JPS61243169A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS61243169A JPS61243169A JP8400285A JP8400285A JPS61243169A JP S61243169 A JPS61243169 A JP S61243169A JP 8400285 A JP8400285 A JP 8400285A JP 8400285 A JP8400285 A JP 8400285A JP S61243169 A JPS61243169 A JP S61243169A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- sputtering
- electrodes
- substrate
- targets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えば非磁性基板上にＰ＠ｓＯａ薄膜を被着
したのち熱処理により７−Ｆｅ１Ｏ１薄膜を形成する磁
気記録媒体製作工程におけるＦｅ５Ｏａ薄膜生成のため
のスパッタリングに用いられるようなスパッタリング装
置に関する。
したのち熱処理により７−Ｆｅ１Ｏ１薄膜を形成する磁
気記録媒体製作工程におけるＦｅ５Ｏａ薄膜生成のため
のスパッタリングに用いられるようなスパッタリング装
置に関する。
磁気記録媒体のためにＰｅ５ｔ４薄膜は、特開昭５８−
１１４号公報で公知のように０３を含むＡｒ雰囲気中で
Ｆｅをターゲットとしてスパッタリングを行い、アルマ
イト処理をしたアルミニウム合金基板上にＦ＠を間歇的
に付着させ、Ｆｅ原子層と酸素原子層を交互に積層させ
て形成され、その厚さは０．１〜０．２−が一般的であ
る。この種の薄膜を形成するためのスパッタリング装置
として、特開昭５２−６５１８４号公報で知られている
第２図に示した両面スパッタリング装置は、スパッタリ
ング室内にディスク基板１が中心孔に嵌められる円環状
の基板ホルダ１１によって支持されている。基板ホルダ
１１は回転軸１２によって駆動されて回転する。鉄のタ
ーゲット２１．２２はそれぞれ電極３１．３２の上に取
り付けられているが、上下に対向しておらず、ずらされ
た位置にある。これは電極対向させると、電極への電圧
印加時に上下の放電が互いに干渉して不安定となり、均
賀なＰｅのスパッタリングが生じないからである。基板
１とターゲット２１ 、２２の間に挿入されるシャッタ
１３．１４は、最初ターゲツト面を覆う位置、すなわち
シャッタ１３については第２図−）に鎖線で示した位置
に置いてプレスパツタリングを行い、次いでシャッタの
開孔部がターゲット２１゜２２に向かい合うようにして
回転する基板１の両面にスパッタリングでＦｅ膜を形成
する。 Ｆｅ膜の表面はターゲットに対向してない位置
に来たときに酸素を吸着し、Ｆｅ１ｏｎ ＩＩが生成さ
れる。しかしこのようなスパッタリング装置では、基板
の耐熱温度の制約からスパッタリングパワーの上限値が
存在し、ディスク基板１枚のスパッタリングに１５分位
要していた。従って磁気記録媒体の量産のために、例え
ば１分間１〜２枚の生産性を確保するためには、スパッ
タリング装置を１５〜３０台設置することが必要となり
、多大の設備投資をしなければならない欠点があった。
１１４号公報で公知のように０３を含むＡｒ雰囲気中で
Ｆｅをターゲットとしてスパッタリングを行い、アルマ
イト処理をしたアルミニウム合金基板上にＦ＠を間歇的
に付着させ、Ｆｅ原子層と酸素原子層を交互に積層させ
て形成され、その厚さは０．１〜０．２−が一般的であ
る。この種の薄膜を形成するためのスパッタリング装置
として、特開昭５２−６５１８４号公報で知られている
第２図に示した両面スパッタリング装置は、スパッタリ
ング室内にディスク基板１が中心孔に嵌められる円環状
の基板ホルダ１１によって支持されている。基板ホルダ
１１は回転軸１２によって駆動されて回転する。鉄のタ
ーゲット２１．２２はそれぞれ電極３１．３２の上に取
り付けられているが、上下に対向しておらず、ずらされ
た位置にある。これは電極対向させると、電極への電圧
印加時に上下の放電が互いに干渉して不安定となり、均
賀なＰｅのスパッタリングが生じないからである。基板
１とターゲット２１ 、２２の間に挿入されるシャッタ
１３．１４は、最初ターゲツト面を覆う位置、すなわち
シャッタ１３については第２図−）に鎖線で示した位置
