JPS61238070A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPS61238070A JPS61238070A JP7949785A JP7949785A JPS61238070A JP S61238070 A JPS61238070 A JP S61238070A JP 7949785 A JP7949785 A JP 7949785A JP 7949785 A JP7949785 A JP 7949785A JP S61238070 A JPS61238070 A JP S61238070A
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- developing
- potential
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- image forming
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/065—Arrangements for controlling the potential of the developing electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Dry Development In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
九胤豆！
本発明は電子写真複写装置などの画像形成装置に関する
。
。
１１且遣
従来、暗減衰量の大きい感光体、例えば、アモルファス
シリコン感光体を用いた電子写真複写装置においては、
１次帯電を受けてから現像部に至るまでの間に暗部電位
が低下し、したがって、現像部において必要な電位が得
られないために現像像の画像濃度が不足するという大き
な問題があった。これを解決するために１次帯電器部と
現像部との間に電位センサーを設け、複写動作前に感光
体の表面の電位を検知し、その検知出力に基いて１次帯
電器を制御し、現像部において必要な電位が保証される
ようにしていた。しかし、感光体によっては暗減衰量に
ばらつきがあり、現像部の手前で一定の電位を確保して
も現像部では予想以上に電位が低下し、濃度が不足する
という問題が依然として残っている。
シリコン感光体を用いた電子写真複写装置においては、
１次帯電を受けてから現像部に至るまでの間に暗部電位
が低下し、したがって、現像部において必要な電位が得
られないために現像像の画像濃度が不足するという大き
な問題があった。これを解決するために１次帯電器部と
現像部との間に電位センサーを設け、複写動作前に感光
体の表面の電位を検知し、その検知出力に基いて１次帯
電器を制御し、現像部において必要な電位が保証される
ようにしていた。しかし、感光体によっては暗減衰量に
ばらつきがあり、現像部の手前で一定の電位を確保して
も現像部では予想以上に電位が低下し、濃度が不足する
という問題が依然として残っている。
さらに、１次帯電器後の表面電位検知に基いて１次帯電
器を制御した場合、暗減衰量がかなり大きい感光体では
電位センサー位置で所定電圧を得るために１次帯電量を
非常に大きくする必要があり、一般に、感光層の層厚で
決定される最大許容値を越えて感光体の表面に絶縁破壊
が生じる可能性があるという欠点もある。
器を制御した場合、暗減衰量がかなり大きい感光体では
電位センサー位置で所定電圧を得るために１次帯電量を
非常に大きくする必要があり、一般に、感光層の層厚で
決定される最大許容値を越えて感光体の表面に絶縁破壊
が生じる可能性があるという欠点もある。
１１立１」
本発明は、比較的暗減衰量の大きい感光体を使用した場
合においても感光体に対して１次帯電量増加による感光
体の損傷を発生させずに、しかも、現像部で所定濃度以
上の現像像を得ることができる画像形成装置を提供する
ことを目的とする。
合においても感光体に対して１次帯電量増加による感光
体の損傷を発生させずに、しかも、現像部で所定濃度以
上の現像像を得ることができる画像形成装置を提供する
ことを目的とする。
ＵΩＪＪ
本発明によれば、暗減衰特性を有する感光体と前記感光
