JPS61247979A - 表面電位センサ素子の製造方法 - Google Patents
表面電位センサ素子の製造方法Info
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- JPS61247979A JPS61247979A JP8978685A JP8978685A JPS61247979A JP S61247979 A JPS61247979 A JP S61247979A JP 8978685 A JP8978685 A JP 8978685A JP 8978685 A JP8978685 A JP 8978685A JP S61247979 A JPS61247979 A JP S61247979A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は被測定物の表面電位を非接触で測定するための
1表面型位センサ素子の製造方法に関するもので、特に
振動容量形電位計に分類されるものに係る。
1表面型位センサ素子の製造方法に関するもので、特に
振動容量形電位計に分類されるものに係る。
従来の技術
物体の表面電位を非接触で測定するには、振動容量形と
セクター形の二方式の電位計が用いられ、本発明は前者
の製造方法に関するものである。
セクター形の二方式の電位計が用いられ、本発明は前者
の製造方法に関するものである。
第4図は一般にセンサ素子の出力電気信号を増幅するの
に多用される電界効果型トランジスタ(以下FETなる
一般称を使用)を用いた増幅回路の基本楕成図である。
に多用される電界効果型トランジスタ(以下FETなる
一般称を使用)を用いた増幅回路の基本楕成図である。
本発明に基づいて製造されるセンサ素子を構成する主要
素の一つの桟能を説明するに必要なもので、各記号は公
知の内容に対応する0文字り、G、Sは各々FETのド
レイン、ゲート、ソースを意味し、それぞれに抵抗(R
,、R1,R1)が付属する。Pは一般に電気信号の入
力を、Qは同じくその出力を意味し、VはFETの動作
電源である。点線の四角形で囲まれたR1は、値が数十
Ω (メグオーム)以上の超高抵抗体である。本発明の
関与する分野では、Pには被測定表面から放射される電
気力線を受けて誘起される誘導電荷が、前記表面の電位
検出信号として入ってくるものである。第5図は、従来
の製造方法に基づく表面電位センサ素子の基本構成を、
桟能本位に示した一種の断面図である。8は電気力線の
導入孔を、 11.12は圧電音叉の先端部であって接
地され前記電気力線を周期的に遮断し得る金属片を、1
7は前記電気力線の受容電極を、18は第4図に示され
た増幅回路の各要素を電気力線及びそれを受けて電極1
7に誘起される誘電電荷から静電的に遮蔽するシールド
部材を、19は前記各要素体を収容しかつそれらを外部
電界から静電的に遮蔽するシールドケースを、それぞれ
表わす。シールド部材18の内部の記号及び文字は第4
図のそれと一対一に対応する。但し。
素の一つの桟能を説明するに必要なもので、各記号は公
知の内容に対応する0文字り、G、Sは各々FETのド
レイン、ゲート、ソースを意味し、それぞれに抵抗(R
,、R1,R1)が付属する。Pは一般に電気信号の入
力を、Qは同じくその出力を意味し、VはFETの動作
電源である。点線の四角形で囲まれたR1は、値が数十
Ω (メグオーム)以上の超高抵抗体である。本発明の
関与する分野では、Pには被測定表面から放射される電
気力線を受けて誘起される誘導電荷が、前記表面の電位
検出信号として入ってくるものである。第5図は、従来
の製造方法に基づく表面電位センサ素子の基本構成を、
桟能本位に示した一種の断面図である。8は電気力線の
導入孔を、 11.12は圧電音叉の先端部であって接
地され前記電気力線を周期的に遮断し得る金属片を、1
7は前記電気力線の受容電極を、18は第4図に示され
た増幅回路の各要素を電気力線及びそれを受けて電極1
7に誘起される誘電電荷から静電的に遮蔽するシールド
部材を、19は前記各要素体を収容しかつそれらを外部
電界から静電的に遮蔽するシールドケースを、それぞれ
表わす。シールド部材18の内部の記号及び文字は第4
図のそれと一対一に対応する。但し。
qは出力信号の端子部を、+(プラス)はFETの電源
の端子部を、それぞれ表わす。尚、第3図のみでは従来
の素子の製造方法の概要も分かりにくいと思われるので
以下に補足する。従来から現在に至る迄、実用されてい
る素子では一枚の回路基板(通常はP板と略称される)
の一つの面に抵抗体を装着し、それらを覆う如く前記1
