RU2076473C1 - Свч интегральная схема - Google Patents
Свч интегральная схема Download PDFInfo
- Publication number
- RU2076473C1 RU2076473C1 RU94027935A RU94027935A RU2076473C1 RU 2076473 C1 RU2076473 C1 RU 2076473C1 RU 94027935 A RU94027935 A RU 94027935A RU 94027935 A RU94027935 A RU 94027935A RU 2076473 C1 RU2076473 C1 RU 2076473C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- board
- integrated circuit
- metal base
- microwave integrated
- coplanar lines
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: СВЧ интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии. 3 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике СВЧ диапазона, в частности к конструированию и изготовлению СВЧ интегральных схем.
Известна конструкция интегральной схемы, например, СВЧ усилителя на транзисторах [1] содержащая микрополосковые линии, навесные активные компоненты и цепи питания.
Основным недостатком создания такой схемы является трудность включения шунтирующих элементов. Для чего подложку сверлят и затем металлизируют отверстия, либо размещают шунтирующие элементы на краю платы и металлизируют ее торцевую часть. Металлизированные отверстия занимают существенную часть подложки, а размещение элементов на краю платы не всегда удобно.
Известна конструкция СВЧ интегральной схемы, содержащая диэлектрическую плату с микрополосковыми линиями и отверстием в центре платы, монтируемую на металлическом основании [2] В отверстии располагаются транзисторы, шунтирующие конденсаторы и резисторы, соединенные с платой, проволочными выводами. Отверстие закрывается диэлектрической крышкой, оставляя свободными отрезки микрополосковых линий, являющиеся входом, выходом и выводом питания.
Недостатком этой конструкции является большое число проволочных соединений и необходимость размещения всех шунтирующих на землю точек схемы по периферии отверстия.
Известная конструкция СВЧ интегральной схемы-прототип, содержащая диэлектрическую плату со сформированными на одной ее стороне в едином технологическом цикле конденсаторами, резисторами и копланарными линиями 3.
Плата этой стороной соединена с нижней металлизированной стороной другой платы рамки, которая имеет центральное отверстие и микрополосковые выводы на верхней стороне.
Микрополосковые выводы и копланарные линии этих плат соединяются проволочными выводами.
Плата с рамкой установлена на металлическое основание, а отверстие в рамке закрыто диэлектрической крышкой.
Использование копланарной линии позволяет легко включать шунтирующие и последовательные элементы. Навесными компонентами на плате являются бескорпусные транзисторы и диоды, соединяемые с платой проволочными выводами.
Размещение на плате всех шунтирующих элементов значительно уменьшает число проволочных соединений и улучшает надежность схемы.
Недостатком конструкции является наличие дополнительной рамки с отверстием и микрополосковыми выводами, что усложняет и повышает стоимость конструкции.
Техническим результатом данного изобретения является упрощение конструкции, снижение стоимости, улучшение СВЧ характеристик интегральной схемы.
Вышеуказанный технический результат достигается тем, что в известной конструкции СВЧ интегральной схемы, содержащей диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установленную на металлическом основании и выводы, диэлектрическая плата установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии, пассивные и активные элементы.
Размещение диэлектрической платы на металлическом основании стороной содержащей копланарные линии позволит: во-первых, исключить из конструкции рамку с отверстием и крышку; во-вторых, уменьшить число проволочных соединений т. к. отпадает необходимость делать проволочные соединения копланарных линий с микрополосковыми выводами.
Уменьшение количества конструктивных элементов снижает стоимость интегральной схемы при одновременном упрощении сборки, а уменьшение числа проволочных соединений улучшает СВЧ характеристики интегральной схемы, повышает надежность.
На фиг. 1 приведен один из вариантов конструкции, где металлизированная диэлектрическая плата 1 с навесными компонентами, микрополосковые выводы 2 в виде 2-х вкладышей, металлическое основание 3.
Диэлектрическая плата 1 из сапфира с нанесенными на ней копланарными линиями, сосредоточенными элементами R, L, C и контактными площадками выполнены по групповой технологии на сапфировой пластине диаметром 76 мм. После разрезания на платы и посадки на нее бескорпусных активных элементов (транзисторов и диодов) плата стороной, содержащей копланарные линии, устанавливается непосредственно на металлическое основание 3 с выводами 2. При этом периферийные заземляющие площадки платы соединяются с металлическими основанием, а копланарные выводы платы с микрополосковыми выводами 2.
