JP2001024846A - 接合領域に補助チップを備える接合センサアレイ - Google Patents
接合領域に補助チップを備える接合センサアレイInfo
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- H04N2201/02487—Manufacturing details
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オリジナル画像からの全反射光を捕捉するこ
とにより、画質を高める。 【解決手段】 本発明は、例えばデジタルスキャナ、複
写機、ファクシミリ、あるいは他の文書生成／再生装置
において、オリジナル画像から電気信号を生成するため
の感光性チップに関する。特に、好ましくは画像品質を
高めるべく各接合領域に設けられた補助チップに関す
る。
とにより、画質を高める。 【解決手段】 本発明は、例えばデジタルスキャナ、複
写機、ファクシミリ、あるいは他の文書生成／再生装置
において、オリジナル画像から電気信号を生成するため
の感光性チップに関する。特に、好ましくは画像品質を
高めるべく各接合領域に設けられた補助チップに関す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばデジタルス
キャナ、複写機、ファクシミリ、あるいは他の文書生成
／再生装置において、オリジナル画像から電気信号を生
成するための感光性チップに関する。より詳細には、本
発明は、好ましくは画像品質を高めるべく接合領域（ab
utment regions）に設けられた補助的な感光性チップに
関する。
キャナ、複写機、ファクシミリ、あるいは他の文書生成
／再生装置において、オリジナル画像から電気信号を生
成するための感光性チップに関する。より詳細には、本
発明は、好ましくは画像品質を高めるべく接合領域（ab
utment regions）に設けられた補助的な感光性チップに
関する。
【０００２】
【従来の技術】イメージセンサアレイは通常フォトセン
サのリニアアレイを含み、これにより画像を含む文書を
ラスタ走査し、各フォトセンサが検出した微細画像領域
を画像信号の電荷に変換する。各フォトセンサは、対応
するフォトサイトからの光を集める。合成期間（integr
ation period）に引き続き、増幅された画像信号の電荷
は、多重的トランジスタ（multiplexing transistors)
を連続的に作動させることにより、アナログビデオ信号
として、共通出力回線又はバスに送られる。かかるアレ
イの１例が電荷結合素子（ＣＣＤ）である。
サのリニアアレイを含み、これにより画像を含む文書を
ラスタ走査し、各フォトセンサが検出した微細画像領域
を画像信号の電荷に変換する。各フォトセンサは、対応
するフォトサイトからの光を集める。合成期間（integr
ation period）に引き続き、増幅された画像信号の電荷
は、多重的トランジスタ（multiplexing transistors)
を連続的に作動させることにより、アナログビデオ信号
として、共通出力回線又はバスに送られる。かかるアレ
イの１例が電荷結合素子（ＣＣＤ）である。
【０００３】高性能のイメージセンサアレイの場合、好
ましいデザインとしては、フォトサイトのアレイが、走
査されているページの幅に相当する幅を有するものであ
り、これによると、一般的に縮小光学系（reductive op
tics）を使用せずに１対１の撮像が可能となる。しかし
ながら、このような「全幅（full-width）」アレイを実
現するには、比較的大きなシリコン構成を使用して多数
のフォトサイトを形成しなければならない。かかる大型
アレイを生成するための好ましい技術として、小さいリ
ニアアレイが形成されたシリコンチップを複数接合して
配列したものがある。
ましいデザインとしては、フォトサイトのアレイが、走
査されているページの幅に相当する幅を有するものであ
り、これによると、一般的に縮小光学系（reductive op
tics）を使用せずに１対１の撮像が可能となる。しかし
ながら、このような「全幅（full-width）」アレイを実
現するには、比較的大きなシリコン構成を使用して多数
のフォトサイトを形成しなければならない。かかる大型
アレイを生成するための好ましい技術として、小さいリ
ニアアレイが形成されたシリコンチップを複数接合して
配列したものがある。
【０００４】互いに接合された複数のシリコンチップ
は、以下のようにして単一の全幅アレイを形成する。ま
ず、単一のシリコンウェーハ上に、複数の個別チップに
対する回路を形成する。次に、シリコンウェーハを回路
領域ごとに切断または「ダイシング（diced）」して、
個別チップを作成する。一般的に、チップのダイシング
技術には、化学エッチングと機械切断との組み合わせが
含まれる。各チップには、その一端から他端まで、フォ
トサイトを間隔をおいて配置する。よって、各チップ
を、その上に形成されたフォトサイトのアレイの一端か
ら他端までの長さに正確にダイシングすることが要求さ
れる。各個別チップをフォトサイトのリニアアレイに沿
って正確なサイズにダイシングし、一連のチップの端部
どうしを接合させて単一のページ幅リニアアレイを形成
する際には、１チップ上の端部フォトサイトから、隣り
合うチップの端部における隣り合うフォトサイトまでの
間隔断続部（disruption of spacing）を最小限にする
ことが望ましい。この最小限の間隔断続部を、接合領域
と呼ぶ。理想的には、アレイを形成しているシリコンチ
ップの形状に関わらず、ピッチが、全幅リニアアレイ全
体にわたって一定であるべきである。なお、ピッチと
は、２つの隣り合うフォトサイトの中心点間の距離であ
る。
