JPS61258573A - 感光検出器の光学接合装置 - Google Patents
感光検出器の光学接合装置Info
- Publication number
- JPS61258573A JPS61258573A JP61099262A JP9926286A JPS61258573A JP S61258573 A JPS61258573 A JP S61258573A JP 61099262 A JP61099262 A JP 61099262A JP 9926286 A JP9926286 A JP 9926286A JP S61258573 A JPS61258573 A JP S61258573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detectors
- strips
- detector
- information
- calculation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 31
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1934—Combination of arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
- H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1935—Optical means for mapping the whole or part of a scanned line onto the array
- H04N1/1937—Optical means for mapping the whole or part of a scanned line onto the array using a reflecting element, e.g. a mirror or a prism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明はスｌ−’）ツブ型に配置した感光検出器の光学
接合装ｆｊｉ７に関する。
接合装ｆｊｉ７に関する。
ある種の分野においては、例えば人工衛星によって地球
の写真をとる場合、多数の感光検出器、例えば１０，（
１００個の検出器を整合させる必要があシ、例えば数十
マイクロメータのピッチで極めて正確に検出器を位置決
めしなければならない。
の写真をとる場合、多数の感光検出器、例えば１０，（
１００個の検出器を整合させる必要があシ、例えば数十
マイクロメータのピッチで極めて正確に検出器を位置決
めしなければならない。
かかる線路を成す検出器を形成するためには限定数の検
出器を包含するストリップを設ける。例えばシリコン検
出器の場合は約２（１００個の検出器を必要とし又例え
ばＨｇ 、Ｃｄ ｓ Ｔ ｅ又はＧ ａ ｒ Ｉ ｎ
＋Ａｓ 、Ｐ を成分とする三元又は四元半導体で形成
した検出器の揚会は数百個だけでよい。
出器を包含するストリップを設ける。例えばシリコン検
出器の場合は約２（１００個の検出器を必要とし又例え
ばＨｇ 、Ｃｄ ｓ Ｔ ｅ又はＧ ａ ｒ Ｉ ｎ
＋Ａｓ 、Ｐ を成分とする三元又は四元半導体で形成
した検出器の揚会は数百個だけでよい。
従来の技術
かかる線路の検出器を形成するために、十分な数のスト
リップを端部と端部を接して配置することが既知である
。
リップを端部と端部を接して配置することが既知である
。
先行技術においては、この接合を光学的に又は機械的に
実施している。
実施している。
機械的接合は、第１図に示す妬く検出器のピッチを考慮
しながらストリップを基体に接着することよりなる。
しながらストリップを基体に接着することよりなる。
第１図において、２個のストリップ１及び２は端と端を
接するよってして配管される。これらのストリップは符
号ｄの検出器を担持する。
接するよってして配管される。これらのストリップは符
号ｄの検出器を担持する。
機械的接合には、特に次の欠点を有する。
−支持体上にストリップを正確に位置決めすることが困
難であり、従って特にストリップを整合させる場合、２
個の隣接ストリップの検出器相互間のピッチが関係する
故にそれを考慮しなければならない。
難であり、従って特にストリップを整合させる場合、２
個の隣接ストリップの検出器相互間のピッチが関係する
故にそれを考慮しなければならない。
−２個のストリップの接合部において、少なくとも１個
の検出器がなくなったシ、縁端部で隣接する検出器が損
傷する場合が度々中じる。
の検出器がなくなったシ、縁端部で隣接する検出器が損
傷する場合が度々中じる。
−最後に、ストリップが作動しない検出器を有する場合
、この検出器の信号対ノイズ比はゼロである。
、この検出器の信号対ノイズ比はゼロである。
先行技術において既知の如く、光学接合の場合は、半反
射面（ｓｅｍｉｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ ｆａｃｅ）によ
って側部と側部とを連結した２個の同一プリズムより成
る光学システムを使用しなければならない。
射面（ｓｅｍｉｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ ｆａｃｅ）によ
