JPS61253618A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61253618A JPS61253618A JP60094701A JP9470185A JPS61253618A JP S61253618 A JPS61253618 A JP S61253618A JP 60094701 A JP60094701 A JP 60094701A JP 9470185 A JP9470185 A JP 9470185A JP S61253618 A JPS61253618 A JP S61253618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- head
- thin film
- sense current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体に記録された記号磁化の再生に適
する磁気抵抗（以下ＭＲと記す）効果型再生ヘッドに関
するものである。
する磁気抵抗（以下ＭＲと記す）効果型再生ヘッドに関
するものである。
従来の技術
磁気記録媒体からの信号磁化の再生方式には二通りあり
、ひとつは媒体とヘッドとの相対速度に依存する電磁誘
導型で他のひとつは媒体との相対速度に依存しないＭＲ
効果を利用した磁気抵抗型である。近年ＭＲ型の薄膜磁
気ヘッドにおいては高密度配縁化のために狭トラツク幅
でマルチトラックタイプのものが民生用オーディオヘッ
ドとして開発されつつある（特開昭５７−１６４０９号
公報）０ この際、ＭＲ素子に設けられるセンス電流用リード線の
位置は第２図（ｂ）に示すようにＭＲ素子の両端に限定
されていた。
、ひとつは媒体とヘッドとの相対速度に依存する電磁誘
導型で他のひとつは媒体との相対速度に依存しないＭＲ
効果を利用した磁気抵抗型である。近年ＭＲ型の薄膜磁
気ヘッドにおいては高密度配縁化のために狭トラツク幅
でマルチトラックタイプのものが民生用オーディオヘッ
ドとして開発されつつある（特開昭５７−１６４０９号
公報）０ この際、ＭＲ素子に設けられるセンス電流用リード線の
位置は第２図（ｂ）に示すようにＭＲ素子の両端に限定
されていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成ではＭＲ素子はＮ ｉ
−Ｆ ｅの強磁性薄膜から成っておシ磁区構造を持って
いるが、信号磁界が印加されるとこの磁区構造が変化し
、それによシバルクハウゼンノイズが発生する。従来は
前述のようにリード線がＭＲ素子の両端に形成されてい
たため、バルクハウゼンノイズの影響を強く受ける欠点
を持っていた０ 問題点を解決するための手段 本発明は上記した問題点を解決するため、強磁性薄膜の
磁気抵抗効果を利用した再生ヘッドを構成する磁気抵抗
素子のセンス電流用リード線で挾まれた部分が、記録媒
体からの漏れ磁界が印加された状態で単一磁区構造を有
する構成となっている。
−Ｆ ｅの強磁性薄膜から成っておシ磁区構造を持って
いるが、信号磁界が印加されるとこの磁区構造が変化し
、それによシバルクハウゼンノイズが発生する。従来は
前述のようにリード線がＭＲ素子の両端に形成されてい
たため、バルクハウゼンノイズの影響を強く受ける欠点
を持っていた０ 問題点を解決するための手段 本発明は上記した問題点を解決するため、強磁性薄膜の
磁気抵抗効果を利用した再生ヘッドを構成する磁気抵抗
素子のセンス電流用リード線で挾まれた部分が、記録媒
体からの漏れ磁界が印加された状態で単一磁区構造を有
する構成となっている。
作用
本発明は上記した構成によシ、磁壁移動によるバルクハ
ウゼンノイズをなくすることができる。
ウゼンノイズをなくすることができる。
実施例
本発明の実施例について以下図面と共に説明するＯ
第１図において、本発明の実施例の構成図を第１図に示
す。１は強磁性体よりなるＭ ｎ −Ｚ ｎ フェライ
トから成る基板、２は基板１上に膜厚０，５μｍの５ｌ
ｏ２をスパッタにて形成した絶縁層で、この状態の基板
１の表面精度を±０．００２μｍ以下になるまでラッピ
ングを行っている。３は蒸着により形成したバイアス磁