は、以下のようにして単一の全幅アレイを形成する。ま
ず、単一のシリコンウェーハ上に、複数の個別チップに
対する回路を形成する。次に、シリコンウェーハを回路
領域ごとに切断または「ダイシング（diced）」して、
個別チップを作成する。一般的に、チップのダイシング
技術には、化学エッチングと機械切断との組み合わせが
含まれる。各チップには、その一端から他端まで、フォ
トサイトを間隔をおいて配置する。よって、各チップ
を、その上に形成されたフォトサイトのアレイの一端か
ら他端までの長さに正確にダイシングすることが要求さ
れる。各個別チップをフォトサイトのリニアアレイに沿
って正確なサイズにダイシングし、一連のチップの端部
どうしを接合させて単一のページ幅リニアアレイを形成
する際には、１チップ上の端部フォトサイトから、隣り
合うチップの端部における隣り合うフォトサイトまでの
間隔断続部（disruption of spacing）を最小限にする
ことが望ましい。この最小限の間隔断続部を、接合領域
と呼ぶ。理想的には、アレイを形成しているシリコンチ
ップの形状に関わらず、ピッチが、全幅リニアアレイ全
体にわたって一定であるべきである。なお、ピッチと
は、２つの隣り合うフォトサイトの中心点間の距離であ
る。
【０００５】全幅アレイは文書全体の長さ、例えば１１
インチ（約２７．９センチメートル）に延在するのが好
ましい。通常、全幅アレイは、文書がアレイに同期して
縦方向に移動又は前進して、その幅全体にラインごとの
走査を行う。このようなセンサアレイの一般的な構造
が、例えば米国特許第５，４７３，５１３号に示されて
いる。オリジナル文書が全幅アレイを通過して移動する
と、フォトサイトが反射光を受け、対応するフォトセン
サがオリジナル画像からの反射光を電気信号に変換す
る。オリジナル画像がリニアアレイに対して垂直方向に
移動することにより、一連の信号が各フォトセンサから
出力され、デジタルデータに変換される。
インチ（約２７．９センチメートル）に延在するのが好
ましい。通常、全幅アレイは、文書がアレイに同期して
縦方向に移動又は前進して、その幅全体にラインごとの
走査を行う。このようなセンサアレイの一般的な構造
が、例えば米国特許第５，４７３，５１３号に示されて
いる。オリジナル文書が全幅アレイを通過して移動する
と、フォトサイトが反射光を受け、対応するフォトセン
サがオリジナル画像からの反射光を電気信号に変換す
る。オリジナル画像がリニアアレイに対して垂直方向に
移動することにより、一連の信号が各フォトセンサから
出力され、デジタルデータに変換される。
【０００６】カラー製品がオフィス機器の市場に導入さ
れるにつれ、各列が１原色を表わす複数列の個別画像信
号に、フルカラーイメージからの光を変換できる走査シ
ステムが望まれる。フルカラーイメージにおける各色に
関して別々の信号を得るための技術として、各半導体チ
ップ上に、フォトサイトから成る多数の平行なリニアア
レイを設けるものがある。フォトサイトは対応するフォ
トセンサを有し、平行アレイのそれぞれが１つの原色に
反応する。通常、このような構造は、各リニアアレイの
フォトサイト上に設けた半透明の原色オーバーレイ（pr
imary-color overlay)を除き物理的に同一の多数のフォ
トサイトリニアアレイを設けることにより実現できる。
すなわち、赤の光にのみ反応するとされるリニアアレイ
は、そのフォトサイト上に半透明の赤い層が配置され、
青に反応するアレイ及び緑に反応するアレイについても
同様である。３つのリニアアレイを用いるのが好ましい
が、使用するリニアアレイの数はいくつでもよい。オリ
ジナルフルカラーイメージに対してチップが露出される
と、特定の原色に対応する画像部分からの光だけが、そ
の原色に指定されたフォトセンサに達する。よって、フ
ォトサイトは、画像のどの部分がそのフォトセンサに達
するかを決定する。
れるにつれ、各列が１原色を表わす複数列の個別画像信
号に、フルカラーイメージからの光を変換できる走査シ
ステムが望まれる。フルカラーイメージにおける各色に
関して別々の信号を得るための技術として、各半導体チ
ップ上に、フォトサイトから成る多数の平行なリニアア
レイを設けるものがある。フォトサイトは対応するフォ
トセンサを有し、平行アレイのそれぞれが１つの原色に
反応する。通常、このような構造は、各リニアアレイの
フォトサイト上に設けた半透明の原色オーバーレイ（pr
imary-color overlay)を除き物理的に同一の多数のフォ
トサイトリニアアレイを設けることにより実現できる。
すなわち、赤の光にのみ反応するとされるリニアアレイ
は、そのフォトサイト上に半透明の赤い層が配置され、
青に反応するアレイ及び緑に反応するアレイについても
同様である。３つのリニアアレイを用いるのが好ましい
が、使用するリニアアレイの数はいくつでもよい。オリ
ジナルフルカラーイメージに対してチップが露出される
と、特定の原色に対応する画像部分からの光だけが、そ
の原色に指定されたフォトセンサに達する。よって、フ
ォトサイトは、画像のどの部分がそのフォトセンサに達
するかを決定する。
【０００７】フォトサイト上にこれらの半透明フィルタ
層を提供する最も一般的な物質は、ポリイミド又はアク
リル樹脂である。例えば、ポリイミドは、通常ダイシン
グされる前のウェーハ形状である感光性チップの集合体
に液体状で供給される。ウェーハにポリイミド液を供給
後、ウェーハを遠心分離機にかけて特定ポリイミドから
成る均一層を形成する。所望の原色フィルタリング特性
を備えるポリイミドを得るため、所望の色の顔料又は染
料のいずれかをポリイミドに添加することが周知となっ
ている。これらのドーパント（添加物）は市販されてい
て、簡単に入手できる。異なる種類のカラーフィルタを