って側部と側部とを連結した２個の同一プリズムより成
る光学システムを使用しなければならない。
このシステムは周知の「ルンマーキューブ（Ｌｕｍｍｅ
ｒ’ｓ ｃｕｂｅ ｌａｄ＞らのものであり、これは
、非点収差を導入することなく集光を２本の光綜に分け
るために使用される。光学接合の場合、使用する光学シ
ステムは立方体ではなくて平行六面体である故に面のう
ちの２枚に検出器のストリップを整合可能でなければな
らない。
ｒ’ｓ ｃｕｂｅ ｌａｄ＞らのものであり、これは
、非点収差を導入することなく集光を２本の光綜に分け
るために使用される。光学接合の場合、使用する光学シ
ステムは立方体ではなくて平行六面体である故に面のう
ちの２枚に検出器のストリップを整合可能でなければな
らない。
第３図は、半反射面６によって相互連結し７’Ｃ２個の
プリズム４及び５を有する光学システムの側面図である
。検出器１及び３のストリップは各プリズムに夫々属す
る２個の直角面上に配置される。
プリズム４及び５を有する光学システムの側面図である
。検出器１及び３のストリップは各プリズムに夫々属す
る２個の直角面上に配置される。
前記ストリップは支持体７によって担持される。
第２図にはこのシステムの正面図を示す。この図面にお
いてはプリズムの２面に番号１，２．３で示すストリッ
プを担持したものを示す。
いてはプリズムの２面に番号１，２．３で示すストリッ
プを担持したものを示す。
第３図に示す如く、光学システムは、それの半反射面６
を介して分析されるべき像を分離させる。
を介して分析されるべき像を分離させる。
前記システムの面のうちの１面によって担持されるスト
リップは半反射面６から反射した後の像を受け、このシ
ステムの他方の面によって担持されるストリップは半反
射面６によって伝達される同一像を受ける。
リップは半反射面６から反射した後の像を受け、このシ
ステムの他方の面によって担持されるストリップは半反
射面６によって伝達される同一像を受ける。
第２図は、ストリップ１．２ ＃ ３・・・・・・の配
置方法を示す。これらの面のうちの１枚は均一な列を成
すストリップを担持し、他方の面は不均一な列を成すス
トリップを担持する。これらのストリップは、半反射面
６に対して対称形に配置される。
置方法を示す。これらの面のうちの１枚は均一な列を成
すストリップを担持し、他方の面は不均一な列を成すス
トリップを担持する。これらのストリップは、半反射面
６に対して対称形に配置される。
第２図に示す如く、同一面に配置される２ｉｖＡのスト
リップ相互間には、他方の面にあるストリップにほぼ相
当する間隙が形成される。それで第２図においては、ス
） ＩＪツブ１及び２相互間には他方の面に担持される
ストリップ３に相応する間隙が形成される。選定例にお
いては、ストリップ１及び２は反射による像を受け、ス
トリップ３は伝達による像を受ける。こうしてストリッ
プは光学的に接合される。
リップ相互間には、他方の面にあるストリップにほぼ相
当する間隙が形成される。それで第２図においては、ス
） ＩＪツブ１及び２相互間には他方の面に担持される
ストリップ３に相応する間隙が形成される。選定例にお
いては、ストリップ１及び２は反射による像を受け、ス
トリップ３は伝達による像を受ける。こうしてストリッ
プは光学的に接合される。
先行技術による既知の光学接合の主な欠点は、半反射層
の故に信号対ノイズ比が小さいことである。
の故に信号対ノイズ比が小さいことである。
この層が原因の輝度損失は少なくとも係数２に等しい。
実際この損失は、怪数３から４に等しかつ′ｆｒｌ、９
それ以上の場合がよくある。
それ以上の場合がよくある。
実際上では放射線の機能を得ること、即ち受像のスペク
トル反射特性を正確に知ることが望まれる。次に検出器
は、かなり広範なスペクトル範囲でかつ可変の入射偏光
を伴って作動する。
トル反射特性を正確に知ることが望まれる。次に検出器
は、かなり広範なスペクトル範囲でかつ可変の入射偏光
を伴って作動する。
反射率及び伝達率を等しくするためには、可変の入射偏
光の場合においてさえ、例えば、ニッケル又はクロムを
主成分として有する金属の半反射層を使用しなければな
らない。これらの層の光学均衡は例えば次のようである
。信号の３０係が伝送され、信号の３０係が反射され、
信号の４０係が吸収される。
光の場合においてさえ、例えば、ニッケル又はクロムを
主成分として有する金属の半反射層を使用しなければな
らない。これらの層の光学均衡は例えば次のようである
。信号の３０係が伝送され、信号の３０係が反射され、
信号の４０係が吸収される。
信号対ノイズ比が１に等しいとされている機械的接合と
比較して、光学接合の場合の信号対ノイズ比は、同一技
術の検出器を用いるとして、幡１了゛０゜３に過ぎない
。
比較して、光学接合の場合の信号対ノイズ比は、同一技
術の検出器を用いるとして、幡１了゛０゜３に過ぎない
。
機械的接合の場合のように、先行技術による光学接合の
場合、ス） ＩＪツブに障害のある検出器が存在すると
信号対ノイズ比がゼロになる。
場合、ス） ＩＪツブに障害のある検出器が存在すると
信号対ノイズ比がゼロになる。
機械的接合について言えば、一般に先行技術の光学接合
はス） ＩＪツゾの接合部に外乱が生じると）とがない
。全体としてストリップの接合部に欠落個所がなく、ス
トリップの縁部に隣接する個所は損傷しない。
はス） ＩＪツゾの接合部に外乱が生じると）とがない
