RU2076473C1 - Свч интегральная схема - Google Patents

Свч интегральная схема Download PDF

Info

Publication number
RU2076473C1
RU2076473C1 RU94027935A RU94027935A RU2076473C1 RU 2076473 C1 RU2076473 C1 RU 2076473C1 RU 94027935 A RU94027935 A RU 94027935A RU 94027935 A RU94027935 A RU 94027935A RU 2076473 C1 RU2076473 C1 RU 2076473C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
board
integrated circuit
metal base
microwave integrated
coplanar lines
Prior art date
Application number
RU94027935A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94027935A (ru
Inventor
А.М. Темнов
В.Л. Наумов
Original Assignee
Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное научно-производственное предприятие "Исток" filed Critical Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Priority to RU94027935A priority Critical patent/RU2076473C1/ru
Publication of RU94027935A publication Critical patent/RU94027935A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2076473C1 publication Critical patent/RU2076473C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: СВЧ интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии. 3 ил.

Description

Изобретение относится к электронной технике СВЧ диапазона, в частности к конструированию и изготовлению СВЧ интегральных схем.
Известна конструкция интегральной схемы, например, СВЧ усилителя на транзисторах [1] содержащая микрополосковые линии, навесные активные компоненты и цепи питания.
Основным недостатком создания такой схемы является трудность включения шунтирующих элементов. Для чего подложку сверлят и затем металлизируют отверстия, либо размещают шунтирующие элементы на краю платы и металлизируют ее торцевую часть. Металлизированные отверстия занимают существенную часть подложки, а размещение элементов на краю платы не всегда удобно.
Известна конструкция СВЧ интегральной схемы, содержащая диэлектрическую плату с микрополосковыми линиями и отверстием в центре платы, монтируемую на металлическом основании [2] В отверстии располагаются транзисторы, шунтирующие конденсаторы и резисторы, соединенные с платой, проволочными выводами. Отверстие закрывается диэлектрической крышкой, оставляя свободными отрезки микрополосковых линий, являющиеся входом, выходом и выводом питания.
Недостатком этой конструкции является большое число проволочных соединений и необходимость размещения всех шунтирующих на землю точек схемы по периферии отверстия.
Известная конструкция СВЧ интегральной схемы-прототип, содержащая диэлектрическую плату со сформированными на одной ее стороне в едином технологическом цикле конденсаторами, резисторами и копланарными линиями 3.
Плата этой стороной соединена с нижней металлизированной стороной другой платы рамки, которая имеет центральное отверстие и микрополосковые выводы на верхней стороне.
Микрополосковые выводы и копланарные линии этих плат соединяются проволочными выводами.
Плата с рамкой установлена на металлическое основание, а отверстие в рамке закрыто диэлектрической крышкой.
Использование копланарной линии позволяет легко включать шунтирующие и последовательные элементы. Навесными компонентами на плате являются бескорпусные транзисторы и диоды, соединяемые с платой проволочными выводами.
Размещение на плате всех шунтирующих элементов значительно уменьшает число проволочных соединений и улучшает надежность схемы.
Недостатком конструкции является наличие дополнительной рамки с отверстием и микрополосковыми выводами, что усложняет и повышает стоимость конструкции.
Техническим результатом данного изобретения является упрощение конструкции, снижение стоимости, улучшение СВЧ характеристик интегральной схемы.
Вышеуказанный технический результат достигается тем, что в известной конструкции СВЧ интегральной схемы, содержащей диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установленную на металлическом основании и выводы, диэлектрическая плата установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии, пассивные и активные элементы.
Размещение диэлектрической платы на металлическом основании стороной содержащей копланарные линии позволит: во-первых, исключить из конструкции рамку с отверстием и крышку; во-вторых, уменьшить число проволочных соединений т. к. отпадает необходимость делать проволочные соединения копланарных линий с микрополосковыми выводами.
Уменьшение количества конструктивных элементов снижает стоимость интегральной схемы при одновременном упрощении сборки, а уменьшение числа проволочных соединений улучшает СВЧ характеристики интегральной схемы, повышает надежность.
На фиг. 1 приведен один из вариантов конструкции, где металлизированная диэлектрическая плата 1 с навесными компонентами, микрополосковые выводы 2 в виде 2-х вкладышей, металлическое основание 3.
Диэлектрическая плата 1 из сапфира с нанесенными на ней копланарными линиями, сосредоточенными элементами R, L, C и контактными площадками выполнены по групповой технологии на сапфировой пластине диаметром 76 мм. После разрезания на платы и посадки на нее бескорпусных активных элементов (транзисторов и диодов) плата стороной, содержащей копланарные линии, устанавливается непосредственно на металлическое основание 3 с выводами 2. При этом периферийные заземляющие площадки платы соединяются с металлическими основанием, а копланарные выводы платы с микрополосковыми выводами 2.
Другой пример реализации изобретения приведен на фиг. 2, где: диэлектрическая плата с навесными компонентами 1, металлическое основание 3, выводы 2.
Диэлектрическая плата 1 также изготавливается по групповой технологии. После измерения параметров платы к ней привариваются плоские выводы 2, а затем на плату монтируются бескорпусные транзисторы и диоды. После этого плата стороной, содержащей копланарные линии, активные и пассивные элементы устанавливается на металлизированное основание 3. Паз в металлическом основании под вывод герметизируется электроизолирующим клеем, имеющим малые потери на СВЧ.
Третий пример реализации изобретения приведен на фиг. 3, где: металлическое основание 3, диэлектрическая плата с навесными компонентами 1, выводы 2.
Диэлектрическая плата 1 изготавливается как и в примере 2. Металлическое основание 3 изготавливается методом штамповки из листового материала.
Плата с приваренными к ней выводами стороной, содержащей копланарные линии и элементы устанавливается на металлическое основание. Щель в металлическом основании под выводом герметизируется электроизолирующим клеем, имеющим малые потери на СВЧ.
Эта конструкция удобна для использования в составе аппаратуры, имеющей копланарные места присоединения.
Таким образом, предлагаемая конструкция СВЧ интегральной схемы по сравнению с прототипом упрощает конструкцию, снижает стоимость и улучшает СВЧ характеристики.