8に相当するシールド部材を上記P板に取り付ける。次
いでFETや検出電極を前記部品装着面の裏面に取付け
、その同じ面に圧電音叉もその基根部で支持され固定さ
れる。それから、電気力線の導入孔を有するシールドケ
ース上蓋が、前記電極が上記孔の真下にくるように、前
記シールド部材に半田等で装着される。
の端子部を、それぞれ表わす。尚、第3図のみでは従来
の素子の製造方法の概要も分かりにくいと思われるので
以下に補足する。従来から現在に至る迄、実用されてい
る素子では一枚の回路基板(通常はP板と略称される)
の一つの面に抵抗体を装着し、それらを覆う如く前記1
8に相当するシールド部材を上記P板に取り付ける。次
いでFETや検出電極を前記部品装着面の裏面に取付け
、その同じ面に圧電音叉もその基根部で支持され固定さ
れる。それから、電気力線の導入孔を有するシールドケ
ース上蓋が、前記電極が上記孔の真下にくるように、前
記シールド部材に半田等で装着される。
つまり、センサ素子を構成する各要素体は、一枚のP板
の両面に振り分けられて載置収納されている。更に、従
来の製造方法では、電気力線の進入側と反対の面も必ず
、一種のシールド部材(例えば金属ケース)で被覆され
、上記部材が前記P板を支持する如く上記P板に取り付
けられるのである。尚、リードピンは、前記P板とシー
ルド部材の共に厚み方向を貫通して設けられる。但し、
これに関する制限は持にない(特開昭56−12095
9及び特開昭59−204771参照)。
の両面に振り分けられて載置収納されている。更に、従
来の製造方法では、電気力線の進入側と反対の面も必ず
、一種のシールド部材(例えば金属ケース)で被覆され
、上記部材が前記P板を支持する如く上記P板に取り付
けられるのである。尚、リードピンは、前記P板とシー
ルド部材の共に厚み方向を貫通して設けられる。但し、
これに関する制限は持にない(特開昭56−12095
9及び特開昭59−204771参照)。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の製造方法に基づく構成の表面電位センサ素子
は、以下の問題点を有している。
は、以下の問題点を有している。
1)センサ素子の要素部品の支持もしくは装着の部位が
、一枚のP板の表裏に分かれる為、P板上の導電路パタ
ーン形成が複雑になり、同時に上記部品の支持及び装着
の全工程が複雑なものとなる。
、一枚のP板の表裏に分かれる為、P板上の導電路パタ
ーン形成が複雑になり、同時に上記部品の支持及び装着
の全工程が複雑なものとなる。
2)センサ素子要素体の収納が、上蓋と下蓋の二部材か
ら成るシールドケースによって行なわれるため、上記要
素体の収納工程が煩雑になり、同時に本方法によって作
られた素子の電気力線方向の高さが相対的に高くなる。
ら成るシールドケースによって行なわれるため、上記要
素体の収納工程が煩雑になり、同時に本方法によって作
られた素子の電気力線方向の高さが相対的に高くなる。
3)上記1)、2)の理由により、素子全体の製造方法
も煩雑なものとなる。
も煩雑なものとなる。
本発明は、上記問題点を解決した表面電位センサ素子の
製造方法を提供するものである。
製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の表面電位センサ素子の製造方法は、電気信号の
増幅回路部品と圧電音叉とを一枚のP板の同一面上に各
々装着及び支持固定し、前記回路部品の内前記電極に接
続している超高抵抗体を箔状の高導電膜で被覆すること
により静電シールド処理を施し、前記音叉両脚部の先端
に絶縁性基板と高導電膜とから成る二層構造体を絶縁性
接着剤を介して装着し、被測定表面から放射される電気
力線の導入孔を有するシールドケース上蓋を前記各要素
体が装着されている回路基板にかぶせて前記二層構造体
の内の高導電膜が前記表面の電位検出電極となるよう配
置して前記回路基板片面の表面を前記上蓋ケースと併せ
てシールド効果を有するケース底面として使い前記各要
素体を収納せしめるものである。
増幅回路部品と圧電音叉とを一枚のP板の同一面上に各
々装着及び支持固定し、前記回路部品の内前記電極に接
続している超高抵抗体を箔状の高導電膜で被覆すること
により静電シールド処理を施し、前記音叉両脚部の先端
に絶縁性基板と高導電膜とから成る二層構造体を絶縁性
接着剤を介して装着し、被測定表面から放射される電気
力線の導入孔を有するシールドケース上蓋を前記各要素
体が装着されている回路基板にかぶせて前記二層構造体
の内の高導電膜が前記表面の電位検出電極となるよう配