。全体としてストリップの接合部に欠落個所がなく、ス
トリップの縁部に隣接する個所は損傷しない。
本発明は、既知先行技術による光学接合の主要利点を保
持しその上、信号対ノーｆズ比が０．３から約０．７で
、かつ非作動検出器の場合には該比が約０．５に等しく
なるように高い比率故に、更に付加的利点が得られるよ
うな感光検出器の光学接合用装置に関する。従って、ス
トリップに偶発的に死点が生じても、この非作動検出器
の存在が検出されてさえいれば、検出器の再構成線路に
盲点が生じることはなく、信号対ノイズ比が小さくなる
個所が生じるだけである。このように改良されることに
よって、特にシリコンよりも幾つかの点で欠陥が多い故
にストリップの製造率が極めて悪い半導体を使用する赤
外線検出器の場合には特に有効でめる。
持しその上、信号対ノーｆズ比が０．３から約０．７で
、かつ非作動検出器の場合には該比が約０．５に等しく
なるように高い比率故に、更に付加的利点が得られるよ
うな感光検出器の光学接合用装置に関する。従って、ス
トリップに偶発的に死点が生じても、この非作動検出器
の存在が検出されてさえいれば、検出器の再構成線路に
盲点が生じることはなく、信号対ノイズ比が小さくなる
個所が生じるだけである。このように改良されることに
よって、特にシリコンよりも幾つかの点で欠陥が多い故
にストリップの製造率が極めて悪い半導体を使用する赤
外線検出器の場合には特に有効でめる。
更に本発明の光学接合装置は、空間を適切に利用して付
加的機能性を有する検出器を備える。
加的機能性を有する検出器を備える。
発明の要約
本発明の目的は、ストリップ型に配置した感光検出器の
光学接合装置にであって、半反射面によって相互連結す
る２個のプリズムを包含し、前記検出器が前記プリズム
の各々に属する２枚の直角面上に配置され、 −前記面の各々に少なくとも１列のストリップを設け、
前記ストリップが相互に出来るだけ接近しておシ、また
前記面のうち偽１方にある２個のストリップの接合部が
他方の面にある２個のストリップの接合部と一致しない
ように配置し、−２枚の面の各面に位置決めされて同一
信号を受信する２個の検出器からの情報を加算する装置
を設ける装置を提供することである。
光学接合装置にであって、半反射面によって相互連結す
る２個のプリズムを包含し、前記検出器が前記プリズム
の各々に属する２枚の直角面上に配置され、 −前記面の各々に少なくとも１列のストリップを設け、
前記ストリップが相互に出来るだけ接近しておシ、また
前記面のうち偽１方にある２個のストリップの接合部が
他方の面にある２個のストリップの接合部と一致しない
ように配置し、−２枚の面の各面に位置決めされて同一
信号を受信する２個の検出器からの情報を加算する装置
を設ける装置を提供することである。
本発明の他の特徴及び利点は、本発明の実施例を示す飾
付の図面を参照して以下に詳述する。
付の図面を参照して以下に詳述する。
各図面において、同一参照番号は同一部材を示すが、わ
かりやすくするため各部材の寸法及び比率は考慮しなか
った。
かりやすくするため各部材の寸法及び比率は考慮しなか
った。
実施例
第４図は本発明による光学接合装置を示す。
既知の光学接合装置の場合のように、本発明においても
半反射面によって相互連結する２個のプリズムを使用す
る。同様に検出器のストリップは各プリズムの２枚の直
角面に配置されるが、第４図に示す如くこれらス） Ｉ
Ｊツブの配置は異なる。
半反射面によって相互連結する２個のプリズムを使用す
る。同様に検出器のストリップは各プリズムの２枚の直
角面に配置されるが、第４図に示す如くこれらス） Ｉ
Ｊツブの配置は異なる。
本発明によるストリップは、相互に出来るだけ接近する
ようにしである。これらストリップは、プリズムの１面
上にある２個のストリップの接合部が、プリズムの他方
の面上にある２個のストリップの接合部と一致しないよ
う【位置決めされる。
ようにしである。これらストリップは、プリズムの１面
上にある２個のストリップの接合部が、プリズムの他方
の面上にある２個のストリップの接合部と一致しないよ
う【位置決めされる。
例えば第４図に４しいて、同一面に設ける２個の連αす
るストリップ相互間には、破線で示す単一検出器に相応
するスペースを設ける。
るストリップ相互間には、破線で示す単一検出器に相応
するスペースを設ける。
先行技術の場合のように、半反射面６に対して対称を成
すようにストリップを配置する。
すようにストリップを配置する。
各検出器ｄは受容する光線に比例する量の電荷を供給す
る。読取り装置は各検出器を連続して読取る。一般に該
装置はマルチプレクサを包含する電荷移動装置によって
形成される。
る。読取り装置は各検出器を連続して読取る。一般に該
装置はマルチプレクサを包含する電荷移動装置によって
形成される。
本発明によれば、前記２面の各々の上に位置してかつ同
一信号を受ける２個の検出器からの情報をまとめる装置
を設ける。
一信号を受ける２個の検出器からの情報をまとめる装置
を設ける。
第４図に示す重なり合った２個の検出器、例えば検出器
ｄｔ及びｄ２からの信号は、マルチプレクサの出力部に
てアナログ式に、又は記憶された後で計算によって加算
される。
ｄｔ及びｄ２からの信号は、マルチプレクサの出力部に
てアナログ式に、又は記憶された後で計算によって加算
される。
本発明によれば、反射され伝送された信号は総括される
