JPS61256861A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ファクシミリ等に用いる画像読取装置に関
するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の画像読取装置の断面を示し、図において
、３１は、イメージセンサチップ３２を載せる基板、３
３はロッドレンズアレイ、３４は蛍光灯等の光源、３５
は原稿面である。また３２はイメージセンサチップであ
り、紙面に垂直方向にフォトダイオードが一次元に配列
されており、それらを走査して信号電荷を読出すための
Ｃ０Ｄ（電荷結合素子）もチップ上に形成されている。

フォトダイオードの配列方向を主走査方向と呼び、原稿
送り方向を副走査方向と呼ぶ。また、第３図に、基板３
１上のイメージセンサチップ３２の配置を示し、第４図
に、イメージセンサチップ３２の端におけるフォトダイ
オードとＣＯＤの配置を示す。図において、５１はフォ
トダイオード部、５２はトランスファーゲート配線、５
３はＣＣＤ部である。なおＣＯＤの電極は図示を省略し
ている。　次に動作について説明する。第２図において
、光源３４によって照射された原稿面３５０反射光３６
はロッドレンズアレイ３３によってイメ−ジセンサチッ
プ３２上に結像する。ロフトレンズアレイとは、軸対称
に屈折率分布を持った円柱状レンズを並べたもので、王
立等倍の結像作用を有するものであり、各ロッドレンズ
内の屈折率分布は軸上が最も大きく周囲にい（はど低く
なっている。イメージセンサチップ３２上に結像した、
原稿面の情報は、フォトダイオードによって電荷量に変
換される。第４図において、フォトダイオード５１に蓄
積された電荷は、トランスファーゲート５２を経てＣＣ
Ｄ５３に転送され、順次読み出される。なお矢印５４方
向には出力回路が配置されており、またイメージセンサ
チップは第３図に示すように配置されている。

以上のような動作により原稿面の画像情報を読取るファ
クシミリ・リーグとして、縮小光学方式と、密着方式と
があった。前者は、例えばＡ４サイズの原稿の短辺（約
２１０ｍｍ）をレンズによってＣＣＤ１チツプの大きさ
く数１０ｍｍ）まで縮小する方式であり、これは、光路
長を大きくとる必要があり、装置が大型になるという欠
点があった。これに対し、後者の密着方式で番よ、ロッ
ドレンズアレイの王立等倍結像作用によって、原稿とレ
ンズとイメージセンサチップをコンノぐクトに配置でき
るという利点がある。しかし、例えばＡ４サイズの短辺
（約２１０　ｍｍ）と同じ大きさのイメージセンサチッ
プが必要となり、ＣＯＤチップを使用する場合は必然的
に複数のチ・ノブを並べることになる。例えば第３図の
ものにおいては４個のチップを配列している。

第５図に配置されたイメージセンサチップの接続部を示
す。第５図に於て、６１はイメージセンサチップのｐ型
半導体基板、６２はｎ型半導体領域である。イメージセ
ンサチップは例えば４インチ径のシリコンウェハから切
り出すことにより得られるが、切り出す際に、切り出し
面よりクラ・ツクが発生する場合がある。第５図のよう
にチ・ノブの端の近くにｐｎ接合が存在する場合には上
記のクラックがｐｎ接合部を横切ることにより、接合特
性が悪化し、ダイオード特性が得られなくなる可能性が
大である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の画像読取装置は、以上のように構成されているの
で、イメージセンサチップの画素の端にクラックが入る
ことによりそのチ・ノブ全体が使えなくなづてしまい、
歩留が低いという欠点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、密着型イメージセンサチップを歩留良く得
ることのできる画像読取装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る画像読取装置は、各イメージセンサチッ
プの端付近の画素を複数に分割し、外部から、分割され
た画素の選択を電気的に行えるようにしたものである。

〔作用〕

この発明においては、各イメージセンサチップの端付近
の画素は複数に分割されており、該分割された画素は外
部より電気的に選択できるから、不良フォトダイオード
を選択せず、クラックの入らないフォトダイオードのみ
を選択することにより、イメージセンサチップとしての
歩留の向上を期待できる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による画像読取装置を示し、図に
おいて、１はイメージセンサチップ、２はＣＣＤ部、３
はトランスファーゲート、４は該イメージセンサチップ
１の端の画素における分割されたフォトダイオード、５
はゲート、６はコンタクト、７は上記分割されたフォト
ダイオード４をクラックの有無に応じて選択するための
アルミ配線、８は隣接画素のフォトダイオード、９はチ
ップ切り出し面である。なおＣＣＤ部２においては、矢
印１０により示された方向に出力回路が配置されている
。

次に作用効果について説明する。第１図において９が画
像読取装置のイメージセンサチ・ノブを得るためのチッ
プ切り出し面であり、この面９に沿ってダイヤモンドカ
ッタにより、ウェハからチツプを切り出していく。切り
出し面は、チップを切り出すことによって現れた、紙面
と垂直の面を言うが、この面内には、切り出し時に、ク
ラックが発生する。このクラックは、結晶内部に伸びて
いき、結晶性を破壊してしまう。

ここで、第１図に示されたような、分割されたフォトダ
イオードの１つの接合がクラックにより破壊され、他の
分割されたフォトダイオードまではクラックが達しなか
ったとすると、本実施例では破壊されたフォトダイオー
ドにつながるゲートをオフ状態にし、クラックの影響を
受けないフォトダイオードにつながるゲートをオン状態
にすることによって、当該画素を正常に動作させること
ができる。このような画素分割によって受光できる面積
は減るが、感度の補正を読み出し後に行なうことは可能
であり、これによってチップとしての歩留りを向上させ
ることができる。

なお、上記実施例では、分割画素数は４個であるが、複
数であればいくつでもよい。

また、上記実施例ではチップ端面に最も近い画素のみを
分割したが、他の端付近の画素をも分割するようにして
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る画像読取装置によれば、
密着形イメージセンサチップのセンサアレイの端付近の
画素を分割し、該分割された画素を外部より電気的に選
択することを可能にしたので、チップ端面からのクラッ
クによって破壊されたダイオード部を、電気的に除くこ
とができ、チップとしての歩留を極めて容易に向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による画像読取装置のイメ
ージセンサの端の画素構成を示す図、第２図は従来の画
像読取装置の断面図、第３図はイメージセンサチップの
配線図、第４図は従来の画像読取装置のイメージセンサ
チップ上におけるフォトダイオードとＣＯＤとの配置を
示す図、第５図はチップを接触させて配置したときの断
面図である。 １・・・イメージセンサチップ、４・・・分割されたフ
ォトダイオード（分割画素）、７・・・アルミ配線、８
・・・フォトダイオード（画素）、９・・・チップ切出
し面。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一次元イメージセンサチップを該チップの画素配
   列方向と同方向に複数個配置し、前記配列方向と垂直の
   方向に前記一次元イメージセンサ又は原稿を機械的に走
   査することにより原稿の画像情報を検出するようにした
   画像読取装置において、各チップの端付近の画素は複数
   に分割されており、該分割された画素の選択を外部より
   電気的に行なうことを特徴とする画像読取装置。
2. （２）前記分割された画素の選択は前記イメージセンサ
   チップのクラックの有無に応じて行うことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置。