JPS61256860A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ファクシミリ等に用いる画像読取装置に関
するものである。

、／技術〕 第３図は従来の画像読取装置の断面を示し、図において
、３１は、イメージセンサチップ３２を載せる基板、３
３はロンドレンズアレイ、３４は螢光灯等の光源、３５
は原稿面である。また３２ばイメージセンサチップであ
り、紙面に垂直方向にフォトダイオードが一次元に配列
されており、それらを走査して信号電荷を読み出すため
のｃｃＤ（電荷結合素子）もチップ上に形成されている
。

フォトダイオードの配列方向を主走査方向と呼び、原稿
送り方向を副走査方向と呼ぶ。また、第４図に基板３１
上のイメージセンサチップ３２の配置を示し、第５図に
イメージセンサテンプ３２上におけるフォトダイオード
とＣＣＤの配置を示す。

第５図において、５１はフォトダイオード部、５２ばト
ランスファーゲート配線、５３はＣＣＤ部である。なお
ＣＯＤの電極は図示を省略している。

次に動作について説明する。第３図において、光源３４
によって照射された原稿面３５の反射光３６は、ロンド
レンズアレイ３３によってイメージセンサチップ３２上
に結像する。ロッドレンズアレイとは、軸対称に屈折率
分布を持った円柱状レンズを並べたもので、正立等倍の
結像作用を有するものであり、各ロッドレンズ内の屈折
率分布は軸上が最も大きく周囲にいくほど低くなってい
る。イメージセンサチップ３２上に結像した、原稿面の
情報は、フォトダイオードによって電荷量に変換される
。第５図において、フォトダイオード５１に蓄積された
電荷は、トランスファーゲート５２を経てＣＣＤ５３に
転送され、順次読み出される。なおイメージセンサチッ
プは第４図に示すように配置されている。

以上のような動作により原稿面の画像情報を読取るファ
クシミリ・リーダとして、縮小光学方式と、密着方式と
があった。前者は、例えばＡ４サイズの原稿の短辺（約
２１０ｍｍ）をレンズに゛よってＣＣＤ１チツプの大き
さく数１０ｍｍ）まで縮小する方式であり、これは、光
路長を大きくとる必要があり、装置が大型になるという
欠点があった。これに対し、後者の密着方式では、ロッ
ドレンズアレイの王立等倍結像作用によって、原稿とレ
ンズとイメージセンサチップをコンパクトに配置できる
という利点がある。しかし、例えばＡ４サイズの短辺（
約２１０ｍｍ）と同じ大きさのイメージセンサチップが
必要となり、ＣＯＤチップを使用する場合は必然的に複
数のチップを並べることになる。例えば第４図のものに
おいては４個のチップを配列している。

画素ピッチは密着型センサの場合、原稿の解像寸法と同
じであり、一般的な１６本／　ｍ　ｍの解像度の場合、
１／１６ｍｍ＝６２．５μｍとなる。

即ち、このとき、６２．５μｍ毎に画素が並んでいなけ
ればならない。チップ内では、画素間隔は正確に決まっ
ており問題はないが、複数チップの配置において数チッ
プにわたって画素ピンチを同じにすることは困難である
。即ち、チップを置いたときに位置ずれがおきると、ず
れた位置の情報を等間隔の情報として検出してしまうこ
とになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の画像読取装置は以上のように構成されているので
、チップを数μｍ以下の精度で配置することが必要で、
それ以上ずれた場合はチップは良品でも装置としては使
えないという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、チップ同志の配置ずれを補正でき、装置とし
ての歩留の向上が期待できる画像読取装置を得ることを
目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る画像読取装置は、イメージセンサ内の各
画素を主走査方向に複数に分割し、それぞれの分割され
た画素を外部より電気的に選択することを可能としたも
のである。

〔作用〕

この発明においては、イメージセンサ内の各画素が主走
査方向に分割されており、該分割画素を外部より電気的
に選択できるから、分割された画素の選択をチップ同志
の配置のずれ方向に応じて行うことにより各画素の中心
を望ましい位置に移動できる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による画像読取装置を示し、図に
おいて、１はＣＣＤ領域、２はトランスファーゲート、
３．４．５は各画素における分割されたフォトダイオー
ド（分割画素）、６゜７はゲート、８はコンタクト部、
９，１０はゲート６．７をオンして分割されたフォトダ
イオードを選択するためのアルミ配線である。

第１図のフォトダイオード部のチップの長手方向に沿っ
ての断面を第２図に示す。第２図において、２１はＰ型
半導体基板、２２．２３．２４はＮ型半導体領域、２５
．２６はゲートである。

次に作用効果について説明する。

第１図において、各画素のフォトダイオード部は、３つ
の部分に分けられている。即ちフォトダイオード３を中
心として、右側がフォトダイオード４であり、左側がフ
ォトダイオード５である。

ＣＣＤ領域１へはトランスファーゲート２の下部を経て
電荷が移動するので、フォトダイオード３は常に使用さ
れていることになる。

今、第１図に於いてゲート６をオン状態にし、ゲート７
をオフ状態にすると、フォトダイオードとしては、３と
４とが選択され、５は選択されない。従ってこの場合、
感度領域の中心は他の場合より右側に移ることになる。

またゲート７をオン状態にし、ゲート６をオフ状態にす
ると感度領域の中心は左側に移ることになる。従って上
記のような操作をチップの配置ずれに応じて行うことに
より、チップ同志の配置ずれの補正を容易におこなうこ
とができ、装置としての歩留りを向上させることが可能
である。

なお、上記実施例では、一画素を３　（ｌｌの部分に分
割したが、分割数は複数であればいくつでもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る画像読取装置によれば、
密着型イメージセンサチップの各画素を分割し、その選
択を外部より電気的に行えるようにしたので、チップの
配置ずれに伴う画素の位置ずれを極めて容易に補正でき
、画像読取装置としての保留の向上を期待できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による画像読取装置のイメ
ージセンサチップ上の画素配置を示す図、第２図は第１
図のフォトダイオード部の長手方向に沿っての断面図、
第３図は画像読取装置の断面図、第４図はイメージセン
サチップの配置図、第５図は従来の画像読取装置のフォ
トダイオードの形状を示す図である。 ３．４．５・・・フォトダイオード（分割画素）、６．
７・・・ゲート、９，１０・・・アルミ配線。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一次元イメージセンサチップを該チップの画素配
   列方向と同方向に複数個配置し、前記配列方向と垂直の
   方向に前記一次元イメージセンサ又は原稿を機械的に走
   査することにより原稿の画像情報を検出するようにした
   画像読取装置において、前記チップの一次元アレイ状の
   各画素は前記配列方向に分割されており、各画素におけ
   る分割画素の選択を外部より電気的に行うことを特徴と
   する画像読取装置。
2. （２）前記分割画素の選択は、前記イメージセンサチッ
   プ同志のずれに応じて行うことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の画像読取装置。