単一チップ上に配置するための一般的な技術としては、
（チップがまだウェーハの一部である状態で）チップの
主要表面全体にポリイミドから成る均一層を形成し、フ
ォトエッチング又は別の周知の技術により、該フィルタ
の不要部分を除去するものがある。一般的に、チップ上
に配置されたフィルタ層全体が、所望のフォトサイト集
合を覆う領域を除いて除去される。アクリル樹脂も同様
の方法でウェーハに添加される。
層を提供する最も一般的な物質は、ポリイミド又はアク
リル樹脂である。例えば、ポリイミドは、通常ダイシン
グされる前のウェーハ形状である感光性チップの集合体
に液体状で供給される。ウェーハにポリイミド液を供給
後、ウェーハを遠心分離機にかけて特定ポリイミドから
成る均一層を形成する。所望の原色フィルタリング特性
を備えるポリイミドを得るため、所望の色の顔料又は染
料のいずれかをポリイミドに添加することが周知となっ
ている。これらのドーパント（添加物）は市販されてい
て、簡単に入手できる。異なる種類のカラーフィルタを
単一チップ上に配置するための一般的な技術としては、
（チップがまだウェーハの一部である状態で）チップの
主要表面全体にポリイミドから成る均一層を形成し、フ
ォトエッチング又は別の周知の技術により、該フィルタ
の不要部分を除去するものがある。一般的に、チップ上
に配置されたフィルタ層全体が、所望のフォトサイト集
合を覆う領域を除いて除去される。アクリル樹脂も同様
の方法でウェーハに添加される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、チッ
プの端部フォトサイトが接合領域において反射光の全て
を捕らえられないという問題があった。この結果、対応
するフォトセンサがオリジナル画像からの全反射光を電
気信号に変換することができなかった。米国特許出願第
０９／０３９，５２３号、第０９／２８２，３１７号、
第０９／２１１，７６１号、及び第０９／２１１，７６
５号において画質を向上させるための別の技術が提供さ
れているが、オリジナル画像からの反射光を最大限に捕
捉して、対応するフォトセンサが、オリジナル画像を、
デジタルデータに変換するための電気信号に正確に変換
して画像の質を高める必要性が引き続き求められてい
る。
プの端部フォトサイトが接合領域において反射光の全て
を捕らえられないという問題があった。この結果、対応
するフォトセンサがオリジナル画像からの全反射光を電
気信号に変換することができなかった。米国特許出願第
０９／０３９，５２３号、第０９／２８２，３１７号、
第０９／２１１，７６１号、及び第０９／２１１，７６
５号において画質を向上させるための別の技術が提供さ
れているが、オリジナル画像からの反射光を最大限に捕
捉して、対応するフォトセンサが、オリジナル画像を、
デジタルデータに変換するための電気信号に正確に変換
して画像の質を高める必要性が引き続き求められてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の１態様によれ
ば、基板と、端部フォトサイトを有し、互いに接合され
て該基板に取り付けられた複数の感光性チップと、隣接
する前記複数の感光性チップの前記端部フォトサイトの
間に形成された接合領域と、前記接合領域に沿って、隣
接する２つの前記感光性チップに接合されて前記基板に
取り付けられた少なくとも１つの補助的感光性チップと
を備えるアセンブリが提供される。複数の感光性チップ
は、各々複数の端部フォトサイトを備える。複数の感光
性チップは、等間隔に設けられた複数のフォトサイトを
有し、該複数のフォトサイトがリニアアレイを形成する
よう基板上に配置されている。各補助的感光性チップに
は、複数のフォトサイトが等間隔に設けられている。
ば、基板と、端部フォトサイトを有し、互いに接合され
て該基板に取り付けられた複数の感光性チップと、隣接
する前記複数の感光性チップの前記端部フォトサイトの
間に形成された接合領域と、前記接合領域に沿って、隣
接する２つの前記感光性チップに接合されて前記基板に
取り付けられた少なくとも１つの補助的感光性チップと
を備えるアセンブリが提供される。複数の感光性チップ
は、各々複数の端部フォトサイトを備える。複数の感光
性チップは、等間隔に設けられた複数のフォトサイトを
有し、該複数のフォトサイトがリニアアレイを形成する
よう基板上に配置されている。各補助的感光性チップに
は、複数のフォトサイトが等間隔に設けられている。
【００１０】あるいは、各感光性チップは、複数のフォ
トサイトが等間隔に設けられ、これらのフォトサイトが
複数の平行リニアアレイを形成するよう基板上に配置さ
れている。各リニアアレイは、異なる半透明フィルタに
覆われている。各補助的感光性チップ上には複数のフォ
トサイトが等間隔に設けられ、これらのフォトサイト
は、感光性チップ上に形成される複数の平行リニアアレ
イに対応して配置され、対応する半透明フィルタ材料に
覆われている。
トサイトが等間隔に設けられ、これらのフォトサイトが
複数の平行リニアアレイを形成するよう基板上に配置さ
れている。各リニアアレイは、異なる半透明フィルタに
覆われている。各補助的感光性チップ上には複数のフォ
トサイトが等間隔に設けられ、これらのフォトサイト
は、感光性チップ上に形成される複数の平行リニアアレ
イに対応して配置され、対応する半透明フィルタ材料に
覆われている。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、基板２０上の一端から他
端までにおいて、互いに接合すべく設けられ、有効なフ
ォトサイトの同一線上アレイを形成する複数の感光性チ
ップ１０を示す。フォトサイトのアレイは、スキャナ、
複写機、ファクシミリ、又は他の文書読み取り／生成装
置に対し、走査されているページを横断して延びてい