故に先行技術の場合のように半反射層６はそれの反射と
全く等しい伝送を持つ必要はない。
故に先行技術の場合のように半反射層６はそれの反射と
全く等しい伝送を持つ必要はない。
従って、吸収を持たぬ多重誘電体層を使用可能であり、
反射伝送信号を加算した後、単一検出器のものと同等の
応答が得られる。
反射伝送信号を加算した後、単一検出器のものと同等の
応答が得られる。
本発明によって再構成可能な検出器の各整合点に相応す
るノイズには形式的に７２を乗するが、その理由は、各
点に相応する２個の検出器がほぼ同一で、また該検出器
の相互関係のないノイズは単に２次の形式に加輿されて
いるからである。
るノイズには形式的に７２を乗するが、その理由は、各
点に相応する２個の検出器がほぼ同一で、また該検出器
の相互関係のないノイズは単に２次の形式に加輿されて
いるからである。
本発明によれば、信号に対するノイズ比は係数Ｊ２によ
って劣化するが、既知の先行技術の光学接合の場合は３
から４の係数によって劣化する。
って劣化するが、既知の先行技術の光学接合の場合は３
から４の係数によって劣化する。
第５図には信号対ノイズ比の展開を示すが、機械的接合
を実線で、先行技術の光学接合を破線で、又本発明の光
学接合を点線で示す。
を実線で、先行技術の光学接合を破線で、又本発明の光
学接合を点線で示す。
従って本発明によれば、信号対ノイズ比は約０．７に位
置するが、同一技術の検出器を用いると非作動検出器の
場合、その原因が製造欠陥であるか又は製造後のもので
あるかには無関係Ｋ、本発明によれば約０．５の信号対
ノイズ比が得られる。
置するが、同一技術の検出器を用いると非作動検出器の
場合、その原因が製造欠陥であるか又は製造後のもので
あるかには無関係Ｋ、本発明によれば約０．５の信号対
ノイズ比が得られる。
既知の接合装置の場合、非作動検出器における信号対ノ
イズ比は第５図に示す如くゼロである。
イズ比は第５図に示す如くゼロである。
本発明によれば、もし検出器が作動しない場合があれば
、それと協働する検出器が信号を供給する。この場合信
号対ノイズ比は０．５にほぼ等しい。
、それと協働する検出器が信号を供給する。この場合信
号対ノイズ比は０．５にほぼ等しい。
当然のことながら信号を加算するためには、非作動検出
器を計算に入れてはならない。
器を計算に入れてはならない。
非作動検出器を位置決めするためのこの作業は実際に複
雑であってはならない。各検出器にＪ：って送られる信
号のための装置の操作は、検出器や光学システムの欠陥
に関する修正率によって変化し、この場合修正率を決定
するためには各検出器を連続的に調査しなければならな
い。この作業中にどの検出器が作動しないかを決定可能
である。
雑であってはならない。各検出器にＪ：って送られる信
号のための装置の操作は、検出器や光学システムの欠陥
に関する修正率によって変化し、この場合修正率を決定
するためには各検出器を連続的に調査しなければならな
い。この作業中にどの検出器が作動しないかを決定可能
である。
例えばストリップｎ及びｎ＋１の２個のストリップ相互
間の接合部において、第５図に示す如く機械的接合の場
合、信号対ノズル比がゼロの欠測点が存在し、隣接点が
損傷し信号対ノズル比が低下する。
間の接合部において、第５図に示す如く機械的接合の場
合、信号対ノズル比がゼロの欠測点が存在し、隣接点が
損傷し信号対ノズル比が低下する。
先行技術の光学接合の場合、一般に２個のストリップの
接合部における信号対ノズル比の劣化がない。
接合部における信号対ノズル比の劣化がない。
本発明の場合、２個の連続ス） ＩＪツブ相互間の接合
部に少なくとも１個所１個の検出器のみに相応するＣ５
がある。
部に少なくとも１個所１個の検出器のみに相応するＣ５
がある。
従って第４図においては、検出器ｄ５のみがそれに対す
る信号を供給し、これは光学システムの他方の面によっ
て担持される２個のストリップの接合部に相応する。
る信号を供給し、これは光学システムの他方の面によっ
て担持される２個のストリップの接合部に相応する。
信号の半分のみを受信する単一の検出器を使用するので
、２個のストリップ相互間の接合部において、信号対ノ
イズ比は、はぼ０．５のオーダである。
、２個のストリップ相互間の接合部において、信号対ノ
イズ比は、はぼ０．５のオーダである。
ＢＬＩＰ型（背景限定赤外線光検出器）の赤外線検出器
の場合、２個の検出器からの信号は、ノイズが検出器自
体からのものではなくて受取った放射線からのものであ
るとして加算されるので、実際にはノイズは増加しない
。
の場合、２個の検出器からの信号は、ノイズが検出器自
体からのものではなくて受取った放射線からのものであ
るとして加算されるので、実際にはノイズは増加しない
。
従って信号対ノイズ比はほぼ１に等しい。
当然のことながら、本発明は単一線路ではなくて数個の
線路より成る検出器を再構成することを望む場合にも使
用可能である。この場合、使用する光学システムの各面
は数列の整合したストリップを成す検出器を担持する。
線路より成る検出器を再構成することを望む場合にも使
用可能である。この場合、使用する光学システムの各面
は数列の整合したストリップを成す検出器を担持する。
従って本発明の光学接合装置は、あらゆる種類の１次元
又は２次元の検出器を集成するのに適用可能でおる。
又は２次元の検出器を集成するのに適用可能でおる。
