JPS6123646B2 - Preparation of tape wound core - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は、ニツケル45乃至53重量％、残部鉄
で少量の脱酸剤および加工添加物を含む合金から
成る厚さ0.01乃至0.1mmの帯材を巻いて磁心と
し、最低900℃で少くとも１時間の最終焼鈍を行
つた後磁場内で焼きもどし処理を行なう巻磁心の
製造方法に関するものである。 ニツケルを48乃至67重量％を含むニツケル鉄合
金の帯材を巻いた磁心を1150℃と1200℃の間の温
度で水素中に約５時間保持する最終焼鈍に続いて
磁場内で焼もどし処理を行い、その際磁場を帯材
面内でその圧延方向に平行に加えることはよく知
られている。この縦磁場冷却と呼ばれている処理
により矩形ヒステリシスループ又は低磁化におい
て高いダイナミツク透磁率が得られる。 しかしこのように処理された巻磁心は大きな磁
束密度変化と高いパルス透磁率を必要とする用
途、例えば直流磁場で予備磁化されたチヨークコ
イルや中継器には適していない。これらの用途に
対しては従来61乃至67重量％又は74乃至84重量％
という比較的ニツケル含有量の大きいニツケル・
鉄・モリブデン合金の巻磁心を950℃と1220℃の
間で数時間の最終焼鈍の後帯材の圧延方向に垂直
な磁場内で焼もどし処理を行つたものが使用され
た。このような磁心は極めて扁平なヒステリシス
ループを持つことが特徴であり、パルス透磁率が
比較的高く磁束密度変化に対してほぼ一定である
が、0.4乃至0.8T（テスラ）の磁束密度変化で飽
和領域に入ると急速に約4000以下の低い値に低下
する。 この発明の目的は1T以上の高い磁束密度変化
においても技術的な応用に対して充分なパルス透
磁率を持つ巻磁心を製作することである。 この目的は冒頭に挙げた方法において、磁場焼
もどしの際の磁場を帯材面内においてその圧延方
向に垂直に加えることによつて達成される。 この方法は、上記のニツケル量の多い合金に対
して実施する横方向の磁場内の焼もどしをニツケ
ル量が45乃至53重量％のニツケル鉄合金に対して
採用するものであるが、それによつて1T以上の
磁束密度変化において4000あるいは場合によつて
それ以上のパルス透磁率が達成される。ニツケル
量の多い合金に対して横磁場焼もどしを施すこと
によつて得られる利用可能の高い磁束密度変化と
パルス透磁率がニツケル量の低下に伴つて磁化損
失の増大と同時に著しく低下し、例えばニツケル
56重量％のニツケル鉄合金の巻磁心が横磁場焼き
もどしによつてユニポーラ制御装置に使用不可能
となる事実を考えると、この発明の方法の効果は
予想されなかつたものである。ニツケル量が更に
低下すると合金のキユリー温度もそれに伴つて低
下するから、ニツケル量が56重量％以下のニツケ
ル鉄合金に対する横磁場焼きもどしの効果は更に
悪化すると考えるのが当然である。 別の方面からニツケル量約50重量％の鉄ニツケ
ル合金の帯材又は巻磁心を横磁場内で焼きもどし
することは既に報告されているが、これは平坦な
テープおよびこの発明の方法によつて作られる巻
磁心と異り半径方向に貫通した空気間隙を持つ巻
磁心で透磁率が周波数50kHzまで約1200乃至1500
の一定値であるものについて行われた純学問的な
研究であるから、大きな磁束密度変化に際して高
パルス透磁率を持つ巻磁心を作るための横磁場焼
もどしの有効性については何等の示唆も与えるも
のではない。 この発明の方法によれば、ニツケル量が45から
53重量％までの総ての合金組成範囲において磁束
密度変化1Tに対するパルス透磁率を状術的に興
味のある大きさとすることができる。パルス透磁