体上に潜像を形成する潜像形成手段と前記感光体上に形
成された潜像を現像する手段と。
体上に潜像を形成する潜像形成手段と前記感光体上に形
成された潜像を現像する手段と。
前記感光体の暗減衰量を検知する検知手段と、前記検知
手段の出力に応じて前記現像手段の出力を制御する手段
とを有する画像形成装置が提供されるので、暗減衰量が
大きい場合でも１次帯電量が増加することなく、シたが
って、１次帯電器増加による感光体損傷は発生せず、し
かも、前記検知手段および前記制御手段の作用によって
所定濃度の現像像を得ることができるφ 支ムｊ 第１図は本発明による画像形成装置の断面図である０画
像形成装置は感光体ｌおよびその回りに順次に配置され
た１次帯電器２．現像装置４、転写紙ガイド５、転写帯
電器７、分離ローラ８およびクリーニング手段９を有す
る０本実施例において、感光体ｌは比較的大きい暗減衰
特性を有するアモルファスシリコン感光ドラムであり、
その直径は１０８ｍｍで、矢印ａ方向に周速３００ｍｍ
／ ｓ ｅ ｃで回転可能である。感光体ｌは、まず１
次帯電器２により均一に帯電され、つぎに参照符号３で
示される矢印の位置で画像露光を受け、静電潜像がその
上に形成される。この静電潜像は現像装置４によって現
像され現像像は転写紙ガイド５をとおして給紙部から送
られる転写紙６上に転写帯電器７の作用によって転写さ
れる。現像像転写を受けた転写紙６は分離ローラ８によ
って感光体１から分離され、ついで不図示の定着装置に
よって転写像が定着される。一方１画像転写後の感光体
１はクリーニング手段９によって残留トナーが除去され
、つぎの画像形成に備える。
手段の出力に応じて前記現像手段の出力を制御する手段
とを有する画像形成装置が提供されるので、暗減衰量が
大きい場合でも１次帯電量が増加することなく、シたが
って、１次帯電器増加による感光体損傷は発生せず、し
かも、前記検知手段および前記制御手段の作用によって
所定濃度の現像像を得ることができるφ 支ムｊ 第１図は本発明による画像形成装置の断面図である０画
像形成装置は感光体ｌおよびその回りに順次に配置され
た１次帯電器２．現像装置４、転写紙ガイド５、転写帯
電器７、分離ローラ８およびクリーニング手段９を有す
る０本実施例において、感光体ｌは比較的大きい暗減衰
特性を有するアモルファスシリコン感光ドラムであり、
その直径は１０８ｍｍで、矢印ａ方向に周速３００ｍｍ
／ ｓ ｅ ｃで回転可能である。感光体ｌは、まず１
次帯電器２により均一に帯電され、つぎに参照符号３で
示される矢印の位置で画像露光を受け、静電潜像がその
上に形成される。この静電潜像は現像装置４によって現
像され現像像は転写紙ガイド５をとおして給紙部から送
られる転写紙６上に転写帯電器７の作用によって転写さ
れる。現像像転写を受けた転写紙６は分離ローラ８によ
って感光体１から分離され、ついで不図示の定着装置に
よって転写像が定着される。一方１画像転写後の感光体
１はクリーニング手段９によって残留トナーが除去され
、つぎの画像形成に備える。
本実施例においては、現像装置として、例えば、特公昭
５８−３２３７５に記載されるいわゆるジャンピング現
像装置を用いている。この装置の詳細な説明は該特公昭
に記載されているのでここでは、省略するが、現像スリ
ーブｌＯ上に現像剤の薄層を形成し、該薄層を感光体１
に非接触の状態テ対向させ、現像スリーブｌＯとの間に
交互電圧もしくは交互電圧に直流電圧を重畳したものを
印加し、それによって、現像剤を現像スリーブｌＯから
感光体１に静電潜像にしたがって、画像状に転移させる
ものである０本発明は、しかしながら、このような形式
の現像装置の使用に限定されるものではない。
５８−３２３７５に記載されるいわゆるジャンピング現
像装置を用いている。この装置の詳細な説明は該特公昭
に記載されているのでここでは、省略するが、現像スリ
ーブｌＯ上に現像剤の薄層を形成し、該薄層を感光体１
に非接触の状態テ対向させ、現像スリーブｌＯとの間に
交互電圧もしくは交互電圧に直流電圧を重畳したものを
印加し、それによって、現像剤を現像スリーブｌＯから
感光体１に静電潜像にしたがって、画像状に転移させる
ものである０本発明は、しかしながら、このような形式