Другой пример реализации изобретения приведен на фиг. 2, где: диэлектрическая плата с навесными компонентами 1, металлическое основание 3, выводы 2.
Диэлектрическая плата 1 также изготавливается по групповой технологии. После измерения параметров платы к ней привариваются плоские выводы 2, а затем на плату монтируются бескорпусные транзисторы и диоды. После этого плата стороной, содержащей копланарные линии, активные и пассивные элементы устанавливается на металлизированное основание 3. Паз в металлическом основании под вывод герметизируется электроизолирующим клеем, имеющим малые потери на СВЧ.
Третий пример реализации изобретения приведен на фиг. 3, где: металлическое основание 3, диэлектрическая плата с навесными компонентами 1, выводы 2.
Диэлектрическая плата 1 изготавливается как и в примере 2. Металлическое основание 3 изготавливается методом штамповки из листового материала.
Плата с приваренными к ней выводами стороной, содержащей копланарные линии и элементы устанавливается на металлическое основание. Щель в металлическом основании под выводом герметизируется электроизолирующим клеем, имеющим малые потери на СВЧ.
Эта конструкция удобна для использования в составе аппаратуры, имеющей копланарные места присоединения.
Таким образом, предлагаемая конструкция СВЧ интегральной схемы по сравнению с прототипом упрощает конструкцию, снижает стоимость и улучшает СВЧ характеристики.
Claims (1)
- СВЧ интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с размещенными на одной ее стороне копланарными линиями, пассивными и активными элементами, установленную на металлическом основании, и выводы, отличающаяся тем, что диэлектрическая плата установлена на металлическом основании стороной, содержащей копланарные линии.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94027935A RU2076473C1 (ru) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Свч интегральная схема |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94027935A RU2076473C1 (ru) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Свч интегральная схема |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94027935A RU94027935A (ru) | 1996-05-20 |
RU2076473C1 true RU2076473C1 (ru) | 1997-03-27 |
Family
ID=20158938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94027935A RU2076473C1 (ru) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Свч интегральная схема |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2076473C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998013876A1 (fr) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes |
RU2474921C1 (ru) * | 2011-08-30 | 2013-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Интегральная схема свч |
-
1994
- 1994-07-25 RU RU94027935A patent/RU2076473C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент США N 4267520, кл. 330-286, 1981. 2. Авторское свидетельство СССР N 276174, кл. H 01 F 1970. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998013876A1 (fr) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes |
RU2474921C1 (ru) * | 2011-08-30 | 2013-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Интегральная схема свч |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU94027935A (ru) | 1996-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4783697A (en) | Leadless chip carrier for RF power transistors or the like | |
US5172077A (en) | Oscillator and method of manufacturing the same | |
US5159532A (en) | Electronic control unit with multiple hybrid circuit assemblies integrated on a single common ceramic carrier | |
JPS6352781B2 (ru) | ||
TW341722B (en) | Surface-mounted semiconductor package and its manufacturing method | |
KR910004957B1 (ko) | 고주파 회로장치 | |
ES474519A1 (es) | Un marco de conductores para establecer conexiones electri- cas con componentes electricos, y un dispositivo electrico correspondiente | |
GB2118371B (en) | High-frequency circuit comprising an integrated capacitor | |
KR880004568A (ko) | 반도체집적회로장치 | |
JPS55140251A (en) | Semiconductor device | |
GB2264389B (en) | Power semiconductor device | |
GB1373008A (en) | Electronic components | |
KR920022583A (ko) | 무선 페이저 | |
KR880011914A (ko) | 전기 도전 캐리어 플레이트를 포함하는 집적회로 | |
MY126602A (en) | Electronic device and manufacture thereof | |
RU2076473C1 (ru) | Свч интегральная схема | |
EP0117434A1 (en) | Hybrid microwave subsystem | |
ES273365U (es) | Un ensamble de componente electronico | |
US4924296A (en) | Multiple-chip semiconductor element in a case of metal and resin | |
GB2152753A (en) | Decoupling capacitor for integrated circuits and relationship with a printed circuit board | |
JPH07263581A (ja) | 半導体チップ用合成樹脂製smd容器 | |
US6075713A (en) | Laser trimmable electronic device | |
JP2532039B2 (ja) | 高周波用半導体装置 | |
US5847934A (en) | Hybrid integrated circuit | |
JPS5561046A (en) | Packaging device for semiconductor integrated circuit |