JPS61243055A - 光学活性エステル化合物およびそれを用いた液晶組成物 - Google Patents

光学活性エステル化合物およびそれを用いた液晶組成物

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JPS61243055A JP8127085A JP8127085A JPS61243055A JP S61243055 A JPS61243055 A JP S61243055A JP 8127085 A JP8127085 A JP 8127085A JP 8127085 A JP8127085 A JP 8127085A JP S61243055 A JPS61243055 A JP S61243055A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は1表示素子又は電気光学素子に用いられる光学
活性エステル化合物およびそれを用いた強誘電性スメク
チック液晶組成物に関するものである。
[従来の技術] 従来1時計電卓等の表示部に用いられているネマチック
液晶を使用した液晶表示素子は、その応答速度が、他の
表示素子たとえば、発光ダイオードよりも非常に遅いた
め、高速へ区zが必要とされる分野、たとえば、光通信
、プリンターヘッドへの液晶表示素子への応用は制限さ
れていた。
最近、高速の応答性を示す液晶表示素子として、強誘電
性を示すスメクチック液晶を使用した液晶表示素子が報
告され(例えば、N、A、C1ark。
S、T、Lagerwall、Appl、Phys、L
ett、3e 、899(1980))注目を集めてい
る。
強誘電性を示すスメクチック液晶としては、カイラルス
フメチツクC相と、カイラルスメクチックH相があり、
これらは層状構造を示し、液晶分子が層の積み重ね方向
に対して垂直でなく傾むいている。この傾むき方向が、
層の積み重ね方向に対して、らせんを巻くように液晶分
子は配列しており、この層と平行で、かつ液晶分子に垂
直な方向に自発分極が発生し強誘電性を示す、このらせ
ん構造が強誘電性を示す原因と考えられている0強誘電
性を示す材料は、電界に対して強誘電体としての応答性
を示し、電界−きに応じて自発分極の向きを反転させて
再配列する。
このとき、応答性は自発分極が大きく、粘度が低いほど
同じ電界強度に対しより高速となることが知られている
。また1強誘電性スメクチック液晶を用いた素子はメモ
リー性があり、このメモリー性を利用して高密度の表示
を行なう研究も活発になされている。
[発明の解決しようとする問題点] 従来、強誘電性スメクチック液晶としては、シップ塩基
型の下記に示すような化合物が多く研究されてきた。
p−デシルオキシベンジリデン−p′−アミノ−2−メ
チルブチル−桂皮酸エステル(DOBAMBG)しかし
、このようなシップ塩基型化合物は自発分極が小さいた
め、応答性が遅いという問題点があった。
また、カイlシスメクチヅ・りC相を示すエステル型化
合物として、下記に一般式(II)で示すような化合物
も知られていた。
(G、W、Gray等 No I 、Gryst、L 
iq、cryst、 、 1978.37(Rは、炭素
数5〜10の直鎖状アルキル基)しかしながら、このエ
ステル化合物も自発分極が小さく、応答性が遅いという
問題点を有していた。
[問題を解決するための手段] 本発明は前述の問題点を解決するためになされたもので
あり、一般式 (式中、z、z’は単結合、−COO−1−OCO−1
−CH2CH2−1−0CH2−又は−CH20−をあ
らわし、Rは炭素数1N12のアルキル基もしくはアル
コキシ基、シアノ基又はハロ乞3声子をあらわし、環A
及び環Bは1.4−ジ置換フェニレンもしくはトラン’
x−x、a−ジ置換シクロヘキシレンをあらわし、nは
O又は1をあらわし、R′は炭素数し、R”は水素原子
、炭素数1〜12のアルキル基もしくはアルコキシ基、
シアノ基又はハロゲン原子をあらわし、木は光学活性中
心をあられす)で示される光学活性エステル化合物であ
り、この一般式(I)で示される光学活性エステル化合
物を少なくとも1種含有する強誘電性スメクチック液晶
組成物である。
一般式(I)の化合物において、Z及びZ′は単結合、
−COO−1−OCO−1−CH20H2−1−00H
2−又は−CkhO−をあられすが、一般に単結合であ
る場合には粘度が低く、−COO−である場合にはスメ