の現像装置の使用に限定されるものではない。
本実施例の現像装置においては、標準状態としてピーク
・ピーク電圧Ｖｐｐ＝１２００Ｖ、周波数Ｖｆ＝１００
０Ｈｚ、直流成分Ｖｄｃ＝１００Ｖの電圧が感光ドラム
ｌと現像スリーブ１０の間に現像バイアスとして印加さ
れ、この条件で感光体ｌの表面電位が暗部でＶｄ＝４０
０Ｖ、明部でＶｌ＝５０Ｖのときに適正な画像が得られ
る。しかし、暗減衰特性のために、１次帯電器出力が一
定の場合には、現像部で暗部電位Ｖｄが４００Ｖを維持
出来ず、したがって現像像濃度が低下することになる。
・ピーク電圧Ｖｐｐ＝１２００Ｖ、周波数Ｖｆ＝１００
０Ｈｚ、直流成分Ｖｄｃ＝１００Ｖの電圧が感光ドラム
ｌと現像スリーブ１０の間に現像バイアスとして印加さ
れ、この条件で感光体ｌの表面電位が暗部でＶｄ＝４０
０Ｖ、明部でＶｌ＝５０Ｖのときに適正な画像が得られ
る。しかし、暗減衰特性のために、１次帯電器出力が一
定の場合には、現像部で暗部電位Ｖｄが４００Ｖを維持
出来ず、したがって現像像濃度が低下することになる。
本発明では現像部の前後に電位センサー１１および電位
センサー１２を設け、複写動作開始前に、１次帯電器出
力を一定とした条件の下で電位センサー１１および電位
センサー１２により、暗部電位をそれぞれ電位測定回路
１３および電位測定回路１４によって測定する。
センサー１２を設け、複写動作開始前に、１次帯電器出
力を一定とした条件の下で電位センサー１１および電位
センサー１２により、暗部電位をそれぞれ電位測定回路
１３および電位測定回路１４によって測定する。
この２つ測定値の平均値を電位センサー１１と電位セン
サー１２との間にある現像部での暗部電位とし、これを
ＤＣ制御回路１５内で処理して、測定値に適する現像バ
イアスを決定し、この決定値が高圧トランス１６により
現像スリーブ１０に印加される。
サー１２との間にある現像部での暗部電位とし、これを
ＤＣ制御回路１５内で処理して、測定値に適する現像バ
イアスを決定し、この決定値が高圧トランス１６により
現像スリーブ１０に印加される。
第２図は本画像形成装置のセンシトメトリーで、第４象
限の縦軸はオリジナル画像反射濃度ＤＯ１同横軸は露光
量Ｅ（ｌｕｘ＊５ｅｃ）を示し、第２象限の縦軸は感光
体表面電位Ｖ （Ｖ）、同横軸は現像像の反射画像濃度
を示す、各象限において、実線で示されるのは上記標準
状態での関係である。一般的には、適正現像像とは最大
反射濃度が１．０以上で、かぶりがなく、かつオリジナ
ル反射濃度０．３の画像が、同０．５以上に再現される
現像像である。第２図の実線の特性はこれを満足してい
る。すなわち、Ｖｄ＝４００Ｖ。
限の縦軸はオリジナル画像反射濃度ＤＯ１同横軸は露光
量Ｅ（ｌｕｘ＊５ｅｃ）を示し、第２象限の縦軸は感光
体表面電位Ｖ （Ｖ）、同横軸は現像像の反射画像濃度
を示す、各象限において、実線で示されるのは上記標準
状態での関係である。一般的には、適正現像像とは最大
反射濃度が１．０以上で、かぶりがなく、かつオリジナ
ル反射濃度０．３の画像が、同０．５以上に再現される
現像像である。第２図の実線の特性はこれを満足してい
る。すなわち、Ｖｄ＝４００Ｖ。
Ｖｌ＝５０Ｖのときは、現像像濃度Ｄｐはそれぞれ１．
２と０．０７であり、オリジナル濃度ＤＯ＝０．３は現
像像濃度＝０．５として再現される。
２と０．０７であり、オリジナル濃度ＤＯ＝０．３は現
像像濃度＝０．５として再現される。
つぎに、暗減衰特性が大きく電位センサー１１および電
位センサー１２の測定値の平均値が３００Ｖである場合
について検討する。この場合は露光量と表面電位の関係
は第２図の第１象限に破線で示した特性となる。したが
って、暗部（Ｖｄ＝３００Ｖ）において得られる現像像
濃度は第２象限に実線で示される特性にしたがって約０
．７となり、上記適正画像の濃度を満足しない、そこで
まず、ＶＰＰを１５００Ｖまで増加させることによって
、第２象限のＶ−Ｄカーブを一点ＩＩＪ線で示されるよ
うな特性に変える。これによすＶｄ＝３００Ｖに対して
現像濃度で約１．１を得ることができる。しかし、この
補正だけではオリジナル反射濃度Ｄｏ＝０．３について
の現像像濃度は依然として０．１程度で、上記適正画像
の条件を満足しない、したがって、さらに現像バイアス