率と磁束密度変化との大きさの点で有利なニツケ
ル含有量は47乃至52重量％、特に49乃至51重量％
である。これらの合金には必要に応じて少量の脱
酸剤および加工補助剤、例えば0.2乃至１重量％
のマンガン、0.05乃至0.3重量％のシリコンの外
0.5重量％以下のマグネシウム、カルシウム、セ
リウムを含ませてもよい。 帯材は最終焼鈍が終つたとき微粒状の等方性結
晶集合組織を持つているのが有利である。この組
織は磁心に巻く前の適当な加熱と最終変形加工お
よび巻いた後の最終焼鈍によつて作ることができ
る。その際帯材は最終変形加工に先立つて熱処理
しその温度を最終焼鈍により微粒等方性集合組織
となるような結晶集合組織が帯材内に作られる温
度下限界以上の値に選ぶ。この温度限界は最終変
形の変形度の増大に伴つてその値が上昇する。こ
の温度限界については後でもつと正確に説明す
る。 微粒等方性集合組織を作るためには、最低700
℃に少くとも１時間加熱し、最終変形度を80％と
90％の間にするのが特に有効である。この加熱は
一つの冷間加工と最終変形の間の中間焼鈍で代用
することができるが、最終変形の前に行われる熱
間圧延のための加熱をこれに利用してもよい。 最終焼鈍は900℃と1250℃の間で行うのがよ
い。その温度上限は主として利用可能の加熱炉設
備によつて決められる。 大きな磁束密度変化に対するパルス透磁率を更
に高めるためには、帯材を巻く前の加熱と最終変
形およびその後の最終焼鈍により帯材内に磁化容
易軸＜001＞を圧延方向に持つ等方性結晶集合組
織を作る。即ちこのような処理を行うことにより
横磁場中の焼きもどしによつて作られた圧延方向
に垂直（従つて完成した巻磁心内の磁束に垂直）
である磁化容易軸の外に圧延方向、従つて磁心内
の磁束方向に平行する別の磁化容易軸を持つよう
になる。 集合組織内の磁化容易軸方向に配向されたクリ
スタリツトの割合は少くとも20％とするのが有利
である。 圧延方向に磁化容易軸を持つ集合組織は立方集
合組織（100）＜001＞とし、多結晶内の配向クリ
スタリツトの立方体面が圧延平面に平行し、その
立方体稜が圧延方向に垂直であるようにすること
ができる。更に（210）＜001＞配向の磁気的に有
効な結晶粒子を含む二次再結晶組織も考える必要
がある。この配向では（210）面が圧延面に平行
であり、＜001＞方向が圧延方向に平行である。 磁化容易軸＜001＞が圧延方向である等方性集
合組織を持つ巻磁心は最終変形を少くとも90％と
し、帯材を予め600℃以上で前に述べた温度限界
以下の温度に加熱することによつて作ることがで
きる。最終変形に先立つ加熱はこの場合にも冷間
変化後の中間焼鈍とするか、あるいは最終冷間変
形前の熱間圧延に際しての加熱を利用することが
できる。 帯材内に作られる結晶集合組織は最終焼鈍温度
に関係する。900℃と1050℃の間の最終焼鈍によ
り立方体組織（100）＜001＞が、1050℃と1200℃
の間の最終焼鈍により二次再結晶組織が得られ
る。最終変形の前に約700℃以上の温度に加熱す
ると、二次再結晶組織は主として（210）＜001＞
配向の粒子を含む。最終焼鈍は時間は少くとも１
時間とする必要がある。特に最低２時間とすれば
良好な結晶が得られる。 最終変形前の加熱を変形処理間の中間焼鈍とす
る場合には、この熱処理も等方性組織と異方性組
織のいずれに対しても少くとも１時間、特に２時
間以上とする。 磁化容易軸が帯面内において圧延方向に垂直と
なるようにするための横磁場焼もどしは、予め帯
材のキユリー温度以上に加熱した巻磁心を30分間
300℃とキユリー温度の間の温度に保持して実施
する。この横磁場焼もどしにより帯材のニツケル
原子と鉄原子相互間の秩序が変つて超格子構造と