第１図は先行技術による機械的接合装置を示す線図、第
２図及び第３図は先行技術による光学接合装置を示す線
図、第４図は本発明による光学接合装置を示す線図、そ
してＮ５図は本発明にて問題になっている信号対ノイズ
比に関して各種接合装置を比較する口である。 ｄ・・・感光検出器、１，２．３・・・ストリップ、４
゜５・・・プリズム、６・・・半反射面、７・・・支持
体。
２図及び第３図は先行技術による光学接合装置を示す線
図、第４図は本発明による光学接合装置を示す線図、そ
してＮ５図は本発明にて問題になっている信号対ノイズ
比に関して各種接合装置を比較する口である。 ｄ・・・感光検出器、１，２．３・・・ストリップ、４
゜５・・・プリズム、６・・・半反射面、７・・・支持
体。
Claims (12)
- （１）ストリップ型に配置した感光検出器の光学接合装
置であつて、半反射面によつて相互連結する２個のプリ
ズムを包含し、前記検出器が前記プリズムの各々に属す
る２枚の直角面上に配置され、 −前記面の各々に少なくとも１列のストリ ップを設け、前記ストリップが相互に出来るだけ接近し
ており、また前記面のうちの１方にある２個のストリッ
プの接合部を他方の面にある２個のストリップの接合部
と一致しないように配置し、 −２枚の面の各面に位置決めされて、同一 信号を受信する２個の検出器からの情報を加算する装置
を設ける光学接合装置。 - （２）前記２枚の面の各々に数列のストリップより成る
検出器を設ける特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （３）マルチプレクサを包含する電荷移動装置によつて
形成される装置によつて各検出器の連続読取りが確実と
なる特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （４）２個の検出器からの情報を加算する装置が読取り
装置のマルチプレクサの出力部においてアナログ式に加
算する特許請求の範囲第３項に記載の装置。 - （５）２個の検出器からの情報を加算する装置が、記憶
装置に記憶した後で計算によつて加算する特許請求の範
囲第１項に記載の装置。 - （６）マルチプレクサを包含する電荷移動装置によつて
形成される装置が、各検出器の連続読取りを確実ならし
める特許請求の範囲第２項に記載の装置。 - （７）２個の検出器からの情報を加算する装置が、読取
り装置のマルチプレクサの出力部においてアナログ式に
加算する特許請求の範囲第６項に記載の装置。 - （８）２個の検出器からの情報を加算する装置が、記憶
後に計算によつて加算する特許請求の範囲第２項に記載
の装置。 - （９）２個の検出器からの情報を加算する装置が、記憶
後に計算によつて加算する特許請求の範囲第３項に記載
の装置。 - （１０）２個の検出器からの情報を加算する装置が、加
算を計算によつて実施する特許請求の範囲第４項に記載
の装置。 - （１１）２個の検出器からの情報を加算する装置が、記
憶後に計算によつて加算を実施する特許請求の範囲第６
項に記載の装置。 - （１２）２個の検出器からの情報を加算するための装置
が、記憶後に計算によつて加算を実施する特許請求の範
囲第７項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8506570A FR2581251B1 (fr) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Dispositif d'aboutement optique de detecteurs photosensibles |
| FR8506570 | 1985-04-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258573A true JPS61258573A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=9318830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61099262A Pending JPS61258573A (ja) | 1985-04-30 | 1986-04-28 | 感光検出器の光学接合装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4743751A (ja) |
| EP (1) | EP0201396A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61258573A (ja) |
| FR (1) | FR2581251B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2644632B1 (fr) * | 1988-04-22 | 1994-06-17 | Commissariat Energie Atomique | Element de detection constitue de barrettes de detecteurs |
| US5023711A (en) * | 1989-10-16 | 1991-06-11 | Eastman Kodak Company | Line scanning apparatus using staggered linear segments with adjoining overlap regions |