の直流成分Ｖｄｃを４０Ｖに変える。すなわち、現像バ
イアスはこの場合Ｖｐｐ＝１５００Ｖ、Ｖｆ＝１００Ｈ
ｚ 、Ｖｄｃ＝４０Ｖとなる。
位センサー１２の測定値の平均値が３００Ｖである場合
について検討する。この場合は露光量と表面電位の関係
は第２図の第１象限に破線で示した特性となる。したが
って、暗部（Ｖｄ＝３００Ｖ）において得られる現像像
濃度は第２象限に実線で示される特性にしたがって約０
．７となり、上記適正画像の濃度を満足しない、そこで
まず、ＶＰＰを１５００Ｖまで増加させることによって
、第２象限のＶ−Ｄカーブを一点ＩＩＪ線で示されるよ
うな特性に変える。これによすＶｄ＝３００Ｖに対して
現像濃度で約１．１を得ることができる。しかし、この
補正だけではオリジナル反射濃度Ｄｏ＝０．３について
の現像像濃度は依然として０．１程度で、上記適正画像
の条件を満足しない、したがって、さらに現像バイアス
の直流成分Ｖｄｃを４０Ｖに変える。すなわち、現像バ
イアスはこの場合Ｖｐｐ＝１５００Ｖ、Ｖｆ＝１００Ｈ
ｚ 、Ｖｄｃ＝４０Ｖとなる。
此により第２象限のＶ−Ｄカーブは破線で示す状態とな
る。この状態では、オリジナル反射濃度Ｄｏ＝０．３が
現像像濃度０．５として再現され、しかも、暗部電位Ｖ
ｄ＝３００Ｖの部分が現像像濃度Ｄｐ＝１．ｌとして再
現され、上記適正画像の条件が満足される。
る。この状態では、オリジナル反射濃度Ｄｏ＝０．３が
現像像濃度０．５として再現され、しかも、暗部電位Ｖ
ｄ＝３００Ｖの部分が現像像濃度Ｄｐ＝１．ｌとして再
現され、上記適正画像の条件が満足される。
第３図は、電位センサー１１および電位センサー１２の
測定値の平均値に対して現像バイアスのピーク・ピーク
値ＶＰＰおよび直流成分Ｖｄｃをどのように変化させる
かを示したものであり。
測定値の平均値に対して現像バイアスのピーク・ピーク
値ＶＰＰおよび直流成分Ｖｄｃをどのように変化させる
かを示したものであり。
横軸が前記平均値、縦軸の上部がピーク・ピーク電圧Ｖ
ＰＰ、同下部が直流成分Ｖｄｃである。′１ｓ定僅に対
応するピーク・ピーク電圧ＶＰＰと直流成分Ｖｄｃの設
定は電位測定回路１３によっておこなわれる。
ＰＰ、同下部が直流成分Ｖｄｃである。′１ｓ定僅に対
応するピーク・ピーク電圧ＶＰＰと直流成分Ｖｄｃの設
定は電位測定回路１３によっておこなわれる。
本実施例によれば、複写動作開始前に現像部までの暗減
衰を検知し、その検知に対応して電位測定回路１３によ
り、現像バイアスを第３図に示す関係に基いて制御する
ことにより、常に適正な現像像を得ることができる。
衰を検知し、その検知に対応して電位測定回路１３によ
り、現像バイアスを第３図に示す関係に基いて制御する
ことにより、常に適正な現像像を得ることができる。
第４図および第５図は本発明の他の実施例を説明するた
めのものである。
めのものである。
第４図はアモルファスシリコーン感光体の暗減衰の代表
例を示すグラフで、横軸は第１図帯電器２の終端Ｂを１
＝０の基点とした時の時間軸（秒）を、縦軸は帯電器２
で６００ｖの一様帯電をした時の感光体表面電位軸（Ｖ
）を示す、このグラフが示すように感光体の暗減衰の大
きいものは約Ｏ１１秒程度の時間内に急激な電位低下を
し、約０．１秒程度の時間経過後はなめらかな直線的な
（すなわち表面電位の変化率がほぼ一定）減少となるこ
とが判明した。このため本実施例では表面電位変化範囲
をこのなめらかな範囲になるように、電位センサー１１
，１２）現像部Ｃの位置を定める０例えば、センサー１
１の位置を時間ｔｓ （たとえば０．１４秒）後に感
光体表面が通過する位置、現像部Ｃを時間ｔ２ （たと
えば０゜１７秒）後にこの表面が通過する位置、センサ
ー１２を時間Ｌｍ （たとえば０．２０秒）後にこの
表面が通過する位置とする。この場合現像部Ｃを通過す
る際の表面電位は、時間ｔ１の点の表面電位Ｖ、と時間
ｔ２の点の表面電位ｖ２とから比例配分で近似できる。
例を示すグラフで、横軸は第１図帯電器２の終端Ｂを１
＝０の基点とした時の時間軸（秒）を、縦軸は帯電器２
で６００ｖの一様帯電をした時の感光体表面電位軸（Ｖ
）を示す、このグラフが示すように感光体の暗減衰の大
きいものは約Ｏ１１秒程度の時間内に急激な電位低下を
し、約０．１秒程度の時間経過後はなめらかな直線的な