Claims (1)

  1. СВЧ интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установленную на металлическом основании, и выводы, отличающаяся тем, что диэлектрическая плата установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии.
RU94027935A 1994-07-25 1994-07-25 Свч интегральная схема RU2076473C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94027935A RU2076473C1 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Свч интегральная схема

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94027935A RU2076473C1 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Свч интегральная схема

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94027935A RU94027935A (ru) 1996-05-20
RU2076473C1 true RU2076473C1 (ru) 1997-03-27

Family

ID=20158938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94027935A RU2076473C1 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Свч интегральная схема

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2076473C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998013876A1 (fr) * 1996-09-26 1998-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes
RU2474921C1 (ru) * 2011-08-30 2013-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Интегральная схема свч

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент США N 4267520, кл. 330-286, 1981. 2. Авторское свидетельство СССР N 276174, кл. H 01 F 1970. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998013876A1 (fr) * 1996-09-26 1998-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes
RU2474921C1 (ru) * 2011-08-30 2013-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Интегральная схема свч

Also Published As

Publication number Publication date
RU94027935A (ru) 1996-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4783697A (en) Leadless chip carrier for RF power transistors or the like
US5172077A (en) Oscillator and method of manufacturing the same
US5159532A (en) Electronic control unit with multiple hybrid circuit assemblies integrated on a single common ceramic carrier
JPS6352781B2 (ru)
TW341722B (en) Surface-mounted semiconductor package and its manufacturing method
KR910004957B1 (ko) 고주파 회로장치
ES474519A1 (es) Un marco de conductores para establecer conexiones electri- cas con componentes electricos, y un dispositivo electrico correspondiente
GB2118371B (en) High-frequency circuit comprising an integrated capacitor
KR880004568A (ko) 반도체집적회로장치
JPS55140251A (en) Semiconductor device
GB2264389B (en) Power semiconductor device
GB1373008A (en) Electronic components
KR920022583A (ko) 무선 페이저
KR880011914A (ko) 전기 도전 캐리어 플레이트를 포함하는 집적회로
MY126602A (en) Electronic device and manufacture thereof
RU2076473C1 (ru) Свч интегральная схема
EP0117434A1 (en) Hybrid microwave subsystem
ES273365U (es) Un ensamble de componente electronico
US4924296A (en) Multiple-chip semiconductor element in a case of metal and resin
GB2152753A (en) Decoupling capacitor for integrated circuits and relationship with a printed circuit board
JPH07263581A (ja) 半導体チップ用合成樹脂製smd容器
US6075713A (en) Laser trimmable electronic device
JP2532039B2 (ja) 高周波用半導体装置
US5847934A (en) Hybrid integrated circuit
JPS5561046A (en) Packaging device for semiconductor integrated circuit