に置いてプレスパツタリングを行い、次いでシャッタの
開孔部がターゲット２１゜２２に向かい合うようにして
回転する基板１の両面にスパッタリングでＦｅ膜を形成
する。 Ｆｅ膜の表面はターゲットに対向してない位置
に来たときに酸素を吸着し、Ｆｅ１ｏｎ ＩＩが生成さ
れる。しかしこのようなスパッタリング装置では、基板
の耐熱温度の制約からスパッタリングパワーの上限値が
存在し、ディスク基板１枚のスパッタリングに１５分位
要していた。従って磁気記録媒体の量産のために、例え
ば１分間１〜２枚の生産性を確保するためには、スパッ
タリング装置を１５〜３０台設置することが必要となり
、多大の設備投資をしなければならない欠点があった。
本発明は、前述の欠点を除き、例えば磁気記録媒体のた
めの基板上へのＰｅ５ｏｓ ｍｌ膜の形成のような基体
上へのスパッタリングを量産的に行うことのできるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
めの基板上へのＰｅ５ｏｓ ｍｌ膜の形成のような基体
上へのスパッタリングを量産的に行うことのできるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
本発明によるスパッタリング装置は、回転可能の軸を中
心とする円周上にそれぞれ基体が挿入される複数の貫通
孔を有する保持板と、基体の通る位置に対向して保持板
の両側に配置されたスパッタ電極とを備えることによっ
て上記の目的を達成する。
心とする円周上にそれぞれ基体が挿入される複数の貫通
孔を有する保持板と、基体の通る位置に対向して保持板
の両側に配置されたスパッタ電極とを備えることによっ
て上記の目的を達成する。
第１図（ａ）、偽）および第３図（ａ）、（ｂｌは本発
明の一実施例を示し、第３図に示した円板状の、例えば
＾１からなる基板ホルダ５は円周上に複数（図では８個
）の貫通孔５１を有する。各貫通孔５１内にディスク基
板１が、第３図中）に拡大して示すように取付治具５２
を介してねじ５３を用いて固定される。この基板１を挟
む位置に第１図に示すように１対のそれぞれターゲット
２１．２２を有するスパッタ電極３１．３２が配置され
、ターゲット基板の間にはシールドマスク６が挿入され
ている。シールドマスク６は金属板に台形状の開孔６１
を開けたもので、基板ｌのホルダの外周側にある部分も
内周側にある部分もスパッタリング時間を等しくするの
に役立ち、膜厚分布の均一化を図る。基板ホルダ５はジ
四インド７１を介して回転軸７に連結され、図示しない
モータにより回転駆動される。このような構成のスパッ
タリング装置において、基板ホルダ５を回転させながら
ターゲット２１．２２にＦｅを用い、０、を含む＾ｒ雰
囲気中でスパッタリングを行うことにより、基板ｌにＦ
ｅが間歇的に付着し、第２図の従来例の場合と同様にＦ
ｅが付着しない間に０８が吸着するため、Ｆｅ原子層と
酸素原子層を交互に積層してＦｅ５Ｏａ薄膜を形成でき
る。第２図の場合と異なり、上側電極３１と下側電極３
２を対向させることができる理由は、基板ホルダ５が基
板ｌよりも外周側にも存在するため、基板１と両側電極
３１．３２の間に形成される電界が互いに干渉すること
がないので、放電が不安定になることがない。 本発明による装置は、複数の基板上に磁性薄膜を形成で
き、また基板ホルダ５はディスク基板１より大きく、そ
の熱容量も基板の熱容量より大きいので、スパッタリン
グパワーを増大しても基板ホルダおよび基板の温度上昇
は従来の装置にくらべて小さくできる。従って基板温度
上昇により制約される投入可能スパッタリングパワーの
上限値を高く設定でき、Ｐａ付着速度を上げることがで
きる。このような装置の生産性、すなわち１分車たりの
スパッタリング可能枚数は、ターゲットの大きさ （基
板移動方向の幅）、投入スパッタリングパワーの密度（
スパッタリングパワー／ターゲット面積）、基板取付枚
数、ターゲット対の数で決定される０例えば５インチ基
板にＦｅ５Ｏａ薄膜を０．１７μの厚さにスパッタリン
グする場合、 ターゲット形状：２００鶴Ｘ １８０鶴スパツタリング
パワー＋５ｋＮ（パワー密［１５Ｗ／ｃｄ）基板取付枚
数：１５枚 として１枚／分の生産性を得ることができる。さらにＰ
ａターゲット対を２対用いて基板ホルダ１回転中に２回
Ｆｅを付着させるように構成すれば、２枚／分まで生産
性を上げることができる。 従来のスパッタリング装置と本発明によるスパッタリン
