
すパターン構成のセンサを提供する。
つぎに第１図は本発明による密着形イメージセンサの一
実施例を示すパターン配置平面図である。第１図におい
て、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）と同一符号
は同一または相当部分を示し、８は本発明による透明導
電膜２２の突出部である。このセンサの製造プロセスは
従来の第２図（ｂ） 、 （ｅ）の上記プロセスと同様
である。第１図において、基板１上に複数個の光電変換
素子のａ−８ｉダイオード２を主走査方向に配列し、そ
のａ−８ｉダイオード２からの電気信号を取り出す駆動
用回路素子３を搭載した密着形イメージセンサにあって
、光電変換素子のａ・Ｓｉダイオード２をなすａ−８ｉ
膜２１を基板１の一方の側に帯状に配置し、その一方の
端部に下層の第１の金属膜（パターン）４１ａからなる
共通電極を配置する。一方のａ−８ｉダイオード２の下
部電極をなす下層の第１の金属膜４１ｂと駆動用回路素
子６の接続線パターンおよび駆動用回路素子６から回路
駆動用端子６への接続線パターン４をなす下ノーの第１
の金属膜４１ｂおよび第２の金属膜（パターン）４２ｂ
とは副走査方向に並行して基板１の他方の側まで延びて
いる。さらにａ−８ｉ膜２２上にはａ−８ｉダイオード
２の上部電極をなす透明導電膜２２を主走査方向の一端
から他端まで帯状に形成して、共通電極をなす第１の金
属膜４１ａと電気的に接続する。またこの帯状の透明溝
１！膜２２は１箇所以上で副走査方向に駆動用回路素子
３の配置側へ延在させて透明導電膜２２の突出部８を形
成し、この突出部８と電気的に接続した下層の第１の金
属膜および第２の金属膜４２ａからなる共通電極４１ａ
の接続線パターンを駆動用回路素子５の第２の金属膜４
２ｂの接続線（駆動線）パターンと同一の副走査方向に
基板１の他方側の端部まで導くことにより、共通電極の
共通端子５を回路駆動用端子（群）６と基板１の同一方
向に取り出すことができる。
実施例を示すパターン配置平面図である。第１図におい
て、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）と同一符号
は同一または相当部分を示し、８は本発明による透明導
電膜２２の突出部である。このセンサの製造プロセスは
従来の第２図（ｂ） 、 （ｅ）の上記プロセスと同様
である。第１図において、基板１上に複数個の光電変換
素子のａ−８ｉダイオード２を主走査方向に配列し、そ
のａ−８ｉダイオード２からの電気信号を取り出す駆動
用回路素子３を搭載した密着形イメージセンサにあって
、光電変換素子のａ・Ｓｉダイオード２をなすａ−８ｉ
膜２１を基板１の一方の側に帯状に配置し、その一方の
端部に下層の第１の金属膜（パターン）４１ａからなる
共通電極を配置する。一方のａ−８ｉダイオード２の下
部電極をなす下層の第１の金属膜４１ｂと駆動用回路素
子６の接続線パターンおよび駆動用回路素子６から回路
駆動用端子６への接続線パターン４をなす下ノーの第１
の金属膜４１ｂおよび第２の金属膜（パターン）４２ｂ
とは副走査方向に並行して基板１の他方の側まで延びて
いる。さらにａ−８ｉ膜２２上にはａ−８ｉダイオード
２の上部電極をなす透明導電膜２２を主走査方向の一端
から他端まで帯状に形成して、共通電極をなす第１の金
属膜４１ａと電気的に接続する。またこの帯状の透明溝
１！膜２２は１箇所以上で副走査方向に駆動用回路素子
３の配置側へ延在させて透明導電膜２２の突出部８を形
成し、この突出部８と電気的に接続した下層の第１の金
属膜および第２の金属膜４２ａからなる共通電極４１ａ
の接続線パターンを駆動用回路素子５の第２の金属膜４
２ｂの接続線（駆動線）パターンと同一の副走査方向に
基板１の他方側の端部まで導くことにより、共通電極の
共通端子５を回路駆動用端子（群）６と基板１の同一方
向に取り出すことができる。
このようなパターン構成により、従来の第２図（ｂ）、
（ｅ）に存在した共通電極の第２の金属膜４２は不必要
となるので、基板１の寸法が大幅に減少する。さらに第
１図のＡ−Ａ線で基板１を切断して、そのセンサ基板を
複数個接続してセンサを構成する場合にも、各々の基板
から共通端子５を別に取り出す必要がなく、回路駆動用
端子（群）６とともに外部回路に接続できる。また・
Ｉ ・ 透明導電膜２２の突出部８は１箇所に限らず複数個所に
形成して端子を取り出すことが可能であり、特性に与え
る影響はない。また突出部８を配置するためには、第１
の金属膜４１ｂの配置をわずかにずらすだけで広い面積
で第１の金属膜４１ｂと電気的に接続できる。さらに光
電変換素子のａ−８ｔ膜２１を保護する保護膜７が共通
電極をなす第１の金属膜４１ａを覆うように形成できる
ため生産性の向上が期待できる。
（ｅ）に存在した共通電極の第２の金属膜４２は不必要