る。よって、基板２０に設けられた複数の感光性チップ
１０は全幅アレイを形成する。一般的に、各個別のフォ
トサイトは反射光を受光し、対応する各フォトセンサが
フォトサイトにより受光された特定種類の光の強度を示
す電荷又は電圧信号を出力する。種々のフォトサイトか
ら出力された信号を処理するための移送回路、又は電荷
結合素子などの種々の構造は、従来技術において周知で
ある。基板２０には、複数の補助的感光性チップ１１が
さらに設けられ、全幅アレイを増強している。各補助的
感光性チップ１１は、図１に示されるように、接合領域
において２つの感光性チップ１０に対して接合している
ことが好ましい。基板２０に設けられたこれらの感光性
チップ１０及び補助的感光性チップ１１により感光性チ
ップアセンブリが形成される。補助的感光性チップ１１
の数（Ｍ）は、感光性チップ１０の数（Ｎ）より１つ小
さいことが好ましい。なお、ここで、ＭおよびＮは整数
である。
端までにおいて、互いに接合すべく設けられ、有効なフ
ォトサイトの同一線上アレイを形成する複数の感光性チ
ップ１０を示す。フォトサイトのアレイは、スキャナ、
複写機、ファクシミリ、又は他の文書読み取り／生成装
置に対し、走査されているページを横断して延びてい
る。よって、基板２０に設けられた複数の感光性チップ
１０は全幅アレイを形成する。一般的に、各個別のフォ
トサイトは反射光を受光し、対応する各フォトセンサが
フォトサイトにより受光された特定種類の光の強度を示
す電荷又は電圧信号を出力する。種々のフォトサイトか
ら出力された信号を処理するための移送回路、又は電荷
結合素子などの種々の構造は、従来技術において周知で
ある。基板２０には、複数の補助的感光性チップ１１が
さらに設けられ、全幅アレイを増強している。各補助的
感光性チップ１１は、図１に示されるように、接合領域
において２つの感光性チップ１０に対して接合している
ことが好ましい。基板２０に設けられたこれらの感光性
チップ１０及び補助的感光性チップ１１により感光性チ
ップアセンブリが形成される。補助的感光性チップ１１
の数（Ｍ）は、感光性チップ１０の数（Ｎ）より１つ小
さいことが好ましい。なお、ここで、ＭおよびＮは整数
である。
【００１２】図２は、本発明に係るこれらの感光性チッ
プ１０の一つを示す平面図である。感光性チップ１０
は、一般的には、従来技術で周知のごとく半導体基板で
形成され、この基板上に回路及び他の素子がフォトリソ
グラフィックエッチングなどによって形成される。それ
ぞれが感光性チップ１０において回路の感光表面を形成
するフォトサイト１２による一つ以上のリニアアレイと
ボンディングパッド１４の集合とを含む構成は、最も適
切な構成の一つである。フォトサイト１２は、通常、感
光性チップ１０の主方向に沿ってリニアアレイ状に配置
され、アレイに沿って配置された各フォトサイト１２が
画像信号の１画素に対応している。以下に詳細に説明す
るように、フォトサイト１２は、３原色、すなわち青、
緑、赤を検出することが好ましい。青、緑、赤を検出す
るフォトサイト１２をそれぞれフォトサイト１２Ｂ、１
２Ｇ、１２Ｒとする。各フォトサイト１２は、対応する
フォトセンサに関連づけられている。これらのフォトサ
イト１２は等間隔に配置されてそのピッチを均一にする
ことが好ましく、これによりデジタル信号処理が促進さ
れる。なお、ピッチとは、一つのフォトサイト１２の中
心と隣接するフォトサイト１２の中心との間の距離であ
る。これら３原色に対して３つの平行するリニアアレイ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを設けることが好ましいが、任
意の数のリニアアレイを使用することもできる。例え
ば、単色スキャナや複写機、プリンタなどに用いられる
チップにはリニアアレイを一つだけ配置することができ
る。
プ１０の一つを示す平面図である。感光性チップ１０
は、一般的には、従来技術で周知のごとく半導体基板で
形成され、この基板上に回路及び他の素子がフォトリソ
グラフィックエッチングなどによって形成される。それ
ぞれが感光性チップ１０において回路の感光表面を形成
するフォトサイト１２による一つ以上のリニアアレイと
ボンディングパッド１４の集合とを含む構成は、最も適
切な構成の一つである。フォトサイト１２は、通常、感
光性チップ１０の主方向に沿ってリニアアレイ状に配置
され、アレイに沿って配置された各フォトサイト１２が
画像信号の１画素に対応している。以下に詳細に説明す
るように、フォトサイト１２は、３原色、すなわち青、
緑、赤を検出することが好ましい。青、緑、赤を検出す
るフォトサイト１２をそれぞれフォトサイト１２Ｂ、１
２Ｇ、１２Ｒとする。各フォトサイト１２は、対応する
フォトセンサに関連づけられている。これらのフォトサ
イト１２は等間隔に配置されてそのピッチを均一にする
ことが好ましく、これによりデジタル信号処理が促進さ
れる。なお、ピッチとは、一つのフォトサイト１２の中
心と隣接するフォトサイト１２の中心との間の距離であ
る。これら３原色に対して３つの平行するリニアアレイ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを設けることが好ましいが、任
意の数のリニアアレイを使用することもできる。例え
ば、単色スキャナや複写機、プリンタなどに用いられる
チップにはリニアアレイを一つだけ配置することができ
る。
【００１３】ボンディングパッド１４は、感光性チップ
１０の主面上に複数の特殊表面部（distinct surfaces)
が形成され、ワイヤボンドを結線できるようになってい
る。こうして、ボンディングパッド１４は、感光性チッ
プ１０と任意の外部回路との間の電気的なインタフェー
スとして機能する。回路１５は、フォトサイト１２に向
