JPS61253888A - 樹脂膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は樹脂膜のテーパ形成法に係り、パターン段差部
のテーパが特性に影響を及ぼすような薄膜デバイスの樹
脂膜パターンのテーパな／Ｊ穎さく形成する方法に関す
る。

〔発明の背景〕

樹脂膜のテーパを小さくする方法としては、第７回日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９８３゜１１）の濱用
他による「薄膜磁気ヘッド絶縁膜用ＰＩＱのテーバエツ
チング」と題する文献において論じられている。しかし
、この方法においてはテーパ角が２５°以下については
達成されていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は樹脂膜パターンのテーパ角を従来よりも
小さくできる樹脂膜形成法を提供することにある。

〔発明の概要〕

樹脂膜の一例としてポリイミド系樹脂ＰＩＱ　（日立化
成商品名）を用い、現像液として罫勘、（Ｔｅｔｒａｍ
ｅｔｈｙｌ　Ａｍｍｏｎｉｕｍ　Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ　
）　２５％メタノール液を用いた場合のＰＩＱ硬化温度
とスルホール寸法との関係を第１図に示す。図はＰＩＱ
を３００Ｏｒｐｍで塗布し、ベーク時間６０分で熱硬化
し、ホトレジストをマスクとして３０ｔｌｌ’、６０秒
のエツチングした場合のＰＩＱ硬化温度とスルホール寸
法との関係を示し、ＰＩＱ硬化温度が低いとスルホール
寸法が大きくなり硬化温度が高いとスルホール寸法が小
さくなることがわかる。本発明はＰＩＱ硬化温度１４０
Ｃでスルホール寸法が１０μｍ。

１５５Ｃで２μｍであるので、樹脂膜の露出面側の硬化
温度を１４００　、非露出面側の硬化温度を１５５Ｃに
して温度勾配をつけることにより、樹脂膜の膜厚が２μ
ｍのとぎにはテーパ角が約１６°になるものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。（ａ
）はＳ１ウエハ上にＰＩＱ膜を形成した状態、（ｂ）は
（ａ）の基板上にホトレジスト膜を形成してホトマスク
を介して露光している状態、（Ｃ）は（ｂ）の基板のホ
トレジストを現像した状態、（ｄ）は（Ｃ）の基板のＰ
ＩＱ　膜をエツチングしてホトレジストを除去した状態
を示している。（ａ）のプロセス条件はＰＩＱをＳ　Ｏ
ＯＯｒｐｍで塗布後、露出面ｅ側を１４０Ｃ９非露出面
ｆ側を１５５Ｃで６０分加熱、（ｂ）は０ＭＲ８５＋　
５７ｃｐを３０００１ＰＩＬで塗布後、１００Ｃで２０
分プリベーク、露光１２６ｍＪ／ｃｄ、　（ｃ）は現Ｓ
−リンス各１分、１４０　Ｃ，２０分ボストベーク、（
ｄ）はＴＭＡ　２５％メタノール液で５０Ｃ，６０秒現
像、Ｊ−１００゜９０〜１００　ｔｌ：’、　１０分で
ある。

以上の工程によりテーパ角は約１６°に形成できる。ま
た、プロセス条件を変更すればさらにテーパ角を小さく
できることはもちろんである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、樹脂膜のテーパ角を材料とプロセス゛
条件を選ぶことにより４５°以下の所要の値を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による特性図、第２図は同じ
く断面図である。 １・・・ＰＩＱ腰、　　　　２・・・Ｓｉウェハ、４・
・・ホトマスク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、配線基板と樹脂膜とからなる基板において、樹脂膜
   を加熱硬化するときに、非露出面側の加熱温度を高く、
   露出面側の加熱温度を低くして、樹脂膜の厚さ方向に温
   度勾配をつけて、樹脂の硬化状態に差をつけることによ
   り、露出面側のエッチング速度を大きくして、テーパ角
   を小さくすることを特徴とする樹脂膜の形成方法。