| US5034083A (en) * | 1989-10-16 | 1991-07-23 | Xerox Corporation | Process and apparatus for assembling smaller scanning or printing arrays together to form an extended array |
| FR2712693B1 (fr) * | 1993-11-17 | 1995-12-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de détection de rayonnement, à éléments de détection aboutés, et procédé de fabrication de ce dispositif. |
| FR2731569B1 (fr) * | 1995-03-07 | 1997-04-25 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de recopie de tension a grande linearite |
| FR2758039B1 (fr) * | 1996-12-27 | 1999-03-26 | Thomson Tubes Electroniques | Detecteur d'image a contraste ameliore |
| FR2763700B1 (fr) | 1997-05-23 | 1999-07-30 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de mesure d'exposition d'un detecteur d'image a l'etat solide soumis a un rayonnement ionisant et detecteur d'image equipe d'un tel dispositif de mesure |
| GB2332562B (en) * | 1997-12-18 | 2000-01-12 | Simage Oy | Hybrid semiconductor imaging device |
| FR2782388B1 (fr) | 1998-08-11 | 2000-11-03 | Trixell Sas | Detecteur de rayonnement a l'etat solide a duree de vie accrue |
| FR2839812B1 (fr) * | 2002-05-17 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Procede de fabrication collective de composants de filtrage optique et plaquette de composants |
| FR2840414B1 (fr) * | 2002-06-04 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Composant de filtrage optique |
| FR2842915B1 (fr) | 2002-07-26 | 2004-10-08 | Atmel Grenoble Sa | Procede et dispositif de positionnement d'un composant optique entre deux fibres optiques |
| WO2016033036A2 (en) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus for three-dimensional (3d) imaging |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328100B2 (ja) * | 1973-08-30 | 1978-08-12 | ||
| US4005285A (en) * | 1975-10-30 | 1977-01-25 | Xerox Corporation | Optical system for extending photosensor array resolution |
| US4053773A (en) * | 1976-03-23 | 1977-10-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Mosaic infrared sensor |
| US4200788A (en) * | 1977-05-02 | 1980-04-29 | Xerox Corporation | Modular array |
| US4272684A (en) * | 1978-10-06 | 1981-06-09 | Xerox Corporation | Optical beam-splitting arrangements on object side of a lens |