けられた光に関連する信号を獲得し、感光性チップ１０
から画像データを抽出（unload）する一般的なものであ
る。回路１５は、一般的には、フォトサイト１２のリニ
アアレイとボンディングパッド１４のリニアアレイとの
間に配置されている。
１０の主面上に複数の特殊表面部（distinct surfaces)
が形成され、ワイヤボンドを結線できるようになってい
る。こうして、ボンディングパッド１４は、感光性チッ
プ１０と任意の外部回路との間の電気的なインタフェー
スとして機能する。回路１５は、フォトサイト１２に向
けられた光に関連する信号を獲得し、感光性チップ１０
から画像データを抽出（unload）する一般的なものであ
る。回路１５は、一般的には、フォトサイト１２のリニ
アアレイとボンディングパッド１４のリニアアレイとの
間に配置されている。
【００１４】感光性チップ１０は、通常半導体ウェーハ
上にまとめて形成された後、分割または「ダイシング」
され、個々の感光性チップ１０が形成される。半導体ウ
ェーハは、通常シリコンでできている。図３の２つの隣
接する感光性チップ１０の斜視図において示されるよう
に、フォトリソグラフィーによりエッチングされたＶ字
溝１８が、ダイシングのための特定の感光性チップ１０
の意図される境界を正確に決定する。これは当業界で周
知である。したがって、フォトサイト１２、ボンディン
グパッド１４及び回路１５の全てが、比較的多数の感光
性チップ１０として同時に単一の半導体ウェーハ上にエ
ッチングされる。なお、Ｖ字溝間の領域をタブ領域と呼
ぶ。さらに、図３において各Ｖ字溝に隣接する（図２に
おいては端部に隣接する）フォトサイト１２を端部フォ
トサイト又は外側フォトサイトと呼び、それ以外のフォ
トサイト１２を内側フォトサイトと呼ぶ。
上にまとめて形成された後、分割または「ダイシング」
され、個々の感光性チップ１０が形成される。半導体ウ
ェーハは、通常シリコンでできている。図３の２つの隣
接する感光性チップ１０の斜視図において示されるよう
に、フォトリソグラフィーによりエッチングされたＶ字
溝１８が、ダイシングのための特定の感光性チップ１０
の意図される境界を正確に決定する。これは当業界で周
知である。したがって、フォトサイト１２、ボンディン
グパッド１４及び回路１５の全てが、比較的多数の感光
性チップ１０として同時に単一の半導体ウェーハ上にエ
ッチングされる。なお、Ｖ字溝間の領域をタブ領域と呼
ぶ。さらに、図３において各Ｖ字溝に隣接する（図２に
おいては端部に隣接する）フォトサイト１２を端部フォ
トサイト又は外側フォトサイトと呼び、それ以外のフォ
トサイト１２を内側フォトサイトと呼ぶ。
【００１５】図４には、一般的な半導体ウェーハ３０が
分離した状態で示されており、比較的多数の感光性チッ
プ１０がそのダイシングに先立って半導体ウェーハ３０
に形成されている。各チップは、半導体ウェーハ３０の
主要表面内に明確なチップ領域を有する。「チップ領
域」とは、ダイシング工程後、個々の感光性チップ１０
（図２）が半導体ウェーハ３０の残りの部分から分離さ
れる際に、個別の感光性チップ１０を構成する半導体ウ
ェーハ３０の主要表面内の限定された領域を意味する。
分離した状態で示されており、比較的多数の感光性チッ
プ１０がそのダイシングに先立って半導体ウェーハ３０
に形成されている。各チップは、半導体ウェーハ３０の
主要表面内に明確なチップ領域を有する。「チップ領
域」とは、ダイシング工程後、個々の感光性チップ１０
（図２）が半導体ウェーハ３０の残りの部分から分離さ
れる際に、個別の感光性チップ１０を構成する半導体ウ
ェーハ３０の主要表面内の限定された領域を意味する。
【００１６】図２から図４を参照して感光性チップ１０
の構造及び製造技術を説明したが、同一又は同様の技術
及び構造を用いて補助的感光性チップ１１を提供するこ
とができる。
の構造及び製造技術を説明したが、同一又は同様の技術
及び構造を用いて補助的感光性チップ１１を提供するこ
とができる。
【００１７】図５は、２つの接合された感光性チップ１
０と、図１に示される接合領域に沿って２つの感光性チ
ップ１０に接合した補助的感光性チップ１１を示す拡大
図である。すでに説明したように、これらのチップが全
て基板２０上に設けられて本発明による感光性チップア
センブリを形成する。図５に示されるように、それぞれ
が補助的感光性チップ１１において回路の感光表面を形
成するフォトサイト１２による一つ以上のリニアアレイ
とボンディングパッド１４の集合とを含む構成は、最も
適切な構成の一つである。フォトサイト１２は、通常補
助的感光性チップ１１の主方向に沿ってリニアアレイ状
に配置され、アレイに沿って配置された各フォトサイト
１２が画像信号の１画素に対応している。フォトサイト
１２は、３原色、すなわち青、緑、赤を検出することが
好ましい。青、緑、赤を検出するフォトサイト１２をそ
れぞれフォトサイト１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒとする。各
フォトサイト１２は、対応するフォトセンサに関連づけ
られている。これらのフォトサイト１２は等間隔に配置
されてそのピッチを均一にすることが好ましく、これに
よりデジタル信号処理が促進される。なお、ピッチと
は、一つのフォトサイト１２の中心と隣接するフォトサ
イト１２の中心との間の距離である。これら３原色に対
して３つの平行するリニアアレイ１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃを設けることが好ましいが、任意の数のリニアアレイ
を使用することもできる。例えば、単色スキャナや複写
機、プリンタなどに用いられる補助的感光性チップ１１
にはリニアアレイを一つだけ配置することもできる。