クチックC相を示す上限温度(Ts)が高いので、単結
合又は−COO−が好ましい。
また、n=1の場合には、z、z’の両方が一イ1 が−COO−であると粘度が高くなる0エノ、その場合
には少なくとも一方は単結合であることが好ましい。
環A及び環Bは1.4−ジ置換フェニレンもしくはトラ
ンス−1,4−ジ置換シクロヘキシレンをあられすが、
一般にトランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレンの方
が1,4−ジ置換フェニレンよりも粘度が低く、分子量
の大きい化合物は粘度が高いので、n=1の場合には、
環A、環Bの少なくとも一方はトランス−1,4−ジ置
換シクロヘキシレンであることが好ましいが、n=0の
場合には分子量が大きくないので、1.4−ジ置換フェ
ニレン、トランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレンの
いずれであってもよい。
又、Rは炭素数は1〜12のアルキル基、炭素数は1〜
12のアルコキシ基、シアノ基又はハロゲン原子をあら
れすが、シアノ基の場合には粘度が高く、またハロゲン
原子の場合にはTsが低いのでアルキル基又はアルコキ
シ基であることが好ましい、また、アルキル基、アルコ
キシ基の場合、その炭素数が少ない場合には融点が壽く
、多すぎる場合にはその粘度が高いので1〜12である
が、好ましくは2〜8が良い、又、直鎖状でも分岐状で
も良いが、一般に直鎖状のものの方が、他の液晶性を示
す化合物と混合した場合にそのスメクチックC相を示す
液晶上限温度が高いので好ましい。
更にR′は炭素数1〜12のアルキル基又はp−位に置
換基を有するフェニル基をあられすが、アルキル基でな
い場合には、ベンジルアルコールのエステルであるため
、化学的に不安定なのでアルキル基が好ましい、また、
アルキル基の場合、直鎖状でも分岐状でも良いが、一般
に直鎖状のものの方が、他の液晶性を示す化合物と混合
した場合にそのスメクチックC相を示す液晶上限温度が
高いので好ましい。
従って、本発明の好′ましい態様は以下に示すAとBで
ある。
(A)一般式(I)において、H及びR′が炭素数1〜
12の直鎖状アルキル基をあらわし、唾がトランス−1
,4−ジ置換シクロヘキシレンをあらわし、環Bが1,
4−ジ置換フェニレンをあらわし、Zが単結合をあらわ
し、Z′が弔結合又は−COO−をあらわし、nが1を
あらわすところの光学活性エステル化合物。
(B)一般式CDにおいて、Rが炭素数1〜12の直鎖
状アルキル基又は直鎖状アルコキシ基をあらわし、環A
が1,4−ジ置換フェニレンをあらわし、Zが単結合又
は−COO−をあらわし、R′が炭素数1〜12の直鎖
状アルキル基をあらわし、nがOをあらわすところの光
学活性エステル化合物。
なお、一般式(I)で示される化合物の旋光性は、左旋
性であるか右旋性であるかを問わない。
一般式(I)で示される化合物は、強誘電性スメクチッ
ク液晶表示素子又は電気光学素子に使用されるには、所
望の温度範囲でカイラルスメクチックC相を有するよう
に、他の強誘電性スメクチック液晶、スメクチック液晶
あるいは他の光学活切菫賀と適宜混合し、強誘電性スメ
クチック液晶組成物として使用する。更にらせんピッチ
を調整したり、カラー表示を行なうために、ネマチック
液晶、非液晶、二色性染料等を添加してもよい。本発明
の強誘電性を示すスメクチック液晶組成物中の一般式(
I)で示される化合物の含有量は、多過ぎる場合にはそ
の強誘電性スメクチック上限温度を低下させる傾向にあ
り、少なすぎる場合にはその自発分極を大きくする効果
が小さいので、 1〜90wt%とされ、好ましくは2
〜50wt%が良い。
本発明の一般式(I)の化合物と混合して、強誘電性ス
メクチック液晶組成物として使用される相手の化合物と
しては、例えば、以下のようなものがある。
以下の例でR’は光学活性を示すアルキル基又はアルコ
キシ基を示し、Rは本発明のRとは関係がなく、直鎖状
または分岐したアルキル基又はアルコキシ基を示し、一
つの化合物に同一のR”、Rが示されていてもそれらは
同一の基とは限らない。
これらの外、公知の種々の液晶又は非液晶の液晶添加物
が併用でき、例えば以下のようなものがある。
及びこれらのベンゼン環、シクロヘキサン環等の水素原
子の一部をノ\ロゲン、シアノ基、メチル基等に置換し
た化合物。
この例としては、以下のような誘電率異方性が負の化合