なり、帯面内にあつて圧延方向に垂直な磁化容易
軸を持つようになる。このキユリー温度以上の加
熱は主としてその前に行われた処理による焼きも
どし状態を消すためのもので、場合によつては省
略してもよい。 焼きもどし処理の細部については種々のやり方
がある。例えば帯材を炉内でキユリー温度又はそ
れ以上の温度から毎時300℃あるいはそれ以下の
冷却速度で約200℃まで冷却し、以後冷却速度を
コントロールすることなく自然冷却させる。更に
炉内で約550℃から例えば毎時200℃の冷却速度で
焼きもどし温度まで冷却した後、帯材をキユリー
温度以下の焼きもどし温度に４時間保持し以後炉
中冷却する。 キユリー温度従つて焼きもどし温度が比較的低
いニツケル量49重量％以下、例えば、47.5重量％
の合金の場合には、まず横磁場無しに炉内で約
550℃から約500℃まで冷却し、この温度に少くと
も１時間保持した後炉外で急冷して過剰の格子空
孔を凍結させる。続く横磁場内の焼きもどし処理
は、約300℃から450℃の間の温度で数時間行うの
がよい。 焼もどし処理中磁心に作用させる磁場は帯材を
ほぼ飽和磁化するもので、材料の内部磁場は少く
とも5A／cmでなければならない。 図面と実施例によつてこの発明を更に詳細に説
明する。 ニツケル量が53重量％以下のニツケル鉄合金の
多結晶帯の場合、立方体面が圧延面に平行であり
立方体稜が圧延方向に平行および垂直である結晶
の集合組織を作ることができる。立方体稜は磁化
容易方向であるから、立方体集合組織（100）＜
001＞は縦方向および横方向に磁化容易軸を持
つ。この組織は90乃至99％に達する高い冷間変形
と900℃から1050℃の温度範囲においての最終焼
鈍によつて得られる。ただしそのためには最終変
形加工前の加熱処理又は中間焼鈍処理が600℃以
上で第１図に短に縦線で示した温度限界以下であ
る温度、即ちＡ領域で行われることが前提とな
る。第１図と第２図は前に述べた加熱処理又は中
間焼鈍処理に対する温度限界と最終変形度との関
係を示すもので、縦軸には加熱又は中間焼鈍の温
度Ｔ_z（℃）をとり、横軸には最終変形度（％）
をとる。第１図は最終焼鈍温度が900乃至1050℃
の場合、第２図はそれが1050乃至1200℃の場合で
ある。立方集合組織の表われ方は最終変形度が高
い程、出発時の結晶集合組織が微粒である程、従
つてＴ_zが約600℃の再結晶温度に近い程顕著であ
る。中間焼鈍温度を温度限界１以上即ち領域Ｂ内
に値にとると、最終焼鈍後に微粒等方性集合組織
が得られる。領域ＡとＢの境界は精確に決定する
ことができないものであるから、短い縦線で境界
を示してある。境界区域は例えば溶融時のスラグ
の量の外に、添加物特に少量のアルミニウムおよ
びモリブデンに関係していくらか移動するが、基
本的な傾向は保持される。 900乃至1050℃の最終焼鈍により立方集合組織
を持つ材料を1050乃至1200℃で焼鈍すると、立方
組織を破壊する二次再結晶が著しい粒子成長を伴
つて起る。この場合の二次再結晶が起る範囲を区
切る温度限界は第２図の２であるが、立方集合組
織が二次再結晶の前提であるから第１図の温度限
界１に対応している。正規の二次再結晶材料は
種々の配向性を示す粒子を含み、一連の磁化に適
してない粒子配向の外に（210）面が立方体面に
平行し＜001＞方向が圧延方向に平行する磁化に
適した配向粒子を含んでいる。同様な条件の下に
厚さ0.05mm以下の帯材に対して二次再結晶により
主として（210）＜001＞配向の粒子を形成させる
ことができる。まずＴ_zを第２図の温度限界３の
下のＣ領域内即ち600℃から700℃の間に選ぶと、
最終焼鈍において正規の二次再結晶が起り、粒子