０と、図１に示される接合領域に沿って２つの感光性チ
ップ１０に接合した補助的感光性チップ１１を示す拡大
図である。すでに説明したように、これらのチップが全
て基板２０上に設けられて本発明による感光性チップア
センブリを形成する。図５に示されるように、それぞれ
が補助的感光性チップ１１において回路の感光表面を形
成するフォトサイト１２による一つ以上のリニアアレイ
とボンディングパッド１４の集合とを含む構成は、最も
適切な構成の一つである。フォトサイト１２は、通常補
助的感光性チップ１１の主方向に沿ってリニアアレイ状
に配置され、アレイに沿って配置された各フォトサイト
１２が画像信号の１画素に対応している。フォトサイト
１２は、３原色、すなわち青、緑、赤を検出することが
好ましい。青、緑、赤を検出するフォトサイト１２をそ
れぞれフォトサイト１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒとする。各
フォトサイト１２は、対応するフォトセンサに関連づけ
られている。これらのフォトサイト１２は等間隔に配置
されてそのピッチを均一にすることが好ましく、これに
よりデジタル信号処理が促進される。なお、ピッチと
は、一つのフォトサイト１２の中心と隣接するフォトサ
イト１２の中心との間の距離である。これら３原色に対
して３つの平行するリニアアレイ１６Ａ，１６Ｂ，１６
Ｃを設けることが好ましいが、任意の数のリニアアレイ
を使用することもできる。例えば、単色スキャナや複写
機、プリンタなどに用いられる補助的感光性チップ１１
にはリニアアレイを一つだけ配置することもできる。
【００１８】ボンディングパッド１４は、補助的感光性
チップ１１の主面上に複数の特殊表面部（distinct sur
faces)が形成され、ワイヤボンドを結線できるようにな
っている。こうして、ボンディングパッド１４は、補助
的感光性チップ１１と任意の外部回路との間の電気的な
インタフェースとして機能する。回路１５は、フォトサ
イト１２に向けられた光に関連する信号を獲得し、補助
的感光性チップ１１から画像データを抽出（unload）す
る一般的なものである。回路１５は、一般的には、フォ
トサイト１２のリニアアレイとボンディングパッド１４
のリニアアレイとの間に配置されている。
チップ１１の主面上に複数の特殊表面部（distinct sur
faces)が形成され、ワイヤボンドを結線できるようにな
っている。こうして、ボンディングパッド１４は、補助
的感光性チップ１１と任意の外部回路との間の電気的な
インタフェースとして機能する。回路１５は、フォトサ
イト１２に向けられた光に関連する信号を獲得し、補助
的感光性チップ１１から画像データを抽出（unload）す
る一般的なものである。回路１５は、一般的には、フォ
トサイト１２のリニアアレイとボンディングパッド１４
のリニアアレイとの間に配置されている。
【００１９】感光性チップ１０と補助的感光性チップ１
１を基板２０に取り付けて感光性チップアセンブリを形
成する際に、補助的感光性チップ１１の１つ以上のリニ
アアレイ１６を、感光性チップ１０の一つ以上のリニア
アレイ１６から２〜１２走査ライン分隔てるのが好まし
い。感光性チップ１０と補助的感光性チップ１１は、同
一平面上において互いに平行であることが好ましい。補
助的感光性チップ１１の各リニアアレイにおけるフォト
サイト１２の数は３であることが好ましいが、隣接する
２つの感光性チップ１０における端部フォトサイト１２
間の距離（接合領域の長さ）に応じてさらなるフォトサ
イト１２を設けてもよい。このようなチップアセンブリ
は、隣接する感光性チップ１０の端部間の間隔を広くと
ることができるという利点があり、これにより感光性チ
ップの配置における許容感度（tolerance sensitivit
y）が低減する。
１を基板２０に取り付けて感光性チップアセンブリを形
成する際に、補助的感光性チップ１１の１つ以上のリニ
アアレイ１６を、感光性チップ１０の一つ以上のリニア
アレイ１６から２〜１２走査ライン分隔てるのが好まし
い。感光性チップ１０と補助的感光性チップ１１は、同
一平面上において互いに平行であることが好ましい。補
助的感光性チップ１１の各リニアアレイにおけるフォト
サイト１２の数は３であることが好ましいが、隣接する
２つの感光性チップ１０における端部フォトサイト１２
間の距離（接合領域の長さ）に応じてさらなるフォトサ
イト１２を設けてもよい。このようなチップアセンブリ
は、隣接する感光性チップ１０の端部間の間隔を広くと
ることができるという利点があり、これにより感光性チ
ップの配置における許容感度（tolerance sensitivit
y）が低減する。
【００２０】文書が走査されると、オリジナル画像から
の反射光が感光性チップアセンブリのフォトサイトによ
り受光され、対応するフォトセンサが電気信号を供給し
て、この信号がデジタルデータに変換される。補助的感
光性チップ１１により生成されたデジタルデータを感光
性チップ１０により生成されたデジタルデータに合成す
る前に、補助的感光性チップ１１により生成されたデジ
タルデータを補間して、感光性チップ１０のフォトサイ
ト１２と補助的感光性チップ１１のフォトサイトとの間
の配置ずれ誤差（misalignment error）によるデータ誤
差を最小化することが好ましい。この配置ずれ誤差は、
感光性チップ１０及び補助的感光性チップ１１の配置ず
れ（misplacement)による位置的な誤差である。
の反射光が感光性チップアセンブリのフォトサイトによ
り受光され、対応するフォトセンサが電気信号を供給し
て、この信号がデジタルデータに変換される。補助的感
光性チップ１１により生成されたデジタルデータを感光
性チップ１０により生成されたデジタルデータに合成す