となるので、基板１の寸法が大幅に減少する。さらに第
１図のＡ−Ａ線で基板１を切断して、そのセンサ基板を
複数個接続してセンサを構成する場合にも、各々の基板
から共通端子５を別に取り出す必要がなく、回路駆動用
端子（群）６とともに外部回路に接続できる。また・
Ｉ ・ 透明導電膜２２の突出部８は１箇所に限らず複数個所に
形成して端子を取り出すことが可能であり、特性に与え
る影響はない。また突出部８を配置するためには、第１
の金属膜４１ｂの配置をわずかにずらすだけで広い面積
で第１の金属膜４１ｂと電気的に接続できる。さらに光
電変換素子のａ−８ｔ膜２１を保護する保護膜７が共通
電極をなす第１の金属膜４１ａを覆うように形成できる
ため生産性の向上が期待できる。
以上のように本発明の密着形イメージセンサによれば、
端子を基板の一辺に配置できるので基板の小形化および
その組立て性が向上して廉価なセンサ基板が構成できる
。
端子を基板の一辺に配置できるので基板の小形化および
その組立て性が向上して廉価なセンサ基板が構成できる
。
第１図は本発明による密着形イメージセンサの一実施例
を示すパターン配置平面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）は従来の密着形イメージセンサを例示する
それぞれ回路構成ブロック図、そのパターン配置平面図
、およびパターン構成断面図で、 ８ 。 ある。 １・・・基板 ２１・・・光電変換素子のａ−８ｉ膜 ２２・・・透明導電膜 ６・・・駆動用回路素子４
１ａ・・・共通電極の第１の金属膜 ４１ｂ・・・第１の金属膜 ４２ａ・・・共通電極の共通端子接続線パターンの第２
の金属膜 ４２ｂ・・・駆動用回路素子の接続線パターンの第２の
金属膜 ８・・・透明導電膜の突出部
を示すパターン配置平面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）は従来の密着形イメージセンサを例示する
それぞれ回路構成ブロック図、そのパターン配置平面図
、およびパターン構成断面図で、 ８ 。 ある。 １・・・基板 ２１・・・光電変換素子のａ−８ｉ膜 ２２・・・透明導電膜 ６・・・駆動用回路素子４
１ａ・・・共通電極の第１の金属膜 ４１ｂ・・・第１の金属膜 ４２ａ・・・共通電極の共通端子接続線パターンの第２
の金属膜 ４２ｂ・・・駆動用回路素子の接続線パターンの第２の
金属膜 ８・・・透明導電膜の突出部
Claims (1)
- 基板上に複数個の光電変換素子を主走査方向に配列し、
上記基板上に上記光電変換素子からの電気信号を副走査
方向の駆動線パターンを介して取り出す駆動用回路素子
を配置した密着形イメージセンサにおいて、上記光電変
換素子上に主走査方向に帯状に形成した透明導電膜の１
個所以上を副走査方向に延在させて配置し、その延在部
分から上記駆動線パターンと同一方向に共通端子を取り
出してなる密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101266A JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101266A JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260671A true JPS61260671A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH065724B2 JPH065724B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14296090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101266A Expired - Lifetime JPH065724B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065724B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143150U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60101266A patent/JPH065724B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143150U (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065724B2 (ja) | 1994-01-19 |
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