JPS6124242A - 還元装置 - Google Patents
還元装置Info
- Publication number
- JPS6124242A JPS6124242A JP14534184A JP14534184A JPS6124242A JP S6124242 A JPS6124242 A JP S6124242A JP 14534184 A JP14534184 A JP 14534184A JP 14534184 A JP14534184 A JP 14534184A JP S6124242 A JPS6124242 A JP S6124242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- heater block
- gas
- inert gas
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、還元装置に関する。
従来、フレームに装着された半導体素子にボンディング
処理を施す場合、例えば第２図に示すような還元装置が
使用されている。図中１は、ヒーター２を内蔵したヒー
ターブロックである。
処理を施す場合、例えば第２図に示すような還元装置が
使用されている。図中１は、ヒーター２を内蔵したヒー
ターブロックである。
ヒーターブロック１には、不活性ガスを噴出するガス噴
出ｔ’ｓが形成されている。ヒーターブロック１上には
、被処理体であるフレーム４をヒーターブロック１とで
固定するフレーム押え５が設けられている。フレーム押
え５には、フレーム４上の処理を施す素子に臨むように
してガス循環プレート６が・取付けられている。ガス循
環プレート６は、ガス集積ロアを介してガス噴出口３に
連通している。
出ｔ’ｓが形成されている。ヒーターブロック１上には
、被処理体であるフレーム４をヒーターブロック１とで
固定するフレーム押え５が設けられている。フレーム押
え５には、フレーム４上の処理を施す素子に臨むように
してガス循環プレート６が・取付けられている。ガス循
環プレート６は、ガス集積ロアを介してガス噴出口３に
連通している。
而して、ヒーターブロック１上のフレーム４をヒーター
２で所定温度まで加熱しながら、ガス噴出口３、ガス集
積ロア、ガス循環プレート６を介して不活性ガスを被処
理領域に供給し、所定の還元雰囲気下でボンディング処
理を施すようになっている。
２で所定温度まで加熱しながら、ガス噴出口３、ガス集
積ロア、ガス循環プレート６を介して不活性ガスを被処
理領域に供給し、所定の還元雰囲気下でボンディング処
理を施すようになっている。
このような還元装置では、次の欠点がある。
■ フレーム押え５がフレーム４の熱を吸収するため、
フレーム４の還元に必要な温度を低下する。このため、
良好な還元性の下にボンディング処理ができず、品質及
び信頼性の高い半導体装置が得られない。
フレーム４の還元に必要な温度を低下する。このため、
良好な還元性の下にボンディング処理ができず、品質及
び信頼性の高い半導体装置が得られない。
■ フレーム押え５がガス循環プレート６で循環させて
いる不活性ガスの熱を吸収してガス温度を低下させるた
め、良好な還元性雰囲気が得られず、品質及び信頼性の
高い半導体装置が得られない。
いる不活性ガスの熱を吸収してガス温度を低下させるた
め、良好な還元性雰囲気が得られず、品質及び信頼性の
高い半導体装置が得られない。
本発明は、不活性ガス雰囲気の温度降下を防止して、良
好な還元性の下にボンディング処理を可能にし１品質及
び信頼性の高い半導体装置を高歩留りで得ることができ
る還元装置である。
好な還元性の下にボンディング処理を可能にし１品質及
び信頼性の高い半導体装置を高歩留りで得ることができ
る還元装置である。
本発明は、フレーム押え部材中に加熱手段を内蔵して不
活性ガスの温度降下を防止したことにより、良好な還元
性雰囲気下でボンディング処理を可能にし、品質及び信
頼性の高い半導体装置を高歩留りで得ることができる還
元装置である。
活性ガスの温度降下を防止したことにより、良好な還元
性雰囲気下でボンディング処理を可能にし、品質及び信
頼性の高い半導体装置を高歩留りで得ることができる還
元装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の還元装置の要部を分解し
て示す説明図である。図中１０は、ヒーター１１を内蔵
したヒーターブロックである。ヒーターブロック１０に
は、不活性ガスを噴出するガス噴出口１２が形成されて
いる。ヒーターブロック１０上には、ヒーターブロック
１０とで被処理体であるフレーム１３を固定するフレー
ム押え１４が設けられている。フレーム押え１４は、加
熱板１５をフレーム押え上部１４ａとフレーム押え下部
１４ｂで一体に挟持固定した構造よ二なっている。フレ
ーム押え１４には、フレーム１３上の処理を施す素子に
臨むようにしてガス循環プレート１６が取付けられてい
る。ガス循環プレート１６は、フレーム押え１４に形成
されたガス集積口１７を介してガス噴出口１２に連通し
ている。
て示す説明図である。図中１０は、ヒーター１１を内蔵
したヒーターブロックである。ヒーターブロック１０に
は、不活性ガスを噴出するガス噴出口１２が形成されて
いる。ヒーターブロック１０上には、ヒーターブロック
１０とで被処理体であるフレーム１３を固定するフレー
ム押え１４が設けられている。フレーム押え１４は、加
熱板１５をフレーム押え上部１４ａとフレーム押え下部
１４ｂで一体に挟持固定した構造よ二なっている。フレ
ーム押え１４には、フレーム１３上の処理を施す素子に
臨むようにしてガス循環プレート１６が取付けられてい
る。ガス循環プレート１６は、フレーム押え１４に形成
されたガス集積口１７を介してガス噴出口１２に連通し
ている。
このように構成された還元装Ｗｚｏによれば、フレーム
１３は、フレーム押え１４によってヒーターブロックｌ
ｏ上に固定され、ヒーターブロックｉｏからの加熱と加
熱板１５により所定温度に熱せられたフレーム押え１４
とにより、フレーム全体を温められた状態でボンディン
グ処理が施される。つまり、ガス循環プレート１６から
フレーム１３上の被処理体である素子には、所定の不活
性ガスが供給され、しかも加熱板１５による加熱によっ
て最適の還元性を維持できる温度に設定されている。ま
た、ボンディング処理時にフレーム１３からフレーム押
え１４に向って熱が吸収されるのを阻止することができ
る。その結果、良好な還元性雰囲気下でボンディング処
理を施し、品質及び信頼性の高い半導体装置を容易に得
ることができる。
１３は、フレーム押え１４によってヒーターブロックｌ
ｏ上に固定され、ヒーターブロックｉｏからの加熱と加
熱板１５により所定温度に熱せられたフレーム押え１４
とにより、フレーム全体を温められた状態でボンディン
グ処理が施される。つまり、ガス循環プレート１６から
フレーム１３上の被処理体である素子には、所定の不活
性ガスが供給され、しかも加熱板１５による加熱によっ
て最適の還元性を維持できる温度に設定されている。ま