る前に、補助的感光性チップ１１により生成されたデジ
タルデータを補間して、感光性チップ１０のフォトサイ
ト１２と補助的感光性チップ１１のフォトサイトとの間
の配置ずれ誤差（misalignment error）によるデータ誤
差を最小化することが好ましい。この配置ずれ誤差は、
感光性チップ１０及び補助的感光性チップ１１の配置ず
れ（misplacement)による位置的な誤差である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 感光性チップアセンブリを形成すべく互いに
接合された複数のチップが設けられたベース基板の斜視
図である。
接合された複数のチップが設けられたベース基板の斜視
図である。
【図２】 本発明において使用される感光性チップの例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 本発明において使用される２つの感光性チッ
プの例を示す斜視図である。
プの例を示す斜視図である。
【図４】 本発明に係る半導体ウェーハの斜視図であ
る。
る。
【図５】 本発明による感光性チップアセンブリを形成
する、接合された２つの感光性チップとこの２つの感光
性チップに接合された補助的感光性チップとを示す拡大
図（blow up）である。
する、接合された２つの感光性チップとこの２つの感光
性チップに接合された補助的感光性チップとを示す拡大
図（blow up）である。
１０ 感光性チップ、１１ 補助的感光性チップ、１２
フォトサイト、１４ボンディングパッド、１６Ａ，１
６Ｂ，１６Ｃ リニアアレイ、１８ Ｖ字溝、２０ 基
板、３０ 半導体ウェーハ。
フォトサイト、１４ボンディングパッド、１６Ａ，１
６Ｂ，１６Ｃ リニアアレイ、１８ Ｖ字溝、２０ 基
板、３０ 半導体ウェーハ。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、 端部フォトサイトを有し、互いに接合されて前記基板に
取り付けられた複数の感光性チップと、 隣接する前記複数の感光性チップの前記端部フォトサイ
トの間に形成された接合領域と、 前記接合領域に沿って、隣接する２つの前記感光性チッ
プに接合されて前記基板に取り付けられた少なくとも１
つの補助的感光性チップとを備えるアセンブリ。 - 【請求項２】 前記複数の感光性チップは、各々複数の
端部フォトサイトを備える請求項１記載のアセンブリ。 - 【請求項３】 前記複数の感光性チップは、等間隔に設
けられた複数のフォトサイトを有し、該複数のフォトサ
イトがリニアアレイを形成するよう前記基板上に配置さ
れてなる請求項１記載のアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/320686 | 1999-05-27 | ||
| US09/320,686 US6559956B2 (en) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | Butted sensor array with supplemental chip in abutment region |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024846A true JP2001024846A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=23247487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000143369A Withdrawn JP2001024846A (ja) | 1999-05-27 | 2000-05-16 | 接合領域に補助チップを備える接合センサアレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6559956B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001024846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168531A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6610972B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-08-26 | Xerox Corporation | System for compensating for chip-to-chip gap widths in a multi-chip photosensitive scanning array |
| US7423280B2 (en) * | 2004-08-09 | 2008-09-09 | Quad/Tech, Inc. | Web inspection module including contact image sensors |
| US20060092649A1 (en) * | 2004-11-01 | 2006-05-04 | Federal-Mogul World Wide, Inc. | Vehicle interior courtesy lamp assembly |
| US8368002B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-02-05 | Xerox Corporation | In-line image sensor in combination with linear variable filter based spectrophotometer |