界用のＡ ｕ／Ｃｒからなるバイアス線、４はバイアス
線３上に５ｉ０２を膜厚０゜４μｍになるようスパッタ
によって形成した絶縁層、５はＮｉ ８１ｗｔ％
Ｆｅ １９ｗｔ％からナルパーマロイ膜を０．０３μｍ
の厚さで長手方向に磁場をかけて蒸着したＭＲ素子で、
そのパターン形状は長さくＬ）が７２μｍ２幅輩が９μ
ｍである。
す。１は強磁性体よりなるＭ ｎ −Ｚ ｎ フェライ
トから成る基板、２は基板１上に膜厚０，５μｍの５ｌ
ｏ２をスパッタにて形成した絶縁層で、この状態の基板
１の表面精度を±０．００２μｍ以下になるまでラッピ
ングを行っている。３は蒸着により形成したバイアス磁
界用のＡ ｕ／Ｃｒからなるバイアス線、４はバイアス
線３上に５ｉ０２を膜厚０゜４μｍになるようスパッタ
によって形成した絶縁層、５はＮｉ ８１ｗｔ％
Ｆｅ １９ｗｔ％からナルパーマロイ膜を０．０３μｍ
の厚さで長手方向に磁場をかけて蒸着したＭＲ素子で、
そのパターン形状は長さくＬ）が７２μｍ２幅輩が９μ
ｍである。
６はＡ ｕ／Ｃｒで形成したＭＲ素素６に流すセンス電
流用のリード線でこの際リード線６の内側間距離を４２
μｍと６０μｍのものとの二種類を用いる。１０，１１
はＭＲ素子５のフロントおよびパックにＣＦ４のプラズ
マエツチングで８１０□に基板まで通させたフロントギ
ャップとパックギャップ、７はこれらの上に膜厚０．２
５μｍの５１０２をスパッタにて形成した絶縁層、８ａ
、８ｂはＣ。
流用のリード線でこの際リード線６の内側間距離を４２
μｍと６０μｍのものとの二種類を用いる。１０，１１
はＭＲ素子５のフロントおよびパックにＣＦ４のプラズ
マエツチングで８１０□に基板まで通させたフロントギ
ャップとパックギャップ、７はこれらの上に膜厚０．２
５μｍの５１０２をスパッタにて形成した絶縁層、８ａ
、８ｂはＣ。
−Ｎｂ−Ｆｅアモルファス合金膜をスパッタにて形成し
たフランクスガイド、９は膜厚１０１１ｍのＳｉＯを蒸
着にて形成した保護膜である。このようにして形成され
た薄膜磁気ヘッドをＭＲ素子の長手方向に真空中３６０
℃で固定磁場アニール（５０００ｅ）を３０分行い、次
に回転磁場中で室温まで徐冷する。そして、アニール後
、保護ガラスを樹脂接着し先端を円筒状ラッピングヘッ
ドを作製する。
たフランクスガイド、９は膜厚１０１１ｍのＳｉＯを蒸
着にて形成した保護膜である。このようにして形成され
た薄膜磁気ヘッドをＭＲ素子の長手方向に真空中３６０
℃で固定磁場アニール（５０００ｅ）を３０分行い、次
に回転磁場中で室温まで徐冷する。そして、アニール後
、保護ガラスを樹脂接着し先端を円筒状ラッピングヘッ
ドを作製する。
このようにして作製されたヘッドは、第２図（ａ）のよ
うにリード値開でＭＲ素子が単一磁区構造となるので磁
壁移動によるバルクハウゼンノイズは発生しない。
うにリード値開でＭＲ素子が単一磁区構造となるので磁
壁移動によるバルクハウゼンノイズは発生しない。
第３図に、ＭＲ素子上に現われる磁壁パターンとアスペ
クト比の関係についてビッタ−法によって勧察した一例
を示す。
クト比の関係についてビッタ−法によって勧察した一例
を示す。
第３図（ａ）はアスペクト比５．０中央部の単−磁区部
（ＬＭ）が４５μｍ１第３図（ｂ）はアスベスト比６．
２、ＬＭが５６μｍ、第３図（Ｃ）はアスペクト比８．
０、ＬＭが７２μｍの各磁気抵抗素子Ｓ＆〜６Ｃと磁壁
７ａ〜７ｃの関係を示すものである。
（ＬＭ）が４５μｍ１第３図（ｂ）はアスベスト比６．
２、ＬＭが５６μｍ、第３図（Ｃ）はアスペクト比８．
０、ＬＭが７２μｍの各磁気抵抗素子Ｓ＆〜６Ｃと磁壁
７ａ〜７ｃの関係を示すものである。
尚、いずれも幅Ｗは９μｍである。
以上のように、アスペクト比の増加にしたがい中央部の
単−磁区部（ＬＭ）が成長する。尚、単一磁区と環流磁
区からなる構造を準単−磁区と呼ぶ。第４図に印加磁界
と単−磁区部の距離の関係を示すが、単−磁区部は印加
磁界の増加とともに減少してゆく。記録媒体から実際に
発生する磁界を考慮した場合、数＋Ｏｅまでの磁界がか
かると思われ、もしリード線間の距離がその時の単−磁
区部の距離よシ短かければＭＲ素子は数十Ｏｅまでの印
加磁界に対して単一磁区構造であるとみなせる。なぜな