物等の化合物がある。なお、以下の例においては、Rは
本発明のRとは関係がなく、直鎖状または分岐した炭素
数1〜12のアルキル基を示し、−の化合物に同一のR
が示されていてもそれら同一の基とは限らない。
二色性染料としては、トリスアゾ系、アントラキノン系
など、いわゆるゲストホスト型液晶表示素子に使用され
る染料が挙げられる。
強誘電性液晶表示素子、又は電気光学素子は、液晶層を
挟持するように配置し、少なくとも一枚が透明である複
数の全面又は一部に電極を有する基板と、前記液晶層を
囲むように前記電極基板間に形成したシール部材とから
成る。
該液晶表示素子→いて前記基板間の厚みは、0.5〜2
0ILmが好ましい、また、前記基板には、各々に平行
の配向制御処理がなされても良い。この配向制御の手段
として、配向制御膜を電極基板上に一部又は全面に塗布
してもよい。
該配向制御膜としては、ポリイミド等の、その屈折率が
1.5以上の高分子材料が好ましい、更に偏光子が少な
くとも1枚、液晶素子に付設されていることが好ましい
、該電極基板は少なくとも2枚必要であるが、さらに多
数枚を積み重ねて使用しても良い。
本発明の化合物は例えば以下に示す経路により合成する
ことができる。
第1段階 ↓ (式中z、z’、R,R’、項八、環B、nおよび本は
前記意味をもつ) 即ち、カルボン酸(m)に塩化チオニル、オキシ塩化リ
ン等の塩素化剤を作用させて酸塩化物(IV)とし、こ
れをピリジン等の塩基性物質の存在下に、光学活性−α
−シアノアルコール(V)と反応させ、抽出、再結晶、
蒸留、カラムクロマトグラフィー等一連の精製処理を施
すことより、純粋な(I)を合成することができる。
[、実施例] 次に、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1 (0,01モル)を塩化チオニルlOmQ、四塩化炭素
40raQと共に還流温度にて4時間加熱したのち、エ
バポレーターにより低沸点物を除去しての化合物を黄色
の油状物質として得た。これをトルエン15m(2に溶
解し、これにElliottらの方法(J、D、Ell
iott、V、M、F、Choi and W、S、J
ohngon。
J、Org、Chem、 、48,22θ4(1983
))に従い合成した式%式% ル)をトルエン10m12に溶解したものを加え、さら
にピリジン4mQを加え室温にて4時間かくはんした。
水100■Qにあけトルエンにて抽出し、トルエン層を
水洗後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥したのち、溶媒
を留去した。残った油状物質をトルエンを展開溶媒とし
たアルミナカラムクロマトグラフィーにかけ、更にエタ
ノール20■Qから2回再結晶することにより目的とす
るの化合物を得た。収量2.2g(0゜0044モル)
、収率44%、融点75.5℃、 【αID25 g 
5.9゜(C冨0゜82.CHlll:13.l冨10
脂■)この化合物のIHNMRスペクトルは以下のとお
りであった。
(00G+3溶媒     TMS内部標準)68.2
 #7.2   complex m       8
Hδ 5.80      t  J=7Hz    
   In6 2.8 〜0.8      comp
lex  I          38Hこの化合物の
IRスペクトル図を第1@に示す。
実施例2〜5 、実施例1と同様にして対応するカルボン酸と光学活性
α−シアノアルコールとから表−1に示す化合物を得た
。なお、表−1には得られた化合物のIHNNRスペク
トルも併せて示した。
実施例6 実施例1の化合物を4−n−オクチルオキシ安息香酸−
4′−n−へキシルオキシフェニルに5.2wtX混合
した。この混合物はホットステージ(メトラー社製、 
FP−51)付偏光顕微鏡下で観察したところ、 54
.1’0以下でカイラルスメクチックC相を示し、54
.1”0から83.7℃の範囲でスメクチックA相を示
し83.7℃から83.3℃の範囲でコレステリック相
を示し83.3℃以上では等方性液体相を示した。また
この混合物を3u、のスペーサーをはさみ、電極面積が
l cm2 であるセルに封入し、スメクチックC相を
示す上限温度(↑S)より10℃低い温度において20
Hz、 IOVの三角波を印加する旧7asato等の
方法(K、Miyasato等、 Japan。
J、Appl、Phrs、、22.L 881(198