| JP5466287B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2014-04-09 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128832A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | Method of making minute pattern |
| US4467342A (en) * | 1982-07-15 | 1984-08-21 | Rca Corporation | Multi-chip imager |
| US4727407A (en) | 1984-07-13 | 1988-02-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor |
| US4839719A (en) * | 1987-01-30 | 1989-06-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Color image reading apparatus with an improved sensor |
| US4990462A (en) * | 1989-04-12 | 1991-02-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for coplanar integration of semiconductor ic devices |
| JPH0369007A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Sharp Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US5031032A (en) | 1990-03-30 | 1991-07-09 | Xerox Corporation | Color array for use in fabricating full width arrays |
| US5272113A (en) | 1992-11-12 | 1993-12-21 | Xerox Corporation | Method for minimizing stress between semiconductor chips having a coefficient of thermal expansion different from that of a mounting substrate |
| US5488239A (en) | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Solid state image sensor with shaped photodiodes |
| US5604362A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-18 | Xerox Corporation | Filter architecture for a photosensitive chip |
| JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
| US5552828A (en) | 1995-08-17 | 1996-09-03 | Xerox Corporation | Geometries for photosites in a photosensitive silicon chip |
| US5696626A (en) | 1995-10-12 | 1997-12-09 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having a ridge near an end photosite |
| US5691760A (en) | 1995-10-12 | 1997-11-25 | Xerox Corporation | Photosensitive silicon chip having photosites spaced at varying pitches |
| US5808297A (en) * | 1996-07-22 | 1998-09-15 | Xerox Corporation | Reflective test patches for translucent color filters in photosensitive semiconductor chips |
| US6195183B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Image reading apparatus and image sensor chip thererfor |
-
1999
- 1999-05-27 US US09/320,686 patent/US6559956B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143369A patent/JP2001024846A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168531A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030043415A1 (en) | 2003-03-06 |
| US6559956B2 (en) | 2003-05-06 |
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