た、ボンディング処理時にフレーム１３からフレーム押
え１４に向って熱が吸収されるのを阻止することができ
る。その結果、良好な還元性雰囲気下でボンディング処
理を施し、品質及び信頼性の高い半導体装置を容易に得
ることができる。
以上説明した如く、本発明−二係る還元装置によれば、
不活性ガス雰囲気の温度降下を防止して、良好な還元性
の下にポンディ・ソゲ処理を可能にし、品質及び信頼性
の高い半導体装置を高歩留りで得ることができるもので
ある。
不活性ガス雰囲気の温度降下を防止して、良好な還元性
の下にポンディ・ソゲ処理を可能にし、品質及び信頼性
の高い半導体装置を高歩留りで得ることができるもので
ある。
第１ＦＩは１本発明の一実施例の要部を分解して示す説
明図、第２図は、従来の還元装置の要部を分解して示す
説明図である。 １０・・・ヒーターブロック、１１・゛°ヒーター、１
２・・・ガス噴出口、１３・・・フレーム、１４・・・
フレーム押え、１４ａ・・・フレーム押え上部、１４ｂ
・・・フレーム押え下部、１５・・・加熱板、１６・・
・ガス循環プレート、１７・・・ガス集積口、２０°・
・還元装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦節１図 第２図
明図、第２図は、従来の還元装置の要部を分解して示す
説明図である。 １０・・・ヒーターブロック、１１・゛°ヒーター、１
２・・・ガス噴出口、１３・・・フレーム、１４・・・
フレーム押え、１４ａ・・・フレーム押え上部、１４ｂ
・・・フレーム押え下部、１５・・・加熱板、１６・・
・ガス循環プレート、１７・・・ガス集積口、２０°・
・還元装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦節１図 第２図
Claims (1)
- 加熱手段を内蔵したヒーターブロックと、該ヒーター
ブロックに形成されたガス噴出口と、前記ヒーターブロ
ックとでフレームを固定するように設けられたフレーム
押えと、前記ガス噴出口に連通して該フレーム押えに形
成されたガス集積口と、該ガス集積口に連通したガス循
環孔を有して前記フレーム押えに取付けられたガス循環
プレートと、該ガス循環プレートを囲むようにして前記
フレーム押えに内蔵された加熱板とを具備することを特
徴とする還元装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14534184A JPS6124242A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 還元装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14534184A JPS6124242A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 還元装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124242A true JPS6124242A (ja) | 1986-02-01 |
Family
ID=15382934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14534184A Pending JPS6124242A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 還元装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087590A (en) * | 1989-06-28 | 1992-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor devices |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14534184A patent/JPS6124242A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087590A (en) * | 1989-06-28 | 1992-02-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001015545A (ja) | ワイヤボンディング装置及び方法 | |
| JPS6124242A (ja) | 還元装置 | |
| US4583676A (en) | Method of wire bonding a semiconductor die and apparatus therefor | |
| DE10147789B4 (de) | Vorrichtung zum Verlöten von Kontakten auf Halbleiterchips | |
| JP2668738B2 (ja) | ワーク加熱装置 | |
| JPS6231129A (ja) | 半導体装置組立てボンダ−用ワ−ク加熱装置 | |
| JPH0296342A (ja) | ワイヤボンド装置 | |
| JPH0734931Y2 (ja) | 噴流式メッキ装置 | |
| CN221538394U (zh) | 一种pcb板过炉加锡治具 | |
| JPS5931213B2 (ja) | 半導体ウエハのラツプ定盤への接着方法 | |
| JPS5526696A (en) | Bonding method | |
| JPH03180270A (ja) | ボンディングヘッド | |
| JPH01274440A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0650751B2 (ja) | ボンディング装置 | |
| JPH01198038A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6045012A (ja) | 短時間熱処理装置 | |
| JPH0510357Y2 (ja) | ||
| JP3364540B2 (ja) | チツプ部品のボンデイングステツプでのリードフレーム加圧押え機構 | |
| JPH047102B2 (ja) | ||
| JPH0269950A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH0290630A (ja) | リードフレーム加熱装置 | |
| JPH01218015A (ja) | 半導体製造装置 | |
| DE19548235A1 (de) | Vorrichtung zur Entfernung von Wasserstoff aus einem Gasgemisch und Anwendung der Vorrichtung | |
| JP2668737B2 (ja) | キュア装置 | |
| JPH04273454A (ja) | ボンディング工具 |