（すなわち表面電位の変化率がほぼ一定）減少となるこ
とが判明した。このため本実施例では表面電位変化範囲
をこのなめらかな範囲になるように、電位センサー１１
，１２）現像部Ｃの位置を定める０例えば、センサー１
１の位置を時間ｔｓ （たとえば０．１４秒）後に感
光体表面が通過する位置、現像部Ｃを時間ｔ２ （たと
えば０゜１７秒）後にこの表面が通過する位置、センサ
ー１２を時間Ｌｍ （たとえば０．２０秒）後にこの
表面が通過する位置とする。この場合現像部Ｃを通過す
る際の表面電位は、時間ｔ１の点の表面電位Ｖ、と時間
ｔ２の点の表面電位ｖ２とから比例配分で近似できる。
この近似化は、センサー１１．１２が現像部Ｃに対して
時間的に近い程、又、上記なめらかな変化部分を用いる
程より正確なものとなる。
時間的に近い程、又、上記なめらかな変化部分を用いる
程より正確なものとなる。
第５図は、以上の近似化をマイクロコンピュータ制御の
サブルーチンとして示した予測演算フローチャートであ
る。
サブルーチンとして示した予測演算フローチャートであ
る。
このフローチャートで、帯電器２によって一様帯電され
た部分の電位は、第６図に示すように、時間１．．１．
に対応して低下電位ｖ１、■２に変化するので、現像部
ｔ２における表面電位Ｖｘはｊ比例配分を応用して、 得られる（ステップ１００）。
た部分の電位は、第６図に示すように、時間１．．１．
に対応して低下電位ｖ１、■２に変化するので、現像部
ｔ２における表面電位Ｖｘはｊ比例配分を応用して、 得られる（ステップ１００）。
したがってこの後、一様帯電と像露光をした後の画像部
の表面電位ｖｓをセンサー１１で検出する。この電位は
現像部Ｃに至るまでにｖｌ ＊ Ｖ Ｘで決定される低
下補正量（Ｖ、−ＶＸ）だけ低下すると予想されるから
、予想値（画像部の現像部Ｃにおける電位）は（Ｖｓ
−（Ｖｔ −Ｖｘ ） ） テ得られる（ステップ１０
３）。
の表面電位ｖｓをセンサー１１で検出する。この電位は
現像部Ｃに至るまでにｖｌ ＊ Ｖ Ｘで決定される低
下補正量（Ｖ、−ＶＸ）だけ低下すると予想されるから
、予想値（画像部の現像部Ｃにおける電位）は（Ｖｓ
−（Ｖｔ −Ｖｘ ） ） テ得られる（ステップ１０
３）。
この予想値゛に対して、現像器４の現像バイアスや周波
数を制御すれば良い。
数を制御すれば良い。
本実施例の１．．１２）ｔ３は任意の時間で良いが、好
ましくは２ｔｔ ｘ （ｔｔ ＋ｔｓ）とすることが良
く、上記（Ｖｌ−Ｖｘ）の補正は、感光体の製造上のバ
ラツキを修正するために用いる調整手段としても良い、
予め所定の（ＶＩ Ｖｘ）値をメモリーして１表面型位
ｖ３に対する補正値として定常的に使用する実施例とし
ても良いが、暗減衰は装置内に組込んだ状態で初めて決
定されることが多いので上記の構成をとることが有効で
ある。
ましくは２ｔｔ ｘ （ｔｔ ＋ｔｓ）とすることが良
く、上記（Ｖｌ−Ｖｘ）の補正は、感光体の製造上のバ
ラツキを修正するために用いる調整手段としても良い、
予め所定の（ＶＩ Ｖｘ）値をメモリーして１表面型位
ｖ３に対する補正値として定常的に使用する実施例とし
ても良いが、暗減衰は装置内に組込んだ状態で初めて決
定されることが多いので上記の構成をとることが有効で
ある。
上記いずれの実施例においても、電位検知動作は各画像
形成の前に行うことが好ましいが、メインスイッチを投
入した後の１回の検知動作でその後の画像形成を同一の
条件に制御してもよく、実用上は各一連の画像形成の前
に１回だけ検知動作を行うことも実用上好ましい。
形成の前に行うことが好ましいが、メインスイッチを投
入した後の１回の検知動作でその後の画像形成を同一の
条件に制御してもよく、実用上は各一連の画像形成の前
に１回だけ検知動作を行うことも実用上好ましい。
本実施例では暗減衰量を検知して現像バイアス条件のみ
を制御したが、１次帯電量と組併て制御してもよい、こ
の場合でも１次帯電量の制御量は１次帯電量単独で制御
する場合に比較して小さいので感光体１に与える損傷の
可能性はない、この場合は上述した第２象限のカーブの
補正を小さくし、それに対応して、第１象限のカーブを
標準状態のカーブに近づける補正を行なうことになる。
を制御したが、１次帯電量と組併て制御してもよい、こ