置して前記回路基板片面の表面を前記上蓋ケースと併せ
てシールド効果を有するケース底面として使い前記各要
素体を収納せしめるものである。
作用
本発明はセンサ素子要素部品の支持もしくは装着の部位
が一枚のP板の片面に集中しているため、P板上の導電
路パターン形成が簡単となり、同時に上記部品の支持及
び装着の全工程が簡単なものとなる。更に、検出電極に
接続している超高抵抗体の静電シールドとして、例えば
金属性ケース等で上記抵抗体を覆う方法がよく使われる
がそれに代って、同じく上記抵抗体を箔状の高導電膜で
被覆すると共に、前記P板を、センサ素子各要素体のシ
ールドと収納とを兼ねたケースの底抜として利用するの
で、前記収納工程が簡便なものとなり。
が一枚のP板の片面に集中しているため、P板上の導電
路パターン形成が簡単となり、同時に上記部品の支持及
び装着の全工程が簡単なものとなる。更に、検出電極に
接続している超高抵抗体の静電シールドとして、例えば
金属性ケース等で上記抵抗体を覆う方法がよく使われる
がそれに代って、同じく上記抵抗体を箔状の高導電膜で
被覆すると共に、前記P板を、センサ素子各要素体のシ
ールドと収納とを兼ねたケースの底抜として利用するの
で、前記収納工程が簡便なものとなり。
素子の高さも低くなる。結局、本発明に基づくセンサ素
子の製造方法は、従来のそれにくらべてより簡易なもの
となり、これによって作られる素子の電気力線方向の高
さも低くなるものである。
子の製造方法は、従来のそれにくらべてより簡易なもの
となり、これによって作られる素子の電気力線方向の高
さも低くなるものである。
実施例
以下、本発明に基づく表面電位センサ素子の製造方法の
構成と作用並びに従来例に優る利点を、図面に基づいて
具体的に説明する。第1図〜第3図は本発明に基づいて
作られる表面電位センサ素子の構成の一例を示すもので
、第1図は上面図、第2図は第1図に於ける幅方向の位
置(AA’)を切り口とし、その方向から眺めた断面図
を、第3図は要部の一部の拡大上面図をそれぞれ表わす
。■。
構成と作用並びに従来例に優る利点を、図面に基づいて
具体的に説明する。第1図〜第3図は本発明に基づいて
作られる表面電位センサ素子の構成の一例を示すもので
、第1図は上面図、第2図は第1図に於ける幅方向の位
置(AA’)を切り口とし、その方向から眺めた断面図
を、第3図は要部の一部の拡大上面図をそれぞれ表わす
。■。
2は圧電振動子によって駆動される圧電音叉の脚部を、
3.4は前記振動子を、5,6は圧電音叉の脚部先端に
設けられた二層構造体の内の高導電膜を。
3.4は前記振動子を、5,6は圧電音叉の脚部先端に
設けられた二層構造体の内の高導電膜を。
7a 、7b 、 7cは前記音叉の基根部の各要素を
、9,10は二層構造体の内の絶縁性基板を、13は前
記振動子や二層構造体が音叉に装着されている圧電音叉
や電気信号増幅回路部品を各々支持及び装着しうる部品
装着用基板を、14はシールドケース上蓋を。
、9,10は二層構造体の内の絶縁性基板を、13は前
記振動子や二層構造体が音叉に装着されている圧電音叉
や電気信号増幅回路部品を各々支持及び装着しうる部品
装着用基板を、14はシールドケース上蓋を。
15は電位検出の電極となりうる前記高導電膜5,6に
接続される超高抵抗体を表わし、15aはその実質抵抗
部を、15bはそのリード線部を、16は前記リード線
とは導通しない状態で前記超高抵抗体15を静電的にシ
ールドすべく被覆し前記基板13上の接地部にその周辺
が接着される銅箔等の箔状高導電膜を、Eは被測定表面
から放射される電気力線を、それぞれ表わしている。上
記以外の記号の表わす意味は、第4図及び第5図の場合
と同様である。但し、第1図〜第3図では前記基板13
や箔状高導電膜16の図示が略されている。更に、前記
二層構造体と音叉脚部との接着に用いられる絶縁性接着
剤の図示は第2図では略されている。基板13の材質は
基本的には、従来と同体な高分子系樹脂でよい、但し、
従来と異なり、センサ素子の要素部品の包装ケースの底
抜を兼ねるために、主として機械的強度を考慮した板厚
や材質の設計がなされているものである。箔状高導電膜
16の材質は高導電膜5,6のそれと同じであって良い
が厚みは被覆材として十分な厚みを持っていることが望
ましい。例えば、高導電膜5,6は蒸着膜であっても良
いが箔状高導電膜16は箔状のものが望ましく、裏面に
導電性や絶縁性の接着剤の塗布されたもの或いはそれら
が全く付着していない銅箔やアルミ箔が市販されている
ので、それらを利用すれば良い。
接続される超高抵抗体を表わし、15aはその実質抵抗