グ装置の構成部品で異なる点は、真空室の寸法、排気ポ
ンプの容量、スパッタ電極の寸法。 スパッタ電源の容量であるが、これらの部品の価格はそ
の寸法あるいは容量に比例しては増加せず、寸法、容量
が大きくなるほど増加率が低くなる。 従って、例えば５′デイスク用スパツタリング装置で比
較した場合、従来の１枚処理の装置と本発明による１５
枚処理の装置との価格比は２〜２．５倍であり、従来の
装置を１５台設置する場合に比して本発明による装置１
台は１／７〜１７８の設備投置ですむから、磁気記録媒
体の製造コストを大幅に下げることができる。 図示しなかったが、プレスパツタリングはシールドマス
ク６の位置に開孔を有しない遮蔽板を置いて行う、また
、上側電極３１および下側電極３２は必ずしも上述の実
施例のように対向して配置しなくても、第２図の装置の
ようにずらして配置してもよい、しかし、Ａｒガスの導
入孔との位置関係により、ホルダの上下におけるガス流
の対称性を得るためには対向して配置することが望まし
い。
明の一実施例を示し、第３図に示した円板状の、例えば
＾１からなる基板ホルダ５は円周上に複数（図では８個
）の貫通孔５１を有する。各貫通孔５１内にディスク基
板１が、第３図中）に拡大して示すように取付治具５２
を介してねじ５３を用いて固定される。この基板１を挟
む位置に第１図に示すように１対のそれぞれターゲット
２１．２２を有するスパッタ電極３１．３２が配置され
、ターゲット基板の間にはシールドマスク６が挿入され
ている。シールドマスク６は金属板に台形状の開孔６１
を開けたもので、基板ｌのホルダの外周側にある部分も
内周側にある部分もスパッタリング時間を等しくするの
に役立ち、膜厚分布の均一化を図る。基板ホルダ５はジ
四インド７１を介して回転軸７に連結され、図示しない
モータにより回転駆動される。このような構成のスパッ
タリング装置において、基板ホルダ５を回転させながら
ターゲット２１．２２にＦｅを用い、０、を含む＾ｒ雰
囲気中でスパッタリングを行うことにより、基板ｌにＦ
ｅが間歇的に付着し、第２図の従来例の場合と同様にＦ
ｅが付着しない間に０８が吸着するため、Ｆｅ原子層と
酸素原子層を交互に積層してＦｅ５Ｏａ薄膜を形成でき
る。第２図の場合と異なり、上側電極３１と下側電極３
２を対向させることができる理由は、基板ホルダ５が基
板ｌよりも外周側にも存在するため、基板１と両側電極
３１．３２の間に形成される電界が互いに干渉すること
がないので、放電が不安定になることがない。 本発明による装置は、複数の基板上に磁性薄膜を形成で
き、また基板ホルダ５はディスク基板１より大きく、そ
の熱容量も基板の熱容量より大きいので、スパッタリン
グパワーを増大しても基板ホルダおよび基板の温度上昇
は従来の装置にくらべて小さくできる。従って基板温度
上昇により制約される投入可能スパッタリングパワーの
上限値を高く設定でき、Ｐａ付着速度を上げることがで
きる。このような装置の生産性、すなわち１分車たりの
スパッタリング可能枚数は、ターゲットの大きさ （基
板移動方向の幅）、投入スパッタリングパワーの密度（
スパッタリングパワー／ターゲット面積）、基板取付枚
数、ターゲット対の数で決定される０例えば５インチ基
板にＦｅ５Ｏａ薄膜を０．１７μの厚さにスパッタリン
グする場合、 ターゲット形状：２００鶴Ｘ １８０鶴スパツタリング
パワー＋５ｋＮ（パワー密［１５Ｗ／ｃｄ）基板取付枚
数：１５枚 として１枚／分の生産性を得ることができる。さらにＰ
ａターゲット対を２対用いて基板ホルダ１回転中に２回
Ｆｅを付着させるように構成すれば、２枚／分まで生産
性を上げることができる。 従来のスパッタリング装置と本発明によるスパッタリン
グ装置の構成部品で異なる点は、真空室の寸法、排気ポ
ンプの容量、スパッタ電極の寸法。 スパッタ電源の容量であるが、これらの部品の価格はそ
の寸法あるいは容量に比例しては増加せず、寸法、容量
が大きくなるほど増加率が低くなる。 従って、例えば５′デイスク用スパツタリング装置で比
較した場合、従来の１枚処理の装置と本発明による１５
枚処理の装置との価格比は２〜２．５倍であり、従来の
装置を１５台設置する場合に比して本発明による装置１
台は１／７〜１７８の設備投置ですむから、磁気記録媒
体の製造コストを大幅に下げることができる。 図示しなかったが、プレスパツタリングはシールドマス
ク６の位置に開孔を有しない遮蔽板を置いて行う、また