| US4249217A (en) * | 1979-05-29 | 1981-02-03 | International Business Machines Corporation | Separated sensor array abutment |
| JPS5625868A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Canon Inc | Picture scanning unit |
| JPS57121368A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-28 | Canon Inc | Method for picture scanning |
| JPS57150273A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-17 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | Image information reader |
| JPS5942511B2 (ja) * | 1982-04-13 | 1984-10-15 | 株式会社東芝 | 密着センサ |
-
1985
- 1985-04-30 FR FR8506570A patent/FR2581251B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-04-16 US US06/852,715 patent/US4743751A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-22 EP EP86400872A patent/EP0201396A1/fr not_active Ceased
- 1986-04-28 JP JP61099262A patent/JPS61258573A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2581251B1 (fr) | 1987-09-11 |
| FR2581251A1 (fr) | 1986-10-31 |
| EP0201396A1 (fr) | 1986-12-17 |
| US4743751A (en) | 1988-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61258573A (ja) | 感光検出器の光学接合装置 | |
| WO2019204960A1 (zh) | 一种基于螺旋变换的光子轨道角动量模式测量方法及系统 | |
| TW303464B (ja) | ||
| GB2256725A (en) | Light separation polarising element | |
| JPH06347655A (ja) | 光相互接続集積回路システム | |
| EP0552783B1 (en) | Optical isolator device | |
| US6190014B1 (en) | Projection display apparatus | |
| US6278681B1 (en) | Optical head, method of fabricating optical head, and apparatus for fabricating optical head | |
| US5307306A (en) | Wideband intercorrelation method and device implementing this method | |
| KR960000825B1 (ko) | 광 픽업 장치 | |
| CN204479796U (zh) | 反射型光环形器阵列 | |
| CN1130710C (zh) | 光学传感器和光磁信号再现装置 | |
| EP0461710A1 (en) | Device for optical heterodyne detection and optical component suitable for use in such a device | |
| JPH08255429A (ja) | 読取り装置及びシステム | |
| JP2710809B2 (ja) | 交差型回折格子およびこれを用いた偏波回転検出装置 | |
| JP3103954B2 (ja) | 偏光解析器 | |
| EP0469552A3 (en) | Optical pickup device | |
| JPH0357459B2 (ja) | ||
| JP2511265B2 (ja) | 光伝送装置試験回路 | |
| JP2723988B2 (ja) | 導波路型光検出装置、光集積ピックアップ及び光集積ｒｆスペクトラムアナライザ | |
| US3794937A (en) | Folded path acoustic delay line and optical processor | |
| JPH01311285A (ja) | 光式電流変成器 | |
| WO2000048029A1 (en) | Compact multiple port optical isolator | |
| JP2892544B2 (ja) | 光学ヘッドの検査方法 | |
| JPH04286746A (ja) | 光ピックアップ装置 |