3))に従いその自発分極を測定したところ、3.7n
C/cm2であった。
自発分極の大きさは、従来研究されている強誘電性液晶 U (DOBAMBC)が単品で3.7nC/cm2である
のに対し、混合物が実施例1の化合物を5.2wtXに
稀釈した混合物であることを考えれば、きわめて大きい
ことがわかる。
[発明の効果] 本発明は自発分極が大きく、かつ化学的に安定な6般式
(I)で示される光学活性エステル化合物、および該化
合物を少なくとも1種を含有する強誘電性スメクチック
液晶組成物を提供することにより、高速応答が可能な表
示素子又は電気光学素子を構成し得るような優れた効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例1の化合物のIRスペクトル図で
ある。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Z、Z′は単結合、−COO−、−OCO−、
    −CH_2CH_2−、−OCH_2−又は−CH_2
    O−をあらわし、Rは炭素数1〜12のアルキル基もし
    くはアルコキシ基、シアノ基又はハロゲン原子をあらわ
    し、環A及び環Bは1,4−ジ置換フェニレンもしくは
    トランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレンをあらわし
    、nは0又は1をあらわし、R′は炭素数1〜12のア
    ルキル基もしくは▲数式、化学式、表等があります▼を
    あらわし、R″は水素原子、炭素 数1〜12のアルキル基もしくはアルコキシ基、シアノ
    基又はハロゲン原子をあらわし、*は光学活性中心をあ
    らわす)で示される光学活性エステル化合物。
  2. (2)一般式( I )において、Rが直鎖状のアルキル
    基であり、環Aがトランス−1,4−ジ置換シクロヘキ
    シレンをあらわし、環Bが1,4−ジ置換フェニレンを
    あらわし、Zが単結合をあらわし、Z′が単結合をあら
    わし、nが1をあらわすところの特許請求の範囲第1項
    記載の化合物。
  3. (3)一般式( I )において、Rが直鎖状のアルキル
    基であり、環Aがトランス−1,4−ジ置換シクロヘキ
    シレンをあらわし、環Bが1,4−ジ置換フェニレンを
    あらわし、Zが単結合をあらわし、Z″が−COO−を
    あらわし、nが1をあらわすところの特許請求の範囲第
    1項記載の化合物。
  4. (4)一般式( I )において、Rが直鎖状の基であり
    、環Aが1,4−ジ置換フェニレンをあらわし、Zが単
    結合をあらわし、nが0をあらわすところの特許請求の
    範囲第1項記載の化合物。
  5. (5)一般式( I )において、Rが直鎖状の基であり
    、環Aが1,4−ジ置換フェニレンをあらわし、Zが−
    COO−をあらわし、nが0をあらわすところの特許請
    求の範囲第1項記載の化合物。
  6. (6)一般式( I )において、R′が直鎖状のアルキ
    ル基をあらわすところの特許請求の範囲第2項乃至第5
    項のいずれか1項記載の化合物。
  7. (7)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Z、Z′は単結合、−COO−、−OCO−、
    −CH_2CH_2−、−OCH_2−又は−CH_2
    O−をあらわし、Rは炭素数1〜12のアルキル基もし
    くはアルコキシ基、シアノ基又はハロゲン原子をあらわ
    し、環A及び環Bは1,4−ジ置換フェニレンもしくは
    トランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレンをあらわし
    、nは0又は1をあらわし、R′は炭素数1〜12のア
    ルキル基もしくは▲数式、化学式、表等があります▼を
    あらわし、R″は水素原子、炭素 数1〜12のアルキル基もしくはアルコキシ基、シアノ
    基又はハロゲン原子をあらわし、*は光学活性中心をあ
    らわす)で示される光学活性エステル化合物を少なくと
    も1種含有する強誘電性スメクチック液晶組成物。
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