の大きさは変形度と共に増大する。Ｔ_zを温度限
界２と３の間のＤ領域内に選ぶと、最終焼鈍によ
り主として（210）＜001＞配向の粒子が形成され
る。この配向は研磨試料において圧延方向に対す
る角度が±37゜又は稀に±66゜である双晶帯とし
て認められる。Ｂ領域内のＴ_zでは最終焼鈍によ
り再び微粒等方性集合組織となる。温度限界１お
よび２と同様に二次再結晶が始まる最終焼鈍温度
も、溶融体内の不純物と酸素親和性の添加物例え
ばアルミニウムに関係する。特にアルミニウムの
添加は二次再結晶温度を著しく上昇させる。 最終変形度を第１図、第２図に示されている範
囲外の88％以下に選びＴ_zを600℃以上とすると、
最終焼鈍により微粒等方性集合組織が作られる。
従つて微粒等方性集合組織を持つ巻磁心は次のよ
うにして製作される。 溶融合金の帯材を厚さ７mmまで熱間圧延した後
厚さ2.5mmまで冷間圧延し、1000℃で２時間中間
焼鈍した後0.35mmまで冷間圧延し、700℃で２時
間で中間焼鈍し、最後に0.05mmまで冷間圧延す
る。最後の中間焼鈍後の冷間変形度は85.7％とな
る。幅15mmの帯材を巻いて外径30mm、内径15mmの
巻磁心とする。この磁心を水素中で最終焼鈍し、
炉内で冷却する。続いて磁心を横磁場内で焼もど
し処理する。磁心に加える磁場は永久磁石で発生
させる。完成した磁心について次の物理量を測定
した。弾道法により5A／cmにおいての磁束密度
B₅（これはほぼ飽和磁束密度である）と残留磁
化Ｂ_r，パルス長50μ_s，パルス間隔20msとして
磁束密度変化ΔＢに対するパルス透磁率μｐ＝
１／μ_０・Δβ／ΔＨ＝１／１．２５７10⁴・Δβ／Δ
Ｈ・Ａ／Ｔcm，周波数10kHz で0.3Tまで磁化するときの磁化損失Ｐ_Fe゜実施例
についてこの発明による巻磁心の製作法を説明す
る。実施例１乃至３は微粒等方性集合組織を持つ
巻磁心に対するものであるから、いずれも帯材の
中間焼鈍温度Ｔ_zは600℃以上に、最終変形度は88
％以下に選ばれている。 実施例 １ ニツケル50.40重量％、マンガン0.39重量％、
シリコン0.16重量％、残部鉄のニツケル鉄合金を
使用し、最終焼鈍は950℃、４時間とする。焼も
どし処理のため横磁場内で550℃に加熱し、炉内
で毎時約200℃で焼もどし温度480℃まで急冷し、
この温度に４時間保持した後炉内で更に冷却す
る。磁束密度変化ΔＢに対するパルス透磁率μｐ
の値を第３図の曲線１１で示す。その他の測定値
は以後の実施例のものと共に後で表にまとめて示
す。 実施例 ２ 合金は実施例１のものを使用し、処理について
は焼もどし温度だけを変えて460℃とする。ΔＢ
に対するμｐの値は第３図の曲線１２で示す。 実施例 ３ ニツケル47.55重量％、マンガン0.43重量％、
シリコン0.15重量％、残部鉄の合金を使用し、巻
磁心は水素中で1150℃、４時間の最終焼鈍後磁場
を加えることなく水素中で550℃に加熱し、500℃
まで冷却し、この温度に１時間保持した後過剰の
格子空孔を凍結させるため炉外で急冷する。その
後400℃、４時間の横磁場焼もどし処理を実施す
る。ΔＢに対するμｐの値は第３図の曲線１３で
示す。 第３図と後で表に示す測定値によれば、等方性
結晶集合組織を持つ合金を横磁場内で焼もどし処
理することにより1Tの磁束密度変化に対するパ
ルス透磁率の値は4000乃至5000に達する。 異方性結晶集合組織を持つ合金の場合には次の
実施例４乃至９に示すようにパルス透磁率を更に
高めることができる。 これらの実施例においては溶融合金で作つた帯
材をまず厚さ７mmまで熱間圧延し、続いて厚さ
0.05mmまで冷間圧延する。その際一部は厚さ2.5
mmのとき中間焼鈍する。幅15mmの帯材を巻いて外