の場合でも１次帯電量の制御量は１次帯電量単独で制御
する場合に比較して小さいので感光体１に与える損傷の
可能性はない、この場合は上述した第２象限のカーブの
補正を小さくし、それに対応して、第１象限のカーブを
標準状態のカーブに近づける補正を行なうことになる。
さらに、暗減衰量の測定値に対応して現像バイアス条件
と露光量とを組併て制御してもよい、この場合は、露光
量を表面電位の検知結果に対して増加させると共に、現
像バイアスの制御量を減少できるので制御の幅を大きく
することができる。具体的には露光量を検知結果に対し
て所定量増加するようにすれば（第２図Ｄｏ−Ｅ曲線が
上方にシフトするので）、Ｖ−Ｄｐ曲線の低下量を押え
ることができる。
と露光量とを組併て制御してもよい、この場合は、露光
量を表面電位の検知結果に対して増加させると共に、現
像バイアスの制御量を減少できるので制御の幅を大きく
することができる。具体的には露光量を検知結果に対し
て所定量増加するようにすれば（第２図Ｄｏ−Ｅ曲線が
上方にシフトするので）、Ｖ−Ｄｐ曲線の低下量を押え
ることができる。
１に皇］
以上説明述如く、本発明によれば暗減衰量を画像形成前
に検知して、その検知に基いてすくなくとも現像バイア
スを制御するので、感光体の製造バラツキに左右されず
常に適切な現像像を得ることができる。
に検知して、その検知に基いてすくなくとも現像バイア
スを制御するので、感光体の製造バラツキに左右されず
常に適切な現像像を得ることができる。
第１図は本発明の実施例による現像形成装置の断面図、
第２図は第１図現像形成装置の画像形成特性を表わすグ
ラフ、 第３図は制御手段による制御動作を説明するグラフであ
る。 第４図はアモルファスシリコン感光体の暗減衰の例を示
すグラフ。 第５図は制御をマイクロコンピュータで行う例のフロー
チャート、 第６図は予想演算の方法を示すグラフである。 符号の説明 １、感光体 ２．１次帯電器 ４、現像装置 １１．１２）電位センサー １５、制御手段 第１図 第３図 第４図 （ｔ＝０） ココ一一一一一−に ］ ｔ、 ｔ４ ｔ３
ラフ、 第３図は制御手段による制御動作を説明するグラフであ
る。 第４図はアモルファスシリコン感光体の暗減衰の例を示
すグラフ。 第５図は制御をマイクロコンピュータで行う例のフロー
チャート、 第６図は予想演算の方法を示すグラフである。 符号の説明 １、感光体 ２．１次帯電器 ４、現像装置 １１．１２）電位センサー １５、制御手段 第１図 第３図 第４図 （ｔ＝０） ココ一一一一一−に ］ ｔ、 ｔ４ ｔ３
Claims (4)
- （１）暗減衰特性を有する感光体と、 前記感光体上に潜像を形成する潜像形成手段と、 前記感光体上に形成された潜像を現像する手段と、 前記感光体の暗減衰量を検知する検知手段 と、 前記検知手段の出力に応じて前記現像手段の出力を調整
する手段と、 を有することを特徴とする画像形成装置。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、前
記検知手段の出力に基づいて現像手段を通過する時点で
の表面電位を演算予想し、これに基づいて前記現像手段
の出力を調整することを特徴とする画像形成装置。 - （３）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、前
記検知手段は現像部の前後にそれぞれ検知要素を有し、
該両検知要素の出力に基づいて現像手段を通過する時点
での表面電位を演算予想し、これに基づいて前記現像手
段の出力を調整することを特徴とする画像形成装置。 - （４）特許請求の範囲第１項に記載の装置において、前
記潜像形成手段は帯電器を有し、該帯電器による帯電後
前記現像手段までの間に生ずる暗減衰による表面電位の
変化率がほぼ一定となる位置に現像手段を配置すること
を特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7949785A JPS61238070A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7949785A JPS61238070A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238070A true JPS61238070A (ja) | 1986-10-23 |