らセンス電流はリード線の内側間（最短距離）を流れる
ためでリード線下の磁壁移動の影響は無視できる。この
ため磁壁移動にともなうバルクハウゼンノイズは発生し
なくなる。
単−磁区部（ＬＭ）が成長する。尚、単一磁区と環流磁
区からなる構造を準単−磁区と呼ぶ。第４図に印加磁界
と単−磁区部の距離の関係を示すが、単−磁区部は印加
磁界の増加とともに減少してゆく。記録媒体から実際に
発生する磁界を考慮した場合、数＋Ｏｅまでの磁界がか
かると思われ、もしリード線間の距離がその時の単−磁
区部の距離よシ短かければＭＲ素子は数十Ｏｅまでの印
加磁界に対して単一磁区構造であるとみなせる。なぜな
らセンス電流はリード線の内側間（最短距離）を流れる
ためでリード線下の磁壁移動の影響は無視できる。この
ため磁壁移動にともなうバルクハウゼンノイズは発生し
なくなる。
以上のように本実施例において磁気抵抗素子の種々のパ
ターン形状および膜厚について以下のことがわかる。
ターン形状および膜厚について以下のことがわかる。
（１）膜厚が０．１２μｍ以下でかつパターン長（Ｌ）
が１５０μｍ以下でアスペクト比が６以上でないと安定
した準単−磁区構造が得られない。
が１５０μｍ以下でアスペクト比が６以上でないと安定
した準単−磁区構造が得られない。
（２）上記（１）を満足するパターンにおいては第６図
に示すように単一磁区構造の長さは膜厚Ｏ，ＯＳμｍ、
印加磁場３００ｅで単−磁区部の距離（ＬＭ）＝パター
ン長（Ｌ）−３，３Ｘパタ一ン幅（ロ）の関係にあり、
又膜厚に対しては０゜１２μｍ以下ではほとんど依存性
がない。
に示すように単一磁区構造の長さは膜厚Ｏ，ＯＳμｍ、
印加磁場３００ｅで単−磁区部の距離（ＬＭ）＝パター
ン長（Ｌ）−３，３Ｘパタ一ン幅（ロ）の関係にあり、
又膜厚に対しては０゜１２μｍ以下ではほとんど依存性
がない。
以上の点よシパルクハウゼンノイズをなくす対策として
第２図（ａ）のように磁場印加状態でも単一磁区構造を
有する領域までセンス電流用リード線の内側を持ってく
ればよい。その条件としては（１）ＭＲ素子の膜厚が０
．１２μｍ以下であること。
第２図（ａ）のように磁場印加状態でも単一磁区構造を
有する領域までセンス電流用リード線の内側を持ってく
ればよい。その条件としては（１）ＭＲ素子の膜厚が０
．１２μｍ以下であること。
（２）ＭＲ素子長が１５０μｍ以下であること。
（３）ＭＲ素子のアスペクト比（＝パターン長／パター
ン幅）が６以上であること。
ン幅）が６以上であること。
（４）センス電流用のリード線の内側間距離が（パター
イ長）−３，３Ｘ（パターン幅）であること。
イ長）−３，３Ｘ（パターン幅）であること。
以上の４項目が満足される必要がある。
再生ヘッドのノイズの原因としては熱ノイズ。
摺動ノイズ、バルクハウゼンノイズ等が考えられるが上
記各条件を満たせばバルクハウゼンノイズを大幅に除去
できる。本実施例においてパターン長が４２／ｊｍと５
０μｍの４０ＫＨｚ でのＳ／Ｎ比を比較してみると６
０μｍの場合４３ｄＢであったのが４２μｍの場合４４
．ｓｄＢと約１．ｓｄＢ向上することができる。
記各条件を満たせばバルクハウゼンノイズを大幅に除去
できる。本実施例においてパターン長が４２／ｊｍと５
０μｍの４０ＫＨｚ でのＳ／Ｎ比を比較してみると６
０μｍの場合４３ｄＢであったのが４２μｍの場合４４
．ｓｄＢと約１．ｓｄＢ向上することができる。
発明の効果
以上のように本発明は再生時のノイズ低減によ゛るＳ／
Ｎ比の向上に大きな効果を有するものである０
Ｎ比の向上に大きな効果を有するものである０
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの構
成を示す要部斜視図、第２図はＭＲ素子とリード線およ
び磁界中での磁壁の位置関係を示す平面図、第３図は各
種アスペクト比におけるＭＲ素子上の磁壁を示す平面図
、第４図は印加磁場と単一磁区の距離の関係を示す特性
図、第５図はパターン幅に対する（パターン長）−（単
−磁区部（・− 離）の関係を示す特性図である。 １・・・・・・基板、２ ｊ ４ ｔア・・・・・・絶
縁層、３・・・・・・バイアス線、６・・・・・・磁気