径30mm、内径15mmの環状巻磁心とし、水素中で最
終焼鈍した後同じく水素中で横磁場を加えて焼も
どし処理する。完成品について等方性組織の巻磁
心の場合と同じ物理量を測定した。 実施例 ４ ニツケル50.40重量％、マンガン0.39重量％、
シリコン0.16重量％、残部鉄のニツケル鉄合金を
使用する。熱間圧延した帯材を中間焼鈍無しに厚
さ７mmから0.05mmまで冷間圧延する。この最終変
形度は99.3％となる。最終変形前の熱間圧延は約
650℃の中間焼鈍と同等である。巻磁心は1150℃
で５時間最終焼鈍して二次再結晶組織を作る。焼
もどし処理のためこれを550℃に加熱した後炉内
で毎時200℃の速度で焼もどし温度480℃まで冷却
し、その温度に４時間保持した後更に炉内で冷却
する。ΔＢに対するμｐの値は第４図の曲線２１
で示す。 実施例 ５ 実施例４と同じ合金の帯材を熱間圧延した後厚
さ2.5mmまで冷間圧延し、750℃で２時間中間焼鈍
し、続いて冷間圧延により0.05mmとする。この最
終変形度は98％である。環状の巻磁心を1150℃、
５時間の最終焼鈍により主として（210）＜001＞
配向の集合組織とする。続いて磁心を550℃に加
熱した後炉内で500℃まで冷却し、１時間その温
度に保つ。炉外で急冷して過剰の格子空孔を凍結
させた後横磁場内で400℃４時間の焼もどし処理
を行なう。ΔＢに対するμｐの値は第４図の曲線
２２で示す。 実施例 ６ 実施例４と同じ合金の帯材を2.5mm厚さまで冷
間圧延し、950℃で２時間中間焼鈍する。続いて
0.05mmまで冷間圧延する。これは98％の最終変形
となる。1150℃５時間の最終焼鈍により主として
（210）＜001＞配向の集合組織が作られるが、その
粒度は実施例５の集合組織のものより小さい。磁
心に横磁場を加え炉内で毎時150℃の速度で約200
℃まで冷却した後自然冷却させる。ΔＢに対する
μｐの値は第４図の曲線２３で示す。実施例５の
場合よりも遥に高いパルス透磁率は特に粒度が小
さいことに基くものである。 実施例 ７ 実施例６と同じ方法で巻磁心を作る。但し炉内
で横磁場を加えて550℃から200℃まで冷却すると
きの速度を毎時30℃とする。この場合のΔＢに対
するμｐの値を第４図の曲線２４で示す。実施例
６のものに比べて磁束密度変化が大きいときのパ
ルス透磁率が大きくなつている。 実施例 ８ 実施例４と同じ合金の帯材を熱間圧延後厚さ
2.5mmまで冷間圧延し、950℃２時間の中間焼鈍の
後0.05mmまで冷間圧延する。950℃４時間の最終
焼鈍により圧延方向の立方集合組織を主とする集
合組織が作られる。横磁場内の焼もどし処理に際
してはまず550℃に加熱し、続いて毎時200℃の速
度で430℃まで冷却し、この温度に４時間保持し
た後更に炉内で冷却する。ΔＢに対するμｐの値
は第４図の曲線２５で示す。 実施例 ９ ニツケル47.55重量％、マンガン0.43重量％、
シリコン0.15重量％、残部鉄の合金を使用し、熱
間圧延後まず厚さ2.5mmまで冷却圧延して750℃で
２時間焼鈍した後0.05mmまで冷間圧延する。巻磁
心を1150℃で５時間最終焼鈍すると、（210）＜001
＞配向を主とする集合組織が作られる。最終焼鈍
後550℃に加熱した後500℃まで冷却し、この温度
に１時間保持してから過剰格子空孔を凍結させる
ため炉外で急冷する。これに続いて横磁場内で
400℃４時間の焼もどし処理を行なう。ΔＢに対
するμｐの値は第４図の曲線２６で示す。 上記の実施例による巻磁心について一連のμｐ
の値およびその他の測定値を次の表にまとめて示
す。キユリー温度、残留磁化比Br／B₅、静的磁
束密度変化ΔＢ_stat＝B₅−Brも表に示されてい