Family
ID=13691554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7949785A Pending JPS61238070A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61238070A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155533A (en) * | 1989-08-03 | 1992-10-13 | Ricoh Company, Ltd. | Bias application control device for image forming equipment |
| US5298943A (en) * | 1991-10-21 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus for correcting image density drift |
| JPH0844135A (ja) * | 1995-07-31 | 1996-02-16 | Minolta Co Ltd | 電子複写機 |
| DE102013101446A1 (de) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Océ Printing Systems GmbH & Co. KG | Verfahren zur Einstellung der Druckqualität bei einem elektrofotografischen Drucker |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP7949785A patent/JPS61238070A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155533A (en) * | 1989-08-03 | 1992-10-13 | Ricoh Company, Ltd. | Bias application control device for image forming equipment |
| US5298943A (en) * | 1991-10-21 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus for correcting image density drift |
| JPH0844135A (ja) * | 1995-07-31 | 1996-02-16 | Minolta Co Ltd | 電子複写機 |
| DE102013101446A1 (de) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Océ Printing Systems GmbH & Co. KG | Verfahren zur Einstellung der Druckqualität bei einem elektrofotografischen Drucker |
| US8849136B2 (en) | 2013-02-14 | 2014-09-30 | Océ Printing GmbH & Co. KG | Method to set the print quality in an electrophotographic printer |
| DE102013101446B4 (de) * | 2013-02-14 | 2015-09-03 | Océ Printing Systems GmbH & Co. KG | Verfahren zur Einstellung der Druckqualität bei einem elektrofotografischen Drucker |
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