部を、15bはそのリード線部を、16は前記リード線
とは導通しない状態で前記超高抵抗体15を静電的にシ
ールドすべく被覆し前記基板13上の接地部にその周辺
が接着される銅箔等の箔状高導電膜を、Eは被測定表面
から放射される電気力線を、それぞれ表わしている。上
記以外の記号の表わす意味は、第4図及び第5図の場合
と同様である。但し、第1図〜第3図では前記基板13
や箔状高導電膜16の図示が略されている。更に、前記
二層構造体と音叉脚部との接着に用いられる絶縁性接着
剤の図示は第2図では略されている。基板13の材質は
基本的には、従来と同体な高分子系樹脂でよい、但し、
従来と異なり、センサ素子の要素部品の包装ケースの底
抜を兼ねるために、主として機械的強度を考慮した板厚
や材質の設計がなされているものである。箔状高導電膜
16の材質は高導電膜5,6のそれと同じであって良い
が厚みは被覆材として十分な厚みを持っていることが望
ましい。例えば、高導電膜5,6は蒸着膜であっても良
いが箔状高導電膜16は箔状のものが望ましく、裏面に
導電性や絶縁性の接着剤の塗布されたもの或いはそれら
が全く付着していない銅箔やアルミ箔が市販されている
ので、それらを利用すれば良い。
第1図〜第3図では、センサ素子の機能発現に必要な第
4図の増幅回路の内、超高抵抗(R工)を除いた他の要
素部品及び電気結線の図示も略されているが、実際には
、これら諸要素は第2図に示されている基板13の圧電
音叉側の面に装着されているものである。
4図の増幅回路の内、超高抵抗(R工)を除いた他の要
素部品及び電気結線の図示も略されているが、実際には
、これら諸要素は第2図に示されている基板13の圧電
音叉側の面に装着されているものである。
上記に基づき、本発明の製造方法を具体的に以下に説明
する。
する。
まず、部品装着用回路基板(回路基板と略称、通常P板
と呼ばれる)の片面上に、電位検出の電気信号の増幅に
必要な部品の一部(例えば抵抗体やFET等の増幅回路
部品)を装着せしめ、その装着面に、基根部と脚部とが
同材質のものからなり一体形成又は溶接によって一体化
され両脚部の起根部側近傍に圧電振動子が装着されてい
る圧電音叉の前記基根部を装着せしめ支持固定する。次
いで。
と呼ばれる)の片面上に、電位検出の電気信号の増幅に
必要な部品の一部(例えば抵抗体やFET等の増幅回路
部品)を装着せしめ、その装着面に、基根部と脚部とが
同材質のものからなり一体形成又は溶接によって一体化
され両脚部の起根部側近傍に圧電振動子が装着されてい
る圧電音叉の前記基根部を装着せしめ支持固定する。次
いで。
前記抵抗体の内、前記FETのゲート端子に接続される
超高抵抗体5を市販の銅箔等の箔状高導電膜で被覆しそ
の端部を半田付は等により前記装着面上の接地部と接続
せしめて静電シールド処理を施す。次いで、前記音叉両
脚部1.2の先端に、絶縁性基板の上に高導電膜が装着
された二層構造体を、前記絶縁性基板が上記脚部先端の
主面に接するように、絶縁性接着剤を介して装着せしめ
る。更に、前記各要素に所要の電気結線を施した後、電
気力線の導入孔8を有するシールドケース上蓋14(通
常は金属性のものが多用される〕を、前記二層構造体の
内の高導電膜面が被測定面から放射される電気力線を受
用し得るように、前記P板の上からかぶせる。一方、前
記P板の要素部品装着面の裏面は、P板に予め張られて
いる銅箔の上に半田メッキ等が施され、静電シールドの
為の接地端子面となっている。従って、前記上蓋ケース
の端部を、前記装着面の裏面に半田付は等で接続させる
ことにより、前記各要素体の収納とシールドとがなされ
5本センサ素子の製造工程が終了する。このとき、前記
P板表面波収納ケース底板となると共にシールドケース
の底面ともなっている。
超高抵抗体5を市販の銅箔等の箔状高導電膜で被覆しそ
の端部を半田付は等により前記装着面上の接地部と接続
せしめて静電シールド処理を施す。次いで、前記音叉両
脚部1.2の先端に、絶縁性基板の上に高導電膜が装着
された二層構造体を、前記絶縁性基板が上記脚部先端の
主面に接するように、絶縁性接着剤を介して装着せしめ
る。更に、前記各要素に所要の電気結線を施した後、電
気力線の導入孔8を有するシールドケース上蓋14(通
常は金属性のものが多用される〕を、前記二層構造体の
内の高導電膜面が被測定面から放射される電気力線を受
用し得るように、前記P板の上からかぶせる。一方、前
記P板の要素部品装着面の裏面は、P板に予め張られて
いる銅箔の上に半田メッキ等が施され、静電シールドの
為の接地端子面となっている。従って、前記上蓋ケース