抵抗素子、６・・・・・・リード線、８ａ、８ｂ・・・
・・・フラックスガイド、９・・・・・・保護層、１ｏ
・・・・・・フロントギャップ、１１・・・・・・パッ
クギャップ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｂ
） ｋ ｑ ａｂ 第３図 第４図 ８］側磁−界（Ｏｅ ） 第５図 、 ム＝７２Ｐ惧 バクーン暢Ｕ仇ノ
成を示す要部斜視図、第２図はＭＲ素子とリード線およ
び磁界中での磁壁の位置関係を示す平面図、第３図は各
種アスペクト比におけるＭＲ素子上の磁壁を示す平面図
、第４図は印加磁場と単一磁区の距離の関係を示す特性
図、第５図はパターン幅に対する（パターン長）−（単
−磁区部（・− 離）の関係を示す特性図である。 １・・・・・・基板、２ ｊ ４ ｔア・・・・・・絶
縁層、３・・・・・・バイアス線、６・・・・・・磁気
抵抗素子、６・・・・・・リード線、８ａ、８ｂ・・・
・・・フラックスガイド、９・・・・・・保護層、１ｏ
・・・・・・フロントギャップ、１１・・・・・・パッ
クギャップ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｂ
） ｋ ｑ ａｂ 第３図 第４図 ８］側磁−界（Ｏｅ ） 第５図 、 ム＝７２Ｐ惧 バクーン暢Ｕ仇ノ
Claims (2)
- （１）強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した再生ヘッド
を構成する磁気抵抗素子のセンス電流用リード線で挾ま
れた部分が記録媒体からの漏れ磁界が印加された状態で
単一磁区構造を有する薄膜磁気ヘッド。 - （２）磁気抵抗素子の長さが１５０μｍ以下、膜厚が０
．１２μｍ以下でアスペクト比（パターン長／パターン
幅）が５以上であり、その両端に設けられるセンス電流
用リード線の内側間距離が〔パターン長−３．３×（パ
ターン幅）〕以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094701A JPS61253618A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094701A JPS61253618A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253618A true JPS61253618A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14117476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094701A Pending JPS61253618A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01121879U (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | ||
| JPH03137809A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-06-12 | Magnetic Peripherals Inc | 磁気抵抗センサの磁区組織の調整方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60094701A patent/JPS61253618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01121879U (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | ||
| JPH03137809A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-06-12 | Magnetic Peripherals Inc | 磁気抵抗センサの磁区組織の調整方法 |
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