る。

【表】 表に示されているようにこの発明の方法によれ
ばパルス透磁率が磁束密度変化1Tのとき10000以
上であり、1.4Tのときにも4700である巻磁心を
作ることができる。0.3Tおよび10kHzにおいての
磁化損失はニツケル61乃至67重量％、モリブデン
２乃至４重量％、残部鉄の公知合金の横磁場焼も
どしをしたときの値14W／Kgよりは大きいが、技
術的の用途に対しては充分使用に耐える値であ
る。 公知のニツケル鉄モリブデン合金の巻磁心のヒ
ステリシスループは比較的フラツトであるのに対
してこの発明の方法によつて作られた磁心はいく
らか急峻であり、特に異方性集合組織を持つ巻磁
心のものはパーミンバル曲線状に中央がくびれて
いて残留磁化と保磁力が比較的小さい。 第５図に実施例２によつて作られた等方性集合
組織を持つ磁心のヒステリシスループを示す。第
６図は実施例７によつて作られ（210）＜001＞配
向を主とする磁心のヒステリシスループ、第７図
は実施例８によつて作られ立方集合組織即ち
（100）＜001＞配向を主とする磁心のヒステリシス
ループである。これらのループは磁心の周辺方向
の磁場により周波数50Hzで測定したダイナミツク
ヒステリシスループである。 第６図と第７図には測定方向に垂直な磁化容易
方向と測定方向に平行な優先方向を持つ結晶組織
との重ね合せがヒステリシスループのくびれに及
ぼす作用が明瞭に示されている。励起磁場が小さ
いときは磁化の転換は主として一軸性異方性Ｋ_u
に対する回転過程によつて決定されるのに対し、
励起磁場が大きいときは主としてブロツホ壁移動
が起る。ヒステリシスループの形は測定方向にお
いての結晶学的優先方向の鮮鋭さと材料の保磁力
と測定方向に垂直な磁化容易方向とに関係する。 実施例８による磁心の場合第７図に示すように
430℃４時間の横磁場焼もどしにより圧延方向の
立方集合組織が重ね合わされて比較的強い横方向
磁化容易軸が現われる。これに反して実施例７に
よる磁心は第６図に示すように保磁力が比較的低
い。また（210）＜001＞集合組織が立方組織程鋭
くないから、ヒステリシスループは第７図よりも
丸くなつている。更にヒステリシスループのくび
れが少いが、これはKuが横磁場焼もどしに際し
て比較的弱く現われるためである。磁束密度変化
1.2Tのときのパルス透磁率は第６図の場合7100
でり、ヒステリシスループを図に示した三種の磁
心の中最高である。大きな磁束密度変化に対して
特に高いパルス透磁率を得るためには、測定方向
においての集合組織と測定方向に垂直な一軸性異
方性Kuとの双方を互に適合して調整することが
重要であることは上記の実施例により理解するこ
とができる。 この発明の方法によつて作られた巻磁心は大き
な磁存密度変化に対するパルス透磁率の高いこと
が必要であるが、磁束密度変化に関係してパルス
透磁率の大きさが一定であることは要求されない
多数の装置に適している。特にこの磁心はパルス
中継器例えば回路網に対する起動中継器又は制御
中継器、ユニポーラ動作のサイリスタの保護リア
クトルとして好適である。また低損失であるため
バイポーラ動作のサイリスタに対しても保護リア
クトルとして適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は最終焼鈍温度が900乃至1050℃のとき
の加熱又は中間焼鈍の温度限界と最終変形度との
関係を示す曲線図、第２図は最終焼鈍温度が1050
乃至1200℃のときの同じ関係を示す曲線図、第３
図は微粒等方性結晶集合組織を持つ巻磁心の磁束
密度変化に対するパルス透磁率曲線、第４図は異
方性結晶集合組織を持つ巻磁心の磁束密度変化対
パルス透磁率曲線、第５図と第６図と第７図は結