、上側電極３１および下側電極３２は必ずしも上述の実
施例のように対向して配置しなくても、第２図の装置の
ようにずらして配置してもよい、しかし、Ａｒガスの導
入孔との位置関係により、ホルダの上下におけるガス流
の対称性を得るためには対向して配置することが望まし
い。
本発明によれば、表面に薄膜を形成すべき基体を複数個
保持でき、回転可能な保持板の両側にそれぞれスパッタ
電極を置き、保持板を回転させながらスパッタリングを
行うことにより、対向配置も可能な１対のスパッタ電極
により複数の基体に同時に薄膜を形成することができる
。従って、複数のディスク基板に４時にＦｅ５Ｏｓ Ｔ
！Ｉ膜が形成できるため、磁気記録媒体製造のために生
産性が高くかつ単位生産量に対して安価な量産用スパッ
タリング装置を提供することができ、磁気記録媒体のコ
ストを大幅に下げるのに有効である。
保持でき、回転可能な保持板の両側にそれぞれスパッタ
電極を置き、保持板を回転させながらスパッタリングを
行うことにより、対向配置も可能な１対のスパッタ電極
により複数の基体に同時に薄膜を形成することができる
。従って、複数のディスク基板に４時にＦｅ５Ｏｓ Ｔ
！Ｉ膜が形成できるため、磁気記録媒体製造のために生
産性が高くかつ単位生産量に対して安価な量産用スパッ
タリング装置を提供することができ、磁気記録媒体のコ
ストを大幅に下げるのに有効である。
第１図は本発明の一実施例を示し、＋ａｌは平面図。
伽）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図は従来装置を示
し、（ａ）は断面図、山）は平面図、第３図は第１図の
実施例の基板ホルダを示し、ｔａ＋は平面図、山）はｔ
ａ＋のＢ−Ｂ線断面の要部拡大図である。 ｌ：ディスク基板、２１．２２ ＋ターゲット、３１゜
３２：電極、 ５：基板ホルダ、５１：基板挿入孔、６
：シールドマスク、７：回転軸。 第１図 第２図
し、（ａ）は断面図、山）は平面図、第３図は第１図の
実施例の基板ホルダを示し、ｔａ＋は平面図、山）はｔ
ａ＋のＢ−Ｂ線断面の要部拡大図である。 ｌ：ディスク基板、２１．２２ ＋ターゲット、３１゜
３２：電極、 ５：基板ホルダ、５１：基板挿入孔、６
：シールドマスク、７：回転軸。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）回転可能の軸を中心とする円周上にそれぞれ基体が
挿入される複数の貫通孔を有する保持板と、基体の通る
位置に対向して保持板の両側に配置されたスパッタ電極
とを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8400285A JPS61243169A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8400285A JPS61243169A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243169A true JPS61243169A (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13818349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8400285A Pending JPS61243169A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03232963A (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-16 | Nippon Steel Corp | セラミックス膜被覆方法 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8400285A patent/JPS61243169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03232963A (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-16 | Nippon Steel Corp | セラミックス膜被覆方法 |
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