の端部を、前記装着面の裏面に半田付は等で接続させる
ことにより、前記各要素体の収納とシールドとがなされ
5本センサ素子の製造工程が終了する。このとき、前記
P板表面波収納ケース底板となると共にシールドケース
の底面ともなっている。
本発明の製造方法の作用は、上記に述べた通りである。
以下には、本方法に基づいて製造された素子が確かに表
面電位センサ素子として働き得ることを示す。
面電位センサ素子として働き得ることを示す。
まず導入孔8を通った電気力線は、高導電膜5,6上に
電荷として蓄えられ、圧電音叉脚部1,2の動きと同期
して、上記電荷は増幅回路の要素である負荷を流れる変
位電流に変換される。従って、電気力線を放射する被測
定表面の電位は、一定値を有する抵抗間の電位差に一定
比で換算され求められることになる。結局前記高導電膜
は表面電位検出用の電極としての役割を果すことになり
1本発明の製造方法による素子は表面電位センサ素子と
して働き得ることが示されたことになる。
電荷として蓄えられ、圧電音叉脚部1,2の動きと同期
して、上記電荷は増幅回路の要素である負荷を流れる変
位電流に変換される。従って、電気力線を放射する被測
定表面の電位は、一定値を有する抵抗間の電位差に一定
比で換算され求められることになる。結局前記高導電膜
は表面電位検出用の電極としての役割を果すことになり
1本発明の製造方法による素子は表面電位センサ素子と
して働き得ることが示されたことになる。
本発明に基づいて製造された素子では、電位検出用電極
が電気力線導入孔に体し相対的に接近するので、従来例
にくらべてS/N比が向上する。これは、検出電極に誘
起される電荷の大きさが被測定電位面からの距離に反比
例することに起因する。
が電気力線導入孔に体し相対的に接近するので、従来例
にくらべてS/N比が向上する。これは、検出電極に誘
起される電荷の大きさが被測定電位面からの距離に反比
例することに起因する。
即ち、前記孔の面と被測定面との距離が同一であっても
、検出電極面が電気力線の入射方向に沿って1本発明例
の方が従来例に比べて明らかに前記孔の面により接近す
る分だけ被測定面と前記電極面との距離が短くなるから
である。上記距離が短いと、電極サイズが同じ場合には
、その分だけ誘導電荷の大きさが増え、電気信号もそれ
だけ増大し回路による処理も容易となるからである。熱
論、従来にくらべて ■要素部品の配置が、P板の片面に集中して行なわれる
為、それらの装着工程が容易になる。
、検出電極面が電気力線の入射方向に沿って1本発明例
の方が従来例に比べて明らかに前記孔の面により接近す
る分だけ被測定面と前記電極面との距離が短くなるから
である。上記距離が短いと、電極サイズが同じ場合には
、その分だけ誘導電荷の大きさが増え、電気信号もそれ
だけ増大し回路による処理も容易となるからである。熱
論、従来にくらべて ■要素部品の配置が、P板の片面に集中して行なわれる
為、それらの装着工程が容易になる。
■更に、検出電極と直結している超高抵抗体(第4図に
於けるR1)のみを箔状高導電膜で被覆することで、要
素部品の静電シールドの簡略化が図れると共に、P板を
シールドと収納とを兼ねたケースの底板として利用する
ので、素子の各要素体の収納工程が簡便になり、センサ
素子の高さを低くできる。
於けるR1)のみを箔状高導電膜で被覆することで、要
素部品の静電シールドの簡略化が図れると共に、P板を
シールドと収納とを兼ねたケースの底板として利用する
ので、素子の各要素体の収納工程が簡便になり、センサ
素子の高さを低くできる。
尚、本発明に基づく表面電位センサ素子の製造方法の構
成要件については、上記の説明以外に付加されるべき制
限条項はない。
成要件については、上記の説明以外に付加されるべき制
限条項はない。
発明の効果
以上、説明のように、本発明の表面電位センサ素子の製
造方法は、要素回路部品と圧電音叉とを一枚の回路基板
の片面に集中配置せしめ、前記部品の白餡高抵抗体のみ
を箔状の高導電膜で被覆としてシールドし、前記音叉両
脚部の先端に絶縁性基板と高導電膜の二層構造体を取付
け、更に、電気力線の導入孔を有するシールドケース上
蓋を前記回路基板にかぶせて前記二層構造体の内の高導
電膜が上記電気力線の受容電極となるよう配置すると共
に、前記回路基板の裏面を前記要素体の収納ケース底面
として利用することにより、従来例の問題点を解決しか
つ感度の向上した表面電位センサ素子を作り得る前記素
子の製造方法を提供しうるものである。
造方法は、要素回路部品と圧電音叉とを一枚の回路基板
の片面に集中配置せしめ、前記部品の白餡高抵抗体のみ
