JPS61236127A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体
基板表面ヘパッシベーションガラス層を形成する方法に
関するものである。

［従来の技術］ 従来、半導体基板表面ヘバッシベーシミンガラス層を形
成する代表的な方法として、印刷法、電着法などがある
が、いずれの方法においても次のような問題点があった
。

［発明が解決しようとする問題点］ （１）印刷法、電ＩＩ法のいずれの方法を用いてもパッ
シベーションガラス層にピンホールが少なからず形成さ
れてしまうこと。

（２）印刷法にあっては、半導体基板の凹凸により、ま
た、電着法にあっては、電界強度の差によりいずれもパ
ッシベーションガラス層の厚みにむらができてしまうこ
と。

（３）電着法にあっては、二酸化珪素（Ｓｉ　０２　）
被膜上にもガラス・スポットができてしまい、これを除
去する必要があるが、付着したガラス層の焼成後でなけ
れば除去できず、しかもこのガラス・スポットを除去す
るには、ガラスエツチング液を用いるが、このガラスエ
ツチング液中に弗酸（ＨＦ）が存在するために、５１０
２被膜が浸蝕され、パッシベーションガラス効果が減少
すること。

［発明の目的］ この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、半導体基板の各部分において、ピンホール
の形成や厚みのバラツキのない均一のパッシベーション
ガラス層を形成することができる半導体装置の製造方法
を得ることを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ この発明にかがる半導体装置の製造方法は、高周波スパ
ッタ法を用いて、半導体基板表面に、ガラスを堆積させ
、フォトリソ技術によって所定のパターンに形成した後
、上記ガラスのＨｊ積によって形成されたガラス層を焼
成してパッシベーションガラス層を得るものである。

［作　用］ スパッタ法を用いて、半導体基板表面にガラス層を形成
するため、半導体基板表面へのガラスの付着密度が高く
、そのままフォトリソ技術を用いてバターニングが可能
であり、製造工程が簡略化できると共に従来の印刷法、
電肴払などに比較してピンホールのない均一の厚みのパ
ッシベーションガラス層が得られる。

［実施例］ 以下、この発明を図について詳細に説明する。

図は、この発明に使用されるスパッタ装置の概略を示す
ものであって、図において（１）はベルジ＊ｚ、　（２
ａ）、　（２ｂ）はベルジャ（１）内に設けられた電極
、（３）は電極（２ａ）上に固定するターゲットであっ
てこの発明では、鉛（Ｐｂ）系、亜鉛（Ｚｎ）系など半
導体基板表面に形成するパッシベーションガラス層の組
成によって選定したガラスを用いる。

このガラスは、ガラス粉末を加圧成形して板状にしたも
のや、同じくガラス粉末を溶融しこれを冷却して得た板
状のものなどを用いる。

電極（２ｂ）上には、パッシベーションガラス層を形成
するための半導体基板（４）を固定でる。

（５）は電極（２ａ）、　（２ｂ）に接続された高周波
電源であり、両電極（２ａ）、　（２ｂ）間に高電圧を
印加するためのものである。

（６）はベルジャ（１）内を不活性ガス雰囲気に置換す
るための不活性ガス導入口、（１）はベルジャ（１）内
を真空にするための排気口である。

そこで、今、上記のベルジャ（１）内を排気口（７）に
より真空排気して１〜１Ｇ’Ｔ　ｏｒｒ程度にすると共
に不活性ガス導入口（６）により、たとえば、アルゴン
（Ａ　ｒ）ガスをベルジャ（１）内に導入し、（Ａｒ）
ガス雰囲気としておく。

次に、高周波電源（５）により両電極（２ａ）、　（２
ｂ）間に高電圧を印加する。

すると、ターゲット（３）としてのガラスと半導体基板
（４）間にグロー放電が生じ、イオン化されたガラス分
子が飛散し、半導体基板（４）の表面に堆積する。

所定時間経過後、半導体基板（４）を、ベルジャ（１）
内から取り出し、その表面にレジストを塗布した後、フ
ォトリソ技術により不要な部分のガラス層を除去する。

その後、半導体基板（４）を加熱してガラス層を焼成す
る。

上記の加熱温度、加熱時間、および高周波電源（５）の
電圧など各種条件は、使用する半導体基板（４）の直径
、厚みなどを考慮して定められるが、この実施例の場合
、以下のような条件とした。

■　半導体基板（４）の直径１００ｍ１．厚さ０．５雌
。

■　高周波電源（５）の電圧５ｏｏｖ、周波数５００Ｋ
ｔｔＺ　。

■　半導体基板（４）の加熱温度３００℃加熱時間１０
０分。

なお、ガラスのスパッタ速度を高めるため、ターゲット
表面に磁界を設けたマグネトロン方式のスパッタ法を利
用することもできる。

Ｃ発明の効果１ 以上のように、この発明によれば、スパッタ法によって
半導体基板表面にガラス層を形成し、フォトリソ技術に
よってパターニング後、ガラス層を焼成してパッシベー
ションガラス層を得るようにしたので、ピンホールのな
いものが得られると共にベルジャ内を低真空としてガラ
ス層を形成するために、ガラスのいわゆる「まわり込み
Ｊが良くなり、半導体基板段差部のステップカバレージ
が大幅に改善され、半導体基板表面の凹凸にもかかわら
ず、均一な膜厚のパッシベーションガラス層が形成でき
る。

さらに、ガラス層を焼成前にフォトリソ技術により容易
に不要な部分のガラス層を除去できることから、従来の
製造工程に比し、その工程が簡略され、製造時間の短縮
化が図れる。また、３ｉ０２被膜上にガラス・スポット
が形成されることがないので、ガラスエツチング液に浸
漬する必要もなく、したがってＳｉＯ２被膜が浸蝕され
ることもない。

以上により、この発明の製造方法によれば最終的に得ら
れた半導体装置の信頼性の向上、歩留りの向上など優れ
た効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

図は、この発明に用いるスパッタ装置の概略を示す説明
図である。 図において、（１）はベルジャ、（２ａ）。（２ｂ）は
電極、（３）はターゲット、（４）は半導体基板、（５
）は高周波電源である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板表面にパッシベーションガラス層を形成する
   半導体装置の製造方法において、高周波スパッタ法によ
   り前記半導体基板表面にガラス層を形成し、このガラス
   層をフオトリソ技術を用いて所定のパターンに形成した
   後、前記ガラス層を焼成してパッシベーションガラス層
   を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。