晶集合組織の異る各種の巻磁心のダイナミツクヒ
ステリシスループを示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ニツケルが45乃至53の重量％、残部が鉄と少
   量の脱酸剤と加工添加剤である合金から成る厚さ
   0.01乃至0.1mmの帯材を環状に巻き、最低900℃の
   温度で少なくとも一時間の最終焼鈍を実施した後
   磁場内で焼もどしを行なうものにおいて、磁場焼
   もどしの際の磁場を磁心に巻かれた帯材の帯面内
   でその圧延方向に垂直に加えることを特徴とする
   巻磁心の製造方法。 ２ ニツケルの含有量が47乃至52重量％の合金を
   使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の方法。 ３ ニツケルの含有量が49乃至51重量％の合金を
   使用することを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の方法。 ４ 磁心に巻く前の加熱と最終変形加工および巻
   いた後の最終焼鈍により帯材に微粒等方性結晶集
   合組織を作り、その際帯材をその最終変形加工の
   前に熱処理し、その温度を最終焼鈍によつて微粒
   等方性結晶集合組織となる結晶集合組織が帯材内
   に形成される温度限界以上の値に選ぶことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の一つに
   記載の方法。 ５ 最低700℃の温度に少くとも１時間加熱し、
   最終変形加工の変形度を80乃至90％とすることを
   特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６ 最終焼鈍を900℃と1250℃の間で行なうこと
   を特徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記
   載の方法。 ７ 帯材を磁心に巻く前の加熱と最終変形加工お
   よび巻いた後の最終焼鈍により圧延方向に磁化容
   易軸＜001＞を持つ組織を作ることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項乃至第３項の一つに記載の
   方法。 ８ クリスタリツトの少くとも20％が磁化容易軸
   方向に配向されて結晶集合組織を作ることを特徴
   とする特許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 最終変形度を少くとも90％とし、帯材を予め
   600℃以上で最終焼鈍によつて微粒等方性結晶集
   合組織となる組織が形成される温度限界以下の温
   度に加熱することを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項又は第８項記載の方法。 １０ 最終焼鈍を900℃と1050℃の間で行なうこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の方
   法。 １１ 最終焼鈍を1050℃と1200℃の間で行なうこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の方
   法。 １２ 最終変形加工の前に約700℃以上の温度に
   加熱することを特徴とする特許請求の範囲第１１
   項記載の方法。 １３ 巻磁心を磁場内焼もどし処理として少くと
   も30分間約300℃と帯材のキユリー温度との間の
   温度に保持することを特徴とする特許請求の範囲
   第１項乃至第１２項の一つに記載の方法。