を箔状の高導電膜で被覆としてシールドし、前記音叉両
脚部の先端に絶縁性基板と高導電膜の二層構造体を取付
け、更に、電気力線の導入孔を有するシールドケース上
蓋を前記回路基板にかぶせて前記二層構造体の内の高導
電膜が上記電気力線の受容電極となるよう配置すると共
に、前記回路基板の裏面を前記要素体の収納ケース底面
として利用することにより、従来例の問題点を解決しか
つ感度の向上した表面電位センサ素子を作り得る前記素
子の製造方法を提供しうるものである。
第1図は本発明に基づいて作られた表面電位センサ素子
の要部構成上面図、第2図は第1図の断面図、第3図は
第2図の要部上面図、第4図はセンサ素子一般の出力電
気信号の増幅回路の基本構成図、第5図は従来の製法に
基づく表面電位センサ素子の基本構成を機能本位に説明
するための断面図である。 1.2・・・音叉脚部、3,4・・・圧電振動子、5.
6.16・・・高導電膜、 7a、 7b、 7c・・
・音叉法根部、9.10・・・絶縁性基板、13・・・
回路基板、14・・・シールドケース上蓋、15・・・
超高抵抗体 代理人 森 本 義 弘 第1図 第2図
の要部構成上面図、第2図は第1図の断面図、第3図は
第2図の要部上面図、第4図はセンサ素子一般の出力電
気信号の増幅回路の基本構成図、第5図は従来の製法に
基づく表面電位センサ素子の基本構成を機能本位に説明
するための断面図である。 1.2・・・音叉脚部、3,4・・・圧電振動子、5.
6.16・・・高導電膜、 7a、 7b、 7c・・
・音叉法根部、9.10・・・絶縁性基板、13・・・
回路基板、14・・・シールドケース上蓋、15・・・
超高抵抗体 代理人 森 本 義 弘 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一個のFETと上記FETの各端子に接続される抵
抗体とからなる電位検出電気信号の増幅回路部品と圧電
音叉とを、部品装着用回路基板の同一片面上に各々装着
及び支持固定し、前記抵抗体の内前記FETのゲート端
子に接続される超高抵抗体を箔状の高導電膜で被覆する
ことにより静電シールド処理を施し、前記音叉両脚部の
先端に絶縁性基板と高導電膜とから成る二層構造体を絶
縁性接着剤を介して装着し、被測定表面から放射される
電気力線の導入孔を有するシールドケース上蓋を前記各
要素体が装着されている回路基板にかぶせて前記二層構
造体の内の高導電膜が前記表面の電位検出電極となるよ
う配置して前記回路基板片面の表面を前記上蓋ケースと
併せてシールド効果を有するケース底面として使い前記
各要素体を収納せしめる表面電位センサ素子の製造方法
。 2、圧電音叉の駆動体として、長さ振動を行う圧電振動
子を利用したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の表面電位センサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8978685A JPS61247979A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表面電位センサ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8978685A JPS61247979A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表面電位センサ素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61247979A true JPS61247979A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13980362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8978685A Pending JPS61247979A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 表面電位センサ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61247979A (ja) |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP8978685A patent/JPS61247979A/ja active Pending
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